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DE UNIN (BJT)
UNIDAD 2
TRANSISTORES BIPOLARES
Estructura
Constan de 3 regiones semiconductoras: emisor (tipo n), base (tipo p),
colector (tipo n) NPN.
Otro transistor puede constar de un emisor (tipo p), base (tipo n) y
colector (tipo p) PNP.
TRANSISTORES BIPOLARES
Ejemplos:
TRANSISTORES BIPOLARES
Vcbo: Mxima tensin que soporta entre el Colector y la base. No podemos usar una
fuente de alimentacin de ms Voltios, sino se quema.
Vceo: Mximo voltaje entre Colector y Emisor, como en el caso anterior nos limita el voltaje
de alimentacin del circuito.
Vebo: Mxima tensin entre Base y Emisor, si cuando polarizas el transistor excedes los 6
voltios se quemara la base y nunca ms funcionara, el no exceder los 6 voltios tampoco
es garanta de que no se queme, si superas la intensidad mxima de base se quema tambin.
Ic: Corriente que es capaz de soportar el transistor en su parte de fuerza, esto es entre
Colector y Emisor.
Pc: Potencia nominal que disipa el transistor, se calcula de la siguiente manera:
Potencia disipada = Voltaje entre Colector-Emisor * Intensidad de Colector.
Como amplificador
Como interruptor