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MARCO TEORICO:
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente.
Esquema del JFET canal N y P:
Transistor Canal N
Transistor Canal P
Circuito equivalente en pequea seal de un
transistor JFET:
Se observa que ste funciona como una fuente dependiente de corriente
controlada por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de
este dispositivo es lo suficientemente alta como para no incluirla en el
modelo, a diferencia de lo que ocurre con el transistor BJT.
Para que el modelo de pequea seal tenga validez, debe cumplirse la
siguiente condicin:
Ganancia de Tensin
Se ha comentado que para alterna los condensadores
que aparecen en el circuito de amplificacin son
cortocircuitos, estn preparados para eso, la
reactanciade los condensadores para la frecuencia a la
cual van a trabajar dentro del amplificador debe ser
muy baja, mientras que para continua, que corresponde
a la parte de la polarizacin en la cual se ubica el punto
de operacin los condensadores se comportan como
circuitos abiertos, ya que la frecuencia en continua es
cero y para una frecuencia de cero la reactanciade un
condensador tiende al infinito.
Para obtener la ganancia de tensin Av, se necesita conocer la tensin de entrada
Vi que es Vi=Vgs y la tensin de salida Vo, la tensin obtenida en la salida es
Vo=id*rd, por lo tanto:
Av= -Vo/Vi, luego
Av= -(id*rd)/Vgs, peroVgs=id/gm, entonces
Av= -(id*rd)/ (id/gm), de donde
Av= -gm*rd, Que es la ganancia de voltaje para un circuito de amplificacin con
un JFET.
La ganancia de voltaje en un circuito de amplificacin con el JFET es muy baja
comparada con la ganancia que tiene un transistor BJT, en cuanto a la ganancia
de corriente, no se puede hacer un clculo ya que la corriente de entrada ig=0 es
cero; la corriente de salida ser igual aid=gm*vgs, en un circuito de amplificacin
con el JFET se obtiene corriente id a partir de una tensin vgs.
Impedancia de Entrada y de Salida
Los JFET tienen una alta impedancia o resistencia de
entradaRentque se mide entre la compuerta G y la
fuente S, la cual se puede conocer con la ayuda de la hoja
de datos, all se encuentraun valor llamadoIGSS, el cual
se ha medidopara un cierto valor deVGS, para conocer la
resistencia de entrada ser necesario aplicar la ley de ohm
entre estos dos valores, algo asi:
Rent=VGS/IGSS, para un JFET de canal n VGS ser
negativo, se usar su valor absoluto.
Este valor es muy grande, muchas veces de miles de mega
ohmios,por esose considera que el JFET es un circuito
abierto en su entrada.
Impedancia de Entrada