APLICACIONES DEL RESISTOR BJT EN MAQUINARIA PESADA

Introduccin:

Se denomina transistor bipolar o bj a

un dispositivo electrnico constituido
por un cristal semiconductor en el que
se han formado dos uniones p-n
consecutivas. Esto puede conseguirse
creando dos zonas de tipo p separadas
por un zona de tipo n (transistor PNP) o
bien creando dos zonas tipo n
separadas por una zona p (transistor
NPN).
El transistor es el caballo de batalla
de la electrnica. Como elemento
amplificador activo, ha sustituido casi
por completo a las vlvulas o tubos
electrnicos. La estructura interior
muestra que el transistor es una
especie de "diodo doble", con dos
uniones (una entre base y emisor y
otra entre base y coelctor). Esto deja
claro rpidamente las dos formas
posibles, a saber: el transistor PNP y
el transistor NPN. Como el cristal
base es extremadamente delgado,
una pequea corriente de control,
entre base y emisor, puede regular
una corriente mucho ms alta entre
colector y emisor.
 La principal aplicacin del
transistor es su
funcionamiento como
amplificador. Para ello es
preciso polarizar una de las
uniones en sentido directo y
la otra en sentido inverso.
La zona exterior de la unin
polarizada en sentido
directo se denomina
emisor, mientras que la
zona exterior de la unin
En este
este caso
caso se
se
polarizada en sentido
En
muestra la
muestra la inverso se denomina
amplificacin de
amplificacin de audio
audio colector. La parte central
de los
de los sistemas
sistemas de
de
sonido.
recibe el nombre de base.
sonido.
Los transistores son
fundamentales en la mayora de
los circuitos electrnicos que
realizan la funcin de
amplificacin, control,
estabilizacin de la tensin
 Dispositivos electrnicos que producen seales
elctricas muy dbiles que, en la mayor parte de
las aplicaciones, hay que aumentar (proceso de
amplificacin)
Ejempl
os:
1:

Dispositivos
electrnicos que
generan las
seales de
control, como
una resistencia
NTC en un
termostato.
2:

En los dispositivos
electrnicos que
generan las seales
de control , como
una LDR en una
barrera
fotoelctrica.
3:

En los dispositivos
electrnicos que
generan las seales
de control , como un
micrfono de audio
Tambin es til para
poder conseguir
alimentar a
dispositivos o
receptores, que
necesitan de un
aporte mayor de
energa para su
funcionamiento
(rels que ponen en
marcha una
lmpara o motor, o
altavoces, etc.)
El transistor es un componente fcilmente identificable
por sus tres terminales de conexin que salen al exterior a
travs de una de las bases de su cpsula. Estos, suelen
estar dispuestos en lnea o segn los vrtices de un
tringulo imaginario. Cada uno de estos terminales est
unido a un cristal tipo P o tipo N. De esta forma, nos
encontramos con un terminal de emisor, un terminal de
base y otro de colector.

Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN. En la

siguiente figura, se muestra la disposicin de los cristales
en cada uno de los dos tipos, as como su smbolo
correspondiente. Obsrvese que si el transistor es PNP
(PeNetra) la flecha correspondiente al emisor se dibuja
hacia dentro, y si es NPN (No PeNetra) dicha flecha se
Conclusiones y conceptos importantes del transistor BJT

1. No se puede obtener amplificacin en el dominio de CA sin la

aplicacin de un nivel de
polarizacin de CD.
2. Para la mayora de las aplicaciones el amplificador de BJT se puede
considerar lineal, lo que permite utilizar el principio de superposicin
para separar los anlisis y diseos de CD y CA.
3. Al presentar el modelo de CA de un BJT.
a. Todas las fuentes de cd se hacen igual a cero y las reemplaza una
conexin de cortocircuito
a tierra.
b. Todos los capacitores se reemplazan por un equivalente de
cortocircuito.
c. Todos los elementos en paralelo con un equivalente de
cortocircuito introducido se
debern eliminar de la red.
4. La impedancia de salida de una red de CA no se puede medir con un
ohmmetro.
5. La impedancia de salida de un amplificador se mide con la seal
aplicada igual a cero.
No se puede medir con un ohmmetro.
6. Se puede incluir la impedancia de salida para el modelo re slo si se
obtiene en una hoja
de datos o con una medicin grfica de las curvas caractersticas.
7. Los elementos aislados por capacitores para el anlisis de cd
aparecern en el anlisis de debido al equivalente de cortocircuito de
los elementos capacitivos.
8. El factor de amplificacin (beta, b o hfe) es el menos sensible a
cambios de la corriente
del colector, en tanto que el parmetro de impedancia de salida es el
ms sensible. La impedancia de salida tambin es bastante sensible a
cambios de VCE, en tanto que el factor de amplificacin es el menos
9. La configuracin en base comn tiene una impedancia de entrada
muy baja, aunque
puede tener una ganancia de voltaje significativa. La ganancia de
corriente es apenas
menor que 1 y la impedancia de salida es simplemente RC.
10. La mayora de las hojas de especificaciones de los BJT incluyen una
lista de los parmetros hbridos para establecer un modelo para el
transistor. Debemos tener en cuenta, sin embargo, que se proporcionan
para un conjunto particular de condiciones de operacin de CD.
11. La configuracin de polarizacin fija en emisor comn puede tener
una caracterstica de ganancia de voltaje significativa, aun cuando su
impedancia de entrada pueda ser relativamente baja. La ganancia de
corriente aproximada est dada simplemente por beta
y la impedancia de salida por lo comn se supone que es RC.
12. La ganancia total de un sistema en cascada est determinada por el
producto de las ganancias de cada etapa. La ganancia de cada etapa,