Introduccin a la

Electrnica

Dispositivos semiconductores

12/08/2008 Introduccin a la Electrnica -

2008
Semiconductores y su evolucin
Millikan - la naturaleza discreta de la carga elctrica
Planck - la teora quntica
Einstein Efecto fotoelctrico
Schrondinger Ecuacin de ondas

1948, laboratorios Bell primer transistor
Germanio
Ganancia de voltaje de 100
Frecuencias de audio
1956 Premio Nobel !!
Precio de un transistor 10 $

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores y su evolucin
1961 Primer circuito integrado
4 transistores + 2 resistencias
1969 Primer amplificador operacional
Costo: 75 $
1967 Memoria de 64 bits
1968 Memoria de 1024 bits
1994 Memoria de 256 megabits
2008 - ??

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores - Introduccin
Existen dos mecanismos asociados al transporte de
partculas cargadas en un slido

Corriente de Corriente de
desplazamiento difusin

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores - Introduccin
Corriente de desplazamiento

Movimiento aleatorio sin Movimiento aleatorio

un campo elctrico con un campo elctrico
aplicado aplicado

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores - Introduccin
Conductividad

Corriente

Velocidad de desplazamiento promedio

Conductividad
Densidad de corriente

Nmero de Movilidad
portadores de carga

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores - Introduccin
plata
Conductividad cobre
aluminio
conductores
grafito

germanio
semiconductores
silicio
Agua destilada

baquelita
aisladores

mica

cuarzo

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores - Introduccin
Corriente de difusin
Si existe una elevada concentracin de partculas en
una regin comparada con otra, existir un
desplazamiento neto de partculas que ecualizara la
concentracin luego de un periodo de tiempo

Concentracin inicial Concentracin final

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
 Semiconductores - Introduccin
Corriente de difusin

Flujo de partculas

Constante de difusin
Relacin de
Densidad de corriente (electrones) Einstein

Densidad de corriente (cargas positivas) Las constantes de difusin y la

movilidad estn relacionadas.
Ambas constantes relacionan
el movimiento de las
partculas y las colisiones

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 Teora de bandas de energa
Atomo aislado de hidrogeno Modelo de Bohr:
la energia de los electrones
en sistemas atomicos esta
restringida a un limitado set
de valores.

Cada nivel de
energia corresponde
a una orbita del
electron alrededor
El desplazamiento de un electron de un nivel
del nucleo
discreto de energia hacia otro de mayor nivel
requiere una cantidad de energia extra.
Un electron desplazandose hacia un nivel de
energia inferior, libera una cantidad discreta de
energia

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Teora de bandas de energa
Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de
energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los
niveles discretos de energia formando bandas de niveles de
energia permtidos

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Teora de bandas de energa
Diagrama de bandas de energia

Banda de valencia: los electrones

no son moviles, no contribuyendo
a la conduccion de corriente electrica.
Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de
valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una
pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento
de los electrones -> corriente electrica.
Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y
la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no
pueden ser ocupados por portadores de carga.

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 Teora de bandas de energa
Clasificacin de los materiales
Existen electrones en la banda de
conduccin a temperatura ambiente.
semiconductor

conductor
aislador
Las bandas de conduccin y de
Banda de conduccin vaca valencia se solapan.

Banda de valencia llena Existe un gran nmero de electrones en

la banda de conduccin a temperatura
Gran cantidad de energa es requerida para ambiente.
desplazar un electrn de la banda de
valencia a la de conduccin

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Teora de bandas de energa
Clasificacin de los materiales

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores: Silicio
Estructura cristalina
La distribucin espacial de los tomos dentro de un
material determina sus propiedades.
El silicio puede existir en tres formas diferentes
Amorfo -> grafito
Policristalino
Cristalino -> diamante

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores: Silicio
Estructura cristalina

Enlaces covalentes

tomo de silicio

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 Semiconductores: Silicio
Portadores
Cuando un enlace de
Si-Si es roto, el electrn
asociado es un portador Sin portadores Remover un
de corriente. electrn de la banda
Equivalentemente, la de valencia crea un
excitacin de un estado vaco.
electrn de la banda de Este estado vaco,
valencia a la banda de es un segundo tipo
conduccin crea electrn
de portadores
portadores -> denominado
Electrones en la lagunas
banda de conduccin
son portadores
Electrones y lagunas son portadores
laguna
en los semiconductores
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
 Semiconductores: Silicio
Generacin de pares electrones-lagunas

Concentracin de
electrones intrnseco

Concentracin de
lagunas

A elevar la temperatura algunos enlaces Corriente en un semiconductor

covalentes son rotos, y los electrones
asociados al enlace son libres de desplazarse
bajo la influencia de un campo elctrico
Movilidad de Movilidad de
externo.
los electrones las lagunas
Simultneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas

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Semiconductores: Silicio
Circulacin de corriente en un semiconductor

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Silicio con dopaje
El agregado de un pequeo porcentaje de tomos
forneos en la estructura cristalina del silicio
produce importantes cambios en sus propiedades
elctricas.
Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son
utilizados.
4 electrones de la banda de valencia forman enlaces
covalentes con los tomos vecinos de silicio. El
electrn restante esta dbilmente ligado al tomo de
impureza, actuando como un electrn libre.
Impurezas donoras: donan un electrn a la banda de
conduccin.
Fsforo, arsnico, antimonio

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Silicio Tipo N

Conductividad

Concentracin de tomos donores

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Silicio Tipo P
TIPO P
Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro,
Galio, Indio.
Para completar el enlace covalente con tomos de
silicio, un electrn es atrado de la banda de valencia
dejando una laguna.
impureza aceptora: acepta un electrn de la banda de
valencia

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Semiconductores
Terminologa
Semiconductor intrnseco:
semiconductor sin el agregado de impurezas
Donor:
tomos de impurezas que incrementan la concentracin de
electrones
Aceptor
tomos de impurezas que incrementan la concentracin de
lagunas
Portadores mayoritarios:
Los portadores mas abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo N y lagunas en material tipo P.
Portadores minoritarios:
Los portadores menos abundantes en un semiconductor.
Electrones en material tipo P y lagunas en material tipo N

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Juntura P-N
La concentracin de
tomos donores es
mayor que la de
aceptores

aislados
A temperatura ambiente,
Cada electrn de los
tomos donores tiene
suficiente energa para
escapar de su tomo y
puede desplazarse
libremente.
Los tomos aceptores
han adquirido un electrn
de la banda de valencia,
dejando lagunas que
circulan libremente

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 Juntura P-N en equilibrio
Un diodo de juntura consiste de un material
Semiconductor tipo P en contacto con un
material N.

Consideraciones
Region P N_A atomos aceptores
Region N N_D atomos donores
N_D>N_A
No existe potencial externo aplicado

Regin N: Los electrones cercanos a la juntura

se difunden desde la regin con alta
concentracin de electrones (regin N) a la Electrones
regin con baja concentracin de electrones
(region P).
Lagunas
Regin P: Las lagunas se difunden hacia la
regin N.

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 Juntura P-N en equilibrio
Los electrones que se difunden a la regin P
dejan tomos ionizados + en el lado N.
Las lagunas dejan tomos ionizados en la
regin P.

Regin de deplecin : capa de iones

Densidad sin neutralizar
de carga
Campo elctrico El campo elctrico desplaza los
electrones fuera de la regin de deplecin
potencial Corriente de desplazamiento

EQUILIBRIO : otros electrones de la regin

N no pueden migrar hacia la regin P porque
Corriente de Corriente de son repelidos por los iones negativos de
difusin desplazamiento la regin P y atrados por los iones negativos
N P = N P de la regin N

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Juntura PN en equilibrio
Campo elctrico
Una barrera de potencial es generada
para mantener el equilibrio

potencial
Potencial de contacto

Representa la barrera de potencial

Concentracin de que debe ser sobrepasada para que
portadores
un portador de carga se difunda a
travs de la juntura

Niveles de energa

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Juntura PN polarizacin directa

Al ser polarizada directamente la

juntura PN, el potencial de juntura
disminuye.

Los electrones se difunden

hacia la regin P y las
lagunas hacia la regin N

La corriente de difusin es
Corriente de difusin
la dominante
Corriente de desplazamiento
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Juntura PN polarizacin inversa

La barrera de potencial aumenta.

El campo electrico se intensifica.
La capa de deplecin se ensancha.
La corriente de difusin se hace cercana
a cero

Corriente de difusin
Corriente de desplazamiento

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Juntura PN

EQUILIBRIO

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

 El diodo
La corriente de lagunas y la corriente de electrones
son asumidas como corrientes de difusin.

Tensin de ruptura
Corriente de saturacin inversa : es funcin del inversa
rea de juntura, de las constantes de difusin,
concentracin de equilibrio y longitud de difusin
de los portadores minoritarios
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Modelo del diodo

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

El diodo Efecto zener
Modificando el espesor de la
capa donde el voltaje es
aplicado, el efecto zener
puede ocurrir a tensiones
inversas desde los 4 volts
hasta cientos de volts.
29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es
aplicado, la juntura PN
experimentara una rpida
avalancha y conducir en la
direccin inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo elctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
En esta regin, pequeos cambios
en el voltaje aplicado pueden
causar grandes variaciones de
corriente.
El diodo Aplicaciones
Rectificadores
Reguladores
Circuitos de enclavamiento
Circuitos lgicos
LEDs, fotodiodos

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Rectificadores
Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Rectificadores
Rectificador de onda completa

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Rectificadores con filtro RC

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Rectificadores con filtro RC
Rizado en filtros RC (ripple)

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Rectificadores
Ejemplo: Cargador de batera

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Reguladores

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Recortadores

29/07/2017 Introduccin a la Electrnica 2008

Circuitos lgicos con diodos

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