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Semicondutores
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13/08/2017 1
Semicondutores: Juno P-N
tomo Quntico
Os eltrons da nuvem eletrnica dos tomos no tm todos a mesma energia. Os eltrons
distribuem-se por nveis de energia
Um orbital uma regio, dentro de um nvel de energia, em que existe maior probabilidade de
encontrar um eltron.
En 2 eV
13.6
Ncleo Orbitais
n
No centro do tomo, Prtons e
Nutrons formam o pequeno mas
pesado ncleo.
n=1 Prtrons tm carga positiva;
Nutrons no tm carga, isto , so
n=2 s s p s p s d pd f neutros;
Prtons e nutrons tm a mesma
massa;
n=3 Eltrons so carregados
negativamente e quase que no
n=4 tm massa;
Eltrons ocupam muito do espao
vazio do tomo.
Nveis de Energia
13/08/2017 2
Semicondutores: Juno P-N
Movimento de Eltrons
13/08/2017 3
Semicondutores: Juno P-N
Movimento de Eltrons
Condutividade Eltrica
Capacidade dos materiais de conduzirem ou transmitirem corrente eltrica. Quanto
condutividade, os materiais podem ser classificados em condutores (os metais so os
melhores condutores), semicondutores e isolantes (ou dieltricos).
= resistividade. (ohm.cm).
= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1).
q = carga carregada pelo portador (coulombs) [q do eltron= 1,6x10-19 coulombs].
= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s).
n = nmero de portadores de carga por cm3.
13/08/2017 4
Semicondutores: Juno P-N
Movimento de Eltrons
Resistividade Eltrica
Resistividade eltrica - Como varia a resistividade com a temperatura?
Movimento de Eltrons
Resistividade Eltrica
Semicondutores
Teoria - Slidos:- Cristalografia elementar
Materiais
Slidos
Amorfos
Cristalino Policristalino
(Non-cristalino
Cristal
simples
13/08/2017 7
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria - Slidos:- Cristalografia elementar
13/08/2017 8
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria - Slidos:- Cristalografia elementar
Policristalino
forma de pirite
(Gros)
Estrutura cristal
13/08/2017 9
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria -Slidos:- Cristalografia elementar: Amorfo (no-cristalino)
13/08/2017 10
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria -Slidos:- Condutores, isoladores e semicondutores
Condutores
Quando a camada externa de um tomo de um elemento est incompleta ou no completa de
eltrons, os seus eltrons podem se mover mais livremente de um tomo para outro tomo. Elementos
cujos eltrons podem se mover mais livremente fazem bons condutores. Em geral, a maioria dos
metais so bons condutores porque eles s tm um ou dois eltrons na sua faixa exterior.
Prata e ouro so os melhores condutores. O cobre o segundo melhor condutor. O maior uso vai para
o fio de cobre, porque um bom condutor e menos dispendioso do que os outros metais.
13/08/2017 11
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria - Condutores Condutor
Estes
eltrons requerem uma pequena quantidade de energia para se libertarem para a
conduo.
A fora em cada eltrons suficiente para livr-lo de sua rbita e poder saltar de um
tomo para outro - o condutor conduz!
por isso que se diz que os condutores tm uma baixa resistividade / resistncia
13/08/2017 12
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Condutores ligaes Metlicas
13/08/2017 13
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria -Metais:- Exemplo de Condutores Prata e Cobre
2 8 18 18 1 1 18 8 2
Nmero de Eltrons
em rbita
Ncleo
14
13/08/2017 14
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria - Exemplo de Isoladores Non e rgon
2 8 8 8 2
13/08/2017 15
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Isolador
Teoria - Isoladores
Estes
eltrons exigem uma quantidade muito grande de energia para se libertarem para a
conduo
A fora em cada eltron no suficiente para livr-lo da sua rbita, e poder saltar de um
tomo para outro Por isso, o isolador no conduz!
por isso que se diz que os isoladores tm uma alta resistividade / resistncia
13/08/2017 16
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria - Semicondutores
Quando a camada exterior de um elemento no est completa nem incompleta, o
elemento considerado um semicondutor. Os exemplos de bons materiais semicondutores
so. Por exemplo o Carbono (utilizado para fazer resistncias) o Silcio e o Germnio
(usados para fazer transistores).
Silcio - 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Carbono - 1s2 2s2 2p2
(Si)
(C)
A rbita mais externa de carbono e silcio cada uma pode conter
no mximo 8 (oito) electres. Porque ambos contm quatro (4),
estes electres no so nem estvel nem instvel.
2 4
Germnio - 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
(Ge) 4 8 2
Esta estrutura de electres o que faz do Carbono, do Silcio e
do Germnio, bons semicondutores4 electres na ltima
camada. (valncia)
So materiais de condutividade intermdia, entre a dos metais e a dos
isoladores, que se modificam, em grande medida pela temperatura, pela
excitao ptica e com a adio das impurezas
13/08/2017 17
Semicondutores: Juno P-N
6eV
Orbitais
Buracos
Electres
Ambos os electres e buracos tendem a ocupar posies de mais baixa de energia.
Banda de valncia
13/08/2017 19
Semicondutores: Juno P-N
13/08/2017 20
Semicondutores: Juno P-N
13/08/2017 21
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
Proto
Neutro Estados de
Oxidao
Smbolo
Qumico
Nome
Distribuio Electrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
1 Nvel
(N1- 1s2)
2 Nvel (N2- 2s2, 2p2)
13/08/2017 22
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
Carbono: gasoso (6 electres) 1s2, 2s2, 2p2 - ltima camada, nvel 2, tem 4 electres,
pode ir at 8, logo tem 4 estados vazios 4 estados vazios
4 Electres de valncia
- - 2p2
- - 2s2
_ _
1s2
Distncia interatmica
Estados discretos
Banda de estados (tomos isolados)
13/08/2017 23
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
Reduo da distncia interatmica do Carbono.
- -
Energia
- -
- - - -
- - - -
- -
Distncia interatmica
Diamante: Grafite:
Cbico, transparente, duro e isolante Hexagonal, negro, brando e condutor
13/08/2017 24
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
Banda de conduo
4 estados/tomo
Energia
Banda proibida
Eg=6eV
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria para saltar
para a banda de conduo, poderia mover-se para um estado vazio da banda de
conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica. temperatura
ambiente quase nenhum electro tem essa energia. um isolante
13/08/2017 25
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
Nvel de Fermi
- -
- - Banda de
valncia
4 electres/tomo
13/08/2017 26
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Germnio
1 Nvel
(N1)
Estados de
Oxidao
2 Nvel
(N2)
3 Nvel Smbolo
Qumico
(N3) Nome
Distribuio Eletrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
4 Nvel
(N4)
-Eltrons de valncia
13/08/2017 27
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Germnio
4 estados/tomo
Energia
Banda de conduo
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria para saltar
para a banda de conduo, pode mover-se para um estado vazio da banda de
conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica. temperatura
ambiente alguns electres tm essa energia. um semicondutor.
13/08/2017 28
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Silcio Nmero
Atmico
Massa
Atmica
Smbolo
Neutro
Qumico
Nome
Distribuio Eletrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
1 Nvel
(N1)
2 Nvel
(N2)
3 Nvel
(N3)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 -Eltrons de valncia
13/08/2017 29
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Silcio
4 estados/tomo
Energia
Banda de conduo
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Tal como no Germnio, se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria
para saltar para a banda de conduo, (maior do que no germnio) pode mover-se para um
estado vazio da banda de conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica.
temperatura ambiente alguns electres tm essa energia. um semicondutor.
13/08/2017 30
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Materiais
Diagrama de Bandas:
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
Os Semicondutores tm uma resistividade/resistncia entre a dos condutores e os
isoladores.
Os seus electres da ltima camada ( electres de valncia), no so livres para se mover,
mas um pouco de energia vai libert-los para a conduo
Os dois semicondutores mais comuns so os de silcio e de germnio
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
+
Si Si Si 300K
(27oC)
Eltron Lacuna
Si Si Si
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
Aco de um campo eltrico
- +
Si Si Si
- +
- + + +
Si Si Si
- +
- +
Si Si Si
- +
Concluses: A corrente num semicondutor devida a dois tipos de portadores de carga:
Lacunas (ou buracos) e Eltrons. A temperatura afeta fortemente as propriedades eltricas
dos semicondutores:
Maior temperatura mais portadores de carga menor resistncia
13/08/2017 36
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco
Efeitos da temperatura
Ge: Germnio - - - - 0K
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
No h ligaes covalentes abertas a 0oK. Isto equivale a que os electres da
banda de valncia no podem saltar para a banda de conduo.
13/08/2017 37
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco
Efeitos da temperatura
Ge: Germnio - - - 0K K
300
-
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+
-
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
H 1 ligao em aberto por cada 1,7109 tomos.
1 electro livre e uma carga + por cada ligao em aberto.
13/08/2017 38
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco 300 K
Efeitos da temperatura
-
Ge: Germnio - - - Gerao
-
- - - - +
Recombinao
-
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - - - -
- Gerao - -
+ Recombinao Gerao
-
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
H sempre ligaes que se esto abrindo (gerao) e reconstruindo (recombinao). A
vida mdia de um electro pode ser da ordem de milissegundos ou microssegundos.
g- Taxa de gerao de pares electro buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1). Equilibrado
g=r
r- Taxa de recombinao de pares electro buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1).
13/08/2017 39
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco 300 K
Efeitos da temperatura
Ge: Germnio - -
- -
+++++
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
-
-
-
- --
-
- -
-
-
- -
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - -
- +
O electro livre, move-se por aco do campo. E a carga + (lacuna)?.
13/08/2017 40
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco 300 K
Efeitos da temperatura
Ge: Germnio - -
- -
+++++
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
-
-
-
- --
-
- -
-
-
- -
Ge
+
-
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - -
-+
E a carga move-se tambm. o novo portador de carga, chamado Lacuna ou +
buraco.
13/08/2017 41
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Intrnsecos 300 K
Efeitos do Campo Elctrico
Movimento de Cargas , num campo elctrico
E
-
+++++
- -- - - -
- + ++ ++ ++ ++
- - -- - - -
-
+ ++ ++ ++ ++
jp jn
-
Existe corrente elctrica devida aos dois portadores de carga:
jp=eppE a densidade de corrente de lacunas.
Jn=ennE a densidade da corrente de electres.
Considerando que os electres se movem numa direco oposta ao campo eltrico aplicado, as lacunas movem-se na
direco do campo elctrico..
13/08/2017 42
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Intrnsecos
Movimento de Cargas num campo elctrico
jp=e pp E
jn=e nn E
e = Carga do electro
p = Mobilidade das lacunas
n = Mobilidade dos electres
p = Concentrao de lacunas
n = Concentrao de electres
E = Intensidade do campo elctrico
13/08/2017 43
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos
13/08/2017 44
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos - Dopagem
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
Si Si
Sb Si temperatura ambiente todos
+ os tomos de impurezas se
+ encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com
que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao
cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal
de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N
de negativo, referindo-se carga do electro).
13/08/2017 46
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
TIPO N
Impurezas grupo V
+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
Lacunas livres +
Sb +
Sb
Carga mvel +
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb 300K
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Electres livres
Carga mvel tomos de impurezas
Ionizados Carga esttica
Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo N so os electres livres. Actuam
como portadores de carga negativa.
Os portadores minoritrios de carga num semicondutor tipo N so as Lacunas ou buracos.
Actuam como portadores de carga positiva.
4
A energia necessria para ionizar um tomo doador (isto , para libertar o electro E m0 q
8 02 h 2
ion
adicional e deixar para trs um io positivo), pode ser estimada atravs da
modificao da teoria de energia de ionizao de um tomo de hidrognio.
A modificao consiste em substituir 0 com 120 (onde 12 o permissividade relativa de silcio) e recolocar m0 com a massa efectiva do electro, mn
13/08/2017 47
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
TIPO N
Interpretao no diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo N
34 est./atm.
est./atm.
300K
10 electr./atm.
electr./atm. 0K
Energia
-
+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
O Sb gera um estado permitido na banda proibida, muito perto da banda de conduo.
A energia necessria para alcanar a banda de conduo consegue-se temperatura
ambiente.
13/08/2017 48
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
Si Si
Al Si temperatura ambiente todos
+ - os tomos de impurezas se
encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos trivalentes (como o Alumnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com
que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) eltrons eles
so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo,
referindo-se falta da carga negativa do eltron).
13/08/2017 49
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
TIPO P
Carga mvel -
Al -
Al 300K
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al -
Al -
Al -
Al
13/08/2017 50
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
TIPO P
Interpretao no diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo P
4 est./atom. 300K
0K
Energia
EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 lacuna/atom.
13/08/2017 51
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO N 0K
Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb
- -
- 4
3
- - -
Tem 5 electres de valncia na ltima camada.
A 0oK, h um electro adicional ligado ao tomo de Sb.
13/08/2017 52
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO N 300K
0K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5
- - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb+
- -
- Sb 4
3
- - -
A 300K, todos os electres adicionais dos tomos de Sb esto desligados do
seu tomo (podem deslocar-se e originar corrente elctrica). O Sb um dador
e no Ge h mais electres que lacunas. um semicondutor tipo N.
13/08/2017 53
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO N
Germnio dopado com Arsnio
300K
Electres livres
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Crista\l.swf
13/08/2017 54
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO N
Interpretao em diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo N
43 est./atm.
est./atm.
01 electr./atm. 0oKoK
300
Energia
electr./atm.
-
+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
13/08/2017 55
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO P
Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo III
- - - -
0 oK
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al -
- 3
- - -
Tem 3 eltrons de valncia na ltima camada.
A 0oK, h uma falta de eltrons ligado ao tomo de Al.
13/08/2017 56
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO P 0oK
300
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al
Al - - -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300K, todos a faltas eltrons (lacunas) dos tomos de Al esto cobertas por
eltrons procedentes de tomos de Ge, nos quais geraram lacunas. O Al um
aceitador e no Ge h mais lacunas que eltrons. um semicondutor tipo P.
13/08/2017 57
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO P
0oKoK
300
4 est./atom.
Energia
EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 lacuna/atom.
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Resumo
Semicondutores intrnsecos:
Igual nmero de lacunas e de eltrons
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Mais lacunas (maioritrios) que eltrons (minoritrios).
Impurezas do grupo III (aceitadores).
Todos os tomos de aceitador ionizados -.
Tipo N:
Mais eltrons (maioritrios) que lacunas (minoritrios)
Impurezas do grupo V (dadores).
Todos os tomos de dador ionizados +.
13/08/2017 59
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Diagramas de bandas do cristal
Cristal de Ge com m tomos
4m estados 0ooKK
300
Banda de
Energia
Conduo
- -
Banda de
- - +- - - -
- - - +- - - valncia
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - - Como que a distribuio dos
- - - - - -
- - - - - - electres, das lacunas e dos estados,
4m electres na realidade?
13/08/2017 60
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi:
O Nvel de Fermi" o termo utilizado para descrever a parte superior do conjunto de nveis de
energia dos electres temperatura do zero absoluto. Este conceito vem da estatstica de Fermi-Dirac.
Os electres, pelo princpio de excluso de Pauli, no podem ter estados de energia idnticos. Assim, a
zero absoluto, ficam empilhados nos estados mais baixos de energia disponveis, e criar um "mar de
Fermi" de estados de energia. O nvel de Fermi a superfcie desse mar temperatura
Banda de Conduo E de zero absoluto, onde nenhum electro ter energia
suficiente para elevar-se acima dessa superfcie. O
conceito de energia de Fermi um conceito
Dc(E) extremamente importante para a compreenso das
Ec propriedades elctricas e trmicas de slidos.
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi:
A funo de Fermi f(E) d a probabilidade de um determinado estado de energia
disponvel, ser ocupado por um electro a determinada temperatura. A funo de Fermi
vem de estatsticas de Fermi-Dirac e tem a forma
temperatura de zero absoluto, os fermies ocuparo os estados de energia abaixo do
nvel EF , chamado de nvel de Fermi, com uma (e s uma) partcula (electres), estando
limitados pelo principio de excluso de Pauli. A altas temperaturas, algumas partculas
podem elevar-se acima do nvel de Fermi.
Probabilidade de
1 A diferena
quntica que surge
que uma partcula
ter o nvel de f(E) = (E-EF)/kT
do fato de que as
partculas so
energia E. Fermi - Dirac
e +1 indistinguveis.
Ver a distribuio Maxwell-
Boltzmann, para discusso do termo
exponencial Para baixas temperaturas, os estados de energia
1 abaixo do nvel de Fermi EF, tero a probabilidade 1 e
Para E > EF : f ( E EF ) 0 os acima a probabilidade de zero.
1 exp ( )
1
Para E < EF : f ( E EF ) 1
1 exp ( )
13/08/2017 62
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi:
f(E) a probabilidade de um estado de energia E, seja ocupado por um electro, em
condio de equilbrio.
EF= Nvel de Fermi
1
f(E) = (E-EF)/kT
k= Constante de Boltzmann
f(E) = 1.38 1023 J/K = 8.6 105 eV/K
1+e T= Temperatura absoluta
1
T=0oK
0,5
T=500oK
0 T=300oK
EF E
0
13/08/2017 63
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: temperatura de T= 0oK
13/08/2017 64
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: temperatura de T 0oK
13/08/2017 65
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores
Lembre-se que um nvel da energia "pode conter vrios subnveis, todos com a
mesma energia. Cada subnvel chamado de "estado", e pode ser ocupado por um, e
s um electro.
Suponha que existem N estados permitidos na energia E.
Ento, a probabilidade de encontrar em estado na energia E,
ocupado, N xF(E).
Num semicondutor, nem todos os nveis de energia so
permitidos. Por exemplo, no h nenhum estado permitido
dentro da Zona Proibida (Bandgap). Para fazer-mos uso da
Zona Proibida funo de Fermi, ns precisamos de outra funo que tenha
unidades de estados, por nvel de energia, por volume.
Num slido com vrios tomos, um grande nmero de
estados aparecem em nveis de energia muito prximos uns
dos outros. Ns aproximados estados, como se fossem uma
banda contnua, e imaginar que um "nvel de energia" o
mais pequeno intervalo de energia de largura dE.
A densidade de electres num semicondutor, mostrando como a funo
de Fermi modulada pela densidade de estados permitidos (que
igual a zero no interior da Zona proibida).
13/08/2017 66
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados
N (E) a fraco de todos os estados permitidos, dentro dos nveis de energia E, e E
+ dE. Esta uma funo de densidade, significando: 0N (E) =1.
Ento, a funo de Fermi diz-nos a probabilidade de um
estado estar ocupado. A densidade de estados
complementa a funo de Fermi, dizendo-nos quantos
estados existem realmente num material especfico.
EC
13/08/2017 67
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados (Cont.)
Onde E0 , o topo da banda de conduo, chamado de nvel
n F E N E dE
E0
de vcuo. Um electro com energia maior que E0, j no est
EC
confinado ao slido, e pode viajar pelo espao.
Em condies normais, para aproximaes das densidades de portadores de carga.
Na Banda de Conduo, a densidade de estados toma a frmula:
2 NC E EC
N E
- Sendo NC:
N C 2 mn kT / h
2 3/2
Para Si = 12 , para GaAs, = 2 .
kT 3/2
Aproximao Parablica
Dentro das bandas a energia, os estados de interesse podem ser expressos relativamente
mnima (B.C.)/mxima (B.V.) energia: 2k 2 2k 2
(E na BC ): E EC *
(E na BV ): EV E
3/2 2m C 2m*V
1 2m *C
1/2
(E-E ) , na B.C. m*C - a massa efetiva dos electres para efeitos de clculo da
2
2 2 C
densidade de estados (NC)prximo do mnimo da B.C. (m*C m*e).
D (E ) 3/2 m* V - a massa efetiva das lacunas para efeitos de clculo da
1 2m *V densidade de estados (NV)prximo do mximo da B.V. (m*V m*d).
2 (EV -E) , na B.V.
1/2
2 Si. mc* = 1,10m0 mv* = 0,56 m0 Ge: mc* = 0,55m0 mv* = 0,31 m0 GaAs: mc* = 0,068 m0 mv* = 0,5 m0
2
13/08/2017 68
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados (Cont.)
Electres vs lacunas (buracos).
Num semicondutor slido em equilbrio trmico, cada
electro mvel, deixa para trs, um buraco ou lacuna
na banda de valncia.
1 F (E )
Se no for ocupado por um electro, logo uma lacuna
13/08/2017 69
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados (Cont.)
Electres vs lacunas (buracos).
Porque as lacunas tambm so mveis, devemos cont-las
quando se considera a concentrao total de cargas mveis.
Seja p a concentrao total de cargas mveis na banda de
valncia:
1 F E N E dE
EV
p
NV EV E
N E
2
kT 3/2
- Sendo NV:
NV 2 2 mp kT / h2 3/2
13/08/2017 70
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Intrnseco em equilbrio
Electres
Estados possveis Ev
Dc(E)
E
1-f(E)
p = Dv (E)(1-f(E))dE = n
-
Ec
EF
Ev
O nvel de Fermi, tem que ser
Dv(E) tal, que as reas que
f(E) representam lacunas e
electres, sejam idnticas
(sem. intrnseco)
Lacunas
Estados possveis 0 0,5 1
13/08/2017 71
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Intrnseco em equilbrio
Nos semicondutores intrnsecos o Nvel de Fermi situa-se prximo do meio da Banda
proibida (gap) e os estados considerados tm energias E muito distantes desse nvel de
energia.
NOTA: kBT 0,026 (eV), temperatura ambiente (T = 300o K). Portanto, nos materiais
semicondutores (Eg1 eV):
..
13/08/2017 72
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Intrnseco em equilbrio
Independentemente de se tratar de um semicondutor puro (intrnseco) ou de um material dopado
(extrnseco), desde que se tenha [E EF] >> kBT de modo que a Distribuio de Fermi f(E), possa ser
aproximada da Distribuio de Boltzmann fB(E), as expresses obtidas para n e p sero vlidas como
excelentes aproximaes para o clculo das populaes de portadores-livres nas respectivas bandas de
energia.
Nvel de Fermi: Localizao no Semicondutor Intrnseco
EF = Ei
- Quando se trata especificamente de um semicondutor intrnseco:
n = p= ni
-Com isso, tem-se que:
- Note que:
(i.e, Ei no meio do gap)
- Para T = 3000 K, tem-se que kBT 0,026 eV << Eg e assim: Somente quando T =0o K, uma vez que mv* mc*.
Finalmente, observe que:
13/08/2017 73
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Concentrao de lacunas e electres em sem. Intrnsecos, Extrnsecos N e P
nnn 1-f(E)
1-f(E)
Baixa o nvel de
Sobe o nvel de
Fermi
Fermi
p
p
p f(E)
f(E)
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Intrnseco em equilbrio
f(E) = Probabilidade de ocupao por um electro (banda de conduo).
1-f(E) = Probabilidade de ocupao por uma lacuna (banda de valncia).
Diagrama de
EBandas de Energia
E Densidade
estados
de
E Probabilidades de
ocupao
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
n NC exp EC EF / kT
Dc(E)
Banda de Conduo
f(E)
ni
n(E)
- - -
Ec -- - - - - - - - - - -
Eg
Zona
EF E
EF= (EC-EV)/2 proibida F T0 T=0
Ev
p(E)
Dv(E) 1-f(E)
p NV exp EF EV / kT
Banda de Valncia
Banda de Valncia ni
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo N
Diagrama de Densidade de
EBandas de Energia
E estados
E Probabilidades
ocupao
de
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
Dc(E)
- - - - - - - - - - n(E)
- - - - - - ---
Ec - - - - - - - - - -
ED
ED Nvel do dador
np ni
2
EF
Eg
Ev
Dv(E) p(E)
Banda de Valncia
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo P
Diagrama de Densidade de
EBandas de Energia
E estados
E Probabilidades
ocupao
de
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
Dc(E)
n(E)
Ec - - - - - - -
Eg
np ni
2
EF
EA Nvel do aceitador EA
Ev
p(E)
Dv(E)
Banda de Valncia
Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo N/P
Onde est localizado o nvel de Fermi EF, nas Banda de energia de Silcio, a 300oK , com n =
1017cm3?
Ec EF = kT ln(Nc n)
=0.026 ln2.8 x1019 / 1017
= 0.146 eV
E com p = 1014cm3?
EF Ev = kT ln(Nv p)
=0.026 ln1.04 x1019 / 1014
= 0.31eV
13/08/2017 78
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Diagrama de Bandas de um Semicondutor, na presena de um campo elctrico
Como que essas energias vo mudar quando lhe aplicarmos um campo elctrico?
+ -
EC
qV Ef
e-
Tipo - n E
Semicondutores
Diagrama de Bandas de um Semicondutor, na presena de um campo elctrico
Com campo externo aplicado
Com um campo aplicado, as bandas de energia inclinam-se para baixo consoante o
semicondutor. Num semicondutor do tipo p, os electres fluem da esquerda para a direita
e os buracos da direita para a esquerda, para ocuparem os nveis mnimos de energia
e-
EC
- + qV
E
Ef
Tipo - p EV
Campo Elctrico
Movimento dos Electres Buraco (h)
Movimento dos buracos
13/08/2017 80
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Concentrao de portadores de carga
13/08/2017 81
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Concentrao de portadores de carga
N NA N NA
2
n D D ni
2
2 2
N ND N ND
2
p A A ni
2
2 2
13/08/2017 82
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Concentrao de portadores de carga
Dopado tipo N: n = p + ND
Dopado tipo P: n + NA = p
Ambos dopados: n + NA = p + ND
Eg
Produto np pn =ni2 ni exp
k BT
13/08/2017 83
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Concentrao de portadores de carga
Semicondutor Tipo P/N
13/08/2017 84
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Relaes entre n, p e ni
(EF-Ec)/kT Ec EF = kT ln(Nc n)
n= Dc (E)f(E)dE Nc
Ec
e Nc uma constante que depende de T3/2.
p = Dv (E)(1-f(E))dE Nv
-
e
(Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT
Particularizamos para o
caso intrnseco:
ni = pi = Nve = Nce
(EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT
Eliminamos Nc e Nv: n = nie p = nie
Finalmente obtemos:
pn =ni2
13/08/2017 85
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Fenmenos de difuso
A difuso ocorre devido no homogeneidade de concentrao os portadores difundem-se de
onde a concentrao mais elevada para onde a concentrao for menor.
Como so partculas carregadas, este movimento dN
resulta em correntes de difuso: Que obedecem F D
Lei de Fick: dx
D: Coeficiente de difuso.
N: concentrao de portadores.
As correntes de difuso de electres e buracos, pode ser calculada a partir do fluxo:
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
13/08/2017 87
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Fenmenos de gerao-recombinao (g-r)
Existe uma variedade de mecanismos de Gerao/recombinao:
Ee Directo, Banda para Banda Emisso Auger
G R
Ee
EC
G R
hv hv
EC
EV
x
EV
Ee Indirecta via centros R-G
x
G R
EC
R-G Center Energy Level
EV
x
89
13/08/2017 89
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
O movimento dos electres e lacunas (partculas carregadas) conduz uma corrente elctrica
Esta corrente o modo de funcionamento de dispositivos electrnicos que, por sua vez,
controlam a corrente na malha onde esto localizados. Vejamos os diferentes fenmenos que
esto expostos os portadores de carga:
Movimento aleatrio trmico, Arraste ou deslocamento, Difuso, Gerao-recombinao
Movimento aleatrio trmico:
Em equilbrio trmico, os transportadores no interior do semicondutor esto sempre em
movimento trmico aleatrio.
Mecnica estatstica diz-nos que um portador a uma temperatura T, tem uma energia trmica
mdia de 3KBT/2:
1 2
Essa energia trmica serve para mover-se (convertida em energia cintica):
m*: massa efectiva do portador, KB: Constante de Boltzmann
m * vth2 k BT
KBT (300K): 0.026 eV
2 3
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva
Quando aplicado o campo E: os transportadores sofrem uma fora de: F=-e.E, para
os electres, acelerados no sentido oposto ao campo, e F= e.E, para as lacunas,
aceleradas no sentido do campo elctrico aplicado.
13/08/2017 91
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva
Electres e buracos iro movimentar-se sob a influncia de um campo elctrico
aplicado, uma vez que este campo vai exercer uma fora sobre os portadores de carga
(electres e lacunas).
F qE
Desse movimento resulta uma corrente de deriva: Id
I
d : Corrente de deriva. I d nqVd A
Vd : Velocidade de deriva de portadores de carga.
A: rea do semicondutor
n: Nmero de portadores de carga por unidade de volume.
q : Carga do electro.
13/08/2017 92
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva Externo
Clculo das correntes de arrasto
Considerando um pedao homogneo de
Vn n E A Vp p E
semicondutor de rea transversal A e de
comprimento L. L
Semicondutor tipo N homogneo:
A corrente eltrica (nmero de transportadores que atravessam uma superfcie por
unidade de tempo) :
I n eAvdn eAn E
O campo elctrico constante e depende da diferena de potencial aplicado externamente,
entre as extremidades: E=v/L
A resistncia da amostra, est relacionada com a sua condutividade / resistividade:
Substituindo na equao acima, obtm-se que, um semicondutor L 1 L
obedece lei de Ohm. R
n
n n
A A
V V V Sendo a Resistividade:
I n eAn A n
L L Rn n en
13/08/2017 93
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
I In Ip A( n p )
V I
( n p )
V J ( n p ) E T E
L A L
13/08/2017 94
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
Vd
Compreenso macroscpica:
E q
Entendimento microscpico? (o que os portadores fazem?) *
me* ; n type m
mh* ; p type No Geral : me mh
* *
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
13/08/2017 96
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
Velocidade trmica: Clculo
Calcular a velocidade de um electro num pedao de silcio do tipo n, devido a sua
energia trmica na RT e, devido aplicao de um campo elctrico de 1000 V / m no
pedao de silcio.
Vth ? RT 300T me 1.18 m0
Vd ? E 1000V / m 0.15m2 /(V s)
3kT
Vth Vth 1.08 10 5 m / sec
m*
Vd E Vd 150m / sec
Quanto tempo dura o movimento de um portador, no tempo, antes da coliso?
O tempo mdio entre colises chamado de tempo de relaxamento (ou tempo mdio
livre)?
Qual a distncia percorrida no espao por um portador antes de uma coliso?
A distncia mdia entre colises, chamada de caminho livre mdio, l
13/08/2017 97
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
Velocidade de deriva: Clculo F
Velocidade de deriva = acelerao x tempo mdio livre: Vd *
A fora devida ao campo aplicado, F = qE m
F qE q
Logo: Vd Vd E
m* m* m*
Calcule o tempo mdio livre e caminho livre mdio, para os electres num pedao de
silcio tipo N e para os buracos num pedao de silcio do tipo P.
? ? me* 1.18m0 mh* 0.59m0
e 0.15m 2 /(V s) h 0.0458m 2 /(V s)
eme* m *
e 10 12 sec h h h 1.54 10 13 sec
q q
vthe 1.08 10 5 m / s vthh 1.052 10 5 m / s
e vthe e (1.08 10 m / s)(10 12s) 10 m
5 7
13/08/2017 98
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
Velocidade de deriva: Saturao da velocidade
Segundo a equao Vd
E pode-se fazer um portador ir to rpido quanto
ns gostamos, apenas aumentando o campo elctrico! Ser?
Vd
Vd para e-
E E
(a) Linear? (b) Saturao da velocidade de deriva
13/08/2017 99
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga (). Variaes com a Temperatura
T T
Alta temperatura
O pico depende da Baixa temperatura
densidade de L diminui quando a temperatura aumenta.
impurezas
3
3
ln ( ) C1= Constante L C1 T 2 T 2
1 1 1 Os portadores esto mais propensos a se
espalharem pelos tomos da estrutura..
T L I I diminui quando a temperatura diminui.
3
C2= Constante I C2 T
I L
2
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
(v) Velocidade.
n () Mobilidade.
(E) Campo Elctrico.
Densidade de corrente de Electres:
J n (q)nv q n n E
Densidade de corrente de Lacunas:
p
J p ( q) pv q p p E
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm).
1/ (qn n qp p )
Fsforo
13/08/2017 102
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm). Variaes com a Temperatura
Por que que a resistividade dum metal, aumenta com a temperatura e a resistividade dos
semicondutores diminui com o aumento de temperatura?
11
nq
Este propriedade utilizada num dispositivo semicondutor real, chamado um
termistor, que utilizado como um elemento sensor de temperatura.
13/08/2017 103
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm).
13/08/2017 104
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores: Processamento
Silcio
A partir de 1954, passou-se a usar mais o Silcio do que Germnio, como semicondutor
base. Porqu?
4 Electres livres/Valncia
Foi por uma questo simples: o silcio muito barato. Ele o segundo elemento mais
abundante na Terra, perdendo apenas para o oxignio. Cerca de 28% de toda a crosta
terrestre formada de silcio. Mas ele no encontrado em estado puro
A sua Abundncia mais comum est sob a forma de xidos (silcio combinado com
oxignio - SiO2). Nesta combinao ele compe uma famlia de minerais chamada de
silicatos.
13/08/2017 105
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores: Processamento
Silcio
Semicondutores: Processamento
Silcio
Silcio : Si - Descobridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ano : 1823
No estado puro, tem propriedades Fsicas e Qumicas parecidas com as do Diamante.
Sob a forma de Dixido de silcio (slica) [SiO2] encontrado na natureza numa
variedade de formas: quartzo, gata, jaspe, nix, esqueletos de animais marinhos.
13/08/2017 107
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores: Processamento
Silcio
13/08/2017 108
Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores - Extrnseco
TIPO P
-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
-
Al
Impurezas grupo III
-
Al
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
300oK
-
Al -
Al -
Al
A juno P-N
- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
Ao unir um semicondutor tipo P com um de tipo N, aparece uma zona de carga espacial
denominada zona de transio.
13/08/2017 110
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
Zona de
Tipo P Tipo N Carga
espacial
13/08/2017 111
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
13/08/2017 112
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
13/08/2017 113
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
13/08/2017 114
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
Dadores
Ionizados
Juno
P N
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
Zona de Carga espacial
(OU)
Zona de Deplexo
Largura da barreira de
Potencial
13/08/2017 115
Semicondutores: Juno P-N
A juno P-N
Diodo Semicondutor
Concluses:
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
13/08/2017 116
Semicondutores: Juno P-N
13/08/2017 117
Semicondutores: Juno P-N
13/08/2017 118
Semicondutores: Juno P-N
Bibliografias
13/08/2017 119