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SEMICONDUTORAS
12/04/17
RESUMO
DEUS perfeito mas tudo o que ele faz tem defeito.
Mais um exemplo interessante o caso dos pontos qunticos auto-organizados que se autoconstroem espontaneamente e por isso tem uma
distribuio aleatria, produzindo um potencial tambm aleatrio no qual portadores podem ficar presos. Dessa forma, pontos qunticos tambm
podem ser vistos como defeitos e vem sendo exaustivamente estudados com o objetivo de construo de transistores e Lasers de alta eficincia.
Alguns efeitos da desordem em cristais Como ficam ento, as propriedades de transporte de cargas quando se
fala em estados estendidos e localizados?
Ao verificar as propriedades de um sistema qualquer,
Em um estado localizado os eltrons esto presos numa determinada
importante considerar condies de simetria, as quais geralmente
regio do cristal e no se acoplam com outros estados eletrnicos. A nica forma
tornam o trabalho de descrio do sistema mais simples.
pela qual um eltron pode mover-se atravs de estados localizados via processos
No caso de um slido, a presena de uma regularidade na disposio
como tunelamento ou hopping (que literalmente significa que os eltrons saltam
dos tomos na rede cristalina uma pea chave para a descrio destes
de um para outro estado eletrnico).
sistemas.
Em 1958 P. W. Anderson, estudando os efeitos da presena de
Existem trs mecanismos de conduo nos quais os eltrons saltam
desordem em um cristal mostrou que a distribuio e evoluo dos
entre estados eletrnicos:
estados localizados produzidos pelo aumento da desordem podem ser
a) ativao trmica, atravs da qual eltrons localizados saltam para
esquematizados como na Figura abaixo:
uma regio de estados estendidos e a participam dos processos de conduo do
material;
b) Ativao trmica entre estados espacialmente prximos, entre os
quais h a superposio das funes de onda que os descrevem;
No simples tratar os efeitos da desordem em sistemas. Estes sistemas foram escolhidos porque a incorporao de tomos dopantes introduz
uma desordem aleatria no sistema. Quanto maior for a dopagem, maior ser a desordem mas tambm ser maior o nmero de eltrons livres no sistema,
aumentando a interao coulombiana no sistema.
Assim, introduz-se tambm uma dificuldade para o estudo dos efeitos da desordem nestes sistemas, uma vez que difcil a separao entre as
alteraes provocadas pela desordem devido a presena de tomos dopantes e pela alta densidade eletrnica que tambm causa desordem.
A imagem mostra o interior dos processadores A5 dos iPad 2: esquerda, a verso de 45 nanmetros, direita, a de 32 nm
(Foto: Reproduo/Chipworks)
Comparao entre uma super-rede e uma rede cristalina
Figura 3 - (a) Esquema de um poo quntico com largura L e os nveis de energia discretos Figura 3 (b) super-rede de perodo a e a estrutura de minibandas
correspondentes. EC, EV so as descontinuidades nos perfis das bandas de conduo e correspondente, no caso unidimensional. O alargamento dos nveis discretos
valncia causada pela diferena das energias dos gaps dos materiais A e B (EAg e EBg ). No origina minibandas com disperses em kz, kx e ky (no mostradas estas duas
espao E x k, v-se que para cada estado quantizado dentro do poo (Ee1, Ee2 e Eh1) h ainda ltimas direes).
uma disperso parablica para as partculas nas direes x; y.
(a) super-rede na qual o espaamento entre os poos de potencial muito grande para
que haja interao entre os eltrons localizados em poos adjacentes;
(c) variao aleatria da largura dos poos enquanto que a largura das barreiras
permaneceu constante.
Para uma aplicao de nosso laboratrio de Mecnica Quntica numa situao real. Como um exemplo, na Fig. 5(a) temos uma curva de distribuio
de eltrons em uma super-rede construda com introduo de desordem aleatria durante o crescimento e com dopagem uniforme para todas as camadas. A
super-rede usada formada por 40 a 50 camadas de GaAs (arsenieto de Glio) e AlGaAs (Alumnio-arsenieto de Glio) e foi crescida em uma mquina de MBE
no Instituto de Fsica de So Carlos (USP). Como era esperado pela presena de desordem, os eltrons no esto distribudos uniformemente ao longo da
estrutura, mas apresentam uma modulao indicando o efeito da desordem na estrutura da super-rede.
De uma forma simples, pode-se ver que as super-redes com desordem induzida
permitem a observao de propriedades pertinentes a localizao de cargas e que a manipulao
desta desordem artificial pode permitir uma gama enorme de diferentes acoplamentos entre
estados eletrnicos em poos vizinhos.
Finalmente, para mostrar o carter tridimensional do sistema, alguns experimentos de
transporte eletrnico foram realizados em amostras com diferentes desordens induzidas como
mostrado na Fig. 5(c) para estudos de interferncia quntica. Nestes experimentos, determinou-
se a variao da resistividade nas direes perpendiculares a direo de crescimento das
amostras, ou seja, no plano da super-rede [veja o detalhe destacado na Fig. (5)]. Apesar da
desordem estrutural ter sido limitada a direo do crescimento das estruturas, pode-se notar que
o transporte de carga no plano das camadas (perpendicular a direo de crescimento) tambm foi
afetado como mostra a Fig. 5(c): observe a diferena entre os comportamentos apresentados pela
resistividade em funo da temperatura, mostrando que a desordem tem uma contribuio
significativa para o transporte de corrente atravs da estrutura, localizando cargas em
determinadas regies na direo de crescimento e alterando os processos de conduo tambm
nas outras direes.
Figura 5 (a) curva de distribuio de eltrons em uma super-rede construda com introduo de desordem
aleatria durante o crescimento e com dopagem uniforme para todas as camadas;
(b) probabilidade de encontrar eltrons em funo da distncia que maior nas regies onde h quebra de
periodicidade da super-rede;
(c) variao da resistividade paralela como funo da temperatura em amostras com diferentes desordens
induzidas. No detalhe v-se um diagrama mostrando como os dados apresentados em c) foram obtidos. Note
que as medidas foram realizadas numa direo perpendicular (y) a direo de crescimento (z).
A China um pas que investe bastante em tecnologia e cincia, razo
pela qual est se diferenciando de muitos outros. Um exemplo de
bons resultados em seus investimentos o servio de uma linha de
comunicao quntica de 712 quilmetros, inaugurado recentemente.
Vai da provncia de Anhui at o municpio de Shanghai, no leste
daquele pas.
Diagrama esquemtico do funcionamento do primeiro prottipo de uma rede quntica. [Imagem: Riter et al./Nature]
12/04/17