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SUPER REDES

SEMICONDUTORAS

Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro - PUC-Rio


- Apresentao para o Curso de Teoria de Defeitos em Slidos
- Profa.: Dra. Ivani Bot

Alunos: Etiene Carlos Tergolino


Vinicio Coelho da Silva

12/04/17
RESUMO
DEUS perfeito mas tudo o que ele faz tem defeito.

Defeitos sempre existem em qualquer material e podem ser


originados de diversas maneiras, seja por uma alterao numa
regio de uma amostra causada por uma modificao na rede
cristalina, seja pela adio de tomos estranhos, como quando uma
amostra passa por um processo de dopagem, entre outros.

Normalmente, quando se fala em defeitos em um cristal


imagina-se que somente mudanas no desejveis nas
caractersticas do material devam ser esperadas.

Por um lado, esta ideia correta pois os defeitos podem


causar alteraes pelas quais as caractersticas de um material
podem ser totalmente alteradas, e mesmo controladas ou limitadas
pela presena de defeitos.

Um exemplo disto a localizao de parte dos portadores


(eltrons ou buracos), diminuindo a condutividade esperada de um
sistema. Esta uma consequncia realmente sria quando se fala
na produo de dispositivos eletrnicos.
De uma maneira geral, a suposio de que uma rede cristalina perfeitamente peridica
Ex.: Quando o silcio
dopado com ndio, a o ponto fundamental para o estudo de suas propriedades eletrnicas, mecnicas, de transporte,
estrutura ter menos
eltrons de valncia e no ticas e assim por diante. A presena de defeitos provoca quebra da propriedade simtrica da
estar completamente
preenchida. Neste caso, tem-
periodicidade, introduz fontes de espalhamento, provocam tambm a quebra da coerncia das
se um semicondutor, que funes de onda que descrevem o cristal (funes de Bloch).
apresenta buracos
positivamente carregados na
banda de valncia. A Olhando com mais cuidado fcil e interessante perceber que os efeitos da desordem
migrao de eltrons dentro
da banda de valncia nem sempre so ruins: os processos de espalhamento de portadores provocados pela presena de
responsvel pela
condutividade num defeitos contribuem para a condutividade DC (corrente contnua).
semicondutor.

Alis, o processo de dopagem de um cristal, bastante conhecido e usado em


semicondutores, consiste basicamente na introduo de tomos estranhos rede cristalina
causando desordem na estrutura. Por outro lado, a introduo de dopantes em um cristal
semicondutor determina o portador (eltron ou buraco) que ser responsvel pelo tipo de
condutividade do cristal. A consequncia tecnolgica imediata disto foi a construo de diodos,
transistores, resultando numa infinidade de dispositivos eletrnicos atualmente disponveis.

Mais um exemplo interessante o caso dos pontos qunticos auto-organizados que se autoconstroem espontaneamente e por isso tem uma
distribuio aleatria, produzindo um potencial tambm aleatrio no qual portadores podem ficar presos. Dessa forma, pontos qunticos tambm
podem ser vistos como defeitos e vem sendo exaustivamente estudados com o objetivo de construo de transistores e Lasers de alta eficincia.
Alguns efeitos da desordem em cristais Como ficam ento, as propriedades de transporte de cargas quando se
fala em estados estendidos e localizados?
Ao verificar as propriedades de um sistema qualquer,
Em um estado localizado os eltrons esto presos numa determinada
importante considerar condies de simetria, as quais geralmente
regio do cristal e no se acoplam com outros estados eletrnicos. A nica forma
tornam o trabalho de descrio do sistema mais simples.
pela qual um eltron pode mover-se atravs de estados localizados via processos
No caso de um slido, a presena de uma regularidade na disposio
como tunelamento ou hopping (que literalmente significa que os eltrons saltam
dos tomos na rede cristalina uma pea chave para a descrio destes
de um para outro estado eletrnico).
sistemas.
Em 1958 P. W. Anderson, estudando os efeitos da presena de
Existem trs mecanismos de conduo nos quais os eltrons saltam
desordem em um cristal mostrou que a distribuio e evoluo dos
entre estados eletrnicos:
estados localizados produzidos pelo aumento da desordem podem ser
a) ativao trmica, atravs da qual eltrons localizados saltam para
esquematizados como na Figura abaixo:
uma regio de estados estendidos e a participam dos processos de conduo do
material;
b) Ativao trmica entre estados espacialmente prximos, entre os
quais h a superposio das funes de onda que os descrevem;

c) os eltrons saltam para um estado vizinho no necessariamente mais


prximo espacialmente, mas para aquele que tem uma energia caracterstica mais
prxima.

As energias que separam os estados localizados dos estados


estendidos, mostradas na figura (E1 e E2), so definidas considerando
que a condutividade dos estados localizados vai a zero em baixas
temperaturas.
Super-redes Controle Artificial da Estrutura Eletrnica

No simples tratar os efeitos da desordem em sistemas. Estes sistemas foram escolhidos porque a incorporao de tomos dopantes introduz
uma desordem aleatria no sistema. Quanto maior for a dopagem, maior ser a desordem mas tambm ser maior o nmero de eltrons livres no sistema,
aumentando a interao coulombiana no sistema.
Assim, introduz-se tambm uma dificuldade para o estudo dos efeitos da desordem nestes sistemas, uma vez que difcil a separao entre as
alteraes provocadas pela desordem devido a presena de tomos dopantes e pela alta densidade eletrnica que tambm causa desordem.

Uma super-rede semicondutora aquela formada pelo crescimento


peridico e alternado de camadas (espessuras 10 - 100 nm) de dois semicondutores
com energias de gap diferentes, como mostra esquematicamente a Fig. 2 (a).

Como tm energia de gap diferentes, deve aparecer uma descontinuidade


de energia nas interfaces entre duas camadas adjacentes Fig. 2(b).

Note que as alteraes so produzidas em apenas uma das direes


espaciais (direo z na figura).

Figura 2 - Super-redes crescidas por MBE:


(a) uma super-rede formada pelo crescimento peridico e
alternado de camadas de dois semicondutores com
energias de gap diferentes;
(b) tendo energias de gap diferentes, h uma
descontinuidade em energia nas interfaces entre
camadas adjacentes. Como referncia foram colocados
eixos coordenados (energia e distncia) no lado
esquerdo da Figura.

A imagem mostra o interior dos processadores A5 dos iPad 2: esquerda, a verso de 45 nanmetros, direita, a de 32 nm
(Foto: Reproduo/Chipworks)
Comparao entre uma super-rede e uma rede cristalina

Tomemos por exemplo, o material A ou B que formam


a super-rede. Observando a Fig. 2(b) anterior pode-se notar a
formao de poos de potencial separados por barreiras de
maneira anloga ao que acontece com o potencial peridico
num cristal natural. Nesta comparao, podemos dizer que os
poos de potencial comportam-se como macro tomos numa
rede cristalina com um distanciamento maior (esta distncia, O tambor, de 20 micrmetros de dimetro e 100 nanmetros de espessura, bate 10 milhes de vezes
em comparao com uma rede cristalina natural, anloga ao por segundo, liberando fnons que extraem todo o calor.[Imagem: Teufel/NIST]

parmetro de rede que mede a distncia entre dois tomos) e


da vem o nome super-redes cristalinas. Quando as dimenses de um sistema so comparveis ao comprimento
de onda de De Broglie (B), o movimento dos portadores neste sistema torna-se
quantizado, implicando em mudanas no espectro energtico e nas propriedades
dinmicas dos portadores.
Se somente uma das dimenses comparvel a B, diz-se que o sistema
comporta-se dinamicamente como um sistema bidimensional (2D, poos
qunticos). Limitando o movimento em duas e depois trs direes, sero obtidos
sistemas unidimensionais (1D, fios qunticos) e zero-dimensionais (0D, pontos
qunticos).
Por esta regra, como somente na direo de crescimento das super-
redes temos comprimentos comparveis com B, pode-se dizer que uma super-
rede unidimensional. Num tratamento mais geral, as super-redes so na
realidade tridimensionais pois as alteraes que ocorrem apenas na direo de
Nanofios e Fios moleculares PET - UEM crescimento de uma amostra afetam tanto a estrutura eletrnica nesta direo
como tambm nas outras duas.
As super-redes so artificiais, podemos alter-las da forma que for
conveniente para a realizao de um determinado estudo de interesse. Por
exemplo, podemos aumentar ou diminuir a espessura de uma barreira ou
poo de potencial, permitindo ou no a interao entre eltrons em Onde o primeiro termo relativo a energia dos nveis discretos na
camadas adjacentes; podemos alterar a espessura total da amostra, apenas direo z. O outro termo descreve a disperso parablica da energia nas
crescendo mais ou menos camadas; podemos variar o nmero de eltrons
direes x e y. Associada a esta energia est a funo de onda
na estrutura, controlando a dopagem, e assim por diante.
Temos em mos um verdadeiro laboratrio de Mecnica Quntica,
no qual podemos estudar e controlar a interao entre as funes de onda
que descrevem os eltrons nos poos de potencial; podemos estudar como
a existncia de uma faixa de energia (minibanda) afeta os fenmenos de Onde: f(z) a funo de onda que descreve o movimento na
transporte de cargas atravs da estrutura, como as propriedades pticas so direo z, enquanto que as exponenciais descrevem o movimento quase livre
alteradas e assim por diante, apenas construindo estruturas diferentes. dos portadores nos planos x e y.
Para mostrar a relao entre a estrutura cristalina e eletrnica Observe que a soluo para a Eq. (5), dada pela Eq. (7), est escrita
numa super-rede, vamos antes calcular as energias e funes de onda em como o produto de trs funes independentes nas direes x, y e z. A energia
um poo de potencial formado por dois materiais semicondutores descrita por Enz a energia de confinamento para as partculas no poo de
diferentes (podemos considerar este sistema um tomo da super-rede). potencial e uma consequncia direta do princpio da incerteza: quando uma
partcula confinada no espao real [dentro de uma distncia L, Fig. 3(a)], a
O comportamento dos eltrons neste sistema descrito pela incerteza na componente z do momento da partcula aumenta por uma
equao de Schrdinger: quantidade /L. O correspondente aumento na energia dado por Enz.

Para ilustrar como mudanas na estrutura das super-redes


podem alterar significativamente as propriedades apresentadas, temos na
E a energia total do nvel quantizado. (x; y; z) a funo de onda associada Fig. 3 exemplos de diferentes super-redes e o comportamento das funes
de onda que descrevem sua estrutura eletrnica, obtidas via soluo da
equao de Schrdinger.
Quando se desacopla o problema nas direes x; y e z, a energia
correspondente a um dado estado nesta estrutura descrita por:
Fig. 3(a) Fig. 3(b)

Figura 3 - (a) Esquema de um poo quntico com largura L e os nveis de energia discretos Figura 3 (b) super-rede de perodo a e a estrutura de minibandas
correspondentes. EC, EV so as descontinuidades nos perfis das bandas de conduo e correspondente, no caso unidimensional. O alargamento dos nveis discretos
valncia causada pela diferena das energias dos gaps dos materiais A e B (EAg e EBg ). No origina minibandas com disperses em kz, kx e ky (no mostradas estas duas
espao E x k, v-se que para cada estado quantizado dentro do poo (Ee1, Ee2 e Eh1) h ainda ltimas direes).
uma disperso parablica para as partculas nas direes x; y.

Quando poos qunticos como os descritos acima so


colocados lado a lado, obtm-se uma super-rede. Se a largura das
barreiras suficientemente pequena haver a sobreposio das
funes de onda que descrevem os portadores em poos qunticos
vizinhos [Fig. 3(b)]. Inicialmente degenerados, quando em poos
qunticos isolados, os estados discretos se alargam em bandas
permitidas (minibandas) separadas por faixas de energias proibidas
(minigaps), como em uma rede cristalina natural.
Dessa forma, cada estado Enz [Eq. (6)] de um poo quntico alarga-se
em um minibanda Enz(kz) na super-rede. Assim, temos:
Banda de conduo (linha tracejada) e probabilidades (linha contnua) para trs tipos
de super-redes:

(a) super-rede na qual o espaamento entre os poos de potencial muito grande para
que haja interao entre os eltrons localizados em poos adjacentes;

(b) diminuiu-se a distncia entre os poos e pode-se imediatamente observar que a


interao entre os estados eletrnicos dominante;

(c) variao aleatria da largura dos poos enquanto que a largura das barreiras
permaneceu constante.
Para uma aplicao de nosso laboratrio de Mecnica Quntica numa situao real. Como um exemplo, na Fig. 5(a) temos uma curva de distribuio
de eltrons em uma super-rede construda com introduo de desordem aleatria durante o crescimento e com dopagem uniforme para todas as camadas. A
super-rede usada formada por 40 a 50 camadas de GaAs (arsenieto de Glio) e AlGaAs (Alumnio-arsenieto de Glio) e foi crescida em uma mquina de MBE
no Instituto de Fsica de So Carlos (USP). Como era esperado pela presena de desordem, os eltrons no esto distribudos uniformemente ao longo da
estrutura, mas apresentam uma modulao indicando o efeito da desordem na estrutura da super-rede.
De uma forma simples, pode-se ver que as super-redes com desordem induzida
permitem a observao de propriedades pertinentes a localizao de cargas e que a manipulao
desta desordem artificial pode permitir uma gama enorme de diferentes acoplamentos entre
estados eletrnicos em poos vizinhos.
Finalmente, para mostrar o carter tridimensional do sistema, alguns experimentos de
transporte eletrnico foram realizados em amostras com diferentes desordens induzidas como
mostrado na Fig. 5(c) para estudos de interferncia quntica. Nestes experimentos, determinou-
se a variao da resistividade nas direes perpendiculares a direo de crescimento das
amostras, ou seja, no plano da super-rede [veja o detalhe destacado na Fig. (5)]. Apesar da
desordem estrutural ter sido limitada a direo do crescimento das estruturas, pode-se notar que
o transporte de carga no plano das camadas (perpendicular a direo de crescimento) tambm foi
afetado como mostra a Fig. 5(c): observe a diferena entre os comportamentos apresentados pela
resistividade em funo da temperatura, mostrando que a desordem tem uma contribuio
significativa para o transporte de corrente atravs da estrutura, localizando cargas em
determinadas regies na direo de crescimento e alterando os processos de conduo tambm
nas outras direes.

Figura 5 (a) curva de distribuio de eltrons em uma super-rede construda com introduo de desordem
aleatria durante o crescimento e com dopagem uniforme para todas as camadas;

(b) probabilidade de encontrar eltrons em funo da distncia que maior nas regies onde h quebra de
periodicidade da super-rede;

(c) variao da resistividade paralela como funo da temperatura em amostras com diferentes desordens
induzidas. No detalhe v-se um diagrama mostrando como os dados apresentados em c) foram obtidos. Note
que as medidas foram realizadas numa direo perpendicular (y) a direo de crescimento (z).
A China um pas que investe bastante em tecnologia e cincia, razo
pela qual est se diferenciando de muitos outros. Um exemplo de
bons resultados em seus investimentos o servio de uma linha de
comunicao quntica de 712 quilmetros, inaugurado recentemente.
Vai da provncia de Anhui at o municpio de Shanghai, no leste
daquele pas.

Diagrama esquemtico do funcionamento do primeiro prottipo de uma rede quntica. [Imagem: Riter et al./Nature]

Em agosto de 2016, a China lanou com xito o


primeiro satlite quntico do mundo, batizado de
Micius, em homenagem a um filsofo e cientista
chins do sculo V a.C. A futura linha Pequim-
Shanghai se conectar ao satlite quntico atravs
sua estao na capital chinesa, que ativar a rede de
comunicao quntica entre o espao e a Terra.
ser como lanar uma moeda de um avio que voa
a 100 km de altura e esperar que caia exatamente
na abertura de um cofre de porquinho em rotao.

Os quatro tipos bsicos de nanoestruturas de


estado slido: (a) poo quntico; (b) super-rede; (c)
fios quntico e (d) pontos qunticos
SUPER REDES
SEMICONDUTORAS

Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro - PUC-Rio


- Apresentao para o Curso de Teoria de Defeitos em Slidos
- Profa.: Dra. Ivani Bot

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Vinicio Coelho da Silva

12/04/17

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