Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
POTENCIA
PRINCIPIOS BASICOS DE
FUNCIONAMIENTO
CONTENIDO
Caractersticas de los semiconductores de
potencia.
Definicin del Diodo de potencia.
Caractersticas principales del diodo.
Estudio del diodo:
Caractersticas estticas.
Caractersticas dinmicas.
Caractersticas de potencia.
Conexiones de los diodos de potencia.
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los semiconductores utilizados en la
electrnica de potencia trabajan como llaves o
interruptores.
Mrgenes de funcionamiento:
En conduccin pueden soportar una corriente media de 3000A
llegando hasta tensiones inversas de 5000V.
Inconvenientes:
Dispositivo unidireccional.
nico procedimiento de control: Inversin del
voltaje.
Ecuacin caracterstica del diodo: V
VT
VT = kT/q
i = IS(e -1)
donde:
Operacin con polarizacin directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensin
interna de equilibrio de la unin:
V
i ISe VT (dependencia exponencial)
-
0
-1 1 V [V]
VD
i [A]
ESTADO DE BLOQUEO:
POLARIZACION INVERSA
0
-1 V [V]
-0,8
(constante)
Zona de Avalancha
- +
- +
P +
-- +
+- N
- +
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si se
producen pares electrn-hueco adicionales 0
por choque con la red cristalina de
electrones y huecos suficientemente
acelerados por el campo elctrico de la zona
de transicin -2
DIODO IDEAL
En polarizacin directa, la cada de
tensin es nula, sea cual sea el valor de i
la corriente directa conducida
i
nodo
+
V curva caracterstica
Ctodo
- V
Ve RL VS Ve RL VS VS
DIODO REAL Vd rd
Ve
Ve RL VS Ve RL VS VS
V-Vd-r did
CARACTERISTICAS ESTATICAS
ID
V
VD
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo:
Ve RL VS Ve RL VS
Ve
V
VS
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de avalancha.
-V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
-
Transicin de a a b, es decir, de
ts
-V2/R tf (i= -0,1V2/R)
conduccin a bloqueo (apagado)
ts = tiempo de almacenamiento (storage
V
time )
t
tf = tiempo de cada (fall time )
trr = tiempo de recuperacin inversa
(reverse recovery time )
-V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperacin inverso:
Tiempo de recuperacin
inverso (trr): Instante en que
el diodo permite la
conduccin en el sentido
contrario al normal.
Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
Tiempo de almacenamiento (ts) t =t +t
rr s f
Tiempo de cada (tf)
Carga elctrica desplazada (Qrr):
tf
di/dt
IRR
SF
ts
Factor de suavizado SF: Se define como:
CARACTERISTICAS DINAMICAS
* 2 caso: t rr 4
Q rr I RM Qrr (diD dt )
diD dt
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R i
i 0,9V1/R
a b +
V2 0,1V1/R
V1 V
td
Transicin de b a a, es decir, de- tr
bloqueo conduccin (encendido) tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
CARACTERISTICAS DE POTENCIA
Durante el ciclo de trabajo del diodo, ste
disipa potencia de dos tipos:
Estticas: es decir en sus estados de conduccin y
bloqueo. Las prdidas en estado de bloqueo son
despreciables frente a las de conduccin.
Dinmicas: durante el paso de conduccin a
bloqueo y el paso de bloqueo a conduccin. La
prdida ms apreciable se produce en la
conmutacin de conduccin a bloqueo.
PERDIDAS ESTATICAS
Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
1
PDcond pDcond (t )dt PDcond = VDIM + rd Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
PERDIDAS EN CONMUTACION
10 A iD
Las conmutaciones no son perfectas
trr Hay instantes en los que conviven tensin
y corriente
La mayor parte de las prdidas se
t producen en la salida de conduccin
3A
Potencia instantnea perdida en la
0,8 V VD salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t) =
1
PD p Dsc (t )dt
T
-200 V 0
TIPOS DE DIODOS
Diodos rectificadores para baja frecuencia:
IFAV: 1A 6000 A
trr: 10 s
trr: 0,1 - 10 s
IFAV: 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
trr: 5 ns
IFAV: 0,45A 2 A
trr: 150 ns
VF: 2V
trr:10 s
Ctodo
Encapsulado (roscado)
cermico Schottky
600V/6000A 120A 150V
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
TRANSISTORES DE POTENCIA
En electrnica de potencia, los transistores
son usados como interruptores.
Los circuitos de disparo se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin
(conduccin) o en la zona de corte (bloqueo).
Son totalmente controlables.
Transistores BJT y los MOSFET.
Los hay hbridos: IGBT, GTO, COOLMOS.
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
Ms conocido como BJT (Bipolar Junction
Transistor).
Son interruptores de potencia controlados por
corriente.
Existen dos tipos NPN y PNP, a pesar que en
electrnica de potencia se usan ms los NPN.
Se controlan por el terminal de base.
Son utilizados fundamentalmente para
frecuencias por debajo de 10KHz y son muy
efectivos hasta en aplicaciones que requieran
1200V y 400A como mximo.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
Trabaja en 3 zonas bien diferenciadas en funcin de la
tensin que soporta y la corriente de base inyectada:
Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste
se comporta como un interruptor abierto, que no permite
la circulacin de corriente entre colector y emisor.
Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste
soporta una determinada tensin entre colector y emisor.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base, con una constante de proporcionalidad denominada
ganancia del transistor, tpicamente representada por las
siglas y hfe.
Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para
disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte
como un interruptor cuasi ideal.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
En Electrnica de Potencia interesa trabajar en la zona
de corte y en la zona de saturacin.
Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares
de seal y los de potencia son bastante significativas:
La tensin colector-emisor en saturacin suele estar entre
1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2 - 0,3 Volts de cada en un
transistor de seal.
La ganancia de un transistor de potencia suele ser bastante
pequea.
Para evitar esta problemtica se suelen utilizar
transistores de potencia en configuraciones tipo
Darlington, para obtener ganancias de corriente
bastante grandes.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Tiempos de conmutacin:
* Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
* Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de
su valor final.
* Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
SIMULACION DE LA CONMUTACION
PD Pon Ton (Woff Won ) f
VCEsat = 0 IE0 = 0
t2 - t1 = tA=tON = tr t3 - t2 = tB t4 - t3 = Tc = tOFF = tf
La energa perdida en el pulso tambin la podemos
descomponer como la suma de las energas perdidas
en tA, tB y tC:
W(t) = WA(t) + WB(t) + WC(t)
t2 t3
WA ic (t ) vce (t ) dt WB ic (t ) vce (t ) dt
t1 t2
t4
WC ic (t ) vce (t ) dt
t3
WB I C(sat) VC(sat) t B
WA WB WC
PTOT(AV) Disipacin total de Potencia del BJT
T en conmutacin.
PROTECCION DEL TRANSISTOR
Sobreintensidades:
Los fusibles no son utilizables en este caso, ya que, la accin del transistor es
mucho ms rpida que la del fusible !!!
Sobretensiones:
Las sobretensiones estn asociadas al periodo de corte del transistor.
Debemos prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del
dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la
tensin mxima permitida)
TRANSITORIOS
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados mediante inductancias y
condensadores. Las primeras limitan el tiempo de variacin de corriente y los
segundos limitan el tiempo de variacin de tensin.
Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para
limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dIc/dt en el paso a conduccin.
Si la corriente Ic crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede
darse el fenmeno de ruptura secundaria.
dic I C Vcc
Vcc t r
LS
dt tr LS IL
Transitorio encendido -
apagado
TRANSITORIO ENCENDIDO
vd
Df I0 di
Ls
dt
iLs vCE
DLs
Ls
Cd vd
RLs
iC iC tri trr
- R LSt (b)
(a)
Cuando el transistor pasa i LS (t) I o e LS
haciendo i LS (t off ) 0.1 I o
a corte, la energa
almacenada en la
inductancia (1/2 LS) se RLS t off LS ln 10
disipa en la resistencia ln 10 RLS
RLS a travs del diodo DLS LS t off
con una constante de
tiempo igual a LS/RLS.
Circuitos de proteccin del BJT: Transitorio apagado mediante red Snubber
para turn off ( paso a corte).
Se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, IC disminuya, para
evitar que el producto sea elevado. Para ello, colocamos un condensador en paralelo
con el transistor, como podemos apreciar en la figura. Este condensador debe
absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer.
Io t I 0 I CS I C
i CS
tf
1 t Io t 2
VCS VCE
CS 0 iCSdt 2CS t f
Io t f
Vd VCS
2CS
ton Io t f
ton RsCs RS CS
5 Cs 2Vd
TIPOS DE TRANSISTORES BJT
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
D Drenador
Canal N D Canal P
Conduccin debida a
G electrones G
S S
Conduccin debida a
huecos
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos
REGIONES DE TRABAJO
VGS-VGS(th)>=VGS(th) PON i 2D R DS(ON)
RDSon
VGS-VGS(th)<VGS(th) Cuanto ms baja
es la resistencia,
mejor es el
transistor
Este parmetro est
directamente
relacionado con la
tensin de ruptura y con
la capacidad de manejar
corriente
ID RDSon
EJEMPLOS DE MOSFETS COMERCIALES
VDS ID RDSon
IRFPG 30 1000 V 3A 5
IRFPG 50 1000 V 6A 2
MODELO ESTATICO DEL MOSFET
Efecto Miller
Efecto Miller
VGG VGG
10% VGS
10% VGS
VDS ID VDS
90% ID
VDD 90%
IDMAX IDMAX VDD
10% 10%
t t
tD(on) tR tD(off)tF
tON tOFF
CONMUTACION DEL MOSFET
La potencia instantnea es mayor que en corte
o en zona hmica.
Interesa que el transitorio sea lo ms rpido
posible, para reducir prdidas.
La conmutacin consiste en la carga o
descarga de los condensadores de entrada.
La velocidad de conmutacin depende de la
velocidad de carga o de descarga de esas
capacidades (IG de pico de 2 a 3 A).
TIEMPOS DE CONMUTACION
El retardo de encendido td(enc) es el tiempo
necesario para cargar la capacitancia de entrada
hasta el valor del voltaje umbral.
El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la
compuerta, desde el nivel de umbral hasta el
voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere
para activar al transistor hasta la regin lineal.
El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el
necesario para que la capacitancia de entrada se
descargue desde el voltaje de sobresaturacin V1
hasta la regin de estrechamiento.
TIEMPOS DE CONMUTACION
El voltaje VGS debe disminuir en forma
apreciable antes de que V comience a subir.
El tiempo de cada tf es el necesario para que
la capacitancia de entrada se descargue desde
la regin de estrechamiento hasta el voltaje
de umbral.
Si VGS VT, el transistor se desactiva.
PARAMETROS DE SELECCIN DE MOSFETS
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin drenador - fuente
250 V 600 V
300 V 900 V
CONDICIONES:
Voltaje de entrada, seal
cuadrada de valor 0/5V.
Frecuencia: 1 KHz.
Tensin de alimentacin: 10V.
Tiempo de simulacin: 2ms.
FORMAS DE ONDA
TIEMPO DE RETRASO
Td = 936 [nseg]
TIEMPO DE CRECIMIENTO
tr = 3.24 [s]
tON = td + tr = 0.936 + 3.24 = 4.176 [s]
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO
tS = 11.1 [s]
TIEMPO DE APAGADO
tS = 11.3 [s]
tOFF = tS + tF = 11.1 + 11.3 = 22.4 [s]
VOLTAJES EN LA BASE Y C E
TIEMPO DE APAGADO