Seleccin de dispositivos

electrnicos de potencia
 Encapsulados de diodos

Axiales
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
 Encapsulados de diodos

Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Para grandes potencias

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en ctodo comn 2 diodos en serie

 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line
 Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+ -
 Encapsulados de diodos

Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos

Dan origen a mdulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parsitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Electrnica militar
Control de Motores
 Circuito equivalente esttico

Curva caracterstica
i real

Curva
caracterstica ideal Curva caracterstica
asinttica.
Pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0
V
ideal
Circuito equivalente asinttico
rd
Modelo asinttico V
 Caractersticas fundamentales de cualquier diodo

1 -Mxima tensin inversa soportada

2 -Mxima corriente directa conducida
3 -Cada de tensin en conduccin
4 -Corriente inversa en bloqueo
5 -Velocidad de conmutacin

1 Mxima tensin inversa soportada

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensin Media tensin Alta tensin

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificacin
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 1 Mxima tensin inversa soportada

El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM
- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
 2 Mxima corriente directa conducida

El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cpsula
 3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD
 3 Cada de tensin en conduccin

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
 3 Cada de tensin en conduccin

Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

En escala lineal no son muy tiles

Frecuentemente se representan en
escala logartmica
2,2V @ 25A
 3 Cada de tensin en conduccin

Curva caracterstica en escala logartmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
 3 Cada de tensin en conduccin

Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conduccin
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A
 3 Cada de tensin en conduccin

Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
 3 Cada de tensin en conduccin

Schottky

Schottky
DIODOS DE POTENCIA

Similares valores
de VRRM y similares
cadas de tensin
en conduccin
PN
 4 Corriente de inversa en bloqueo

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 4 Corriente de inversa en bloqueo Crece con IF(AV)
Crece con Tj
Dos ejemplos de diodos Schottky
Decrece con VRRM
IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA
 5 Velocidad de conmutacin

Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin

R
i Transicin de a a b,
a b + es decir, de conduccin
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 5 Velocidad de conmutacin

Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de cada (fall time ) t
trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time ) -V2
 5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin (encendido)

R i
i 0,9V1/R
a b + 0,1V1/R
V2 V
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperacin directa genera menos

problemas reales que el de recuperacin inversa
 5 Velocidad de conmutacin

Informacin suministrada
por los fabricantes
Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 5 Velocidad de conmutacin Ms informacin suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
 5 Velocidad de conmutacin

La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr

Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s

Fast 100 V - 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns
Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V (Si) 1 A 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

300 V 1200 V (SiC) 1 A 20 A < 2 ns

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 Prdidas en diodos
Son de dos tipos:
- Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables)
- Dinmicas

Prdidas estticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Potencia instantnea perdida en conduccin:

V pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)

Potencia media en un periodo:

T

1
PDcond pDcond (t )dt PDcond = VIM + rd Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo

Las conmutaciones no son perfectas

Hay instantes en los que conviven tensin y corriente
La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin

10 A iD
tf

t
DIODOS DE POTENCIA

3A
Potencia instantnea perdida
0,8 V VD en la salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t)

Potencia media en un periodo:

trr

1
PD p Dsc (t )dt
T
-200 V 0
 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Estticas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Informacin de los fabricantes sobre prdidas

Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C

Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W
Si Ley de Ohm trmica: T=PRTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA

P Magnitudes elctricas:
(W) a - Resistencias elctricas, R en
j Ambiente
Unin - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A

c RTH R
T V
Encapsulado Equivalente
elctrico
PI
 Caractersticas Trmicas
RTH R
T V
Equivalente
elctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unin
0K

c
Encapsulado

Por tanto: T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca
 Caractersticas Trmicas

La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)

La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cpsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA

RTHca [C/W] 30 105 45 60 40

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador en la cpsula.
 Caractersticas Trmicas
RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si R
THjc RTHca
P 0 K
(W) a
Ambiente
j
DIODOS DE POTENCIA

Unin

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]