UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN

ANTONIO ABAD DEL CUSCO

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA,
MECANICA E INFORMATICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRICA

DIODOS UNION PN
GRUPO : 2
AUTORES:
• Patty Condori Huillca
• Elisban Chillitupa Segovia
• Lucero Celeste Lopinta Aique
 DIODOS SEMICONDUCTORES
RESEÑA HISTORICA
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en
1874, cuando se observo la conducción en un sentido en cristales
de sulfuro, 25 anos mas tarde se empleo el rectificador de cristales
de galena para la detección de ondas. Durante la Segunda Guerra
Mundial se desarrollo el primer dispositivo con las propiedades
que hoy conocemos, el diodo de germanio.

UNIÓN PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los
componentes electrónicos comúnmente
denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores. Está formada por la unión metalúrgica de
dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se
fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su
composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen
al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
CONTACTO RECTIFICANTE : Es definido como el
contacto entre dos materiales y en el cual la magnitud
de la corriente depende del sentido que tenga la
misma.

CONTACTO OHMICO : Son aquellos contactos no

rectificantes en los cuales el potencial de contacto no
depende la magnitud ni de la dirección de la corriente
(y si es pequeña la corriente se puede considerar que
todo el potencial externo cae en la jutura).
DIODO INTRINSECO PURO
Los cristales de Silicio están formados a nivel
atómico por una malla cristalina basada en
enlaces covalentes que se producen gracias a los
4 electrones de valencia del átomo de Silicio.
Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco.

LOS HUECOS: como su nombre indica, son el

lugar que deja un electrón cuando deja la capa de
valencia y se convierte en un electrón libre. Esto
es lo que se conoce como pares electrón - hueco
y su generación se debe a la temperatura (como
una aplicación, al caso, de las leyes de la
termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico).
En un semiconductor puro (intrínseco) se cumple
que, a temperatura constante, el número de
huecos es igual al de electrones libres.
Silicio extrínseco tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por átomos con
menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrión, normalmente trivalente, es
decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para
poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos,
huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido
como impurezas aceptoras.
Silicio extrínseco tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un
cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la
capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).
Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor.
 BARRERA INTERNA DE POTENCIAL

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión

de electrones del cristal n al p .
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas
fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona
que recibe diferentes denominaciones
como barrera interna de potencial, zona de carga
espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de
deplexión, de vaciado, etc.
La anchura de la zona de carga espacial una vez
alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5
micras pero cuando uno de los cristales está
mucho más dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.
POLARIZACION
 POLARIZACION DIRECTA
DE LA UNION PN

En este caso, la batería Se produce cuando se conecta Una vez que un electrón libre de De este modo, con la
disminuye la el polo positivo de una batería a la zona n salta a la zona p batería cediendo
barrera de potencial de la la parte P de la unión P - N y el atravesando la zona de carga electrones libres a la
zona de carga espacial, negativo a la N. En estas espacial, cae en uno de los zona n y atrayendo
permitiendo el paso de la condiciones podemos observar múltiples huecos de la zona p
corriente de electrones a electrones de valencia
que: convirtiéndose en electrón de
través de la unión; es de la zona p, aparece a
decir, el diodo polarizado
valencia. Una vez ocurrido esto través del diodo una
directamente conduce la el electrón es atraído por el polo corriente eléctrica
electricidad. positivo de la batería y se
constante hasta que la
desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, batería se consume.
desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la
batería.

En este caso, el polo
negativo de la batería se
conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de
carga espacial, y la tensión
en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la
tensión de la batería, tal y
como se explica a
continuación:
POLARIZACION
INVERSA DE LA UNION
PN
El polo positivo de la batería atrae a
los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro
del cual se desplazan hasta llegar a la
batería. A medida que los electrones
libres abandonan la zona n, los
átomos pentavalentes que antes
eran neutros, al verse desprendidos
de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad (4
electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una
carga eléctrica neta de +1, con lo que
se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería Este proceso se repite
una y otra vez hasta
cede electrones libres a los
átomos trivalentes de la zona que la zona de carga
espacial adquiere el
p. Recordemos que estos
mismo
átomos sólo tienen 3 potencial eléctrico que
electrones de valencia, con lo
la batería.
que una vez que han formado
los enlaces covalentes con los
átomos de silicio, tienen
solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón
que falta el
denominado hueco.
 RESISTENCIA DE UN DIODO

RESISTENCIA ESTÁTICA
• se obtiene como la inversa de la
pendiente de la recta que une
dicho punto con el origen de
coordenadas.
• Podemos hablar de resistencia
estática en directa (RF) y de
resistencia estática en inversa (RR)

• varía de forma considerable con el

punto elegido
• no es un parámetro adecuado para
definir el comportamiento del
diodo
LA RESISTENCIA DINÁMICA O INCREMENTAL
• constituye un parámetro importante del diodo.
• Se define como la inversa de la pendiente de la curva
característica I = f(V), en el punto de funcionamiento, es decir
tendremos:
 la resistencia dinámica en directa:

 resistencia dinámica en inversa se obtiene

Como:
Si corriente es:

Si en el punto Q se cumple que IQ >> IO , la resistencia

dinámica en directa toma la
siguiente expresión:
 MODELAMIENTO DEL DIODO
MODELOS LINEALES EQUIVALENTES DEL DIODO PN
considerar al diodo pn como un dispositivo de dos o tres estados o
zonas de funcionamiento:
 DON : conducción directa con I≥0.
 DOFF : corte o no conducción con I=0.
 DINV : conducción en inversa con I≤0

representación circuital lineal del diodo

pn, tanto el modelo completo como distintos casos particulares del
mismo
a) Modelo completo :
b) Modelo con resistencia en
inversa infinita:
c) Modelo con resistencia
inversa infinita y tensión umbral
nula:

Rf =0,
Rr, V0
d) Modelo con resistencia en
directa nula y resistencia en
inversa infinita:

Rf≠0, Rrα,
V=0.
e) Modelo con resistencia en
directa nula, resistencia en
inversa infinita y tensión
umbral nula (interruptor ON-
OFF):
 CAPACIDADES Y TIEMPO DE CONMUTACIÓN
 Cuanco las variaciones de la de la tension aplicada son
grandesrespecto al nivel de polarizacion. Cuando la
amplitud de la señal aplicada es pequeña respecto a la
polarizacion se utilizan los modelos de pequña señal que
aparecen respresentados en la fig. 2.13
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DEL DIODO
DIODOS ESPECIALES
 Diodo Túnel
fuertemente dopados de modo que la zona de vaciamiento tiene sólo unos pocos
nanómetros. Por este motivo se manifiesta fuertemente el efecto túnel (Fig.), que es un
fenómeno solamente explicable a partir de la mecánica cuántica. Este diodo fue
inventado en 1958 por el japonés Leo Esaki, por lo cual recibió un premio Nobel en
1973.
Los diodos Túnel son generalmente fabricados en Germanio, pero también en silicio y
arseniuro de galio. Son diodos muy rápidos que presentan una respuesta una zona con
“resistencia negativa” (Fig.), que permite su utilización como elemento activo en
osciladores y amplificadores. En la práctica los diodos túnel operan con unos pocos
miliampers y potencias muy bajas.