Electrónica Básica

DIODOS
SEMICONDUCTORES

José Huachani Villcas

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INTRODUCCION
En esta sesión comenzaremos el estudio de los circuitos no lineales, haremos
referencia a las propiedades químicas de los materiales semiconductores,
posteriormente definiremos las características del diodo, las formas de polarización
de los mismos, tipos de diodos y finalmente aplicaciones electrónicas de los diodos.

OBJETIVO
-Identificar las características de los diodos semiconductores.
-Conocer el principio de Funcionamiento de los diodos.

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INTRODUCCIÓN
La electrónica trata de la teoría y de la aplicación de los
dispositivos que controlan la corriente, en ellos están incluidos
los dispositivos de semiconductor y hasta hace algunos años los
tubos de vacío. Los semiconductores son sólidos, cuya
resistividad es intermedia entre la de los conductores eléctricos y
la de los aislantes.

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Diferencias entre Materiales

• Conductor: material que soporta un gran flujo
de carga/corriente.
• Aislante: material con nivel bajo de
conductividad de corriente.
• Semiconductor: material que posee un nivel
de conductividad entre los extremos de un
aislante y un conductor.

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Electrones de Valencia
Los electrones de valencia son los electrones que se
encuentran en los mayores niveles de energía del
átomo, siendo éstos los responsables de la
interacción entre átomos de distintas especies o
entre los átomos de una misma.
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Los mejores conductores tienen un electrón de valencia, mientras que

los mejores aislantes tienen 8 electrones de valencia.

Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las

de un conductor y un aislante por tanto los mejores semiconductores tienen
4 electrones de valencia.
Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se
desligan de sus átomos quedando un electrón libre. La salida del electrón
deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina hueco (átomo sin
electrón) estos huecos se constituyen en portadores de carga positiva.
Recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco.

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Semiconductores Intrínsecos
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, tienen el mismo número de
electrones libres y el mismo número de huecos. A menudo a los electrones libres y
huecos se denominan portadores.

Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje. El

dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco

Para incrementar el número de electrones libres se añaden átomos pentavalentes al

cristal puro.

Para incrementar el número de huecos se añaden átomos que tengan sólo tres
electrones de valencia.

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Semiconductores extrínsecos
Un semiconductor se puede dopar para tener exceso de electrones libres o exceso de
huecos, por tanto existen dos tipos de semiconductores dopados.

Semiconductor tipo N
El silicio que ha sido dopado con impurezas pentavalentes (antinonio, arsénico y
fósforo) se denomina semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo.
Los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.

Semiconductor tipo P

El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes (Boro, galio e indio) se
denomina semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los huecos
serán los portadores mayoritarios y Los electrones libres los portadores
minoritarios.

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Semiconductores
• Silicio y Germanio.
• Valencia 4

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Materiales Semiconductores Extrínsecos Tipo N

• Dopado de antimonio,
arsénico o fósforo:
• Tipo N. (adición de 5
electrones de valencia)

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Materiales Semiconductores Extrínsecos Tipo P

• Dopado de Boro,
Galio o Indio:
• Tipo P. (adición + 3
electrones de
valencia)

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EL DIODO
Un diodo es la unión de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y
la otra de tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento
(Z.A.) donde es mínima o nula la presencia de portadores de carga.

ANODO P N CATODO
(A) (K)
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Presentación Física
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DIODO SEMICONDUCTOR
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
Zona de Transición
Región de Agotamiento
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +

- +

- +

ÁNODO CÁTODO

SÍMBOLO

Marco Arcos Camargo 14

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ESTADOS
a) Diodo en directo: Se comporta como un interruptor cerrado.

b) Diodo en inverso: Se comporta como un interruptor abierto.

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INCISO: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V

- V - V

Batería Fuente
Corriente

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POLARIZACIÓN DIRECTA

Cuando el voltaje es pequeño y va aumentando, la zona de agotamiento se va

estrechando hasta llegar a un valor llamado tensión de umbral donde
desaparece para dar origen a una corriente eléctrica a través del diodo, entonces
decimos que el diodo está en conducción.

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POLARIZACIÓN INVERSA:

El voltaje negativo aplicado al ánodo atrae los huecos y el voltaje positivo

aplicado al cátodo atrae los electrones por lo que la zona de agotamiento se
ensancha. Se dice entonces que el diodo se comporta como un interruptor
abierto.

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CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un

cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta
como un circuito abierto)

I I
+
P

N V
-

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DIODO REAL
ID (mA)
1
ánodo cátodo Si
Ge
p n

VD (V)
A K
0
-0.25 0.25 0.5
Símbolo

IS = Corriente Saturación Inversa

 VD  K
 K = 11600/η; η=1 para Ge y η=2

ID  IS e  1
TK para Si
VD = Tensión diodo
  T = temperatura (ºK)
  ID = Corriente diodo

Marco Arcos Camargo 20

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DIODO REAL (Distintas escalas)
ID [mA]
1

Ge Si

VD
-0.25 0
0.25 0.5

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Curva Característica del Diodo
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DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I I Tensión de
Solo tensión umbral y
Ideal de umbral Resistencia
Ge = 0.3 directa
Si = 0.7
V V V

I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladore
Tensión de umbral y s, análisis
Resistencia directa gráfico)

V V

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DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

id

IOmax
VR = 1000V Tensión inversa máxima
IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa

VR

iS Vd

VR = 100V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 25 nA Corriente inversa

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DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
Tensión I
Zener En la zona Zener se
(VZ) comporta como una fuente
de tensión (Tensión Zener).

Necesitamos, un límite de
V corriente inversa.

Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente,
límite de potencia
máxima

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Diodo LED Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión

PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K

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Fotodiodos

Los diodos basados en compuestos III-V,

i presentan una corriente de fuga proporcional a la
luz incidente (siendo sensibles a una determinada
V longitud de onda).

0 Siendo su aplicaciones principales:

Sensores de luz (fotómetros)
iopt Comunicaciones

I = f(T)
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la
luz

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Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente

(Varicap , Varactor or Tuning diode) puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transición).

Esta capacidad se llama Capacidad de

P
-
N Transición (CT).
-

-
-

-
+

+
+

+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa
- - + +

- - + + aumenta la zona de transición. Un efecto

parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).
Dieléctrico
Tenemos pues una capacidad
dependiente de la tensión inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y

caracterizada esta capacidad.
CT
30 pF Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automático de frecuencia en
d sintonizadores)

VI
10 V
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Diodo Schottky

Unión Metal-semiconductor N

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy

bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V, 0.4V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de

Potencia

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ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador

Diodo de alta tensión Monofásico

+
(Diodos en serie)

DISPLAY -
Trifásico
+

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Display a 7 Segmentos

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APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de
objeto

Detectores de barrera
Detectores reflexión de espejo

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APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED

Objetivo Fotodetector

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo

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Ejercicio 1
• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.

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Ejercicio 2
• Para la siguiente configuración calcule ID, VR.

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Ejercicio 3
En la siguiente red determinar ID, Vo, voltaje en cada resistencia y
potencia del diodo.

Si

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Ejercicio 4
Para el circuito mostrado determinar el valor de Vo

Uo
4,7k Si

+20V +5V

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Electrónica Básica

Ejercicio 4
Determinar ID , Vo y el voltaje en cada resistencia

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