SEMICONDUCTOR

ELECTRONICA BÁSICA
 SEMICONDUCTOR
 Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como
aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos
semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta.
ALGUNOS SEMICONDUCTORES

Electrones en
Elemento Grupos
la última capa

Cd 12 2 e-

Al, Ga, B, In 13 3 e-

Si, C, Ge 14 4 e-

P, As, Sb 15 5 e-

Se, Te, (S) 16 6 e-

TIPOS DE SEMICONDUCTORES
 SEMICONDUCTORES INTINSECOS

 SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
 http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.ht
ml
SEMICONDUCTOR TIPO
INTRINSECO
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura
tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes
entre sus átomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad.

http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
 Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a
la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la
banda de valencia . Las energías requeridas, a temperatura
ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio
respectivamente
 ni = n = p
 siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función
exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.
 Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25ºc):
 ni(Si) = 1.5 1010cm-3
 ni(Ge) = 2.5 1013cm-3

http://www.google.com.pe/imgres?q=SEMICONDUCTORES+INtrinsecos&hl=es&sa=X&rlz=1T4RN
 DOPADO DE UN
SEMICONDUCTOR
 CASO I
 Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos
un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5.
 Los átomo de valencia 5 tienen un electrón de más, así con una
temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por
ejemplo), el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo
se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo
pentavalente suelta un electrón que será libre.
CASO II
 Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con átomos de valencia 3.
SEMICONDUCTORES
EXTRINSECOS
 Semiconductor tipo N
 Es el que está impurificado con impurezas
"Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se
les denomina "portadores minoritarios".
ESTADISTICA DE FERMI DIRAC

 La estadística de Fermi-Dirac es la forma de contar estados de

ocupación de forma estadística en un sistema de fermiones.
Forma parte de la Mecánica Estadística. Y tiene aplicaciones
sobre todo en la Física del estado sólido.
SEMICONDUCTOR TIPO P
 Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los minoritarios.
ENLACES

 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht
m
 http://es.wikipedia.org/wiki/Estad%C3%ADstica_de_Fermi-Dirac
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht
m
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.ht
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