Electrónica Analógica y de Potencia: Tema 7

TEMA 7:
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Mª Dolores Borrás Talavera

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1. Clasificación.
2. El transistor JFET:
– Tipos y símbolos
– Estudio cualitativo del JFET
– Curvas de salida y transconductancia
3. El transistor MOSFET:
– Tipos y símbolos
– MOSFET de empobrecimiento
– MOSFET de enriquecimiento
4. El transistor FET en conmutación:
– RDS (on) e ID (off)
– El transistor MOSFET de potencia
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CLASIFICACIÓN

NPN
Bipolares
PNP

Canal N (JFET-N)
Unión
(JFET) Canal P (JFET-P)
Transistores
Efecto de Empobrecimiento Canal N
campo (Deplexión)
(FET) Canal P
Metal-Oxido-
Semiconductor
(MOSFET) Canal N
Enriquecimiento
(Acumulación)
Canal P

* FET : Field Effect Transistor

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EL TRANSISTOR JFET
Tipos y Símbolos
D D

G G

S S
Canal N Canal P

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Fuente (SOURCE)

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor

controlado por tensión, donde la tensión aplicada a la puerta permite
que circule o no corriente entre drenador y fuente.
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Estudio cualitativo del JFET

D D

G G
P P N N

N P
S S

Canal N Canal P
D D

G G

S S
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D
p
S n
p

VGS
VDS
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Funcionamiento del JFET de canal N

•Unión GS polarizada inversamente

D •Se forma una zona de transición

Canal libre de portadores de carga y un
canal
G P P
•La sección del canal depende de la
tensión UGS
UGS •Si se aplica una tensión D-S la
N corriente ID por el canal dependerá
Zona de
S transición de USG y UDS
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Funcionamiento del JFET de canal N

D
ID
UG El canal se
G P P estrecha
S
UDS
(baja) Mayor
UGS
N resistencia
UDS
S

Entre D y S se presenta una resistencia que varía en función de UGS

(al aumentar la tensión UDS aumenta la corriente ID)
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Funcionamiento del JFET de canal N

D
ID
UDS + UGS
UGS=0
G P P
UDS UGS1

UGS UGS UGS2

N
VP UDS
S

El ancho del canal depende también de la tensión UDS Se estecha el

canal y deja pasar menos corriente
Pasado un límite la corriente ID deja de crecer con UDS  se compensa
el estrechamiento del canal con el comportamiento resistivo
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Resumen del principio de funcionamiento
de los JFET cuando VGS = 0
VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
VDS=V1 fuente de corriente

VDS=V2

VDS=VPO VDS
V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3

VDS=V4
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Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida
normalizadas
ID [mA]
D
+ VGS = 0V
G 4
+ VDS
- VGS = -0,5V
VGS S
- 2
VGS = -1V
•Curvas de entrada: VGS = -1,5V
VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés (unión
polarizada 0 2 4 6
inversamente)
Contracción del canal
Contracción producida cuando:
Muy importante VDSPO=VPO + VGS
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Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 0V
4
2,5KW
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
- VGS = -2V
VGS S
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
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IS D
Curvas de salida y transconductancia
G UDS
Características estáticas de un JFET de canal N
S
Zona resistiva UGS
ID (mA) Zona de fuente de corriente
UGS=0V
Característica 30 Hay una UGS a
real 20 UGS=-2V partir de la cual
el canal se
10 UGS=-4V cierra y deja de
pasar corriente
2 4 6 8 UDS (V) de drenador
ID
UGS0
Característica
UGS1
linealizada
UGS2

UDS
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Características estáticas de un JFET de canal P

Zona resistiva
ID (mA) Zona de fuente de corriente
IS D
UGS=0V
-30
G UDS
-20 UGS=2V
S -10
UGS UGS=4V

-2 -4 -6 -8 UDS (V)

Curvas idénticas al de canal N pero con tensiones y corrientes de signo opuesto

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Conmutación de un JFET

RD B
ID
ID UGS(B)
VCC
+ UDS
UGS A UGS(A)
UDS
UGS

Aplicando una onda cuadrada en los

UDS terminales UGS se puede conseguir que
VCC el JFET actúe como un interruptor
A
B
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El transistor de efecto de campo de unión o JFET

 La corriente de drenador se controla mediante tensión (a

diferencia de los transistores bipolares donde se controla la
corriente de colector mediante la corriente de base)
 La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un
valor límite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de
pasar corriente de drenador
 Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensión
UDS.
 Aplicaciones típicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia
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EL TRANSISTOR MOSFET
Tipos y Símbolos
ENRIQUECIMIENTO EMPOBRECIMIENTO
D D D D

G G G G
S S S S
Canal N Canal P Canal N Canal P

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Fuente (SOURCE)
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensión, donde la tensión aplicada a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
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EL TRANSISTOR MOSFET
Estructura de un MOSFET de empobrecimiento de canal N

Metal
N
Óxido sustrato
G P
Semiconductor
D
N
SiO2 actúa de aislante sustrato
G
S
S
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EL TRANSISTOR MOSFET
Estructura de un MOSFET de empobrecimiento de canal N
D

N D
VDS
G G
P
S
VGS
N

S
• En los MOSFET de empobrecimiento el canal se forma mediante una
difusión adicional durante el proceso de fabricación
• Con tensión UGS nula puede haber circulación de corriente de drenador
• Es necesario aplicar tensión negativa UGS para cerrar el canal
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Curvas características

Zona de óhmica
Zona de corriente constante
ID (mA)

40 UGS=2V
30
UGS= 0VYa hay canal formado
20
UGS= -2V
10
UGSoff= -Vp curva de corte ID0
2 4 6 8 UDS (V)
ID
Curva de transferencia
2
 UGS 

ID  IDSS   1  
 UGSoff 
IDSS=corriente ID con la puerta en corte

UGSoff UGS
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Los transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo
D G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
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Estructura de un MOSFET de enriquecimiento de canal N

D
Normalmente el terminal
de SUSTRATO se
N encuentra conectado con
la fuente S
G sustrato
P VDS

N Los terminales
VGS
principales del MOSFET
son D y S
S

Al aplicar tensión UDS la unión drenador-sustrato impide la

circulación de corriente de drenador
Al aplicar tensión positiva UGS los electrones libres de la
zona P (sustrato) son atraídos hacia el terminal de puerta
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Estructura de un MOSFET de enriquecimiento de canal N

Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona
rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre
drenador y fuente
D

N
-+
G -+
-+ PPP
-+
-+
VDS
VGS N

Cuando UGS< UGSTh  ID=0

Si UGS> UGSTh  ID≠0
Cuanto mayor sea UGS mayor será el canal  ID crece muy
rápidamente
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 Formado el canal entre drenador y fuente puede circular la

corriente de drenador ID
 Incrementar la tensión UDS tiene un doble efecto:
• Ohmico: mayor tensión = mayor corriente ID
• El canal se estrecha por uno de los lados = ID se reduce

A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la

corriente se estabiliza haciéndose prácticamente independiente de UDS
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Curvas características
Zona de óhmica
Zona de corriente constante
ID (mA)
Característica
40 UGS=10V real
30
UGS=8V
20 A partir de un cierto valor de UGS
UGS=6V se forma el canal entre drenador
10
UGSTh y fuente. Por debajo de este
límite el transistor está en corte.
2 4 6 8 UDS (V)
ID
D
IS
IDon
ID  K  UGS  UGSTh 
2
UDS
G
S Constante que
UGS depende del MOSFET

UGSTh UGSon UGS

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Circuto equivalente en
zona óhmica
ID
UGS2
Característica
UGS1 linealizada
UGS0
UDS
Característica de transferencia

D
G
VDS
S
VGS
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ID
En la región de corriente cte
UGS2 U >U U
DS GS - GSTh

UGS1 VT
UGS0
UDS

Valor límite:
UDSlim = UGS - VT
IDlim = KU2DS

La capa de óxido es muy fina, ya que permite mejor control sobre ID,
por lo que UGS tiene un valor máximo por encima del cual se puede
destruir dicha capa
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Curvas características de un MOSFET de canal P

ID (mA) Zona resistiva

Zona de fuente de corriente
D -40
IS UGS=-10V
-30
UDS -20 UGS=-8V
G
UGS=-6V
S -10
UGS=-4V
UGS
-2 -4 -6 -8 UDS (V)

Curvas idénticas al de canal N pero con tensiones y corrientes

de signo opuesto
Al ser la conducción debida a huecos son más lentos
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El transistor JFET Metal-oxido-semiconductor o MOSFET

Limitaciones

•Tensión de ruptura ID
•Corriente máxima IDMAX
•Tensión máxima de puerta
•Potencia máxima PMAX

Características SOAR
VDC-MAX
•Resistencia en conducción
•Tensión umbral
VDS
Área de operación segura
(Safety Operation Area)
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MODELO EQUIVALENTE PARA PEQUEÑA SEÑAL

ID
G

UGS rds UDS

gmUGS

S
1
ID  gmUGS  UDS
rds
gm = transconductancia en directo o conductancia mutua
rds = resistencia dinámica en inverso o resistencia de salida

ID UDS
gm  UDS  0 rds  UGS  cte
UGS ID
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MODELO EQUIVALENTE PARA PEQUEÑA SEÑAL

rd ID
G
gmUGS
UGS rds UDS
+

μ=rdgm factor de amplificación

1 UDS
ID  0  gmUGS  UDS   gmrds
rds UGS
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El transistor JFET Metal-oxido-semiconductor o MOSFET

Resumen

 La corriente de drenador se controla mediante la tensión UGS

 En los MOSFET de enriquecimiento a partir de un cierto valor

umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de
drenador

 En los MOSFET de empobrecimiento una difusión adicional

permite la circulación de la corriente de drenador incluso para
tensión UGS nula

 Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores

electrónicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos
digitales, ...
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OTROS TIPOS DE MOSFET

MOSFET de doble puerta

D
D
G1
G1
G2
S

G2
S

Para aumentar la ganancia en tensión → aplicación

amplificador cascodo
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VMOS

La estructura física de los MOSFET es:

G
D S

N n N
125μm
P

SUSTRATO
El canal es muy estrecho con un espesor limitado la R que
presenta al paso de la corriente es muy alta. La intensidad y la
potencia por tanto es pequeña.
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VMOS

La estructura física de los VMOS es:

S G S La corriente circula casi

vertical al plano de las
capas de semiconductor
n+ n+ con una sección más ancha
p
n canal
n+

La forma en V de G canal de longitud pequeña y mayor ancho

efectivo se reduce la R y aumenta la corriente.
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Ventajas del VMOS
1.POSIBILIDAD DE CONEXIÓN EN PARALELO
En aplicaciones de potencia se consigue más intensidad
conectando varios VMOS en paralelo

2. AUSENCIA DE AVALANCHA TÉRMICA

La conexión con BJT no es posible ya que tienen un
coeficiente de temperatura positivo.
Con VMOS:
ΔT↑⇒ ΔID↓⇒ ΔP↓ ⇒ΔQ↓

3. MAYOR RAPIDEZ DE CONMUTACIÓN

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IGBT
Isolated Gate Bipolar Transistor (transistor bipolar de puerta aislada)

Símbolo Circuito equivalente

C C
D

G G B
S
E
E
Es un transistor muy usado en potencia ya que une las
ventajas del BJT y MOSFET:
•Impedancia de entrada alta del MOSFET
•las características de conducción son como las del BJT:
•Capacidad de sobrecarga mayor.
•Tiempo de conmutación bajo
•Mayor disipación
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Estructura de un IGBT de canal n

cátodo
S
E

n+ n+
p SiO2

n S del MOSFET

n+ B del Bipolar
p+

C C del Bipolar
ánodo
En estado de conducción es cualitativamente similar a un
BJT controlado por tensión
La característica por puerta es equivalente a un MOSFET
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