Fig. 1.3 Atomic Structure of (A) Silicon (B) Germanium and (C) Gallium and Arsenic

ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS
El Si, Ge y GaAs son los semiconductores mas utilizados por la industria electrónica. Su
estructura atómica de cada uno y cómo están enlazados los átomos entre sí para formar una
estructura cristalina. Todo átomo se compone de tres partículas básicas: electrón, protón y
neutrón. En la estructura entrelazada, los neutrones y los protones forman el núcleo; los
electrones aparecen en órbitas fijas alrededor de éste. El modelo de Bohr de los tres materiales:
Tetravalentes, trivalentes y
pentavalentes. El término
valencia se utiliza para indicar
el potencial de ionización
requerido para remover
cualquiera de estos electrones
de la estructura atómica es
significativamente más bajo
que el requerido para cualquier
otro electrón en la estructura.
Fig. 1.3 Atomic structure of (a) silicon; (b) germanium; and (c) gallium and arsenic.
Copyright ©2006 by Pearson Education, Inc.
Robert L. Boylestad
Upper Saddle River, New Jersey 07458
Electronic Devices and Circuit Theory, 9e All rights reserved.
Enlace covalente
Es muy sensible a cualquier campo eléctrico

aplicado como el establecido por fuentes de
voltaje o por cualquier diferencia de potencial.
Las causas externas incluyen efectos como
energía luminosa en forma de fotones y energía
térmica (calor) del medio circundante.
.
Fig. 1.4 Covalent bonding of the silicon atom.
El término intrínseco se aplica a

cualquier material semiconductor
que haya sido cuidadosamente
refinado para reducir el número de
impurezas a un nivel muy bajo; en Fig. 1.5 Covalent bonding of the GaAs crystal
(Arseniuro de Galio).
esencia, lo más puro posible que se
pueda fabricar utilizando tecnología
actual.
Robert L. Boylestad
Fig. 1.6 (continued) Energy levels: (a) discrete levels in isolated atomic structures; (b) conduction and valence bands
of an insulator, a semiconductor, and a conductor.

Robert L. Boylestad
Impurificación o Dopado
La capacidad de cambiar las características de un material mediante este
proceso se llama impurificación o dopado, algo que el germanio, el silicio
y el arseniuro de galio aceptan con facilidad y rapidez.
Material tipo n
Se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco
electrones de valencia
(pentavelantes), como el antimonio,
el arsénico y el fósforo.
Fig. 1.7 Antimony impurity in n-type material.
Fig. 1.8 Effect of donor impurities on the energy band structure.

Robert L. Boylestad
Impurificación o Dopado
Material tipo p
Se forma dopando un cristal de
germanio o silicio puro con átomos
de impureza que tienen tres
electrones de valencia. Los
elementos más utilizados para este
propósito son boro, galio e indio.
Fig. 1.9 Boron impurity in p-type material.
El vacío resultante se llama hueco y se denota con un pequeño círculo o un

signo más, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el
vacío resultante aceptará con facilidad un electrón libre:

Robert L. Boylestad
Portadores mayoritarios y minoritarios
En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y

el hueco portador minoritario.
En un material tipo p el hueco se llama portador mayoritario y el
electrón portador minoritario.
Fig. 1.11 (a) n-type material; (b) p-type material.

Robert L. Boylestad
Polarización
Sin polarización aplicada (V < 0 V):
En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos
en la región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores
libres en la región próxima a la unión (Región de agotamiento). Esta región de
iones positivos y negativos revelados se llama región de “agotamiento”, debido
a la disminución de portadores libres en la región.
Fig. 1.12 A p–n junction with no external bias. (a) An internal distribution of charge; (b) a diode symbol, with the
defined polarity and the current direction; (c) demonstration that the net carrier flow is zero at the external terminal of
the device when VD = 0 V.
Robert L. Boylestad
Polarización
Polarización en inversa (VD<0V)
El número de iones positivos donadores en la región de empobrecimiento del
material tipo n se incrementará por la gran cantidad de electrones libres atraídos
por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el número
de iones negativos aceptores se incrementará en el material tipo p. El efecto
neto, por consiguiente, es una mayor apertura de la región de empobrecimiento,
la cual crea una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios
la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce
efectivamente a cero.
Fig. 1.13 Reverse-biased p–n junction. (a) Internal distribution of charge under reverse-bias conditions; (b) reverse-
bias polarity and direction of reverse saturation current.
Robert L. Boylestad
Polarización
Polarización en directa (VD>0V)
El potencial “presionará” a los electrones en el material tipo n y a los huecos en
el material tipo p para que se recombinen con los iones próximos al límite y
reducirá el ancho de la región de empobrecimiento.
Un electrón del material tipo p ahora “ve” una barrera reducida en la unión
debido a la región de empobrecimiento reducida y a una fuerte atracción del
potencial positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se incrementa la
magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento
continuará reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la
unión, lo que produce un crecimiento exponencial de la corriente.
Fig. 1.14 Forward-biased p–n junction. (a) Internal distribution of charge under forward-bias conditions; (b) forward-
bias polarity and direction of resulting current. Copyright ©2006 by Pearson Education, Inc.
Robert L. Boylestad
Fig. 1.14 (continued) Forward-biased p–n junction. (a) Internal distribution of charge under forward-bias conditions;
(b) forward-bias polarity and direction of resulting current.
(b)
Robert L. Boylestad
Ecuación de Shockley
Donde:
-Is es la corriente de saturación en inversa
-VD es el voltaje de polarización en directa aplicado a través del diodo
-n es un factor de idealidad, el cual es una función de las condiciones de operación y construcción
física; varía entre 1 y 2 según una amplia diversidad de factores.
(se supondrá n= 1).
-El voltaje VT en la ecuación (1.1) se llama voltaje térmico y está determinado por
Fig. 1.15 Silicon semiconductor diode characteristics.

Robert L. Boylestad
Región Zener
A medida que se incrementa el voltaje a través del diodo en la región de
polarización en inversa, también se incrementará la velocidad de los portadores
minoritarios responsables de la corriente de saturación en inversa Is.
Fig. 1.17 Zener region.
El máximo potencial de polarización en

inversa que se puede aplicar antes de entrar
a la región Zener se llama voltaje inverso Fig. 1.18 Comparison of Ge, Si, and
GaAs diodes.
pico (PIV) o voltaje de reversa pico PRV).
Robert L. Boylestad
Efectos de la temperatura
En la región de polarización en directa las características de
un diodo de silicio se desplazan a la izquierda a razón de 2.5
mV por grado centígrado de incremento de temperatura.
En la región de polarización en inversa la corriente de
saturación en inversa de un diodo de silicio se duplica por
cada 10°C de aumento de la temperatura.
Variación de las características del diodo de Si con el cambio de temperatura.

Resistencia del diodo
Resistencia de CD o estática:
La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene
un diodo semiconductor produce un punto de operación en
la curva de características que no cambia con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operación se encuentra
determinando los niveles correspondientes de VD e I
Fig. 1.23 Determining the dc resistance of a diode at a particular operating point. Fig. 1.24 Example 1.2.
Resistencia de CA o dinámica:
Una entrada variable mueve el punto de operación instantáneo
hacia arriba y hacia abajo de una región, y por lo tanto define
un cambio específico de la corriente y voltaje como se
muestra en la figura. Sin ninguna señal variable aplicada, el
punto de operación sería el punto Q, determinado por los
niveles de cd aplicados. El punto Q se deriva de quiescente,
que significa “fijo o invariable”.
Fig. 1.25 Defining the dynamic or ac resistance.

Procedimiento para Resistencia de CA o dinámica:
La derivada de una función en un punto es igual a la
pendiente de la línea tangente trazada en dicho punto.
En general,ID>>Is en la sección de pendiente vertical
Invirtiendo el resultado para definir una relación

de resistencia (R= V/I) se tiene
Sustituyendo n=1 y VT= 26 mV
Fig. 1.26 Determining the ac resistance at a Q-point.
Nota: es precisa sólo con valores de ID en la sección de levantamiento vertical de la curva. Con
valores menores de ID, n= 2 (silicio) y el valor de rd obtenido debe multiplicarse por un factor
de 2.
Resistencia de ca promedio:
Si la señal de entrada es suficientemente grande para
producir una amplia variación tal como se indica en la
figura, la resistencia asociada con el dispositivo en esta
región se llama resistencia de ca promedio. Se determinada
por una línea recta trazada entre las dos intersecciones
establecidas por los valores máximo y mínimo del voltaje de
entrada. Con la ecuación:
Fig. 1.28 Determining the average ac resistance

between indicated limits.
CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO
Modelo Ideal:
Describe el comportamiento de un diodo semiconductor como
interruptor mecánico. En polarización directa el diodo actúa como
un interruptor cerrado que permite un flujo abundante de
corriente en la dirección indicada. En polarización inversa se
comporta como interruptor abierto, y el nivel de corriente es tan
pequeño en la mayoría de los casos que puede ser aproximado
como 0 A.
Fig. 1.22 Ideal versus actual semiconductor

Fig. 1.21 Ideal semiconductor diode: (a) forward-biased; (b) reverse-biased.
characteristics.

Robert L. Boylestad
Circuito equivalente simplificado:

Esta aproximación se emplea con frecuencia en el análisis de
circuitos semiconductores. El circuito equivalente presenta un
diodo de silicio polarizado en directa, y una batería como caída
de 0.7 V a través de este dispositivo en el estado de conducción
a cualquier nivel de corriente en el diodo.
Fig. 1.31 Simplified equivalent circuit for the silicon semiconductor diode.
Modelo Lineal por segmentos:

Se elige la resistencia por promedio presentada anteriormente en el estado de
encendido, El diodo ideal se incluye para establecer que sólo hay una
dirección de conducción a través del dispositivo. Como un diodo
semiconductor de silicio no alcanza el estado de conducción hasta que VD
alcanza 0.7 V con una polarización en directa (como se muestra en la figura
1.29), debe aparecer una batería VK opuesta a la dirección de conducción en
el circuito equivalente como se muestra en la figura
Fig. 1.30 Components of the piecewise-linear equivalent

circuit.

Robert L. Boylestad
Electronic Devices andFig. 1.29
Circuit Theory,Defining
9e the piecewise-linear equivalent circuit using All rights reserved.
straight-line segments to approximate the characteristic curve.
CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSICIÓN
En la región de polarización en inversa se tiene la capacitancia de
transición o de región de empobrecimiento (CT) en tanto que en la
región de polarización en directa es la capacitancia de almacenamiento o
difusión (CD). La capacitancia de un capacitor de placas paralelas está
definida por C= €A/d. En aplicaciones de baja a media frecuencia
(excepto en el área de potencia), normalmente el capacitor no se incluye
en el símbolo de diodo.
Fig. 1.34 Including the effect of the transition or

diffusion capacitance on the semiconductor diode.
Fig. 1.33 Transition and diffusion capacitance versus applied bias for a silicon diode.

Robert L. Boylestad
TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA
Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una situación de
polarización en inversa, de algún modo nos gustaría ver que el diodo cambia
instantáneamente del estado de conducción al de no conducción. Sin embargo,
por el gran número de portadores minoritarios en cada material, la corriente en el
diodo se invierte como se muestra en la figura y permanece en este nivel medible
durante el intervalo ts (tiempo de almacenamiento) requerido para que los
portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el
material opuesto.
Trr--tiempo de recuperación en inversa

tt -- (intervalo de transición).
Ts -- Tiempo de almacenamiento requerido
para que los portadores minoritarios regresen

Robert L. Boylestad Fig. 1.35 Defining the reverse recovery time. Upper Saddle River, New Jersey 07458
Robert L. Boylestad Fig. 1.36 Electrical characteristics of a high-voltage, low-leakage diode. Copyright ©2006 by Pearson Education, Inc.
Fig. 1.37 Terminal characteristics of a high-voltage diode.
Robert L. Boylestad

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Es muy sensible a cualquier campo eléctrico

Fig. 1.4 Covalent bonding of the silicon atom.

El término intrínseco se aplica a

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Fig. 1.7 Antimony impurity in n-type material.

Fig. 1.8 Effect of donor impurities on the energy band structure.

Fig. 1.9 Boron impurity in p-type material.

El vacío resultante se llama hueco y se denota con un pequeño círculo o un

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En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y

Fig. 1.11 (a) n-type material; (b) p-type material.

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Fig. 1.15 Silicon semiconductor diode characteristics.

Fig. 1.17 Zener region.

El máximo potencial de polarización en

Variación de las características del diodo de Si con el cambio de temperatura.

Fig. 1.25 Defining the dynamic or ac resistance.

En general,ID>>Is en la sección de pendiente vertical

Invirtiendo el resultado para definir una relación

Sustituyendo n=1 y VT= 26 mV

Fig. 1.26 Determining the ac resistance at a Q-point.

Fig. 1.28 Determining the average ac resistance

Fig. 1.22 Ideal versus actual semiconductor

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Circuito equivalente simplificado:

Modelo Lineal por segmentos:

Fig. 1.30 Components of the piecewise-linear equivalent

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Fig. 1.34 Including the effect of the transition or

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Trr--tiempo de recuperación en inversa

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