PLACAS SOLARES

Jose María Conesa Alonso

Alicia García Moreno
Lorena Lim Arriola
Miguel Marín Sánchez
José Manuel Sancho Gómez
 Conceptos básicos
 Efecto fotovoltaico: conversión de luz en
electricidad.
 Materia: constituida por átomos
 Núcleo: carga eléctrica positiva y neutrones.
 Electrones: carga eléctrica negativa. Los electrones
de la última capa son electrones de valencia que al
unirse con otro forman redes cristalinas.
 Tipos de materiales
 Conductores: electrones de valencia poco
ligados al núcleo.
 Semiconductores: electrones de valencia más
ligados al núcleo.
 Aislantes: configuración muy estable.

Los materiales usados en las celdas solares son

los semiconductores.
 Celdas solares
 Transforman directamente la energía solar en energía
eléctrica.
 Energía resultante de reacciones nucleares de fusión.
 Estructura semiconductores
 Materiales: Si, Ge, P, As.
 Estructura del Si:
 segundo elemento del planeta más abundante.
 14 electrones y 14 protones, 4e- de valencia.
 se presenta en la naturaleza de dos formas distintas, una amorfa y otra
cristalizada
 Semiconductor “tipo I”
 Celda elemental de Si:
 se unen 5 átomos del material, enlace covalente.
 no hay electrones libres, por lo cual se denomina conductor
intrínseco o “tipo I”.
 Semiconductor “tipo N”
 Si incorporamos una
impureza, P (5
electrones de valencia)
habrá un electrón libre.
 El material tendrá
exceso de cargas
negativas.
 Semiconductor “tipo P”
 Si incorporamos B (3
electrones de valencia)
aparecerá un hueco.
 No se produce enlace
covalente y hay exceso
de cargas positivas.
 Unión “NP”
 Unión de material “tipo N” y “tipo P”.
 Los electrones sobrantes del material N
pasan hacia el material P y los “huecos”
del material P pasan al material N.
 Cuando la luz incide sobre el
semiconductor, se liberan electrones del
átomo de Si, se rompe el equilibrio de la
unión NP y se producen los
denominados par “electrón-hueco”.
 Se genera un campo eléctrico que al
conectar una carga externa entre ambas
zonas, genera la corriente eléctrica.
 Para el Si, se pueden obtener potenciales
de aproximadamente 550mV.
 Tipos de celdas de Si
 Monocristalinas:
 estructura atómica muy ordenada.
 rendimiento entre el 15% y el 18%.
 difícil construcción, alto precio.
 Policristalinas:
 estructura atómica no tan ordenada como en el
monocristalino.
 rendimiento entre el 12% y el 15% .
 Amorfas:
 estructura atómica bastante desordenada.
 rendimiento es inferior al 10%.
 fabricación sencilla, más barato.
Elementos de una celda solar de Si
 Un contacto superior en la zona del material “tipo N”.
 Dos semiconductores “tipo N” y “tipo P”.
 Un contacto inferior en la zona del material “tipo P”.
 Características de las celdas solares
 Características I-V
 Voltaje de circuito abierto VOC
 Corriente de cortocircuito ISC
 Potencia Máxima (rectángulo)
 Factor de llenado (fill factor) : cociente
entre el rectángulo de máxima potencia y
el rectángulo inscrito entre el voltaje de
circuito abierto y la corriente de corto
circuito. Esta medida nos da una idea de
la calidad de la celda
 Eficiencia celdas solares
 Definición :Relación entre la
potencia eléctrica generada
por unidad de área (W/m2) y
la irradiación solar incidente
(W/m2) para obtenerla
 Máximas eficiencias teóricas
para las celdas solares para
diversos materiales (J.J.
Loferski 1963)
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
 Silicio monocristalino:estructura cristalina uniforme
 Silicio policristalino:estructuras ubicadas
arbitrariamente. Estos “granos” hacen que la
estructura no sea uniforme y se obtenga una
eficiencia menor
 Silicio amorfo:presenta todavía bajos niveles de
eficiencias
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
 El Silicio se obtiene a partir de elementos como arena
o cuarzo
 Se presentan en la naturaleza con altos grados de
impurezas, por este motivo es necesario procesarlos
 Obtenemos un Silicio con propiedades de
semiconductor y así lograr celdas de alta eficiencia
 el Silicio es el segundo elemento más abundante en la
superficie terrestre, luego del oxígeno.
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Producción de Silicio Policristalino
 Proceso
 Consiste en llevar los granos de cuarzita a temperaturas
sumamente elevadas, agregando carbón para eliminar el
oxigeno presente en la cuarzita y producir una sustancia gris
metálica brillante de una pureza de aproximadamente 99%.
 Para llegar a purezas de 99,9999%, la sustancia obtenida es
depurada mediante un proceso similar al utilizado en las
refinerías de petróleo, llamado destilación fraccionada
 Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Producción de Silicio Monocristalino
 Proceso
 Método de crecimiento de Czochralski
(CZ)
 El Silicio Policristalino se funde en un
crisol a temperaturas cercanas a 1.410ºC,
 Se intriduce una “semilla” de Silicio
Monocristalino,
 Se retira lentamente (10cm/hora) haciendo
crecer un lingote cilíndrico de material
Monocristalino
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
 Método Flotante (FZ)
 Se coloca una “semilla” Monocristalina
sobre una barra de Silicio Policristalino
 Luego gracias a una bobina que induce un
campo eléctrico, la barra se calienta y se
funde con la semilla
 Al desplazarse completamente por la
bobina permite la obtención del lingote de
Silicio Monocristalino
 Este lingote es más puro que el producido
con el método CZ
 Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Producción de obleas
 Una vez obtenido el cilindro de Silicio
Monocristalino, se procede a cortar las
obleas o wafers con espesor aproximado
de 300um
 Para realizar esta operación se utiliza una
sierra con multifilamentos, la cual al
cortar las obleas produce partículas de
Silicio
 Se pierde casi un 20% de material
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Producción de obleas
 Las obleas son dopadas con átomos de Fósforo en un
horno a temperaturas entre 800ºC y 900ºC para
obtener la capa N
 El substrato tipo P se logra, antes de obtener los
lingotes, dopando el Silicio con átomos de Boro, para
luego cortar las obleas que serán utilizadas como
material tipo P en las celdas
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Película antirreflectante
 Consiste en una tratamiento o texturizado que
se le da al Silicio para disminuir el índice de
reflexión
 Estructura piramidal, que aumenta la
absorción de la luz incidente, gracias a
reflexión múltiple de ésta
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
Contactos
 Superior : Debe construirse con
unidades lo bastante gruesas, para
transportar la corriente eléctrica y
lo bastante finas, para no
obstaculizar el paso de la luz solar
 Inferior : material conductor
simple (aluminio)
Tecnología de fabricación de celdas
solares de Silicio
 Celdas de Arseniuro de Galio (GaAs)
 Eficiencias mayores a las de Silicio.
 Algunos fabricantes, como Spectrolab, han
construido celdas con multijunturas,
superponiendo junturas específicas para un
determinado espectro de la luz solar y así
aprovechar totalmente el espectro
 Fabricación de módulos
 Fragilidad
 Condiciones atmosféricas
 Deben ser empaquetadas en un módulo
o Los módulos se utilizan para cargar baterías
o Son fabricados para entregar un voltaje nominal de
12Vdc.
o Este voltaje se alcanza conectado 36 celdas en serie.
 Fabricación de módulos
1) La celda es colocada en
un encapsulante (EVA)
2) Parte superior: vidrio
templado
3) Parte inferior: substrato a
base de resina
4) El modulo se trata a
temperaturas de 175ºC y
presión uniforme.
5) Se sella y se ajusta a un
marco de aluminio
ionizado.
 Fabricación de módulos.
Caracterización
 N celdas en serie o en
Característica
paralelo, la potencia Silicio
total de salida es Ip [mA/cm ]
28
WP = N · (IP · VP) VP [V]
0,5
 IP = corriente peak de la WP [mW/cm ]
14
celda
VOC [V]
 VP = voltaje peak de la 0,6
celda
 Fabricación de módulos. Factores
que afectan al rendimiento
 Radiación solar : bajos niveles / altos niveles de voltaje
de salida
 Concentrador estático : Encapsulado que aumenta el
rendimiento.
 Temperatura de operación : Un aumento de esta hace
que la corriente aumente pero el voltaje disminuya
 Sombra : Disipa la energía
 Una celda sombreada afecta al módulo completo.
 Solución : diodos “bypass”
 Fabricación de módulos.
Concentradores estáticos
 Prismático simple SPC (Simple
Prism Concentrador)
 Ganancia = 1,75.
 Célula solar bifacial vertical
 Ganancia = 3,5
 Poca utilidad práctica
 Célula solar bifacial horizontal
 Ganancia = 3,8
 Concentrador Estático de Material
Transparente Reflexivo
 Ganancia = 15%
 Silicio negro
 Entre 100 y 500 veces más sensible a la luz del sol.
 Obtención: haciendo brillar brevemente un láser
sobre una lámina de silicio a la que han agregado
hexafluoruro de azufre.
 Paneles solares de gran eficiencia.
 Óxido de Titanio
 Técnica que no emplea el silicio purificado sino que
esta basada en nanoestructuras de óxido de titanio.
 Al ser nanoestructuras son introducidas en sprays.
 Buena respuesta ante intensidades lumínicas variables
y una tasa de conversión de energía lumínica en
electricidad estimada en el 11%.
 Transforma amplias superficies de acero en
superficies captadoras de energía solar, lo que
abaratara en gran medida el coste por KW.
FIN