Curso de electrónica analógica

(Ensino secundário)

Transístor
es
JFET
 Introdução
 Como já se referiu, o transistor de junção
bipolar (BJT) baseia-se em dois tipos de cargas:
 Eletrões livres (sinal elétrico negativo);
 E lacunas (sinal elétrico positivo).
 É por isso que ele é chamado de bipolar, onde o
prefixo bi significa “dois” e polar significa
“portadores maioritários”.
 Introdução
 Este capítulo estuda outro tipo de transistor
chamado de transistor de efeito de campo
(FET).
 Este tipo de dispositivo é unipolar porque seu
funcionamento depende apenas de um tipo de
carga, podendo ser eletrões livres ou lacunas.
 Em outras palavras, um FET tem portadores
maioritários, mas não tem portadores minoritá-
rios.
 Introdução
 Para a maioria das aplicações lineares, o BJT é
o dispositivo preferido.
 Existe porém, algumas aplicações lineares em
que o FET é a melhor escolha.
 Pois, esses transístores possuem alta
impedância de entrada e outras propriedades
que os tornam mais eficazes.
 Introdução
 Além do mais, o FET é o dispositivo preferido
para a maior parte das aplicações em chavea-
mento.
 Isto porque não existindo portadores
minoritários num FET, ele pode entrar em corte
mais rápido.
 Visto que neste caso, não há carga armazena-da
para ser retirada da área da junção.
 Introdução
 Existem dois tipos de transistores unipolares:
 Os FET’s;
 E os MOSFET’s.
 Este capítulo estuda o transistor de efeito de
campo de junção (JFET) e suas aplicações.
 Transístores JFET

1. Ideia básica
 A figura 1A mostra uma pastilha de semicon-
dutor tipo N, onde:
 O terminal inferior é chamado de fonte
(source);
 E o terminal superior é chamado de dreno
(drain).
Figura 1A – Pastilha do JFET
 Transístores JFET

1.   Ideia básica


 A fonte de alimentação do dreno () força os

eletrões livres a circular da fonte para o dreno.
 Para fabricar um JFET, um fabricante difunde
duas áreas de semicondutor tipo P num semi-
condutor tipo N (figura 1B).
 Estas regiões P estão conectadas
internamente para obter um único terminal
externo simples chamado de porta (gate).
Figura 1B – JFET com uma porta
simples
 Transístores JFET
1. Ideia básica
 Em geral, os JFET’s sofrem menos os efeitos da
tem-peratura do que os transistores bipolares.
 Além disso, os JET’s são tipicamente bem meno-res
que os transistores bipolares.
 Essa diferença de tamanho torna-os par-
ticularmente adequados para a utilização nos
Circuitos Integrados (CI’s).
 Nos CI’s, o tamanho de cada componente é
muito crítico, ou seja, quanto mais pequeno,
melhor.
 Transístores JFET

2. Efeito de campo
 A figura 2 mostra-nos as tensões de
polarização normal para o funcionamento de
um JFET.
 Onde a tensão de alimentação no dreno é
positiva e a tensão de polarização da porta é
negativa.
 A expressão efeito de campo está
relacionada com as camadas de depleção em
torno de cada região P.
 Transístores JFET

2. Efeito de campo
 As camadas de depleção existem porque os
eletrões livres se difundem da região N para as
regiões P.
 A recombinação dos eletrões livres e lacunas
criam as camadas de depleção mostradas
pelas áreas coloridas.
Figura 2 – Polarização normal de um
JFET
 Transístores JFET

3.   Polarização inversa da porta



 Na figura 2, a porta tipo P e a fonte tipo N for-

mam o diodo porta-fonte.
 Com um JFET, o diodo porta-fonte fica sempre
com polarização inversa.
 Em virtude dessa polarização inversa, a
corrente de porta () é aproximadamente zero.
 Transístores JFET

3. Polarização inversa da porta

 Isto equivalente dizer que o JFET tem uma
resis-tência de entrada quase infinita.
 Um JFET típico tem uma resistência de entrada
de centenas de megaohms (MΩ).
 Esta é a grande vantagem que um JFET tem
sobre um transistor bipolar.
 Transístores JFET

3. Polarização inversa da porta

 É a razão pela qual os JFET’s sobressaem em
aplicações em que uma alta impedância de
entrada é necessária.
 Uma das aplicações mais importantes do JFET
é a de seguidor de fonte.
 Por exemplo, num circuito seguidor de
emissor, a impedância de entrada é de
centenas de megaohms em baixas
frequências.
 Transístores JFET

4. A tensão da porta como controladora do fluxo

 Na figura 2, os eletrões que circulam da fonte
para o dreno devem passar pelo estreito canal
entre as camadas de depleção.
 Quando a tensão da porta torna-se mais nega-
tiva, as camadas de depleção se expandem e o
canal de condução torna-se mais estreito.
 Quanto mais negativa for a tensão na porta,
menor a corrente entre a fonte e o dreno.
 Transístores JFET

4.   A tensão porta como controladora do fluxo



 O JEFT é um dispositivo controlado por

tensão por-que uma tensão na entrada
controla uma corrente na saída.
 Num JFET, a tensão porta-fonte () determina a
cor-rente que circula entre a fonte e o dreno.
 Quando é zero, circula a corrente máxima no
dreno no JFET.
 Transístores JFET

4.   A tensão porta como controladora do fluxo



 É por isso que um JFET é citado como um

dispositivo normalmente em condução.
 Por outro lado, se é negativa o suficiente, as
camadas de depleção se tocam e a corrente de
dreno é cortada.
 As camadas de depleção são geralmente mais
largas próximo da parte superior do material
tipo
p e mais estreitas na parte inferior.
 Transístores JFET

4.   A tensão porta como controladora do fluxo



 A razão para a variação na largura pode ser

compreendida pela constatação de que
produzirá uma queda de tensão ao longo do
comprimento do canal.
 Com relação à fonte, uma tensão mais positiva
é presente quando se move para cima no canal
em direção ao extremo do dreno.
 Transístores JFET

4. A tensão porta como controladora do fluxo

 A largura de uma camada de depleção é
proporcional ao valor da tensão de polarização
inversa.
 Assim sendo, a camada de depleção da
junção PN deve ser mais larga na parte de
cima.
 Isto porque nessa zona, o valor da polarização
inversa é maior.
 Transístores JFET

5. Símbolo esquemático
 O JFET da figura 2 é um JFET canal N porque
o canal entre a fonte e o dreno é um semicon-
dutor tipo N, cujo símbolo esquemático é mos-
trado na figura 3A.
 Em muitas aplicações de baixa frequência, a
fonte e o dreno são intercambiáveis.
 Ou seja, podemos usar um terminal como
fonte e outro como dreno, mas não em altas
frequên-cias.
Figura 3A – Símbolo do JFET canal N
 Transístores JFET

5. Símbolo esquemático
 Os fabricantes, quase sempre, minimizam a ca-
pacitância interna do lado do dreno do JFET.
 Em outras palavras, a capacitância entre a
porta e o dreno é menor que a capacitância
entre a porta e a fonte.
 A figura 3B mostra um símbolo alternativo para
um JFET canal N, onde a porta deslocada
aponta para o final da fonte no dispositivo.
Figura 3B – Símbolo d JFET canal N com porta
deslocada
 Transístores JFET
  
5. Símbolo esquemático
 Esta estratégia, constitui uma vantagem definida
em circuitos complexos de multiestágios.
 Existe também os transístores JFET’s canal P, cujo
símbolo esquemático é mostrado na figura 3C.
 O funcionamento de um JFET canal P é comple-
mentar, isto é, todas as tensões e correntes são
invertidas.
 Para polarizar um JFET canal P inversamente, a
porta fica positiva em relação à fonte, logo, torna-se
positivo.
Figura 3C – Símbolo de um JFET canal
P
 Transístores JFET

Exercício exemplo
 O JFET 2N5486 tem uma corrente de porta de
1nA quando a tensão inversa da porta é de
20V.
 Qual é a resistência de entrada deste JFET?
 Transístores JFET
  
Resolução
 Aplicando a lei de Ohm, temos:
 Curva característica do dreno

1.   Introdução


 A figura 4A mostra um JFET com tensões de

polarizações normais.
 Neste circuito, a tensão porta-fonte () é igual à
tensão de alimentação da porta ().
 E a tensão dreno-fonte ()é igual à tensão de
alimentação do dreno ().
Figura 4A – Polarização normal do JFET
canal N
FIM