CAPITULO Nº 5:

“EL TRANSISTOR DE
UNION BIPOLAR (BJT)
INTRODUCCION

• La palabra transistor se deriva de Trasfer

Resistor o resistencia de transferencia.
• El transistor es un dispositivo electronico
que se comporta como una resistencia
variable que depende de una señal
electrica de control, que al variar el valor
de la señal de control varia la cantidad de
corriente que pasa port el transistor.
 Tipos de transistores
PNP
BJT
NPN
Canal P
JFET
Canal N
FET MESFET Canal N Empobrecimiento Canal P
Canal N
MOSFET
Canal P
Enriquecimiento
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.

ATE-UO Trans 01
Aplicaciones
Los transistores se utiliza como
amplificadores de señal,
conmutador electrónico,
puertas lógicas, memorias de
PC y otros.
transistores bipolares
Construcción de transistores
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado “tipo N” y el otro “tipo P”. El
primero constituye el cátodo, mientras que el segundo el
ánodo. Así, el diodo está polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial más positivo que el
material tipo N:
VD
+A C
P N
+
ID + R
Símbolo del diodo
Construcción de transistores
Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y
una de tipo N (transistor PNP), o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN), conformando lo que se conoce como
“transistor bipolar”.
Tipos de Transistores:
Transistor NPN
Transistor PNP
E C
E C N P N
EMISOR COLECTOR
P N P
EMISOR COLECTOR

B BASE

C B BASE C
B B
Símbolo del transistor
E E
Transistor BJT
 4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n

BJT npn

SATURACIÓN
DIRECTA
ZAD

CORTE
CORTE
SATURACIÓN
ZAI INVERSA
Polarización de los transistores
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarización directa a la unión o juntura Emisor-Base y una
polarización inversa a la juntura Base-Colector:

E P N P C E N P N C
Polarización Polarización
Directa B Inversa B
+ + + +
Transistor PNP Transistor NPN
Polarización de los transistores

Aunque podría pensarse que ambos terminales pueden operar

indistintamente uno de otro, no es así, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector está especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando VEE al voltaje aplicado a la unión Emisor-Base, y
VCC al aplicado a la unión Base-Colector, la circulación de
corriente para un transistor PNP será:

E C
P N P
IE IC
VEE IB B VCC I E  I B  IC
+ +
Polarización del transistor
Esta es la configuración más típica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemático para un Tr. NPN:

B C
IC
IB E I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarización sobre este

circuito, pueden determinarse las características de entrada-
salida.
Configuración de base común

Esta es la configuración más típica de un transistor, y se

muestra en el siguiente circuito esquemático para un Tr. NPN:

B C
IC
IB E
IE

Para analizar el efecto que tiene la polarización sobre este

circuito, pueden determinarse las características de entrada-
salida.
• Caraqcteristicas de entrada
• Caracteristicas de salida
• Factor de amplificacion de ganancia de
corriente en base comun
Configuración emisor común
Amplificador de polarización universal
El esquema del circuito es el que se muestra a continuación:

El circuito está conformado

RC
R1

por un divisor resistivo,

compuesto por R1 y R2
EC (conectado a la base del
transistor) y una resistencia
RE (conectado al emisor).
R2

RE

En este caso, se define la

recta de carga por:

EC  VCE  I C ( RC  RE )
Curvas características

IB IC [mA]
VCE =1V
[A] IB =90A I =70A

REGIÓN DE SATURACIÓN
VCE =10V B
IB =50A
80 8
VCE =20V ZONA DE IB =30A
60 6
OPERACIÓN
COMO AMPLIF. IB =10A
40 Características 4 LINEAL
de base Características
20 2
de colector IB =0A
0 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8
VBE [V]
0 5 10
REGIÓN DE CORTE
15 20
VCE [V]
• Factor de amplificacion
• Ganancia de corriente en emisosr comun
• B beta
Relaciones entre beta y alfa

Se cumplen las siguientes relaciones:

I E  I B  IC ; IC   I E
El factor “” se conoce como “ganancia de corriente
continua en base común”.
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarización):

IC   I E   (I B  IC )  IC  IB   IB  I
 C
1 IB
El factor “” se conoce como “ganancia de corriente
continua en emisor común”, y en las especificaciones técnicas
se lo suele denominar “hFE”.
Limites de operacion

• Para cada transistorhay una region de

operación sobre las caracteristicas, las
cuales aseguran que no se rebasen los
valores maximos y que la señal de salida
hexiba una distorsion minima.
• Todos los limites de operación para un
transistor se definen en las hojas de
esoecificaciones.
Límites de operación
Para cada transistor, IC [mA] Transistor como
existe una zona de conmutador
operación, dentro de IB =90A
IB =70A
la cual debe trabajar, ICmáx
IB =50A
para que exhiba una

REGIÓN DE SATURACIÓN
8 IB =30A
distorsión mínima.
ZONA DE
En la siguiente 6
RECHAZO
característica se IB =10A
muestra un aspecto de PCmáx
4 ZONA DE
lo indicado: TRABAJO
2 COMO AMPLIFICADOR VCEmáx
ICEO IB =0A

0
0 5 10 15 20 VCE [V]
VCEsat REGIÓN DE CORTE
Límites de operación

Todos los límites de operación para un transistor vienen

definidos en sus hojas de especificaciones técnicas. Entre las
más relevantes pueden citarse:
• corriente máxima de colector: Normalmente figura en las
especificaciones como “corriente continua de colector.
• voltaje máximo entre colector y emisor, VCEO: Indica el voltaje
máximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
está desconectada o polarizada inversamente.
• VCE mínimo: Indica el voltaje VCEsat o voltaje mínimo que se
puede aplicar para no caer en la zona de saturación.
• PC máx: Representa la máxima potencia de disipasión del
colector (y define la curva azul de la gráfica anterior).
El transistor como conmutador
Características de operación
Un transistor no sólo puede trabajar como amplificador, sino
también como “conmutador”, haciéndolo trabajar entre las
regiones de corte y saturación.
Se dice que un transistor está en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :

I B  0; I C  0; VCE  EC y VBE  0,7V

Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el

transistor está en “estado de bloqueo”.
Características de operación

Por otra parte, se dice que un transistor está en saturación

(para el mismo circuito) cuando :
VCEsat  0,2V ; VBE  0,7V e I C  hFE I B

El comportamiento de un transistor en saturación es

equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operación, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de VBE=0,7V y
VCEsat=0,2V son valores típicos empleados en los cálculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.
Fototransistores y
optoaisladores
Configuración típica
Existen configuraciones comerciales que tienen –en el mismo
ensamble- un fotodiodo (emisor) y un fototransistor
(receptor). A pesar que pueden operar en forma lineal, la
forma más usada de esta configuración es como conmutador,
permitiendo que el transistor pase del corte a la saturación,
cuando se aplican pulsos de corriente al fotodiodo.
Configuración típica

La forma de utilizar estos dispositivos es:

Vcc

R
Pulsos de E Pulsos de
Entrada + + D Salida
R
 Fin

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TRANSISTOR BJT