Instituto Tecnológico Superior de

Irapuato, Itesi

ELECTRONICA DE POTENCIA

INTEGRANTES:

• Edgar Aarón Vargas Gómez

• Uriel Adrián Sandoval Araiza
• Eduardo Sotomayor Acosta
El transistor Bipolar de Puerta Aislada
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)

No tiene diodo parásito
Recomendaciones para elegir un IGBT

Es el dispositivo más adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicación, de la frec.,etc.
Construcción Básica
Un IGBT es un transistor hibrido que combina un MOSFET y un BJT:
Terminales puerta (del MOSFET).
Colector y emisor (de BJT).

Su estructura consiste en 4 capas (PNPN) lo que provoca “modulación

de resistividad”.

Versiones del IGBT

IGBT PT (Punch Through).

IGBT NPT (Non Punch Trough).
Construcción Básica

Transistor Parasito
Construcción Básica

Circuito Equivalente

BJT PNP

MOSFET
Canal N
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una estructura
que permite:

 Modulación de la conductividad (lo que implica bajas pérdidas en

conducción)
 Antisaturación del transistor bipolar interno (no tan lento como si se
saturara completamente)

R R

P P
N N
D
P P
V2
S1 V2
G
S
Comparación entre BJTs y MOSFETs de potencia

Conmutació Control Modulación Pérdidas en conducción

n de la en dispositivos de alta
Conductividad tensión
BJTs Lenta Difícil Sí Bajas
MOSFET Rápida Fácil No Altas
s

• ¿Se puede conseguir un dispositivo con las ventajas de ambos?

• La respuesta es el IGBT, que presenta muy buenas características
en aplicaciones de mayor potencia que las de uso de los MOSFET
(sacrificando frecuencia de conmutación)
•Son mucho más lentos que los MOSFETs (como unas 10 veces
más lentos)
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

• Bajo ciclo de trabajo

• Baja frecuencia (< 20 kHz)
• Aplicaciones de alta tensión (>1000 V)
• Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones típicas del IGBT

• Control de motores
• Sistemas de alimentación ininterrumpida
• Sistemas de soldadura
• Iluminación de baja frecuencia (<100 kHz)
y alta potencia
Encapsulados de IGBT

Módulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
Características eléctricas

Tensión de saturación colector-emisor (como en bipolares)

Tensión umbral de puerta (como en MOSFETS)

Características térmicas