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Rappels :

Semi conducteurs
T = 0°K
apparition des porteurs de
charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
Il y a environ 2 paires électron-
trou pour 10 milliards d’atome à
température ordinaire (20°C)
Il y a environ dix mille milliards
de milliards d’atome (10 ) dans
22

un gramme de silicium, donc


deux mille milliards (2x1012)
d’électrons libres par gramme
de silicium
T > 0°K électrons

trous
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K
T > 0°K

recombinaison
Semi conducteur dopé « p »
Semi conducteur dopé « p »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1
pour 10 millions d’atome de silicium
• Indium, bore…
Conduction dans un semi conducteur
dopé « p »
Semi conducteur dopé « n »
Semi conducteur dopé « n »
• Introduction d’atomes trivalents, environ 1
pour 10 millions d’atome de silicium
• Arsenic, antimoine, …
Jonction pn
P N
P N
P N
P N
P N
P N
P N

Zone chargée négativement


P N

Zone chargée positivement


P N

Zone chargée positivement


P N

Zone chargée négativement


P N

Zone dépeuplée de porteurs de charge mobiles


P N

Zone de déplétion
Polarisation de la
jonction pn

La diode
jonction pn polarisée avec le
+ sur l’anode
+

P N
+ E<0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
+ E>0,7 V

P N
jonction pn polarisée
en sens inverse
- sur l’anode
+

P N
+

P N
+

P N
+

P N
+

P N

Élargissement de la
zone de déplétion
Transistors à effet de
champ
Transistors à effet de
champ
1. TEC à jonction (jfet)
Symbole

DRAIN
GRILLE

SOURCE

Canal N
Symbole

DRAIN
GRILLE

SOURCE

Canal P
Source Grille Drain

P
N

Grille
Source Grille Drain

P
canal N

Grille
Source Grille Drain
SiO2

P
canal N

Grille
Source Grille Drain

P
N

Grille
Source Grille Drain

P
N

Grille
+

S G D

P
N

G
zone de déplétion
+

S G D

P
N N N

G
VGS = 0 déplacement des électrons
VDS faible +

S G D

P
N N N

G
VGS = 0 iDS proportionnel à VDS
VDS faible +

S G D

P
N N N

G
VGS = 0 iDS proportionnel à VDS
VDS faible +

S G D

P
N N N

Transistor en régime résistif


VGS = 0 5V

VDS important +

S G D

P
N
N

5V
0V

1V 4V
2V 3V
VGS = 0 5V

iDScte
VDS important +

S G D

P
N
N

Transistor en régime de pincement


iDS mA
VGS= 0 V
8

régime de pincement
6

4 régime résistif

10 20 30 40

-2

vDS
-4
VGS < 0 faible +

VDS > 0
+

S G D

P
N N N

Transistor en régime résistif


VGS < 0 moyenne +

VDS > 0
+

S G D

P
N N N

Transistor en régime résistif


VGS < 0 importante +

VDS > 0
+

S G D

P
N N N

Transistor en régime résistif


Principe des TEC
iDS mA VGS= 0 V
8

VGS= -2 V
6

VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V
2

10 20 30 40 VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2

vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

vGSoff
-4
Caractéristique de transfert pour VDS = 15 V
iDS mA VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGSoff vGS 20VGS= -6,7 V
10

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
Potentiomètre électronique : VDS commandé par VGS

RD

+
V D

G
VDS
+
VDS S
iDS mA
VGS= 0 V
10

VGS= -1 V
8
VGS= -2 V
6

4 VGS= -3 V

10 20
vDS
-2

-4
Transistors à effet de
champ
2. transistor M.O.S.

2.1. M.O.S. à appauvrissement - enrichissement


Symbole

DRAIN

GRILLE
substrat

SOURCE

Canal N
SiO2
Source Grille Drain

N
N+ N+

substrat

film métallique

Canal N
VGS=0  un canal existe

Source Grille Drain

N
N+ N+

substrat

Canal N
appauvrissement fort
+

Source Grille Drain

N+ N N+

Zone dépeuplée d’électrons libres


substrat

Canal N
VGS faible
+
appauvrissement faible
Source Grille Drain

N+ N N+

substrat

Canal N
VGS OFF
+

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

Canal N
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

Canal N
Symbole

DRAIN

GRILLE substrat

SOURCE

Canal P
VGS=0  il y a un canal

Source Grille Drain

P
P+ P+

substrat

Canal P
VGS élevée appauvrissement fort
+

Source Grille Drain

P+ P P+

Zone dépeuplée de trous


substrat

Canal P
VGS faible appauvrissement faible
+

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
Transistors à effet de
champ
2. transistor M.O.S.

2.2. M.O.S. à enrichissement


Symbole

DRAIN

GRILLE
substrat

SOURCE

Canal N
VGS=0  il n’y a pas de canal
SiO2
Source Grille Drain

N+ N+
P

substrat

film métallique

Canal N
enrichissement
+

Source Grille Drain

N
N+ N+

substrat

Canal N
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N N+

substrat

Canal N
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

Canal N
Symbole

DRAIN

GRILLE
substrat

SOURCE

Canal P
VGS=0  il n’y a pas de canal
SiO2
Source Grille Drain

P+ P+
N

substrat

film métallique

Canal P
enrichissement
+

Source Grille Drain

P
P+ P+

substrat

Canal P
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
Comment savoir si un MOS conduit ou non

DRAIN

GRILLE
substrat

SOURCE
MOS P  canal (substrat) formé de trou pour une
conduction drain - source

DRAIN

GRILLE GRILLE substrat


substrat

SOURCE
MOS P = interrupteur fermé

DRAIN

GRILLE GRILLE
substrat substrat

SOURCE
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
MOS P = interrupteur ouvert

DRAIN

GRILLE GRILLE
substrat substrat

SOURCE
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P+

substrat

Canal P
enrichissement
+

Source Grille Drain

P+ P+

substrat

Canal P
MOS N  canal (substrat) formé d’électrons pour une
conduction drain - source

DRAIN

GRILLE GRILLE substrat


substrat

SOURCE
MOS N = interrupteur fermé

DRAIN

GRILLE GRILLE
substrat substrat

SOURCE
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

Canal N
MOS N = interrupteur ouvert

DRAIN

GRILLE GRILLE
substrat substrat

SOURCE
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N+
P

substrat

Canal N
enrichissement
+

Source Grille Drain

N+ N+
P

substrat

Canal N
Applications des MOS
Circuits logiques
+VDD

e1

e2

e3

e4
+VDD

e1

e2

e3

e4
S