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TRANSISTORES
• Símbolo. Características
• Clasificación de los transistores
• Transistores bipolares
• Transistores unipolares
v
VQ
PED 2002-03 4.2
Clasificación de los transistores
Transistores bipolares: BJT
• Corriente: movimiento de electrones y huecos.
• Magnitud de control: corriente
• Dos tipos: NPN y PNP
A i
i T.C.
+
vAB i f (v AB , iT .C . )
–
B
P N P N P N
transistor bipolar NPN transistor bipolar PNP
C C
colector colector
B B
base base
emisor emisor
E E
NPN IC PNP
+ IC
VBC –C + VCB C
–
IB + IB –
VCE VEC
B + B
–
VBE VEB
– – +
E
+ E
IE IE
RC IC
IC IC
VBC –
+ + +
RB VCC
VCE –
IB + –
VBB + VBE –
– IE
IB IC
I E I B IC V BC V BE V CE
V BB R B I B V BE V CC R C IC V CE
IC f ( V CE , I B ) I B g( V BE , V CE )
• Ecuaciones comportamiento: análisis experimental
I B g( V BE , V CE )
• VCE poca influencia. Se simplifica. IB g(VBE )
IB IB
VBE VBE
IB 80 A
10
8 IB 60 A
6
IB 40 A
4
IB 20 A
2
0 VCE
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V
condición ecuación
VBE ≤ 0,7 V IC = 0 , IB = 0
condición ecuación
IC
VCE 0,2 V VBE = 0,7 V ,
IB
PED 2002-03 4.13
3. Saturación
• BE y BC en D.P.
• Corriente en las dos uniones, IB mayor que antes
• Ambas uniones en D.P.: VBE = 0,7 V y VCE = 0,2 V
• No relación constante anterior
• Verificación de esta zona implica comprobar IC/IB ≤ ß
condición ecuación
IC VBE = 0,7 V
IB VCE = 0,2 V
mA IC IB 100 A
12
IB 80 A
10
Saturación
8 IB 60 A
R.A.N.
6
IB 40 A
4
IB 20 A
2
Corte
0 VCE V
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
IC
IB4
IB3
IB2
IB1
VCE
0,2 V
V BB RB I B V BE
V BB 1
IB V BE
RB RB RECTA DE CARGA de entrada
IB
VBE
V CC RC IC VCE
IC IB5
IB4
IB3
IB2 =IBQ
IB1
VCE
A
i
+
i f (v AB , v T.C. )
T.C. v AB
+
vT.C. –
–
B
transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P
D drenador D drenador
G G
puerta puerta
S fuente S fuente
• Otros símbolos
transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P
canal N canal P
(> 0)
D ID + VGS – S +
IG 0
G
IG 0 +
VDS VSD
+ G
ID
VGS – –
(< 0)
– S D
ID
RD
D
IG 0 +
G
VDS + VDD
+ –
VGG +– VGS – (variable)
(variable)
–S
ID
IDSS 2
VGS
I Dsat I DSS 1
VGSoff
IDsat
V GS
V GSoff (< 0 siempre) V GSQ
IDSS corriente de saturación (VGS=0)
VGSoff tensión de estrangulamiento (canal desaparece, I D = 0)
ID
IDSS V GS 0 V
i c a
óhm
V GS 1 V
Saturación
zona
IDsat V GS 2 V
Vgs=2
V GS VGSoff ( 0 )
Corte V DS
VDSsatVDSS
Vgs=2
2
VGSQ
V DSsat 1 VGSoff
V GSoff
PED 2002-03 4.27
MOS, transistores metal-óxido-semiconductor
NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento
D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente
NMOS de empobrecimiento PMOS de empobrecimiento
D D
drenador drenador
B B
G sustrato G sustrato
puerta puerta
S S
fuente fuente
PED 2002-03 4.28
• Otros símbolos
transistores de enriquecimiento transistores de empobrecimiento
NMOS PMOS NMOS PMOS
NMOS de enriquecimiento PMOS de enriquecimiento
(< 0)
D ID VGS – S
+
IG 0 + IG 0 +
G VSD
VDS
+V G
–
GS
(> 0) – S – D ID
NMOS de enriquecimiento
ID
2
IDon V GS V T
I D I Don
V GSon VT
V GS
VT V GSon
ID NMOS de enriquecimiento
V GS 15 V
ica
V GSQ
IDsat
óh m
V GS 10 V
Saturación
a
V GS 5 V
Zon
V GS VT
Corte V DS
V DSsat
CORTE: VGSQ VT ID = 0