Diodo

Generalidades
• Tipos de Diodos
• Diodo Zener

• Diodo Tunel o Esaki

• Diodo inverso o Backward

• Voltacap o Varicap
• Diodo LED

• Diodos rápidos
Diodos de potencia

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia
- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida

Electrónica militar
Control de Motores
Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo

• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción

10 A iD
trr

3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr


1
PD  p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0
Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Estáticas

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC

• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH  R
ΔT  V
Encapsulado Equivalente
eléctrico
PI
 RTH  R
ΔT  V
Equivalente
eléctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
Unión
0K

c
Encapsulado

Por tanto: ΔT = P·ΣRTH Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca
• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)
• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40

• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
 RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si RTHjc RTHca
P 0º K
(W) a
Ambiente
j
Unión

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]