Dispositivos con

magnetorresistencia gigante
Jorge Enrique Celis
Andrés Felipe Deossa
 Motivación
Lo que nos llamo la atención desde un principio, fue la curiosidad
por saber la relación de la magnetorresistencia en la creación de
dispositivos tan implementados en el día a día, como lo son los
discos duros y las memorias RAM.
 Contenido
• Objetivos
• Diamagnetismo
• Paramagnetismo
• Ferromagnetismo
• Magnetorresistencia
• Magnetorresistencia gigante
• Brújulas electrónicas
• Unidad de disco duro
• Memoria RAM
• Memoria MRAM
• Fabricantes de memorias
• Conclusiones
 Objetivos
Brindar información sobre que es la magnetorresistencia y su
importancia en la electrónica actual.
Dar a conocer los principios básicos de algunos dispositivos
implementados en base a la teoría de la magnetorresistencia.
Presentar algunos de los mas importantes fabricantes de dispositivos
que implementan magnetorresistencia.
 Fenómenos magnéticos de los materiales
Diamagnetismo
• Estos materiales se
caracterizan por ser repelidos
por los imanes.
• Los sistemas atómicos o
iónicos contienen sus
orbitales completamente
llenos.
• Los espines de los electrones
del último nivel se Tomado de:
encuentran apareados http://quintans.webs.uvigo.es/recursos/Web_electromagnetis
mo/magnetismo_materiales.htm
 Levitación diamagnética de un pedazo de
grafito pirolítico sobre un imán de
neodimio permanente.

Tomado de: Tomado de:

http://quintans.webs.uvigo.es/recursos/Web_electromagnetis https://en.wikipedia.org/wiki/Pyrolytic_carbon#/media/File:Diamagnetic_grap
mo/magnetismo_materiales.htm hite_levitation.jpg
Paramagnetismo
• En los materiales
paramagnéticos la suma
neta de los momentos
magnéticos permanentes
de sus átomos o moléculas
es nula.
• Cuando se elimina el campo
externo aplicado el efecto
del paramagnetismo
desaparece Tomado de:
http://quintans.webs.uvigo.es/recursos/Web_electromagnetismo/magn
etismo_materiales.htm
Ley de Curie para campos
magnéticos:

𝐵
𝑀=𝐶∗
𝑇

M: Magnetización
B: densidad de flujo magnético
del campo aplicado
T: temperatura absoluta en
Kelvin
Tomado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Curie
C: constante de Curie
Ferromagnetismo
• Los dipolos magnéticos se
alinean paralelamente dentro
de zonas que se llaman
dominios.
• Cada zona presenta un
momento magnético
definido.
• Debido a los momentos
magnéticos de los dominios el
material presenta una Tomado de:

pequeña magnetización. http://quintans.webs.uvigo.es/recursos/Web_electromagnetismo/magn

etismo_materiales.htm
 Ms = Magnetización de saturación
Hc = Campo magnético coercitivo

Tomado de:
Tomado de: P. A. Mascaró Rivera, «OPTIMIZACIÓN DE MAGNETORRESISTENCIA Y EFECTO HALL EN PELÍCULAS
http://quintans.webs.uvigo.es/recursos/Web_electromagnetism MAGNÉTICAS,» Universidad de Santiago De Chile, Santiago de Chile, 2014.
o/magnetismo_materiales.htm
Magnetorresistencia (MR)
Propiedad que tienen ciertos materiales de variar su resistencia
eléctrica cuando son sometidas a un campo magnético.

RH: resistencia eléctrica que posee el material una vez que es

sometido al campo magnético externo.

R0: resistencia resultante ante un campo eléctrico por efecto Hall.

Magnetorresistencia gigante
(GMR)
• Capas nanométricas
alternas de metal
ferromagnético y conductor
no magnético.
• Bajo efecto de un campo
magnético externo, las
magnetizaciones
respectivas de las dos capas
se alinean y la resistencia
de la multicapa cae de
manera súbita Tomado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Magnetorresistencia_gigante
 Resistencia total configuración paralela:
2𝑟𝑅
𝑟𝑝 =
𝑟+𝑅

Resistencia total configuración antiparalela:

𝑅+𝑟
𝑟𝐴𝑝 =
2

Tomado de: https://es.wikipedia.org/wiki/Magnetorresistencia_gigante

Fórmula para calcular la magnetorresistencia

gigante (GMR):

Tomado de: http://oa.upm.es/11012/1/MIGUEL_ROMERA_RABASA_1.pdf

 Brújulas

Es un instrumento de orientación que utiliza una aguja imantada

para señalar el norte magnético terrestre. Su funcionamiento se
basa en el magnetismo terrestre, por lo que señala el sur
magnético que corresponde con el norte geográfico.

Países representativos de cada zona

Zona 1: Hemisferio Norte (Estados Unidos, Norte de Europa y Asia)
Zona 2: México, América central, Panamá, Colombia, Venezuela, Norte de
África
Zona 3: Chile, Bolivia, Brasil, África central
Zona 4: Paraguay, Uruguay, Sur de Argentina, Nueva Guinea, Sur de África
Zona 5: Australia, Antártida, Nueva Zelanda
 Unidad de Disco duro (HDD)

¿Qué es? Funcionamiento

Es la unidad de almacenamiento
más importante y de mayor
capacidad del computador.
Esta memoria es de tipo “no
volátil ”,es decir, los datos se
guardan permanentemente.
Consiste en un disco rígido construido
con material no magnético que está
recubierto con una capa delgada de
material magnético.
Almacena datos magnetizando esta
película delgada. El disco gira a alta
velocidad mientras la cabeza
magnética se mueve sobre este
buscando la información que
queremos leer o escribir.
Características
 velocidad de rotación
 Tiempo medio de acceso
 Tiempo de
lectura/escritura
 Latencia media
 Tasa de transferencia
 Interfaz de disco duro
Componentes de un disco duro
Fabricantes de HDD
 Memoria RAM

¿Qué es? Características Tipos

 SRAM: Static Random Access

Es la memoria principal de un Memory
• Densidad
dispositivo donde se almacena  DRAM :Dynamic Random
programas y datos informativos. • Consumo energético Access Memory
es conocida como memoria • Velocidad  MRAM (magnetoresistive
volátil, es decir, los datos no se random-access memory)
guardan de manera permanente
 Memoria MRAM
Se construye a base de celdas de almacenamiento magnético. Así, con un par
de imanes separados por un pequeño aislante, la memoria cuenta con un
sistema interno capaz de modificar el spin de los electrones de esta celda, de
forma que puede obtener valores de 0 y 1 de forma permanente ya que el
propio spin también lo sería, ('0' si la polaridad de ambas celdas es la misma (el
estado de menor resistencia).
 Esquema de una MRAM

Vista interna de cada celda

Esquema del interior de la tarjeta MRAM
 Aplicaciones de las MRAM
• Sistemas militares y aeroespaciales
• Cámaras digitales
• Portátiles
• Telefonía móvil
• Smartcards
• Estaciones base
• Ordenadores personales
• Reemplazos a SRAM apoyados por baterías
• Memorias especializadas para cajas negras y otros registros similares.
 Fabricantes de memorias
• ADATA (2do)
• Corsair Components
• G.Skill
• Hynix
• Infineon
• Kingston Technology (1er)
• Maxtor Corporation
• Micron Technology
• Mushkin
• OCZ Technology
• PNY Technologies
• SanDisk
• Wilk Elektronik
• Samsung
 Conclusiones

La evolución de la magnetorresistencia en películas delgadas

ha permitido que los dispositivos como los discos duros sean
cada vez mas pequeños con mayor capacidad.
 Bibliografía y cibergrafía
Garcia Torres, J. M. (2010). Implementación de películas magnetorresistivas Co-Ag electrodepositadas en dispositivos
microelectrónicos. Barcelona: Escola Tècnica Superior d’Enginyeria Industrial de Barcelona.

Mascaró Rivera, P. A. (2014). OPTIMIZACIÓN DE MAGNETORRESISTENCIA Y EFECTO HALL EN PELÍCULAS MAGNÉTICAS. Santiago
de Chile: Universidad de Santiago De Chile.

Monteblanco, E., Ortiz, C., Savero, W., & Rojas, C. (2017). ESPINTRÓNICA, LA ELECTRONICA DEL ESPÍN. Francia: researchgate.

Robera Rabasa, M. (2012). TRANSPORTE DEPENDIENTE DE ESPÍN EN ESTRUCTURAS DE MAGNETORRESISTENCIA GIGANTE CON
CAPAS DELGADAS DE GADOLINIO. Madrid: UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID.

Wikipedia. (26 de 02 de 2018). Obtenido de Magnetorresistencia gigante:

https://es.wikipedia.org/wiki/Magnetorresistencia_gigante

https://www.significados.com/memoria-ram/

http://www.cavsi.com/preguntasrespuestas/que-es-una-unidad-de-disco-duro-hdd/

https://www.fis.cinvestav.mx/~orosas/difusion/nobel07.pdf

https://es.wikipedia.org/wiki/MRAM