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Los diodos Schottky son dispositivos semiconductores formados por la unión de un metal y un semiconductor, lo que crea una barrera de potencial. Esto permite una conducción rápida a través de portadores mayoritarios, haciéndolos útiles para aplicaciones de conmutación rápida. También tienen una menor tensión umbral que los diodos convencionales, pero una menor capacidad de conducción de corriente.
Los diodos Schottky son dispositivos semiconductores formados por la unión de un metal y un semiconductor, lo que crea una barrera de potencial. Esto permite una conducción rápida a través de portadores mayoritarios, haciéndolos útiles para aplicaciones de conmutación rápida. También tienen una menor tensión umbral que los diodos convencionales, pero una menor capacidad de conducción de corriente.
Los diodos Schottky son dispositivos semiconductores formados por la unión de un metal y un semiconductor, lo que crea una barrera de potencial. Esto permite una conducción rápida a través de portadores mayoritarios, haciéndolos útiles para aplicaciones de conmutación rápida. También tienen una menor tensión umbral que los diodos convencionales, pero una menor capacidad de conducción de corriente.
son dispositivos formados mediante la unión de un metal y un
semiconductor. En esta unión se crea una barrera de
potencial (barrera Schottky) debido a la diferente concentración de electrones libres entre ambos elementos. La conducción se efectúa, por tanto, mediante portadores mayoritarios (electrones), al contrario que en los diodos de unión, lo cual permite una inmediata respuesta, muy útil en aplicaciones de conmutación rápida (lógicas digitales de alta velocidad). Por otra parte, también poseen una menor altura de la barrera de potencial con respecto al diodo de unión Funcionamiento El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo
semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. características La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy alta frecuencia y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V Desventajas El diodo Schottky tiene poca capacidad de conducción de corriente en directo (en sentido de la flecha).Esta característica no permite que sea utilizado como diodo rectificador. Hay procesos de rectificación (por ejemplo fuentes de alimentación) en que la cantidad de corriente que tiene que conducir en sentido directo es bastante grande.
El diodo Schottky no acepta grandes voltajes que lo
polaricen inversamente (VCRR). El proceso de rectificación antes mencionado también requiere que la tensión inversa que tiene que soportar el diodo sea grande. Aplicaciones En fuentes de baja tensión en la cuales las caídas en los rectificadores son significativas.
Circuitos de alta velocidad para computadoras
donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
Variadores de alta gama para que la corriente que
vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.