DIODOS

Símbolo. Polarización
Tipos de diodos
Curva característica
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Aproximaciones lineales del diodo Zener
Resolución de circuitos con diodos

PED 2002-03 3.1

 Semiconductores
De acuerdo a su conductividad eléctrica
tenemos:

Conductores (metales): Al, Ag, Fe, Cu, Au

Aislantes (no-metales): H, N, O, C, P, Cl
Metaloides :Si, Ge, As, Sb, B, Te, Po

PED 2002-03
27/10/2019
3.2
 Semiconductores
Los metaloides tienen propiedades
intermedias entre los metales y los no-
metales. En particular, su conductividad los
identifica mejor como SEMICONDUCTORES.
A cero grados Kelvin se comportan como
aislantes.

PED 2002-03
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3.3
 Semiconductores
plata
cobre
aluminio
conductores
Conductividad grafito

germanio
semiconductores
silicio
Agua destilada

baquelita
aisladores

mica

cuarzo

PED 2002-03
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3.4
 Semiconductores
El proceso de conducción eléctrica en
metales se debe a los electrones “libres” que
existen en la órbita más externa (mayor
energía) de los átomos y que no están
fuertemente ligados al núcleo. El resto de los
electrones en las órbitas interiores se
encuentran más fuertemente ligados al
núcleo y no se pueden desplazar.

PED 2002-03
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3.5
 Semiconductores
Configuración electrónica del átomo de
cobre CU

PED 2002-03
27/10/2019
3.6
 Semiconductores - Introducción
Existen dos mecanismos asociados al transporte de partículas cargadas
en un sólido

Corriente de Corriente de
desplazamiento difusión

PED 2002-03
27/10/2019
3.7
 Semiconductores - Introducción
Corriente de desplazamiento

Movimiento aleatorio sin Movimiento aleatorio

un campo eléctrico con un campo eléctrico
aplicado aplicado

PED 2002-03
27/10/2019
3.8
 Semiconductores - Introducción
Corriente de difusión
◦ Si existe una elevada concentración de partículas en una región comparada
con otra, existirá un desplazamiento neto de partículas que ecualizara la
concentración luego de un periodo de tiempo

Concentración inicial Concentración final

PED 2002-03
27/10/2019
3.9
 Atomo aislado de hidrogeno
Teoría de bandas de energía
Modelo de Bohr:
la energia de los electrones
en sistemas atomicos esta
restringida a un limitado set
de valores.

Cada nivel de
energia corresponde
a una orbita del
electron alrededor
•El desplazamiento de un electron de un nivel
del nucleo
discreto de energia hacia otro de mayor nivel
requiere una cantidad de energia extra.
•Un electron desplazandose hacia un nivel de
energia inferior, libera una cantidad discreta de
energia

PED 2002-03
27/10/2019
3.10
 Teoría de bandas de energía
Un solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de energia
interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los niveles discretos
de energia formando bandas de niveles de energia permtidos

PED 2002-03
27/10/2019
3.11
 Teoría de bandas de energía
Diagrama de bandas de energia

Banda de valencia: los electrones

no son moviles, no contribuyendo
a la conduccion de corriente electrica.
Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de valencia. Se
encuentra parcialmente llena. Excitando con una pequena cantidad de
energia, se puede iniciar el desplazamiento de los electrones -> corriente
electrica.
Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y la banda de
valencia. Son niveles continuos de energia que no pueden ser ocupados por
portadores de carga.
PED 2002-03
27/10/2019
3.12
 Teoría de bandas de energía
Clasificación de los materiales •Existen electrones en la banda de
conducción a temperatura ambiente.
semiconductor

conductor
aislador
•Las bandas de conducción y de
•Banda de conducción vacía valencia se solapan.

•Banda de valencia llena •Existe un gran número de electrones en

la banda de conducción a temperatura
•Gran cantidad de energía es requerida para ambiente.
desplazar un electrón de la banda de
valencia a la de conducción

PED 2002-03
27/10/2019
3.13
 Semiconductores

Cristales: Idealmente son materiales que se construyen mediante la

repetición infinita regular en el espacio de estructuras unitarias
idénticas. Es decir, sus átomos están dispuestos de una manera
periódica, llamada rejilla a cuyo volumen se le da el nombre de celda
básica. Los más utilizados para construcción de diodos, son el
Germanio y el Silicio.

Según su grado de pureza, pueden ser de

dos tipos
cristales

Cristales intrínsecos: Cristales extrínsecos:

Llamados también Llamados también cristales
cristales puros. impurificados, o dopados.

PED 2002-03 3.14

 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....

La celda fundamental de un
cristal de Silicio consiste de 5
átomos distribuídos en un
espacio geométrico de la
siguiente manera: Uno
central......

Alrededor del cual se

encuentran otros 4 átomos
iguales,compartiendo
electrones entre sí, lo que se
conoce como enlaces
covalentes......
El cristal de Silicio

PED 2002-03 3.15

 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....

Un átomo de Si al centro de la
celda base......
Y 4 átomos iguales alrededor
de éste ligados a él
compartiendo electrones
entre sí.

Los electrones periféricos de

cada átomo de Si que
participan en los enlaces
covalentes. Permitiendo que
Enlaces el átomo del centro quede con
covalentes 8 electrones en su última
órbita.
PED 2002-03 3.16
 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....

Estas causas naturales

incluyen efectos como la
energía luminosa en forma
de fotones y la energía
térmica del medio que lo
rodea.

A temperatura ambiente
existen aproximadamente 1.5
x 10 10 portadores libres en un
centímetro cúbico de material
de Silicio puro.
Enlaces
covalentes

PED 2002-03 3.17

 Entonces, la celda fundamental del cristal de Silicio se puede
representar de cualquiera de estas dos maneras.....

Si

Si

Si

Si Si

Celda fundamental del cristal de Silicio

PED 2002-03 3.18

 Semiconductores: Silicio
Estructura cristalina

Enlaces covalentes

Átomo de silicio

PED 2002-03
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3.19
 Un pedazo de este tipo de material estará formado casi en
un 100%, por átomos iguales, lo que le da la característica
de pureza.

Al observar la estructura
de este material se
pueden apreciar ejes y
planos en torno a los
cuales se ubican los
átomos. Esta es una
característica de los
cristales.....

Átomos de Si

PED 2002-03 3.20

 El material es químicamente estable por su estructura
reticular cristalina debido a sus enlaces covalentes; y
además es eléctricamente neutro, ya que no existen cargas
eléctricas libres ......

En estas
condiciones, un
cristal de tal
pureza es mal
conductor de la
corriente
eléctrica.
Átomos de Si

PED 2002-03 3.21

 ¿Cómo es entonces que un cristal de silicio puede utilizarse
como conductor, o como no conductor en los circuitos
electrónicos? ......

La respuesta a
esta pregunta
se encuentra en
los procesos de
dopamiento
Átomos de Si

PED 2002-03 3.22

 Semiconductores: Silicio
Portadores
Cuando un enlace de
Si-Si es roto, el electrón
asociado es un portador Sin portadores Remover un
de corriente. electrón de la banda
Equivalentemente, la de valencia crea un
excitación de un estado vacío.
electrón de la banda de Este estado vacío,
valencia a la banda de es un segundo tipo
conducción crea electrón
de portadores
portadores -> denominado
Electrones en la huecos
banda de conducción
son portadores
Electrones y huecos son portadores
laguna
en los semiconductores
PED 2002-03
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3.23
 Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-hueco
Concentración de
electrones intrínseco

Concentración de
lhuecos

A elevar la temperatura algunos enlaces Corriente en un semiconductor

covalentes son rotos, y los electrones
asociados al enlace son libres de desplazarse
bajo la influencia de un campo eléctrico
Movilidad de Movilidad de
externo.
los electrones los huecos
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas

PED 2002-03
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3.24
 Semiconductores: Silicio
Circulación de corriente en un semiconductor

PED 2002-03
27/10/2019
3.25
 Silicio con dopaje
El agregado de un pequeño porcentaje de átomos foráneos en la
estructura cristalina del silicio produce importantes cambios en sus
propiedades eléctricas.
◦ Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son utilizados.
◦ 4 electrones de la banda de valencia forman enlaces covalentes con los
átomos vecinos de silicio. El electrón restante esta débilmente ligado al
átomo de impureza, actuando como un electrón libre.
◦ Impurezas donoras: donan un electrón a la banda de conducción.
◦ Fósforo, arsénico, antimonio

PED 2002-03
27/10/2019
3.26
 Silicio – Tipo N

Conductividad

Concentración de átomos donores

PED 2002-03
27/10/2019
3.27
 Silicio – Tipo P
TIPO P
◦ Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro, Galio, Indio.
◦ Para completar el enlace covalente con átomos de silicio, un electrón es
atraído de la banda de valencia dejando un hueco.
◦ impureza aceptora: acepta un electrón de la banda de valencia

PED 2002-03
27/10/2019
3.28
 Semiconductores
Terminología
◦ Semiconductor intrínseco:
◦ semiconductor sin el agregado de impurezas
◦ Donor:
◦ Átomos de impurezas que incrementan la concentración de electrones
◦ Aceptor
◦ Átomos de impurezas que incrementan la concentración de huecos
◦ Portadores mayoritarios:
◦ Los portadores mas abundantes en un semiconductor. Electrones en
material tipo N y huecos en material tipo P.
◦ Portadores minoritarios:
◦ Los portadores menos abundantes en un semiconductor. Electrones en
material tipo P y huecos en material tipo N

PED 2002-03
27/10/2019
3.29
 UNIÓN PN

Juntamos dos materiales de

manera abrupta

Difusión

PED 2002-03 3.30

 UNIÓN PN

Lo más importante es la formación de la zona

de agotamiento

PED 2002-03 3.31

 Juntura P-N en equilibrio
Un diodo de juntura consiste de un material
Semiconductor tipo P en contacto con un
material N.

•Consideraciones
•Region P – N_A atomos aceptores
•Region N – N_D atomos donores
N_D>N_A
•No existe potencial externo aplicado

Región N: Los electrones cercanos a la juntura

se difunden desde la región con alta
concentración de electrones (región N) a la Electrones
región con baja concentración de electrones
(region P).
Huecos
Región P: Los huecos se difunden hacia la
región N.

PED 2002-03
27/10/2019
3.32
 Juntura PN – polarización directa

Al ser polarizada directamente la

juntura PN, el potencial de juntura
disminuye.

Los electrones se difunden

hacia la región P y los
huecos hacia la región N

La corriente de difusión es
Corriente de difusión
la dominante
Corriente de desplazamiento
PED 2002-03
27/10/2019
3.33
 Juntura PN – polarización inversa

La barrera de potencial aumenta.

El campo electrico se intensifica.
La capa de depleción se ensancha.
La corriente de difusión se hace cercana
a cero

Corriente de difusión
Corriente de desplazamiento

PED 2002-03
27/10/2019
3.34
 Juntura PN EQUILIBRIO

Polarización directa

Polarización inversa

PED 2002-03
27/10/2019
3.35
 El diodo como elemento

El símbolo utilizado para su representación en diagramas

de circuitos es una punta de flecha, dirigida en el sentido
convencional de la corriente.

ánodo D cátodo
+ -
I

Sentido convencional de la corriente

PED 2002-03 3.36

 El diodo – Zona de ruptura
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es
aplicado, la juntura PN
experimentara una rápida
avalancha y conducirá en la
dirección inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo eléctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
En esta región, pequeños cambios
en el voltaje aplicado pueden
causar grandes variaciones de
corriente.

PED 2002-03
27/10/2019
3.37
Características. Símbolo
• Diodo semiconductor: union PN. Referencia: diodos de silicio (Si)
• Elemento biterminal. Terminales diferentes.

Ánodo + – Cátodo

Polarización directa Polarización inversa

+ – + –

I I

+ – – +
E E
Tipos de diodos
Diodo rectificador
• En P.D. conduce corriente. En P.I. no conduce.

Diodo LED
• En P.D. conduce corriente y emite luz.
• En P.I. no conduce corriente y no emite luz.

Fotodiodo
• Opuesto al anterior. En P.I. absorbe luz detectada
y conduce corriente

Diodo Zener
• En P.D. como el diodo rectificador
• En P.I., si se supera cierta tensión (tensión Zener)
conduce también.
Curva característica corriente/tensión
Diodo rectificador
• Relación exponencial
ID
ID ID
I.P. D.P.
+ VD –
VD
0,7 V

• P.I. corriente de saturación (pocos nA)   qVD  

I D  IS    KT  1
• P.D. tensión umbral
• P.I.: ruptura e
 
 
Curva característica corriente/tensión

Diodo Zener
• Peculiaridad en P.I: superada Vz, “ruptura Zener” ID
conduce corriente sentido inverso
I.P. D.P.
ID ID
V Z
VD
+ VD – 0,7 V
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Primera aproximación: diodo ideal
• P.D. conduce como un cortocircuito
• P.I. no conduce
• Aproximación más alejada

ID

I.P. D.P.
VD
 ID ID
A B
+ VD –

ID Ecuación Condición

D. P. : A B VD  0 ID  0
+ VD  0 –

ID  0
I. P. : A B ID  0 VD 0
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Segunda aproximación (más frecuente)
• P.D. conduce a partir de 0,7V
• P.I. no conduce
• Tiene en cuenta la tensión umbral

ID

I.P. D.P.
VD
0,7 V
 ID ID
A B
+ VD –
Ecuación Condición
ID 0,7 V ID
D. P. : A +– B V D  0,7 V ID  0
+ V D  0,7 V –

ID  0
ID  0 VD 0, 7 V
I. P. : A B
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo rectificador
Tercera
• P.D. conduce a partir de 0,7V, pero la tensión aumenta si la corriente
aumenta
• P.I. no conduce
ID

I.P. D.P.

VD
0,7 V
 ID ID
A B
+ VD –

Ecuación Condición
ID 0,7 V
r
D. P. : A +– B V D  0,7 + rID ID  0
+ – ( r = 0,5  - 1 )
V  0, 7 + rI r resistencia interna
D D

ID  0

I. P. : A B ID  0 VD  0, 7 V
+ VD –
Aproximaciones lineales del diodo Zener

• Sólo una aproximación (se pueden hacer más)

• Similar a la 2ª aprox. del diodo rectificador
• En P.D. se comporta igual, también a partir de 0,7V
• En P.I. al llegar a la tensión Zener, conduce corriente en sentido
contrario
ID
I.P. D.P.
V Z región normal
VD
0,7 V

región Zener
 ID ID IZ IZ
A B
+ VD – – VZ +

I D 0,7 V Ecuación Condición

D. P. : A + – B
V D  0,7 V I D  0  I Z  0
+ V D  0,7 V –
I. P. :
ID  0
ID  0 V Z V D 0,7 V
región normal: A B
V Z parámetro conocido
+ VD –
IZ VZ IZ
región Zener: A –+ B V D  V Z IZ  0  I D  0

+ V D  V Z –
Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Punto de operación del diodo

• Recta de carga

ID RTh
A
+
I.P. D.P. ETh +– ID VD
–
VD
0,7 V B

ETh  RTh I D + VD
ETh 1
ID    VD
RTh RTh
Resolución gráfica de circuitos con diodos

• Intersección: punto de operación del diodo

ID

E Th
R Th
Q Punto de operación (V Q ,I Q )
IQ

VD
VQ E Th
 Tipos de diodos en el
mercado
L o s m a s u s a d o s s o n l o s " d i o d o s re c t i f i ca d o re s " , l l a m a d o s a s í
p o rq u e s e u s a n m u c h o e n l a b o re s d e re c t i f i ca c i ó n . E l m á s
e m p l e a d o e s e l d i o d o re c t i f i ca d o r 1 N 4 0 0 7 o 1 N 4 0 0 1 , fa b r i ca d o
p o r va r i a s e m p re s a s d e co m p o n e nte s . E s a m a rca i d e nt i f i ca
co m p l e ta m e nte a l co m p o n e nte y s u e l e i r ro t u l a d a e n e l c u e r p o
f í s i co d e l d i o d o .

O t ro d i o d o d e g ra n a p l i ca c i ó n e n m o nta j e s e l e c t ró n i co s e s e l
1 N 4 1 4 8 , t i e n e u n a fa b r i ca c i ó n m á s c u i d a d a y m e j o r re s p u e sta a
f re c u e n c i a s e l eva d a s , p e ro u n a s ca ra c te r í st i ca s d e te n s i ó n i nve rs a
y co r r i e nte d i re c ta m á s re d u c i d a s .
 COMPARACIÓN

PED 2002-03 3.53

PED 2002-03 3.54
 APLICACIONES Y CIRCUITOS
DIODOS EN SERIE

Aplicando la Ley de Ohm tenemos:

Vcc = VR + VD1 + VD2
VD1 + VD2 = VD;
0,7+0,7 = VD = 1,4 V
Como podemos ver, la tensión de diodos en serie se suma como si de resistencias se tratase. Calculando la
intensidad por el circuito tendremos:

PED 2002-03 3.55

 APLICACIONES Y CIRCUITOS
DIODOS EN PARALELO
Cuando se necesitan corrientes elevadas y se dispone de diodos que no
las soportan, es posible conectarlos en paralelo para que la corriente
total se reparta entre ellos.

PED 2002-03 3.56

 APLICACIONES Y CIRCUITOS
OBTENCIÓN DE TENSIONES DE REFERENCIA CON DIODOS
Disponemos de una tensión de alimentación (una batería, por ejemplo,
en un vehículo) de 12 Vcc y deseamos alimentar un circuito electrónico
(un cuenta kilómetros) a 1,4 V y 5mA, tal como aparece en la figura
siguiente:

PED 2002-03 3.57

 OBTENCIÓN DE TENSIONES DE REFERENCIA CON DIODOS
Dependiendo de la tensión a fijar pondremos un determinado número
de diodos, pudiendo combinar los rectificadores (0,7 V) con los de
germanio (0,3V), para alcanzar tensiones de varios valores. El circuito
sería el siguiente: Tensión a fijar 1,4V; Tensión directa diodos de Silicio
0,7V (1N4007).

PED 2002-03 3.58

 PRÁCTICA #02
- Realizar las simulaciones de los circuitos con diodos en el software
proteus.
- Analizar que sucede en cada uno de los circuitos.
- Obtener las gráficas de cada uno de los circuitos
- En un documento en Word, se deberá insertar cada circuito elaborado
en proteus con su respectiva gráfica y el análisis de lo que sucede en
cada circuito. Se debe realizar en clases y guardar en el escritorio de su
maquina.

PED 2002-03 3.59

 Recortador de nivel positivo

PED 2002-03 3.60

 Recortador de nivel negativo

PED 2002-03 3.61

 Elevador de nivel

PED 2002-03 3.62

 Rectificador de media onda

PED 2002-03 3.63

 Rectificador de onda completa

PED 2002-03 3.64

 Filtrado por condensador

PED 2002-03 3.65

 El diodo Zener

El símbolo y el comportamiento de un diodo Zener son los que se muestran en el

siguiente esquema:

+
+

+
Vz Vz V

“encendido” “apagado”(Vz > V > 0V)

El diodo estará “encendido” cuando está polarizado inversamente a un diodo

normal, y cuando el voltaje sea superior a Vz. Para que esto suceda, es necesario
que la corriente esté en la zona indicada a continuación:

PED 2002-03 3.66

 El diodo Zener

La siguiente representa la curva característica de un diodo Zener:

ID
Vz
VD
Zona de trabajo
Izmín
del diodo Zener

Zona de ruptura
del diodo Zener
Izmáx
PED 2002-03 3.67
 El diodo Zener

El diodo Zener se utiliza para mantener un voltaje de referen-cia constante,

mientras que la corriente que circula a través suyo esté comprendida entre Izmín e
Izmáx.

El valor de RS para que el regulador trabaje

RS adecuadamente (sin carga) será:
+

Ve Iz Vz MÁXIMO MíNIMO

RS má x 
Ve  Vz Ve  Vz
I Z mín RS mín 
I Z má x
donde RSmín  RS  RSmáx.
PED 2002-03 3.68
 El diodo Zener

La situación más común es que el circuito opere con carga, tal como se muestra a
continuación:

RS
Las condiciones de carga pueden
variar. El diodo Zener debe mantener
+

I IC Vz
Ve RC sus condiciones de regulación,
Iz independiente de la carga.

PED 2002-03 3.69

 Aplicaciones del Zener
La principal aplicación es la de regulación de voltaje, por ende se va a realizar una fuente reguladora de voltaje a 3.3v
para el día martes 29 de octubre. En base al siguiente circuito

MATERIALES:

- TRANSFORMADOR DE

- 110 V – 12 V

- 4 DIODOS 1N4007

- CAPACITOR ELECTROLITICO DE

100uF a 25 V

- RESISTENCIA DE 680 Ohmios

- 1 DIODO ZENER 1N4728A

- RESISTENCIA DE 220 Ohmios

Este circuito debe ser armando en la Protoboard y presentado el día establecido el valor de voltaje que debe dar en la
resistencia de carga es de 3,3v.

PED 2002-03 3.70

 Diodos emisores de luz

Los diodos más comunes de este tipo son el “diodo emisor de luz”, conocido como
“LED” (del inglés: “Light Emitting Diode”) y el de “pantalla de cristal líquido”, o
“LCD” (del inglés: “Liquid Crystal Display”).
Cuando estos diodos se polarizan en forma directa, se convierten en una fuente de
luz debido a una emisión de fotones que se produce en su interior.

+
ID
PED 2002-03
VD 3.71
 Diodos emisores de luz
El valor de corriente típica de un LED en operación normal es de ID=10-20mA, y
el voltaje que cae en el diodo es propio de cada uno (los valores típicos son de
alrededor de VD=1,2V).
Para calcular adecuadamente el circuito para un LED, debe observarse cuál es su
voltaje típico y la corriente de polarización necesaria para obtener una buena
emisión:

VCC  VD 5V  1,2V
R + R   190
ID 0,02 A
VCC= 5V ID=20mA VD=1,2V
PED 2002-03 3.72
 TRANSISTORES
CONSULTAR QUE ES UN TRANSISTOR
QUE TIPO DE UNION TIENEN LOS TRANSISTORES
CUALES SON LOS TRANSISTORES MAS CONOCIDOS.
TIPOS DE TRANSISTORES

PED 2002-03 3.73