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4- Bandes d’énergie
Energie
Bande de conduction
Semi-conducteur
Ecart énergétique
Energie
0
Fig.3
5- Conduction des semi-conducteurs
Si Sb Si
Fig.5
Les atomes donneurs sont des atomes pentavalents que
l’introduit dans le semi-conducteur pour le rendre extrinsèque; ces
atomes sont susceptibles de donneur un libre. On parle d’un dopage
de type N.
Semi-conducteur de type P
Pour augmenter le nombre de trous dans le silicium
intrinsèque, on ajoute des atomes d’impureté trivalents. Ce sont des
atomes avec trois électrons de valence, tels l’aluminium ( Al ), le
bore (B) et la gallium ( Ga) (fig.) . Le nombre de trou peut être
contrôlé par la quantité d’impureté trivalents ajoutée au silicium. Un
trou crée par cette méthode de dopage n’est pas accompagné d’un
électron de conduction ( libre). Dans un semi-conducteur de type P,
les trous sont majoritaires et les électrons sont minoritaires (figure.6).
On appelle atomes accepteurs les atomes trivalents que
l’introduit dans le semi-conducteur pour le rendre extrinsèque de type
; ces atomes sont susceptibles d’accepter un électron de valence. On
parle d’un dopage de type P.
Si B Si
=q ( nn + pp )
Diffusion
Mouvement d’un ensemble de particule dans un milieu, sous
l’action de différence concentration, température… etc.
Résistivité
La résistivité est l’inverse de la conductivité, c’est un paramètre qui
indique le pouvoir isolant du matériau. Plus la résistivité est élevé plus
le matériau est isolant.
Relation d’ENSTEIN
D
UT = µ
UT = 25.85 mV # 26 mV à 300°K
D : Constante de diffusion
UT :Potentiel thermodynamique
KT
UT =
q
K: Constante de Boltzmann
T: Température ambiante
q:charge d’électricité
Exemple de coefficient de diffusion pour certains matériaux:
Germanium:
Silicium
N
P NA
NA
Fig.7 a
Anode i Cathode
A C
VAC = VA-VC
Fig.7 b
N P
Id
R +
-
Va Fig.7 c
3- Polarisation de la jonction en sens inverse
La jonction est polarisée en sens inverse si le
pôle négatif de la source
P N
I inverse
R +
-
Fig.8
Va
Va est relié à la région P et le pôle positif de la source Va
est relié à la région N comme l’indique la figure.8
Champ électrique résultant
P N
+ -
- - - + +
Trou +
+ Electron
+ -
- - - + +
+
-
- - - + + +
+ -
- - - + +
+
Zône neutre Zône neutre
Zônes de charge d’éspace
La polarisation inverse est la condition dans laquelle
le courant ne traverse pas la jonction PN. Il faut aussi noter
que la région d’appauvrissement ( zones de charge d’espace)
est beaucoup plus large qu’en polarisation directe ou en
condition d’équilibre.
Le fonctionnement d’une jonction en polarisation
inverse est illustré à a figure 8. Puisque les charges
contraires s’attirent, la borne positive de la source << tire >>
les électrons libres, qui sont les porteurs majoritaires dans la
région N, loin de la jonction PN.
A mesure que les électrons affluent vers la borne
positive de la source, des ions positifs additionnels sont
créés, ce qui élargit la région d’appauvrissement et diminue
le nombre de porteurs majoritaires. Dans la région P, les
électrons près de la borne négative de la source entrent tels
des électrons de valence, se déplaçant de trou en trou à
travers la région d’appauvrissement ou se crée des ions
négatifs additionnels. Cette situation élargit la région
d’appauvrissement et diminue le nombre de porteurs
majoritaires.
A l’équilibre
Bande de valence
Colline énergétique
Électrons
Polarisation directe
Bande de valence
Colline énergétique
Polarisation inverse
Électrons
minoritaires
Bande de valence
Id
V
R
E
Fig.10
R: résistance de protection de la diode:
E : Tension de polarisation
Id : Courant qui circule dans la diode
V: tension aux bornes de la diode
La théorie au premier ordre nous donne la caractéristique courant
tension de la diode.
Id # Is Exp ( V/nUT)
V ( v)
Fig.10 Vd = V 0
Vd est appelée tension de seuil ( coude , déchet ): c’est la tension au
de là de laquelle la diode est passante ( conductrice ).
La tension de seul varie en fonction de la technologie :
Silicium : Vd = 0.6 V à 0.7 V
Germanium : Vd = 0.3 V
Arséniure de Gallium: Vd = 1.2 V à 1.4V
7- Résistance ohmique de la diode
La résistance ohmique d’un composant se déduit de la loi
d’Ohm. D’après la relation (1) on peut écrire :
R # nU ln(Id/Is)/Id
T (4)
7- Résistance dynamique de la diode
La résistance dynamique ( rd) est la pente de la caractéristique
(I-V) au point de fonctionnement
r # (nU )/ ( Id)
d T ( 5)
Pour un courant Id de 1 mA à température ambiante la
résistance dynamique est de l’ordre de 26 ohms. Elle diminue quand le
courant Id augmente.
Si on modélise les pertes ohmiques par une résistance Rs,on
peut calculer la résistance dynamique ( rd) de la manière suivante:
Rs
Id
Vj
V
r =dV/dId =Rs+dVj/dId
d r d
r # Rs + (nU )/ ( Id)
d T
1/Id
8- Caractéristique courant tension( I-V) en polarisation inverse
d’une jonction ( figure 11)
Iinv
V
R
E
Fig.11
En polarisation inverse la relation de l’équation ( 1 ) devient :
Id = Is ( Exp ( -V/nUt - 1) ) (6)
Lorsque la tension aux bornes de la diode est nulle, il n’ y a
aucun courant inverse. A mesure que la tension négative augmente, il
n’existe qu’un très faible courant inverse tandis que la tension aux
bornes de la jonction augmente. La relation précédente peut s’écrire
devient : Id # - Is = Inverse.
Lorsque la tension aux bornes de la diode augmente
suffisamment et que la tension inverse aux bornes de la diode atteint la
valeur de claquage ( VBR) , le courant inverse commence augmenter
rapidement. Si l’on croit encore la tension, le courant s’intensifie très
rapidement tandis que la tension aux bornes de la jonction surpasse
A peine la tension de claquage VBR, comme le montre la figure 12. Le
claquage n’est pas un mode opérationnel normal pour la grande
majorité des composants à jonction PN.
Vinverse VBR
A
Is # Constant
B
Fig.11
Inverse(pA)
9- Caractéristique courant tension( I-V) complète d’une jonction
( figure 12)
V( v)
VR
Vd V( v)