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TEMA : TRANSDUCTORES OPTOELECTRONICOS

CLASIFICACION DE SENSORES DE LUZ


La luz est formada por ondas, que se propaga en todas

direcciones y siempre en lnea recta. Las ondas luminosas son diferentes a las ondas sonoras, ya que pueden propagarse a travs del vaco y se llaman ondas electromagnticas. Dentro del espectro electromagntico, las longitudes de onda que pueden ser percibidas por el ojo humano, se les conoce como luz visible ya que esta radiacin electromagntica es capaz de afectar el sentido de la visin. El sol es la fuente luminosa natural de la tierra. Como la luz blanca en realidad est compuesta por siete colores, de acuerdo al tipo de luz que absorben y que reflejan, vemos los objetos de diferentes colores.

Las longitudes de onda de la luz visible se midieron en la primera

dcada del siglo XIX, mucho antes de que se imaginase que la luz era una onda electromagntica. Se encontr que sus longitudes de onda estaban entre 4.0x m y 7.5x m; o lo que es lo mismo, entre 400 nm y 750 nm (1 nm = m). Las frecuencias de los rayos de luz visibles se pueden encontrar utilizando la ecuacin 1.1. f= c (E. 1.1) Donde f y son la frecuencia y la longitud de onda, respectivamente. Aqu, c es la velocidad de la luz, 3.00x m/s; tiene el smbolo especial c por su universalidad para todas las ondas electromagnticas en el espacio libre. As, la ecuacin 1.1 nos dice que las frecuencias de la luz visible estn entre 4.0x Hz y 7.5x Hz. (recuerde que 1 Hz = 1 ciclo por segundo y que frecuencia es el numero de veces que se repite el ciclo de una seal en 1 segundo, se mide en Hz).

FOTORESISTENCIA
Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya

resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor. Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.

Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco o extrnseco. En

dispositivos intrnsecos, los nicos electrones disponibles estn en la banda de la valencia, por lo tanto el fotn debe tener bastante energa para excitar el electrn a travs de toda la banda prohibida. Los dispositivos extrnsecos tienen impurezas agregadas, que tienen energa de estado a tierra ms cercano a la banda de conduccin puesto que los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones ms bajos de energa (es decir, de mayor longitud de onda y frecuencia ms baja) son suficientes para accionar el dispositivo. Se fabrican de diversos tipos. Se pueden encontrar clulas baratas de sulfuro del cadmio en muchos artculos de consumo, por ejemplo cmara fotogrfica, medidores de luz, relojes con radio, alarmas de seguridad y sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles en funcin de la luz ambiente. En el otro extremo de la escala, los fotoconductores de Ge:Cu son los sensores que funcionan dentro de la gama ms baja radiacin infrarroja

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