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Modelo Ideal y Estado Superficial

• Relación de energía electrónica para un contacto ideal entre un metal y un


semiconductor tipo n en ausencia de estados superficiales.
• Inicialmente se muestra que el metal y el semiconductor sin contacto y el
sistema no se encuentra en equilibrio térmico.
• Si se un conductor conecta al semiconductor con el metal se establece
equilibrio térmico los niveles de Fermi se alinean.
• En relación al nivel de Fermi en el metal, el nivel de Fermi en el
semiconductor es mas bajo en una cantidad igual a la diferencia de las dos
Funciones de Trabajo.
Semiconductor tipo n Semiconductor tipo p

Diagrama de energía de un contacto semiconductor metal de tipo n con un metal


tipo p bajo diferentes condiciones de polarización,
a- Equilibrio térmico, b- Polarización directa, c- Polarización inversa.
Efecto Schottky

Diagrama de Banda de Energía entre una superficie metálica y el vacío. La Función de Trabajo del metal
qΦm. La Función de Trabajo efectiva (o Barrera) disminuye si se aplica un campo eléctrico a la superficie.
La disminución se debe a la combinación de efectos del campo y la imagen de energía inducida.
Efecto Schottky
Función de
Trabajo del
metal para
una superficie
metálica
purificada en
el vacío en
función del
número
atómico. Se
aprecia la
naturaleza
periódica del
aumento y
disminución
de la Función
de Trabajo,
dentro de
cada grupo.
Efecto Schottky
Diagrama de Banda
de energía
incorporando el
efecto Schottky
para un contacto de
un metal con un
semiconductor tipo
n, bajo condiciones
de polarizaciones
diferentes. La
barrera mas alta
intrínseca es qΦBO.
La barrera mas alta
en equilibrio
térmico es qΦBn. La
Barrera mas baja
para la polarización
directa es ΔΦF y
para la polarización
inversa es ΔΦR.
El Proceso de Transporte de Corriente
Emisión Termoiónica
Proceso de Difusión
Proceso de Emisión Termoiónica y
Difusión
Proceso de Emisión Termoiónica y
Difusión
Diagrama de
Banda de
Energía
incorporando
el efecto
Schottky. La
energía
potencial del
electrón es
qψ(x), y el
Pseudo nivel
de Fermi es
qΦ(x).
Efecto Túnel

Valores teóricos y experimentales de la Curva Característica para Barreras de Au-Si


Inyección de portadores minoritarios

Densidad de la corriente de saturación


en función de la concentración
de dopado de Barreras de Au-Si para
tres diferentes temperaturas
Inyección de portadores minoritarios

Diagrama de energía de una Barrera Schottky epitaxial


Barrera de Potencial

Diagrama de Banda de Energía detallado de un contacto metal-semiconductor tipo n con


una capa de interfaz del orden de distancias atómicas.
Barrera de Potencial
Barrera de Potencial

Otros resultados de otros contactos metal-semiconductor


Barrera de Potencial
Ubicación del nivel de Fermi superficial
para algunos metales y el oxígeno
sobre GaAs, GaSb y
InP. Se observa una pequeña
dependencia de la naturaleza química
de los metales y del oxígeno.
Barrera de Potencial
Barrera alta en función de la
electronegatividad de
metales depositados sobre Si,
GaSe, y SiO2.
Medición de Corriente-Voltaje
Densidad de corriente en
polarización directa en función de la
tensión
aplicada de diodos W-Si y W-GaAs.
Medición de Corriente-Voltaje

a- Diodo PtSi-Si con un anillo


protector de difusión,

b- comparación de los resultados


experimentales y teóricos para el
diodo PtSi-Si.
Medición de La Energía de Activación

Gráfico de la energía de activación para determinar la altura


de la barrera.
Medición de La Capacitancia - Tensión
Semiconductor con un nivel bajo de
dadores y con un nivel alto de
dadores. ND es la
concentración baja de dadores y NT es
la concentración alta de dadores.