Transistores JFET

Oscar Iván Guzmán Acevedo

Nilson Javier Duran Guzmán
Sandra Milena Gómez Hernández
DEFINICIÓN
 El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente
existe tanto en forma de electrones como de huecos.
En un FET de canal n, la corriente se debe a
electrones, mientras que en un FET de canal p, se
deben a los huecos. Ambos tipos de FET se controlan
por una tensión entre la compuerta y la fuente.
 Al comparar el FET con el BJT se aprecia que el
drenaje (D) es análogo al colector, en tanto que la
fuente (S) es análoga al emisor. Un tercer contacto, la
compuerta (G), es análogo a la base. La fuente y el
drenaje de un FET se pueden intercambiar sin afectar
la operación del transistor.
TIPOS DE FET
Ventajas y desventajas de JFET
Ventajas
 Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia
de entrada.
 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Son mas estables con la temperatura que los BJT.
 Se comportan como resistores variables controlados por
tensión para valores bajos de tensión drenaje-fuente.
 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar grandes corrientes.

Desventajas
 Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre a la alta
capacitancia de entrada.
 Presentan una linealidad muy pobre.
 Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad
estática.
 ID
Gm =
VGS

Parámetros Del Jfet

 IDSS
 VP
 BVGS: Voltaje de ruptura de la
compuerta-fuente.
 Gm: Transconductancia de transferencia
directa de fuente común
Regiones de Trabajo de un
Transistor JFET
Polarización del FET
 La característica principal del JFET es que a
diferencia de los transistores bipolares BJT,
estos se controlan por voltaje (VGS)
MOSFET
Tipos y Simbología
Características MOSFET´s