LC Filtres Rayonnement50307final

Inductances, capacits et filtres
ELEC2700 - Hyperfrquences
Chapitre 2: filtres
Plan Ralisation de capacits et inductances localises Ralisation de capacits et inductances multilignes - thorie des lignes couples - capacits interdigites - inductances intgres Application la synthse de filtres - filtre passe-bande (rsonateurs coupls) - filtre passe-bas (succession de L,C) introduction au projet
2
Chapitre 2: filtres
Obstacles shunts dans les guides donde

Obstacle symtrique y d Mode fondamental: TE10 Pas de variation suivant y ni pour le mode ni pour lobstacle, donc modes de type n=0 (TE, car m.n { 0 pour TM) symtrie suivant x (m impair) Ce sont donc des modes TEm0 et donc de lnergie magntique Y=jB
a Ladmittance est donne par CL sur TEmo
B $ g a cotg 2 Td 2a P
INDUCTANCE
Obstacle asymtrique Mode fondamental: TE10 d D a Pas de variation suivant y ni pour le mode ni pour lobstacle, donc modes de type n=0 (TE) Ce sont donc des modes TEm0, m quelconque INDUCTANCE
B $ g a cotg 2 Td 2a 1 sec 2 Td 2a cotg 2 TD a P

3
Chapitre 2: filtres
Inductances localises en technologie microruban Inductance shunt microruban court-circuit suivi dune faible longueur de ligne
L
Z P ! Z c tanh KL } jZ c FL ! j[Z c L / v ph ! j[L p
Inductance srie microruban
voir projet
4
non valable haute frquence

Chapitre 2: filtres
Inductances localises en technologie coplanaire Inductance srie

Allongement du trajet du courant sur conducteur central
Inductance shunt
L+(l
p
court-circuit suivi dune faible longueur de ligne
Z L ! Z c tanh K ( L (l ) } jZ c F ( L (l ) ! j[Z c ( L (l ) / v ph ! j[LP
Chapitre 2: filtres
6
Chapitre 2: filtres
Obstacles shunts dans les guides donde

y d b Mode fondamental: TE10
Pas de variation suivant x pour lobstacle, donc modes de type m=1 x symtrie suivant y (n pair) Ce sont donc des modes TE1n et TM1n.. Chacun de a ces modes a une composante suivant x, mais au total, Ex doit tre nulle Les composantes Ex des modes TE1n et TM1n de mme ordre m sannulent:
e E x1n ! V1e C1n ? T a cosTx a sin nTy b A n
E xh1n ! V1h C1n ?nT b cosTx a sin nTy b A n

Cette condition permet de calculer les constantes des modes et les nergies emmagasines CAPACITE Y=jB
B $ b P g ln cosecTd 2b 4
7
Pg
Chapitre 2: filtres
Capacits localises en technologie microruban Capacit shunt microruban circuit ouvert suivi dune faible longueur de ligne
L+(L
Z P ! Z c coth K ( L (l ) } Z c / j c F ( L (l ) ! Z c v ph / j[ ( L (l ) ! 1 / j[C P
Capacit srie microruban
version chip ou intgre: capa MIM

8
Chapitre 2: filtres
Capacits MIM
UltraSource, Inc., USA
Capacit MIM Metal-Insulator-Metal
isolant mtal
mtal
Chapitre 2: filtres
Capacits localises en technologie coplanaire
Couplage par champ de bord Effet gap
L+(l
Circuit ouvert suivi dune faible longueur de ligne
Z L ! Z c coth K ( L (l )
p
} Z c / jF ( L (l ) ! Z c v ph / j[ ( L (l ) ! 1 / j[C p
10
Chapitre 2: filtres
Inductance en technologie MEMS
Structure releve grce aux contraintes rsiduelles entre mtal et substrat obtenues aprs process Solnoide dans lair moins de pertes
Technologie UCL, source Prof. J.P. Raskin
MEMS= Micro-Electro-Mechanical Systems

11
Chapitre 2: filtres
Capacit variable en technologie MEMS

Vbias
source Prof. J.P. Raskin

dphasage sur coplanaire induit par capacit

12
Chapitre 2: filtres
13
Chapitre 2: filtres
Exemples
d
s w
via
mtal infrieur
Inductance spirale
Inductance mandre
Capacit de dcouplage DC block

14
Capacit interdigite
Chapitre 2: filtres
15
Chapitre 2: filtres
Circuit quivalent de deux lignes couples

Lmdz L1dz Cmdz L2dz z
C1dz
C2dz
z+dz
Equations des tensions/courants
Inductance mutuelle Lm tient compte du flux induit par une ligne sur lautre Capacit de couplage Cm tient compte du champ lectrique entre lignes
16
Chapitre 2: filtres
Equations de ligne de transmission pour deux lignes couples En frquentiel:
Systme dquations diffrentielles du premier ordre coefficients constants, rduit en systme homogne dordre 2 Admet 4 solutions: F- F-F-- F-qui sont les valeurs propres du systme
17
Chapitre 2: filtres
Circuit quivalent de deux lignes couples Dans le cas classique o on a
On peut redessiner le circuit comme ceci, en sparant les lments capacitifs et inductifs:
(a)
V1 2Cmdz Cdz
x
2Cmdz Cdz V2
(b)
(L-Lm)dz V1 Lmdz (L-Lm)dz
V2
Lmdz dz
18
Chapitre 2: filtres
Circuit quivalent de deux lignes couples Lexcitation impaire (V1=-V2) fournit la symtrie dans le plan transverse:
(a)
V1 2Cmdz Cdz
x
2Cmdz Cdz V2
Potentiel nul
(b)
V2
Lmdz dz
Chacune des deux lignes peut tre dcrite par
19
Chapitre 2: filtres
Circuit quivalent de deux lignes couples Lexcitation paire (V1=V2) fournit la symtrie dans le plan transverse:
(a)
V1 2Cmdz Cdz 2Cmdz Cdz V2
(b)
Chacune des deux lignes peut tre dcrite par (les capacits Cm ont une diffrence de potentiel nul leurs bornes)
V2
Lmdz dz
20
Chapitre 2: filtres
Configuration des champs dans les microrubans couples
(a)
h
Mode pair r
ooZ eoZ
50.0
0.2 0.1 6.0 4.0 1.0 50.0
3 h/w
1.0 4.0
h/s
6.0
0.2 0.1
1 05 02 03 04 06
ooZ ,eoZ 07
01
(b)
CMP
(c)
r Mode impair
(d)
CEP
21
Chapitre 2: filtres
Configuration des champs dans les lignes couples Lignes fente couples
pmahc euqitngam
r r
Guides coplanaires coupls

mode pair w3 w2 w1
PMC
PEC
pmahc euqirtcel riapmi edom riap edom
r CEP mode impair CMP champ lectrique champ magntique
22
Chapitre 2: filtres
Coupleur lignes parallles

1
L
2
0
accs direct: de 1 vers 3 accs coupl: de 1 vers 4
-1 0
-2 0
Transfert total de 1 vers 4 pour `Fe- Fo|=T/L

S11 S13 S14
dB
-3 0
-4 0
-5 0
-6 0 0 5 10 15 20 G Hz 25 30 35 40
23
Chapitre 2: filtres
Coupleur lignes parallles

1
L
2
0 -5 -1 0 -1 5 -2 0 dB -2 5 -3 0 -3 5 -4 0 -4 5 -5 0 0 5 10 15 20 G Hz 25 30
accs direct: de 1 vers 3 accs coupl: de 1 vers 4
L 2xL
Transfert total de 1 vers 4 pour `Fe- Fo|=T/L couplage plus basse frquence si L augmente
35 40
24
Chapitre 2: filtres
25
Chapitre 2: filtres
Filtre DC-bloquant
1
L
3 ouvert 4
2 ouvert
0 -5 -1 0 -1 5 -2 0 dB -2 5 -3 0 -3 5 -4 0 -4 5 0 5 10 G Hz 15 20 S11 S14
Transfert total de 1 vers 4 pour L!P
adaptation
pas de transmission en DC
ELEC2700 - Hyperfrquences Chapitre 2: filtres
26
Capacits interdigites
27
Chapitre 2: filtres
Capacit MOS ralise comme un transistor MOS interdigit (plusieurs doigts de grille)
28
Chapitre 2: filtres
29
Chapitre 2: filtres
Topologie spirale
d L s w mtal infrieur via Cin Rin Rout Cout Cunderpass RL
Liao: L ! 8.5 A n 5 3 Aire A en cm2 et nombre de tours n Inductances planaires ralises sur substrat micro-onde ou intgre sur Si ou GaAs.
Rfs: B. C. Wadell, Transmission Line Design Handbook, Artech House, 1991. Liao S. Y., Microwave Circuit Analysis and Amplifier Design, Prentice Hall, 1987.
30
Chapitre 2: filtres
Gnralisation 3 (n) lignes couples Circuit quivalent des 3 lignes couples
1+2
Y param.
31
Chapitre 2: filtres
Modlisation de la spirale 1. Dcomposition de linductance en sections de lignes couples
2. Calcul des matrices Y et mise en cascade

In Out
Cunderpass
(a) (b) 3. Conversion de la matrice Y globale en circuit quivalent
L Cin
RL Rout Cout
Rin
32
Chapitre 2: filtres
Inductances intgres
w s Eh Ev
Utilisation possible de plusieurs couches mtalliques + vias pour les spires
hox h
33
Chapitre 2: filtres
Validation du modle lignes couples
Rsonance: si f > fr, L devient capa

34
Chapitre 2: filtres
Influence du nombre de tours
d L s w Cin Rin
Cunderpas RL Rout Cout
L augmente avec N, mais C aussi fr diminue

35
Chapitre 2: filtres
Influence du nombre de tours

Le facteur de qualit est influenc par les pertes conducteur
10
Measurements - 35T Measurements - 55T Simulations - 35T Simulations - 55T
7.5
Facteur de qualit dinductances 3,5 et 5,5 tours sur Si faible rsistivit Cunderpas
Quality Factor
2.5
L
0
RL Rout Cout
-2.5
Cin
Rin
-5
10
100
Frequency (Ghz)
R augmente avec N, car la longueur totale du conducteur spirale augmente
36
Chapitre 2: filtres
Lignes planaires - Caractristiques du substrat

circuits hybrides: paisseur H=127 Qm 254 Qm 508 Qm 1.27 Qm alumine quartz teflon et PTFE
Ir = 9.8 tgH = 10-4 Ir = 3.78 tgH = 10-4 Ir = 2.2p10.8 tgH = 10-3
circuits intgrs (substrat semiconducteur) pertes substrat fonction de sa rsistivit (qui dpend du dopage) V = 1/W: paisseur H: Si AsGa InP 20 ;cm p 10000 ;cm 300 p 500 Qm
Ir = 11.7 Ir = 12.9 Ir = 13.1

37
tgH = Wj [Ir
Langle de perte dpend donc de la frquence

ELEC2700 - Hyperfrquences Chapitre 2: filtres
Influence du substrat Le facteur de qualit est influenc par les pertes du substrat
Cunderpas L Cin Rin RL Rout Cout
38
Chapitre 2: filtres
Application aux capteurs La rsonance est influence par la valeur de la capa Application aux capteurs ADN: dtection de la variation de fr
Process bio avant aprs avant 20 nm TiO2 aprs
Rsonance [GHz] 10,17
Dcalage
30 nm Al2O3
3,64=35% 6,53 10,39 4,31=41% 6,08
39
Chapitre 2: filtres
40
Chapitre 2: filtres
Exemples de filtres planaires passebas
passebande
Stopbande
41
Chapitre 2: filtres
42
Chapitre 2: filtres
Filtre DC-bloquant 1 2
-1 -2 -3 -4 dB -5 -6 -7 -8 -9 1 2 3 4 5 G Hz 6 7 8 S11 S12
Transfert total de 1 vers 2 pour L!P
Si L varie, fcentrale varie
L= 5 mm, 4 mm, 3.25 mm

43
Chapitre 2: filtres
Rsonateurs planaires - Filtre passe-bande

in Chaque paire de rsonateurs forme un circuit rsonant une frquence
out
f1 f2 f3
f2
passe-bande profil tchebycheff
nj
nj
nj
nj
nj
in
out
f1
f2
f3
f3
f2
f1
44
Chapitre 2: filtres
Filtre passe-bande
Filtre intgr ralis laide dlments discrets
45
Chapitre 2: filtres
46
Chapitre 2: filtres

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Inductances, capacits et filtres

Obstacles shunts dans les guides donde

a Ladmittance est donne par CL sur TEmo

B $  g a cotg 2 Td 2a 1  sec 2 Td 2a cotg 2 TD a P

Z P ! Z c tanh KL } jZ c FL ! j[Z c L / v ph ! j[L p

Inductance srie microruban

non valable haute frquence

Inductances localises en technologie coplanaire Inductance srie

court-circuit suivi dune faible longueur de ligne

Z L ! Z c tanh K ( L  (l ) } jZ c F ( L  (l ) ! j[Z c ( L  (l ) / v ph ! j[LP

Obstacles shunts dans les guides donde

E xh1n ! V1h C1n ? nT b cos Tx a sin nTy b A n

Capacit srie microruban

version chip ou intgre: capa MIM

Capacit MIM Metal-Insulator-Metal

Capacits localises en technologie coplanaire

Couplage par champ de bord Effet gap

Circuit ouvert suivi dune faible longueur de ligne

Inductance en technologie MEMS

Technologie UCL, source Prof. J.P. Raskin

MEMS= Micro-Electro-Mechanical Systems

Capacit variable en technologie MEMS

source Prof. J.P. Raskin

dphasage sur coplanaire induit par capacit

Capacit de dcouplage DC block

Circuit quivalent de deux lignes couples

Equations des tensions/courants

Equations de ligne de transmission pour deux lignes couples En frquentiel:

Circuit quivalent de deux lignes couples Dans le cas classique o on a

Chacune des deux lignes peut tre dcrite par

Configuration des champs dans les microrubans couples

0.2 0.1 6.0 4.0 1.0 50.0

Guides coplanaires coupls

pmahc euqirtcel riapmi edom riap edom

r CEP mode impair CMP champ lectrique champ magntique

Coupleur lignes parallles

accs direct: de 1 vers 3 accs coupl: de 1 vers 4

Transfert total de 1 vers 4 pour `Fe- Fo|=T/L

Coupleur lignes parallles

accs direct: de 1 vers 3 accs coupl: de 1 vers 4

Transfert total de 1 vers 4 pour L!P

Gnralisation 3 (n) lignes couples Circuit quivalent des 3 lignes couples

Modlisation de la spirale 1. Dcomposition de linductance en sections de lignes couples

2. Calcul des matrices Y et mise en cascade

Utilisation possible de plusieurs couches mtalliques + vias pour les spires

Validation du modle lignes couples

Rsonance: si f > fr, L devient capa

Influence du nombre de tours

Cunderpas RL Rout Cout

L augmente avec N, mais C aussi fr diminue

Influence du nombre de tours

R augmente avec N, car la longueur totale du conducteur spirale augmente

Lignes planaires - Caractristiques du substrat

Ir = 9.8 tgH = 10-4 Ir = 3.78 tgH = 10-4 Ir = 2.2p10.8 tgH = 10-3

Ir = 11.7 Ir = 12.9 Ir = 13.1

tgH = Wj [Ir

Langle de perte dpend donc de la frquence

Cunderpas L Cin Rin RL Rout Cout

Process bio avant aprs avant 20 nm TiO2 aprs

Rsonance [GHz] 10,17

3,64=35% 6,53 10,39 4,31=41% 6,08

Exemples de filtres planaires passebas

Transfert total de 1 vers 2 pour L!P

B $ g a cotg 2 Td 2a 1 sec 2 Td 2a cotg 2 TD a P

Z L ! Z c tanh K ( L (l ) } jZ c F ( L (l ) ! j[Z c ( L (l ) / v ph ! j[LP

E xh1n ! V1h C1n ?nT b cosTx a sin nTy b A n

Transfert total de 1 vers 4 pour L!P

tgH = Wj [Ir

Transfert total de 1 vers 2 pour L!P