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Structure MOS transistor MOSFET

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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

plan


Structure Mtal Oxyde Semi-conducteur  Diffrents rgimes:


   

Accumulation Dsertion Dpltion Faible inversion Forte inversion : tension de seuil de la structure

 

 

Capacit de la structure MOS Idale Structure MOS relle  Prsence de charge dans loxyde  Diffrence des travaux de sortie Transistor MOS-FET Inverseurs transistor MOS-FET  Inverseurs N-MOS  Inverseur C-MOS
2

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Structure Mtal Oxyde Semiconducteur

Figure 6.1

Capacit MOS

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Composants Actifs Structure MOS / MOS-FET Diagramme nergtique hors -quilibre

Eg JSC ! G SC   J fi 2e
3

Mise en quilibre de la structure

Vd ! JM  JSC

dV , E! , dx

d 2V V ( x) ! dx 2 I SC

Mtal
eG SC
e* M

SC
e* SC

Mtal

SC eVd

EF

EC EF EV

e* M

eG SC

e* SC

EF
dx

EC EF EV

Systme indpendant
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Systme lquilibre
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Les diffrents rgimes de fonctionnement : f(travaux de sortie)

(a) Accumulation (b) Flat band (c) Dsertion dpltion (d) Faible inversion (e) Forte inversion
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Les diffrents rgimes de fonctionnement : f(Vg)

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Champ, potentiel et charges dans le silicium On se place dans le cas dun semip: conducteur de type p

eJFi ! EF  EFi " 0

Attention: dans certains ouvrage, la dfinition est sans la valeur absolue !!!!

V ( x ! g) ! 0, V ( x ! 0) ! Vs, Vg
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Champ, potentiel et charges dans le silicium

quation de Poisson:
  V ( x ) ! e p ( x )  n( x )  N D ( x )  N A ( x )

A
eJ Fi ) p 0 ! ni exp( kT

p 0  n0 ! N  N

 A

 D

eJ Fi ) n0 ! ni exp( kT

eV ( x) e(V ( x)  JFi ) n( x) ! n0 exp( ) ! ni exp( ) kT kT

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e(V ( x)  JFi ) p ( x) ! ni exp( ) kT

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Champ, potentiel et charges dans le silicium


eV ( x ) eV ( x )  kT kT V ( x ) ! e n 0  p 0  p 0 e  n0 e

d 2V ( x ) e ! I SC dx 2

eV ( x ) eV ( x )   kT kT  1)  n 0 (e  1) p 0 (e

d 2V ( x) d dV ( x) d dV ( x) dV ( x) ! ! 2 dx dx dV dx dx dx

e dV ( x) dV ( x) d ! I SC dx Ph.Lorenzini dx

eV ( x ) eV ( x )   kT kT  1)  n0 (e  1) dV ( x) p 0 (e

Champ, potentiel et charges dans le silicium

on intgre cette quation depuis le volume ( bulk ) vers la surface


V(x= bulk )=0 et

dV ( x ) dx

!0
bulk

dV ( x )

e dx dV ( x ) dV ( x ) d ! dx I SC dx

V (x)

eV ( x ) eV ( x )   kT kT  1)  n0 (e  1) dV ( x) p 0 (e

Or le champ lectrique est donn par:


2kTp 0 dV ( x) 2 E ( x) ! ! I SC dx
2

dV ( x) E ( x) !  dx

eV ( x ) kT eV ( x) n0 eV ( x ) kT eV ( x)   1   1  e e kT kT p0

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Champ, potentiel et charges dans le silicium


dV ( x) kT 2 eV ( x ) kT eV ( x) n0 eV ( x ) kT eV ( x) 2 E ( x) !   1    1 ! 2 e e kT kT dx e LD p0
2 2

Avec la longueur de Debye:

I SC kT LD ! e 2 po

En utilisant le thorme de Gauss:

QSC ES !  I SC
1 2

Q SC

n 0 eVS kT eV S kT I SC 2 eVS kT eV S  1    1 ! s e e kT p0 kT e LD
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! Q mtal
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Champ, potentiel et charges dans le silicium


Q SC kT I SC 2  ! s e e LD
eVS kT

eV S n0  1 e kT p0

eV S

kT

eV S   1 kT

! Q mtal

Pour Vs (donc Vg) ngatif (accumulation) Pour Vs (donc Vg) positif mais infrieur 2*fi (dpltion faible inversion) Pour Vs (donc Vg) > 2*fi (forte inversion)
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Seuil de forte inversion Critre pour le seuil de forte inversion:

ns=p0=NA

VS ! 2J Fi
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2kT N A ! ln n e i
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Mesure de la capacit de la structure MOS idale


VG [P MOS

+
V(t)

t i b
V(t)=sin([mt)

vref

t
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Dtection synchrone ( lock in amplifier )


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Mesure de la capacit de la structure MOS idale Lorsque lon applique une tension Vg sur la grille, celle ci se rpartie entre loxyde et le SC:
 QSC V g ! Vox  VS !  VS C ox

M O Vg
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Loxyde et le SC se comporte comme des capacits


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Vox

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET SC

Mesure de la capacit de la structure MOS idale




Capacit doxyde:

I ox Cox ! en F/cm 2 d ox


Elle sexprime galement par :

QM dQM Cox ! ! (VG  VS ) d (VG  VS )


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Mesure de la capacit de la structure MOS idale




Capacit du semi-conducteur semi-

H (charge dans le SC) d ( QSC ) d (QM ) CSC ! ! ! H (polarisation du SC) dVS dVS

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Mesure de la capacit de la structure MOS idale

Capacit globale de la structure:

CMOS


dQSC dQM ! ! dVG dVG

Soit encore en combinant les 3 expressions:

1 CMOS
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1 1 !  soit 2 capacits en srie Cox CSC


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Mesure de la capacit de la structure MOS idale




La charge dans le SC dpend du rgime de fonctionnement 2 types de charges, fixes et mobiles:

QSC ! porteurs libres  charge fixes ! QS  Qdep




Soit encore:
dQdep   scsc  dQ  dQdQsc (dQS  dQdep ) S CSC ! ! CSC ! ! !  ! CS Cdep CSC dVS dVdVS dVdVS dVS S S

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Mesure de la capacit de la structure MOS idale




Soit en rsum : la capacit MOS est la mise en srie de 2 capacits, dont lune variable est la mise en // des capacits image du SC:

Cox Csc
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Cox Cs Cdep
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Mesure de la capacit de la structure MOS idale

Conclusion la capacit de la structure Conclusion: complte est fonction au travers de CSC du rgime de fonctionnement ,ie de la polarisation VG.

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Capacit de la structure MOS idale




Rgime daccumulation: VS<0 ie VG<0 daccumulation

2kT 1 2kT 2kT e 1 I Q 1 } 0 ! 1  1 e1  " e 1 ! CMOSeL Cox V VgV VS $ C  C C 


SC  eVS 2 kT SC D
MOS ox g S

ox


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e  dQSC e Cox Vg  VS QSC ! CSC ! ! dVs 2kT 2 en kT=26 meV, VS:0,3 V 0,4 VkT acc, ds
que VG>-1 2 V, CMOS = Cox
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Capacit de la structure MOS idale Rgime de bandes plates: VS =0 V ie VG=0 V plates (Attention : ici structure idale !!!!!)


Calcul analytique analytique:

I SC C SC ( fb) ! LD

I ox I ox CMOS ( fb) ! ! I ox d ox  LD d ox  I ox kT I SC I SC I SC e eN A
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Capacit de la structure MOS idale




Rgime de dpltion et de faible inversion inversion: (Attention : ici structure idale !!!!!)

0 VS

2J Fi
1 2

Cox1 2I SC kT I ox S eV CMOS (dpltion) ! ! QSC !  I ! ?2eN AI SCVS A2 ! Qdep 2 eLD  ox W kT 1  (2CoxVg / I SC eN A ) d


ox

I SC

dep

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dQSC eN AI SC I SC ! CSC !  2V ! W dVS S dep


2

24

Capacit de la structure MOS idale


accumulation dep

???

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Capacit de la structure MOS idale




Rgime de forte inversion inversion: (Attention : ici structure idale !!!!!)


Quel est le mcanisme de formation de cette couche dinversion ?

SC type p: on doit crer des lectrons linterface oxyde SC. Do proviennent-ils?  Mtal : NON il y a loxyde  SC (rgion neutre) : NON ce sont des minoritaires +ZCE

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Seule solution : gnration thermique ou optique


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Capacit de la structure MOS idale




Rgime de forte inversion: inversion (Attention : ici structure idale !!!!!)




O se passe la gnration ?


Dans la ZCE + vacuation des charges par le champ lectrique Dans la zone neutre du SC

Cest le premier phnomne qui domine, mais il est lent .


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Capacit de la structure MOS idale

Rgime de forte inversion inversion: (Attention : ici structure idale !!!!!)




Calcul du temps de cration de la couche dinversion:

ni g th ! 2X m

La limite de forte inversion : nS = NA

g thX S ! N A
En fait :

NA XS ! 2 Xm ni
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NA X S ! 1 - 10 Xm ni

Capacit de la structure MOS idale

Lors de la mesure de C(V), le rsultat dpend si oui ou non on laisse le temps cette couche de se former et dvoluer:  si oui, on la mesure  si non, cest la couche de dpltion qui assure la neutralit par augmentation de sa largeur.

Tout dpend de la frquence de mesure


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Capacit de la structure MOS idale: forte inversion

3 cas :
Basse frquence + Rampe lente de Vg Haute frquence + Rampe lente de Vg Haute frquence + Rampe rapide de Vg

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Capacit de la structure MOS idale: forte inversion




Capacit minimum (HF):


BF

Wmax

2I sc 4I sc kT ! 2J Fi ! ln( N A / ni ) 2 eN A e NA
HF

1 1 4kT ln( N A / ni ) !  Cmin Cox I sc e 2 N A


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Capacit de la structure MOS idale: forte inversion Gate-Controlled Diode




Dans cette configuration, si Vg > VT, mme en HF, la couche dinversion suit la modulation de grille car rservoir par limplantation n.

Vg
n+ n ou p C(V), I(V) p

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Technique de caractrisation pour les proprits dinterface (mobilit du canal, )

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Structure MOS : cas rel




2 facteurs modifient le modle idal de la capacit MOS.




Prsence de charges dans loxyde ou linterface Oxyde SC. Diffrence des travaux de sortie Mtal et SC

Influence sur la tension de seuil VT de la structure.


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MOS rel : charges dans loxyde




Rpartition des charges dans loxyde:


   

K+ Na+
----++++

Charges ioniques mobiles Charges piges dans loxyde Charges fixes dans loxyde Charges piges linterface SiSiO2

Ioniques mobiles piges

SiO2

+++++

SiOx Si

x x x x

En fonction de leur position dans loxyde, ces charges auront une influence plus ou moins grande sur la population lectronique sous la grille.
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MOS rel : charges dans loxyde




Effet dune charge pelliculaire dans loxyde sur le potentiel de surface:


V(x)

Vg=0V

Q
Oxyde 0 Si
x

Mtal

La charge dans loxyde est compense par une charge dans le mtal et le SC.

x1 Q

Vg=Vfb

V(x)

dox
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Si Vg=Vfb, par dfinition la charge dans le SC est nulle. Seul le mtal fait le travail pour compenser la charge dans loxyde.
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-Q

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MOS rel : charges dans loxyde


partir du thorme de Gauss:
E ( x) !  Qox I ox
: Champ induit dans loxyde

E x1
 Q / I ox

xQox x Qox HV g !  ! I ox d ox C ox

: tension induite par ce champ et supporte par la grille

Si la rpartition est non uniforme:

V ( x,VS ) ! V ( x)  Qit (VS )H ( x  d ox )

(Vg ! V fb !  0
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d ox

xV ( x,VS )dx 1 ! Cox I ox

d ox

xV ( x)dx  Qit (VS )dox d ox


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MOS rel : charges dans loxyde

Linfluence est maximum lorsque les charges sont situes et linterface Oxyde SC, ie Qox=QSS (et nulle si ct mtal !!! )

x ! d ox

Qss HVg !  Cox

En gnral, pour simplifier lcriture, on introduit une charge quivalente doxyde Qox (VS ) par unit de surface:

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Qox (VS ) (Vg (VS ) !  ! VFB Cox


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MOS rel : charges dans loxyde

Ces charges dans loxyde et linterface oxyde SC modifient la capacit totale de la structure. On montre que la capacit associe est en parallle avec la capacit du silicium (SC):

1 CMOS
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1 1 !  COX CSC  Cit


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MOS rel


Diffrence des travaux de sortie Mtal et SC.




Mme si Vg = 0 V, la structure nest pas en bandes plates.

eGM

Zone dplte

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La tension appliquer pour se ramener en bandes Composants Actifs Structure MOS / plates est VFB = JM -JS = JMSMOS-FET

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MOS rel


Diffrence des travaux de sortie Mtal et SC.




Exemple: grille en polysilicium n+ sur structure p-MOS

J poly ! eG silicium
n

JSC ! G Silicium

Eg   J fi 2e

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poly MS

!

Eg 2e

 J fi ! 0.56 

kT N ln( a ) e ni

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MOS rel

Tension de bandes plates globale ( effets de JMS et charges dans loxyde)

VFB ! JMS

Qox  Cox

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Att! Cest la tension appliquer sur la grille pour amener la structure en situation de bandes plates. Actifs - Structure MOS / MOS-FET Composants

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Tension de seuil de la structure MOS




Paramtre essentiel pour le fonctionnement du MOS-FET Plusieurs dfinitions (mme rsultat !):
  

nS = NA Vs = 2 Jfi

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Tension de seuil de la structure MOS

Cest la tension appliquer sur la grille pour amener la structure en limite de forte inversion.

VT ! V g (VS ! 2* Fi ) !

4I SC eN A * Fi C OX

 2* Fi  VFB

(On suppose ici que le substrat (le silicium) nest pas polaris !!)
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Tension de seuil de la structure MOS




Effet substrat ( body effect )




En gnral les dispositifs MOS sont raliss sur un substrat commun la tension substrat est gale pour tous Dans certains montages larrangement des portes entre elles entrane des tensions source substrat non nulles qui vont modifier le VT . On introduit un coefficient qui rend compte de cet effet : K

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Tension de seuil de la structure MOS




Effet substrat ( Body effect )




Si Vsb=0, la condition dinversion est donne par Vs=2*Fi Si on applique VSB , cette tension de surface Vs est augmente de VSB et la largeur de la ZCE dans ces conditions est donne par:

W (VSB ) !
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2I sc (2* Fi  VSB ) eN a
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Tension de seuil de la structure MOS




Cette augmentation de la ZCE (pour absorber lexcdent de tension VSB ) entrane une charge supplmentaire

(Q ! eN aW (VSB )  eN aWmax !  2eN a [ 2* Fi  VSB  2* Fi ]




Soit une sensibilit dVT/dVSB et une variation de VT:


I eN / 2(2* Fi  VSB ) 1 dQ dVT (Q ! ! sc a et (VT !  dVSB Cox dVSB Cox Cox

On rcrit alors VT:

VT ! VT 0  K
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2*

Fi

 VSB  2* Fi

avec

K !

2eN AI SC C ox
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Tension de seuil de la structure MOS

1,8 1,6

Na = 1E16 cm-3 Na = 3E15 cm-3


d ox ! 200 A VFB ! 0V
r

Tension de seuil VT (V)

1,4 1,2 1,0 0,8 0 2 4 6

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tension de polarisation du substrat VSB (V)

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Pour assurer une drive positive de la tension de seuil, il faut appliquer une tension source-substrat inverse sourceComposants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

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Tension de seuil de la structure MOS




Effet de la temprature:  Modification du gap

Modification de *FI Dans le cas de structure avec grille poly-silicium n+:




dVT k N C NV ! (2m  1) ln dT e Na

3 m  1 dE g  e dT 2

m=1.1

Valeur typique : dVT

dT

} 1mV / K

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augmentation du courant ltat bloqu dun Composants Actifs - Structure MOS 25C facteur 30 50 fois entre/ MOS-FET et 100C. 25 100

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Le transistor MOSFET
Fonctionnement

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tapes technologiques (succint)

tape dpt de de poly mtal2(mtaldpots tape ::::dpt dududesdu saufpour implantation tape :vaporation source et ncessaire etching tape gravure Polysilicium pour ouvertureduloxydenon fentres tape implantation mtalSiO drain de grille) gravure lisolant grille contacts ohmiques Source et Drain source et drain
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Le transistor MOS-FET

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Principe de fonctionnement: rgime linaire

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Principe de fonctionnement: limite de saturation

pincement

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Principe de fonctionnement: transistor satur

La longueur effective du canal diminue de L L


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Calcul du courant de drain


  

L, longueur du canal (suivant y) W, largeur du canal (suivant z) V, tension dans le canal (dpend de y)
 

V(y=0) = V(source) = Vs = 0 V V(y=L) = V (drain) = Vds

 

Vg, tension applique sur la grille -VBS, tension sur le substrat


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Schma simplifi du MOS (Taur)

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Approximation de la charge surfacique

Calcul analytique:
  

Charge dinversion surfacique (xi=0) Pas de potentiel Pas de courbure

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Approximation de la charge surfacique

1 tape: calcul de la charge dinversion en fonction de Vg


Qdep ! eN AWM !  2eN AI SCVS ( y ) !  2eN AI SC ( 2* Fi  V ( y ) )

Qsc ( y ) ! Qmtal ( y ) ! C ox (V g  V FB  VS ( y )) ! C ox (V g  V FB  2* Fi  V ( y ))

Qinv ! Qsc  Qdep ! C ox (V g  VFB  2* Fi  V ( y ))  2eN AI SC (2* Fi  V ( y ) )


1 2

nS ( y ) !

Qinv e

Qsc e

Qdep e

C ox (V g  VFB  2* Fi  V ( y )) e
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2 N AI SC (2* Fi  V ( y ))  e
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Approximation de la charge surfacique

Le courant est donn par la loi dohm:

IDS = densit de charge mobilit X champ lectrique X largeur de grille

I DS

 dV ! Qinv Q n W dy

I Ds dy ! Qinv Q n dVW

Il suffit alors dintgrer de y = 0 y = L, soit

I DS dy ! Q nW
0
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VDS

 Qinv dV
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Approximation de la charge surfacique


Soit finalement:

I DS

VDS W ! Q n Cox (Vg  VFB  2* Fi  )VDS L 2 3 3 2 2I sc eN A 2 2  (2* Fi  VDS )  (2* Fi ) Cox 3


!! Cox est une capacit par unit de surface !!

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Les diffrents rgimes de fonctionnement


On peut distinguer deux rgimes en fonction de la tension de polarisation de grille Vg : le rgime linaire ou triode qui correspond une augmentation linaire du courant avec VDS puis un un rgime sous linaire jusqu atteindre une valeur de saturation do le nom de rgime satur .

Attention: ces dnominations ne peuvent pas tre rapproches de celles du bipolaire!


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Rgime linaire ou triode


Dans le cas o Vds est petite (Vds<< 2*Fi), on peut ngliger le terme quadratique en Vds et faire un dveloppement en srie du terme (1+Vds/2*Fi)^3/2 qui apparat. On obtient:

4I sceN A* Fi W W I DS ! Q nCox (VGS  V fb  2* Fi  )VDS ! Q nCox (VGS  VT )VDS L Cox L


On rappelle que VT est la tension de seuil du transistor.

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Rgime linaire ou triode

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Rgime linaire ou triode

Dans le cas o le terme quadratique ne peut plus tre nglig, lquation ( qui est alors valable tant que le transistor nest pas satur) donnant le courant scrit: satur

I DS

W ! Q n C ox L

m 2 (V gs  VT )VDS  2 VDS
C dm 3d ox !1 ! 1 C ox Wm

avec

m ! 1

I sc eN A / 4* Fi C ox

Cdm est la capacit de dpltion dans le Si en limite de forte inversion. inversion


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Rgime satur

Lquation prcdente est une parabole. Le courant Ids augmente donc en fonction de Vds pour atteindre un maximum qui donne Vdsat. (V gs  VT ) V D ! V Dsat ! m
(Vdsat, Idsat ) Vg4

Courant de Drain

I DS ! I Dsat
Vg3

2 W (V gs  VT ) ! Q n C ox L 2m

Vg2 Vg1

En se rapprochant de la ralit (oxyde mince et dopage faible), on a m=1 et :


VDS

I DS ! I Dsat ! Q n C ox
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W (V gs  VT ) 2 2L
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Rgime satur


En ne faisant pas les approximations (DL et autres ), les expressions compltes de Vdsat et Idsat sont donnes par:
V Dsat ! V gs  V FB 2I sc eN A I sc eN A I sc eN A (V gs  V FB  )  2* Fi   2 2 2 2C ox C ox C ox

I dsat

1 4 (eN AI sc * Fi ) 2 W ! n ) Cox (VDsat  2* Fi )(VDsat  2* Fi  2Vgs  2VFB )  12* Fi (Vgs  VFb  * Fi  6L 3 Cox

En supposant Cox grand (oxyde mince) et dopage faible, lexpression de la tension de seuil peut se rduire VT } 2J Fi  VFB et encore Vdsat ! Vgs  VT } Vgs  2JFi  VFB
V Dsat } V gs  VT I Dsat } n
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W W 2 C ox (V gs  VT ) 2 ! n C oxVDsat 2L 2L Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

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Cas du p-MOS
 

Toutes les polarits doivent tre inverses. Un courant de trous circule de la source vers le drain. La source est un potentiel plus lev que les autres contacts.

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Caractristique sous le seuil rgime faible inversion




Trois rgimes de fonctionnement:  Linaire  Satur  Bloqu (si Vg < VT pour nMOS) Le passage bloqu - linaire ou OFF-ON nest pas brutal  Rgime de faible inversion pour *fi <Vs <2*Fi  Comportement sous le seuil important:
  

Application basse tension Application faible puissance (low power) Circuits mmoires et logique
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Caractristique sous le seuil rgime faible inversion


Conduction sous le seuil domin par courant de diffusion. On montre que le courant, dans ce rgime, peut se mettre sous la forme:
W kT e (Vg VT ) / mkT ! C ox (m  1) (1  e eVDS / kT ) e L e
2

 

I DS


Ds que Vds > qq kT, Ids ne dpend plus de la tension Vds


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Caractristique sous le seuil rgime faible inversion


Pente sous le seuil:
d (log10 I ds ) Cdm mkT kT ! 2.3 S ! ! 2.3 (1  ) dVG e e Cox

1

Typiquement 70 100 meV/decade Plus la pente est leve plus il est facile de commuter rapidement
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Effet substrat et temprature sur la tension de seuil du transistor




Effet substrat ou body effect :




La connexion du substrat (composant 4 pattes!) est largement utilise dans les applications mmoires et numriques Cette polarisation Vsb entrane un dcalage de VT

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Effet substrat sur la tension de seuil du transistor


Vg

Vds
Drain n+

Source n+

VSB Vg-VSB Vds-VSB


Source n+ Drain n+

-VSB

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Tension de seuil de la structure MOS




Effet substrat ( Body effect )




Si Vsb=0, la condition dinversion est donne par Vs=2*Fi Si on applique VSB , cette tension de surface Vs est augmente de VSB et la largeur de la ZCE dans ces conditions est donne par:

W (VSB ) !
Ph.Lorenzini

2I sc (2* Fi  VSB ) eN a
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 75

Tension de seuil de la structure MOS




Cette augmentation de la ZCE (pour absorber lexcdent de tension VSB ) entrane une charge supplmentaire

(Q ! eN aW (VSB )  eN aWmax !  2eN a [ 2* Fi  VSB  2* Fi ]




Soit une sensibilit dVT/dVSB et une variation de VT:


I eN / 2(2* Fi  VSB ) 1 dQ dVT (Q ! ! sc a et (VT !  dVSB Cox dVSB Cox Cox

On rcrit alors VT:

VT ! VT 0  K
Ph.Lorenzini

2*

Fi

 VSB  2* Fi

avec

K !

2eN AI SC C ox
76

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

Tension de seuil de la structure MOS

1,8 1,6

Na = 1E16 cm-3 Na = 3E15 cm-3


d ox ! 200 A VFB ! 0V
r

Tension de seuil VT (V)

1,4 1,2 1,0 0,8 0 2 4 6

10

tension de polarisation du substrat VSB (V)

Ph.Lorenzini

Pour assurer une drive positive de la tension de seuil, il faut appliquer une tension source-substrat inverse sourceComposants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

77

Effet substrat sur la tension de seuil du transistor


Le courant se calcule de la mme faon que prcdemment et lexpression dans la rgion linaire est identique condition de remplacer VT par:

VT ! V fb  2JFi  K 2J Fi  VSB VT ! VT 0  K

avec

? 2J

Fi

 VSB  2JFi

VT 0 ! V fb  2JFi  K 2JFi

!! Dans un pMOS, remplacer les + par des - !!

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

78

Effet substrat sur la tension de seuil du transistor

Conclusion: Une drive positive de la tension de seuil dans le cas dun n-MOS sera obtenue par une polarisation nVSB > 0.

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

79

Tension de seuil de la structure MOS




Effet de la temprature:  Modification du gap

Modification de *FI Dans le cas de structure avec grille poly-silicium n+:




dVT k N C NV ! (2m  1) ln dT e Na

3 m  1 dE g  e dT 2

m=1.1

Valeur typique : dVT

dT

} 1mV / K

Ph.Lorenzini

augmentation du courant ltat bloqu dun Composants Actifs - Structure MOS 25C facteur 30 50 fois entre/ MOS-FET et 100C. 25 100

80

Effet de la temprature sur la tension de seuil du transistor




La temprature influe sur VT par 2 voies:


 

La valeur du gap La valeur de JFi


3 m  1 dE g   2 e dT

dVT k N C NV ! (2m  1) ln dT e Na


Valeurs typiques:


pour le Si:

dVT

dT

} 1mV / K

Cela induit une variation du courant sous le seuil (30 50 fois entre 25C et 100C )
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 81

Ph.Lorenzini

Effets parasites sur les MOS-FETs rels




MOSFETs canal long:




Variation de la mobilit dans le canal

MOSFETs canal court:


   

Rduction de la tension de seuil Rgime de saturation de la vitesse des porteurs Modulation de la longueur du canal Claquage du transistor

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

82

Variation de la mobilit: 2 processus


a) Laugmentation de Vgs creuse le puits les porteurs se collent linterface o les dfauts (cristallins, impurets, sont plus nombreux processus de diffusion augmentent mobilit chute. b) vitesse de saturation )

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

83

Variation de la mobilit: 2 processus




Si VDS > EC.L

le courant sature une valeur donne par :

I Dsat ! WC ox (V g  VT )v sat
EC } 1  2.10 4V / cm


v sat } 10 7 cm / s

Dans le cas o lon tient compte des deux effets, la mobilit est donne par:

n (eff ) !

0 E 1  U (Vgs  VT )  EC
Effet de la saturation de la vitesse
84

Effet du champ transversal


Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

Rduction de la tension de seuil: effet canal court (Kang et al)




Origine: Origine surestimation de la rgion dplte sous la grille surestimation de la charge surestimation de la tension de seuil Dautant plus important que le rapport xj/L est grand MOSFET canal court

VT 0 (canal court ) ! VT 0  (VT 0


85

Rduction de la tension de seuil: effet canal court (Kang et al)


2I Si xdS ! Vbi eN A 2I Si xdD ! (Vbi  VDS ) eN A

2 xdS (LS $ x j . 1   1 xj x j 1 2 xdS 2 xdD  1 (VT 0 ! 4eI Si N AJ Fi  1  1  1  Cox 2 L xj xj


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 86

Rduction de la tension de seuil (canal court) (Kang et al)

0,9

VT0


Ten sio n de seu il ( V )

0,8 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0 1 2 3 4 5 6 Tension de seuil sans polarisation de drain

La tension de seuil est fonction:  Longueur du canal  Tension de polarisation Vds au travers de xdD

longueur du canal ( m)
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 87

Modulation de la longueur du canal

Lorsque le pincement (saturation) est atteint, la longueur effective du canal diminue.

L ID ! I Dsat L  (L(VDS )

(L 1 } 1  PV DS L

si PVDS
Ph.Lorenzini

n C ox W I D ( sat ) ! (VGS  VT ) 2 (1  PV DS ) 2 L
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 88

Claquage du transistor


2 effets:


Claquage par perage ( punchthrough ):


 

ZCE S-Subs et D-Subs se rejoignent lorsque Vds augmente Injection directe des lectrons de S vers D pas de saturation de courant Acclration des lectrons dans le canal Ionisation par impact Trous crs collects par le substrat Polarisation de substrat et chute tension de seuil Augmentation du courant Dgts irrmdiables (dgradation de loxyde)
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 89

Claquage par ionisation effets des lectrons chauds:


     

Ph.Lorenzini

Claquage du transistor

Claquage par ionisation (Taur)


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 90

Capacits associes au MOSFET

Connaissance ncessaire pour examiner le comportement AC du composant Plusieurs origines:




Capacits lies loxyde de grille  Capacit de recouvrement CGS et CGD  Capacit source-substrat, drain-substrat ( )  Capacit grille-substrat ( ) Capacits des jonctions source substrat et drain substrat ( )

Dpendent du rgime de fonctionnement


Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 91

Ph.Lorenzini

Capacits associes au MOSFET

Modle quivalent (sans les capacits de recouvrement)

Modle quivalent (avec les capacits de recouvrement (overlay))

Cgb

Cgd G Cgs

MOSFET intrinsque (DC)

Cdb B Csb
Cd
b

S
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 92

Capacits associes au MOSFET




Capacit de recouvrement:


Soit LD, la longueur de recouvrement


L=LM - 2.LD
LD (n+)

gate (n+) LD

CGS ! Cox .W .LD CGD ! Cox .W .LD I ox Cox ! d ox

LM
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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

93

Capacits grille - canal




Rgime bloqu bloqu:

Cgs = Cgd = 0 Cgb = CoxWL




Rgime linaire

canal

1 C gs $ C gd $ CoxWL 2 C gb ! 0 (canal crante le substrat)




Rgime satur

canal
Ph.Lorenzini

2 C gs $ CoxWL, C gd ! 0 3 C gb ! 0 (canal crante le substrat)


Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 94

Capacits doxyde: rsum


Capacit Cgb(total) Cgd(total) Cgs(total) Bloqu CoxWL CoxWLD CoxWLD Linaire 0 satur 0

1 CoxWLD CoxWL  CoxWLD 2 2 1 CoxWL  CoxWLD CoxWL  CoxWLD 3 2

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

95

Caractristiques dynamiques (1)




Conductance:
2I sc N a W ! n Cox Vgs  VFB  2* Fi  VDS  VDS  2* Fi L Cox

xI D gD ! xVD


V g ! cte

Linaire

g Dlin


nW ! C ox (V gs  VT ) L

Satur

gD } 0
sat
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 96

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Caractristiques dynamiques (2)




transconductance:lie la vitesse du dispositif




Linaire
g mlin nW ! C oxVDS L

Satur ( active rgion )

g msat
Ph.Lorenzini

nW W 2 I Dsat ! Cox (Vgs  VT ) ! 2 nCox I Dsat ! L L (Vgs  VT )


Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 97

Caractristiques HF


Frquence de coupure gain en courant=1


I in ! j[C GS V g  j[C GD (VG  V D )
VD  g mVg  j[CGD (VD  VG ) ! 0 RL 1  g m RL I in ! j[ CGS  CGD 1  j[R C VG L GD

Si on nglige j[RLCgd (petit)


I in ! j[ C GS  C GD (1  g m RL ) G V I in ! j[ C GS  C M G V
Ph.Lorenzini

M Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

C : capacit Miller

98

Caractristiques HF
I out ! I D ! g mVgs
gm fT ! 2T (C GS  C M )
Si CM = 0 frquence de coupure max:

I in ! I out

f T max

n (VG  VT ) ou (si canal court et/ou vsat ) ! 2TL2


Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

fT max

vs ! 2TL
99

Ph.Lorenzini

Caractristiques HF: foscmax




Autre facteur de mrite: gain en puissance unitaire frquence doscillation max

f max

fT } 4 Rg ( g d  [T C gd )

Rg: rsistance de grille Rs : ngligeable Ref: (Tsividis)


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 100

Inverseurs transistors MOS


Les diffrents montages

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

101

Inverseur idal : dfinition


  

Tension dentre: Vin Tension de sortie: Vout Tension de seuil dinversion:Vth=VDD/2 Niveau logique 1 :


Passage le plus abrupt possible

VDD<V<Vth Vth<V<0

Niveau logique 0 :


Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

102

Inverseur: circuit gnrique


 

Charge: passive ou active (MOS) pilote , driver ou commande Cload :capacit quivalente de ltage suivant Tension dentre : Vin=Vgs Tension de sortie: Vout=Vds

I DS (Vin , Vout ) ! I L (VL )

 

En statique, pas de courant dentre ni de sortie


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 103

Inverseur: caractristique de transfert




En rsolvant numriquement IDS ( Vin ,Vout )=IL( VL ) on obtient la caractristique de transfert : Vout = f ( Vin ) Tensions caractristiques:  VIL : tension dentre maximale qui


 

peut tre interprte comme un 0 VIH : tension dentre minimale qui peut tre interprte comme un 1 VOL : tension minimale de sortie lorsque la sortie est au niveau bas VOH : tension maximale de sortie lorsque la sortie est au niveau haut
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 104

Ph.Lorenzini

Inverseurs: marges de bruit ( noise margins )

Les interconnexions, le bruit des portes peuvent rajouter des tensions parasites fautes logiques. On introduit, pour quantifier limmunit au bruit la notion de marges de bruit.

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

105

Inverseurs: marges de bruit ( noise margins )

NM H ! VOH  V IH NM L ! V IL  VOL

Zone rduire VIL=VIH se rapprocher de la forme idale un chelon.


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 106

Inverseurs charge rsistive


Vin=VGS


Vin= 1 : n-MOS conducteur le drain est mis la masse Vout = 0 Vin= 0 : n-MOS bloqu circuit ouvert IL = IDS = 0 Vout= VDD= 1

RL

CL n-MOS enrichissement

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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

107

Inverseurs charge passive (rsistive) : caractristique de transfert


10 RL=36 k; RL=50 k; 8

6 V out

0 -4

-3

-2

-1

Vin

VDD  Vout ID ! RL
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 108

Inverseur charge passive :


VOH ! VDD VOL ! VDD  VTn  VIL ! VTn  VIH ! VTn  1 kn RL 8 VDD 1  3 kn RL kn RL 1 1 2 2VDD )   (VDD  VTn  kn RL kn RL kn RL

( faire ! )
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 109

Inverseur charge active sature


N-MOS connect en rsistance: Ici VGS = VDS , donc VGS -VT < VDS transistor satur

Ligne de charge

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

110

Inverseur charge active sature


VGS

Les points reprsentatifs de la ligne de charge sont donns par : VGS = VDS Le transistor de charge est quivalent une rsistance non linaire.
VDS
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 111

Inverseur charge active sature


La rsistance de charge remplace par un nMOS
+ VDD + VDD + VDD

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

112

Inverseur charge active sature


ID2, A

charge

VDS1=VDD - VDS2 = 6 - VDS2 Pilote

75

VDS2
4 75

VDS1 = 6 4 = 2 V ID2 = 75 A = ID1 Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET2 Ph.Lorenzini

113

Inverseur charge active sature


(daprs Grabel)

B A

NMH = VOH -VIH = -0.2 V <0 En jouant sur W/L, on peut amliorer la caractristique.
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 114

Inverseur charge active non sature


Transistor de charge non sature: VGS,load VT,load >VDS,load (1) VGS,load VDS,load = VGG VDD (1) OK VGG VDD >VT,load la charge tjs non sature

Inconvnient : 2 alimentations !!
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 115

Inverseur charge active non sature


VGG = +9V VDD = +6V

T2

VDS1

T1
VGS1

VGS2 - VDS2 =VGG VDD = 3V VDS2 = VGS2 3V


Ph.Lorenzini

Rsistance de charge
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 116

Inverseur charge active non sature

VDS1 = 6 VDS2
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 117

Inverseur nMOS charge dpltion


VDD = +6V

Pilote : enrichissement VT,pilote >0 Charge : dpltion VT,load <0 VGS,load =0 >VT,load VSB,load = VDS,pilote = Vout
Ph.Lorenzini

VT,load sujet leffet substrat

VT ,load (Vout ) ! VT 0  K

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

2*

Fi

 Vout  2* Fi

118

Inverseur nMOS charge dpltion


VDS2 = 0 V, IDS2 = 0 A

VDS1 = 6 0 = 6 V VDS2 = 3 V, IDS2 = 22 A

VDS1 = 6 3 = 3 V
119

Inverseur nMOS charge dpltion

VOH ! VDD VOL ! VOH  VTO ,driver  (VOH


2 kload  VTO ,driver )  VT ,load (VOL ) k driver 2

kload VIL ! VT ,driver  Vout  VDD  VT ,load (Vout ) k driver

VIH

dVT ,load kload ! VT ,driver  2Vout   VT ,load (Vout ) k driver dVout

( faire ! )
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 120

Inverseur nMOS charge dpltion: consommation en DC.




Vin = 0 et Vout = VOH le pilote est bloqu et I=0. Pas de consommation Vin= VDD et Vout = VOL les 2 transistors conduisent consommation

I DC (Vin ! V DD ) ! I load ( sat ) ! I driver (lin)


50% au niveau 1

PDC

VDD k load 2 ? VT ,load (VOL )A ! 2 2


Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

Rdhibitoire !!
121

Ph.Lorenzini

Inverseur C-MOS


Technologie transistors MOS complmentaires nMOS et pMOS. En fonction de ltat de linverseur( 0 ou 1 ), les rles de pilote et de charge sont inverss. Principal avantage : la consommation

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

122

Inverseur C-MOS

S D D S

VGS,p VDS,p VGS,n VDS,n

-(VDD Vin) -(VDD Vout) Vin Vout


123

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

Inverseur C-MOS

La complexit de la structure est largement compense par le gain en performance.

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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

124

Inverseur C-MOS
 

Att! VTn > 0 et VTp < 0 1 cas: Vin < VTn


 

VGS,n < VTn VGS,p < VTp

nMOS bloqu pMOS conduit

le courant est nul Vout = VDD = VOH

2 cas: Vin > VDD + VTp


 

VGS,n > VTn VGS,p > VTp

nMOS conduit pMOS bloqu

le courant est nul Vout = VOL ! 0

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

125

Inverseur C-MOS
Rgion A B C D E Vin < VTn VIL Vth VIH > (VDD + VT,p ) Vout VOH 1 }VOH Vth 0 }VOL VOL nMOS Bloqu Satur Satur Linaire Linaire pMOS linaire linaire Satur Satur bloqu

Zone de consommation en commutation


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 126

Inverseur C-MOS

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

127

Inverseur C-MOS
VOH ! VDD VOL ! 0 VIL ! VIH ! 2Vout  VT , p  VDD  k RVT , n 1  kR VDD  VT , p  k R .(2Vout  VT , n ) 1  kR 1 (VDD  VT , p ) kr (1  kn kR ! kp Ph.Lorenzini 1 ) kr
( faire) !

VT , n  Vth !

W k ! Cox L Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

128

Inverseur C-MOS en commutation




Effets des interconnections


Cint reprsente les effets des connections entre les 2 portes

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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

129

Inverseur C-MOS en commutation

Pour simplifier ltude, les capacits de ltage suivant sont ramenes une capacit quivalente Cload Ltude des transitoires se rsume alors la charge et dcharge de cette capacit.
Cload

Cload ! C gd ,n  C gd , p  Cdb , n  Cdb , p  Cint  C g


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 130

Inverseur C-MOS en commutation : temps de retard, temps de monte et de descente




Temps de retard ou de propagation:

XPLH : temps de propagation du


niveau bas au niveau haut. XPHL : temps de propagation du niveau haut au niveau bas. Temps de propagation du signal travers linverseur:

X PHL  X PLH XP ! 2
Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 131

Inverseur C-MOS en commutation : temps de retard, temps de monte et de descente




Temps de monte et de descente:


VOH

V10% ! VOL  0.1(VO H  VOL ) V90% ! VOL  0.9(VOH  VO L ) X fall ! t B  t A X rise ! t D  tC


Ph.Lorenzini Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 132

VOL

Inverseur C-MOS en commutation:


Calcul du temps de retard ou propagation:

Cload

dVout ! iC ! iD , p  iD ,n dt

Calcul du temps de descente:


Vin passe de VOL VOH nMOS passant et dcharge Cload pMOS est bloqu ID,p }0

Cload
Ph.Lorenzini

dVout ! iD ,n dt
Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET 133

Inverseur C-MOS en commutation:

Attention : en cours de commutation, le rgime de fonctionnement des MOS change !! Dans notre cas, il faudra calculer 2 temps

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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

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Inverseur C-MOS en commutation:




On obtient finalement ( faire !)

X PHL

2VT ,n 4(VOH  VT ,n ) Cload !  ln  1 V V kn (VOH  VT , n ) VOH  VT ,n OH OL


2(VOH  VOL  VT , p ) 2 VT , p Cload  1  ln VOH  V50%  VOL  VT , p ) VOH  VOL  VT , p

X PLH !

k p (VOH

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

135

Inverseur C-MOS en commutation


Puissance dissipe sur une priode pour une porte C-MOS: cest la puissance qui sert charger et dcharger la capacit de charge Cload.

Pmoy

1T ! v(t ).i(t )dt T0


2 DD

Pmoy ! CloadV
Ph.Lorenzini

f
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Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

Inverseur C-MOS en commutation


Autre source de consommation: le courant de court circuit:

Ph.Lorenzini

Composants Actifs - Structure MOS / MOS-FET

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Rfrences bibliographiques
       

S.M. Sze Physics of semiconductors devices , 2 dition, Wiley and Sons, New York, 1981 H.Mathieu, Physique des semi-conducteurs et des composants lectroniques , 4 dition, Masson 1998. J. Singh, semiconductors devices : an introduction , McGraw-Hill, Inc 1994 Y.Taur et T.H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI devices , Cambridge University Press, 1998. K.K. Ng, complete guide to semiconductor devices , McGraw-Hill, Inc, 1995 E. H. Nicollian et J. R. Brews, MOS Physics and Technology , John Wiley and Sons, 1982 S.M. Kang et Y. Leblebici, CMOS Digital Integrated Circuits :analysis and design , Mc Graw Hill, 2 dition., 1999 J. Millman et A. Grabel, microlectronique , Mc Graw Hill, 1995

Ph.Lorenzini

Les figures sont tires en grande partie/ MOS-FET diffrents ouvrages Composants Actifs - Structure MOS de ces

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