LED : Light Emitting Diodes

Composants actifs : DEL, Laser

Diodes lectroluminescentes
contenu
Introduction
Niveaux d nergie
Absorption et mission de photons
Emission spontane
Emission stimule
Emetteurs
Diodes lectroluminescentes DEL
Diodes LASER
Couplage laser-fibre
Adaptation des modes
niveaux dnergie
Chaque atome d un cristal est
caractris par un niveau dnergie. Les
niveaux trs proches de tous les
atomes d un cristal forment des
bandes d nergie.
Dans les semi-conducteurs, la
temprature du zro absolu, il existe
une bande, appele bande de valence,
dont tous les tats dnergie sont
occups par des lectrons.
E
g
Toutes les bandes
suprieures sont vides, en
particulier la bande de
conduction situe
immdiatement au dessus
de la bande de valence.
Ces deux bandes sont
spares par une largeur
Eg (g pour gap= foss)
appele bande interdite

Absorption
Sous l effet de l agitation thermique, ou de tout apport d nergie
extrieure, par exemple provenant d un photon, un lectron peut
sarracher son atome d origine pour se dplacer librement dans le
cristal. L lectron passe ainsi de la bande de valence la bande de
conduction.
Cet lectron laisse dans la bande de valence une lacune d lectron appele
Emission spontane qui se dplace aussi lorsquun lectron voisin le
remplit. L atome est alors dans un tat excit.
Emission spontane
Un atome dans l tat fondamental n met pas de lumire. Par contre un
atome excit est dans un tat instable. Il tend revenir spontanment
dans son tat fondamental en librant une quantit (quantum) d nergie
quil a reue sous la forme d une radiation lumineuse (photon).
L nergie du photon mis est :
Cette mission de photon est appele : Emission spontane
Avec
h constante de Planck
et v frquence de la radiation mise.
Les DEL mettent de la lumire incohrente par Emission
spontane
v h E E E = =
1 2
Emission stimule
Un atome dans l tat excit frapp par un photon peut retomber dans
ltat fondamental en mettant un autre photon. Il s agit d Emission
stimule.
Ce nouveau photon produit par mission stimule a
la mme longueur donde,
la mme phase,
le mme tat de polarisation
et la mme directivit spatiale que le photon incident.
La lumire mise par mission stimule est Cohrente
Le LASER met de la lumire cohrente par Emission stimule
Emission stimule: conditions
Pour favoriser lEmission stimule et obtenir leffet LASER deux
conditions doivent tre ralises :

Il faut quil y ait suffisamment datomes dans ltat d nergie
suprieure (tat excit).
Pour cela il faut crer une inversion de population, qui consiste
mettre suffisamment dlectrons dans la bande de conduction.
Dans les semi-conducteurs, on obtient cette inversion de population
par pompage optique ou lectrique.

Il faut quil y ait suffisamment de photons excitateurs. Pour cela on
oblige lnergie lumineuse s accumuler sur place en enfermant le
semi-conducteur dans une cavit rsonnante de type Fabry-Perot
Longueurs dondes & matriaux
Mettre les abrviations
Rsum niveaux dnergie
Absorption, Emission spontane &
Emission stimule
Diode lectroluminescente (DEL)
C est le composant le plus simple, qui ralise directement
lmission de photons par recombinaison des porteurs dans une
htrojonction polarise en direct.
Dans une htrojonction la couche active trs mince (moins dun
micron) est entoure de couches de confinement
Semi-conducteurs jonction PN
Les semi-conducteurs sont des matriaux faiblement conducteurs
lorsquils ne sont pas dops. Le semi-conducteur le plus couramment
utilis est le Silicium.
On dope ces semi-conducteurs en leur injectant des corps ayant soit un
lectron de plus sur sa couche priphrique ( par exemple lArsenic ),
soit un lectron de moins ( par exemple le Gallium ).
Une zone dope avec un lment dont la couche externe comporte un
lectron de plus porte le nom de zone N ( comme ngative ), et une zone
dope avec un lment dont la couche externe comporte un lectron de
moins porte le nom de zone P ( comme positive ).


Lorsque lon juxtapose une zone P et une zone N, on ralise une jonction
PN.
Les jonction PN ont la proprit intressante de ntre pratiquement
traverses par aucun courant lorsquelles sont polarises en inverse et de
noffrir quune faible rsistance lorsquelles sont polarises en direct. Les
diodes et les transistors sont constitues de jonctions PN.
Si(IV) - B(III)
Impuret
acceptrice
cre des trous
Boreest ajoute
comme
impuret
Si(IV) - Sb(V)
e- libre

Antimoine est
ajoute comme
impuret
jonction PN
spectre d une DEL
Le spectre d une DEL est continu et relativement large, de
lordre de = 40 100 nm mi hauteur. La lumire mise est
incohrente
Caractristique Puissance-
courant dune DEL
Caractristique Puissance-courant P(I) :

En thorie cest une droite. En pratique la courbe dvie de la
droite idale cause de l chauffement.
Pas de courant de seuil. La lumire est mise ds que le courant
passe.
Une diode standard met typiquement 3mW pour un courant de
100 mA.
Rendement de l ordre de 0.03 mW/mA..
Courant maximum de fonctionnement conseill : 100 200 mA.
Diagramme de rayonnement

Ce type d mission n est pas bien adapt l injection dans une fibre
monomode dont le profil d intensit est gaussien.

Les DEL sont donc plutt utilises pour des liaisons par fibres multimodes.

Pour amliorer l injection dans une fibre monomode on utilise des lentilles.

Le temps de rponse des DEL est assez lev ce qui limite la bande
passante des signaux transmis par les DEL moins de 100 Mhz.

La largeur spectrale relativement large limite leur utilisation en
tlcommunications longues distances du fait de la dispersion chromatique
des fibres monomodes surtout 1.55 m. (rseau local)

Les avantages des DEL sont leur faible cot, et leur excellente fiabilit.
. cos P P
0
u =
Le diagramme d mission est Lambertien, c est dire que la
puissance rayonne dans une direction :
Largeur Spectrale dune LED
Edge emitting LEDs have slightly narrow line width
Efficacit quantique
(efficiency Quantum)
efficacit quantique Interne est le rapport
entre le taux de recombinaison radiative et la
somme des taux de recombinaison radiative et
non radiative


pour une dcroissance exponentielle de
porteurs excdentaires, dure de vie de
recombinaison radiative est n/R
r
et la dure de
vie de recombinaison non radiative est n/R
nr

) /(
int nr r r
R R R + = q
Internal Efficiency
Si le courant inject dans la LED est I, alors
le nombre total de recombinaisons par
seconde est, R
r
+R
nr
= I/q o
q est la charge dun lectron.
Donc on obtient, R
r
= q
int
/q.
Puisque R
r
est le nombre total de photons
gnr par seconde, la puissance optique
gnre interne la LED dpends de lfficacite
quantique interne.

External Efficiency
Fresnel Transmission Coefficient
( )
2
4
) 0 (
2 1
2 1
n n
n n
T
+
=
External Efficiency for air
n
2
=1, n
1
= n
2
) 1 (
1
+
=
n n
ext
q
n
1
n
2
Cone
Dmission de
la Lumire

Largeur de bande 3dB
Puissance Optique I(f); Puissance lectrique I
2
(f)
2
) 2 ( 1 / ) ( t tf P f P
o
+ =
Perte lectrique = 2 x pertes Optique
Inconvnients des LED
Grande Largeur de bande Spectrale (30-40 nm)
Grande Largeur de faisceaux (faible couplage la
fibre)
Puissance de sortie faible
Faible efficacit de conversion Electrique/Optique


Avantages
Robuste
Lineaire
LASER :
LASER :
Guide optique
mission spontane dans la couche active
Amplification par mission stimule
Slection par rsonance dans la cavit
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
lumire cohrente
LASER : Emission Stimule, Amplification
Fabry-Perot Laser (resonator)
cavity
Mirror Reflections
How a Laser Works
Condition de rsonnance de la cavit
Cavit forme de deux miroirs
Rsonnance de londe
Destruction de londe
L n p ). ( . 2 =
L n p ). ( . 2 =
Caractristiques LASER
Les lasers se caractrisent par ltroitesse de la longueur d onde quils
mettent. Le spectre mis se compose de plusieurs raies centres autour
de la longueur d onde principale.
La longueur d onde centrale est donne par la composition du matriau.
Pour les tlcommunications on choisit une composition de GaInAsP qui
met 1.3 ou 1.55 m.
L espacement des raies appel Intervalle Spectral Libre (ISL) est donn
par la longueur L de la cavit Fabry- Prot, lindice n de la couche active
du laser, et la longueur d onde centrale . LISL est de l ordre du
nanomtre
Exemple : laser mettant 1.55 m, de 300 m de long et dindice n=3.2
L n.. . 2
2

= A
6
12 2
10 300 2 , 3 2
10 55 , 1

= A
Spectre dun LASER Fabry-Prot
La cavit rsonnante Fabry-Prot donne un spectre en forme de
peigne. On observe un pic chaque fois quil est possible de mettre un
nombre entier de demi longueurs d onde dans la cavit.
La longueur d onde centrale est donne par le matriau de la
couche active.
Seules les longueurs d onde du peigne situes autour de cette
longueur d onde centrale sont amplifies par le matriau (sur une
plage typique de 30 nm). On obtient ainsi le spectre suivant :
On observe une raie chaque fois quon met une 1/2 longueur donde
dans la cavit :
L n p
p
). ( . 2 =

v
c
=
v

c
=
ISL en frquence
L n
c
p
c
p
. . 2
. = =

v A = A
2
c
v

A = A
c
2
L n
c
p p
. . 2
1
= = A
+
v v v
L n L n
c
c . . 2 . . 2
2 2

= = A
ISL en frquence
Caractristique puissance-courant
Lorsquun faible courant lui est appliqu, une diode laser
met de la mme manire quune LED par mission
spontane.
Pour obtenir une mission laser, il faut dpasser un certain
seuil de courant ncessaire crer linversion de
population qui consiste faire passer suffisamment
dlectrons dans la bande de conduction.
Certains photons mis vont alors gnrer des photons
cohrents qui vont atteindre les faces clives du laser en se
multipliant. Une partie des photons est transmise
lextrieur du laser, les autres sont rflchis dans la cavit
Fabry-Prot en gnrant de nouveaux photons. Le nombre
de photons va se multiplier. On obtient ainsi le phnomne
LASER.
En rgime laser la caractristique de puissance mis en
fonction du courant est quasiment droite. A fort courant la
courbe sloigne de la droite cause de l chauffement.
Caractristique puissance-courant
Les courants de seuils typiques vont
de 1 20-25 mA.
La puissance mise est de l ordre
de 15 25 mW pour typiquement
100 mA.

Lorsque l on fait varier le courant
du laser entre deux valeurs I
min
et
I
max
, la puissance varie entre P
min

et P
max
.

Cette modulation en courant
permet de transmettre un signal en
tlcommunications optiques.
Exemple de mesure de P(I)
du Laser BRS 1.3 m
P(I) du laser F348
Schma dune puce LASER
Double htrojonction
Double htrojonction (1970)
Vue au MEB dun laser
Mtal
Implantation
Ruban
Laser mono-longueur donde
Les rseaux WDM ncessitent des sources mono-longueur d onde appele
sources monomodes.
On obtient de telles sources en slectionnant une raie du spectre Fabry-Prot
l aide d un rseau de diffraction. Lorsque le rseau est grav en dessous
ou au-dessus de la couche active, le laser s appelle DFB (Distributed
FeedBack).
Lorsque le rseau est grav en dehors de la zone de gain on l appelle
DBR (Distributed Bragg Reflector)
Spectre dun Laser DFB
Seule la longueur d onde de Bragg est rflchie et amplifie dans
le laser. On obtient ainsi un spectre mono longueur d onde.
Les DFB ont des largeurs de raie
typiques de 30 MHz. (de l ordre du
pm)
Laser cavit externe photoinscrite
dans une fibre
On peut aussi slectionner une longueur d onde du peigne Fabry Prot
laide d un rseau de diffraction (rflecteur de Bragg) situ en dehors de
la zone de gain. Ce rseau peut tre photo-inscrit dans une fibre optique
monomode place devant laser.
performances
Les performances des lasers varient en fonction de
la temprature.
z Le courant de seuil du laser augmente avec la
temprature. Il passe typiquement de 15 mA 20C
23 mA 50C
La pente de la caractristique de puissance en
fonction du courant est plus faible, le rendement de
puissance en fonction du courant est moindre.
La longueur d onde d mission augmente avec la
temprature. Valeur typique de la variation de l :
pour un DFB 0.1 nm.C-1.
pour un laser cavit externe 0.015 nm.C-1.
Il est souvent ncessaire de rguler la
tempraturedes lasers.
La tache lumineuse la sortie du laser
est appele champ proche. Sa largeur
est et sa hauteur , dans les
plans parallle et perpendiculaire au
plan de la couche active.

e 2
//
2e
La rpartition de l intensit en
fonction de x et de y est quasi
gaussienne.
Ce spot elliptique en champ proche donne
en champ lointain une ouverture angulaire
elliptique telle que :
Valeurs typiques = 1.55 m :
Diagramme de rayonnement dun laser
//
//
.
2
u t

e
tg
=

=
u t

e
tg .
2
m e 1
//
=
m e 8 , 0 =

= 26
//
u
=

6 , 31 u
Cohrence spatiale et Incohrence
Cohrence spatiale
Les ondes ont galement une cohrence spatiale ; c'est la capacit de chacun des points du
front d'onde interfrer avec n'importe quel autre point. En effet, si la source est tendue, il
y aura addition d'ondes incohrentes mises par chaque point source, ce qui peut brouiller
par interfrences.
La largeur de cohrence de la source donne la taille maximale permise pour qu'il y ait
interfrences. Dans le cas des fentes de Young, la largeur de cohrence est l
s
= .D / S ( est
la longueur d'onde de la source, S la largeur de la distribution spatiale d'intensit et D la
distance o l'on se place) : la largeur de cohrence dpend donc la fois de caractristiques
intrinsques la source ( et S) et de la distance laquelle on se trouve : plus on s'loigne,
plus la source se rapproche d'une source ponctuelle.
Incohrence
Par opposition, incohrent qualifie un faisceau qui ne dispose pas de ces caractristiques. Les
ondes incohrentes, lorsqu'elles sont combines, ne produisent pas d' interfrence. Un
dtecteur va alors faire la moyenne de l'intensit reue, et il n'y aura pas d'interfrences : les
intensits s'ajoutent.
Exemples
Exemples de faisceau cohrent
la lumire laser
le rayonnement synchrotron gnr par un onduleur
Exemples de faisceau, ou de source, incohrent
la lumire solaire
la lumire mise par une ampoule
une diode lectroluminescente (sauf pour la diode laser)