P-02.

- Impurezas en semiconductores
Fabio Almnzar Gonzlez 2011 Algunas de las dispositivas han sido tomadas y traducidas del curso de Microelectronic Devices and Circuits. (open course ware de MIT).

AGENDA
Dopaje: Donadores

Nivel de Fermi para semiconductor tipo n

Aceptores Nivel de Fermi para semiconductor tipo p

Neutralidad de carga Transporte de portadores: Trmico Arrastre Difusin Relacin de Einstein

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1.- Impurezas donadoras

Fenmeno de dopaje. Introduce electrones

Grupo V:

5 electrones de valencia

Impurezas donadoras

Impurezas donadoras
4 electrones participan en enlaces 50. electrn fcil de liberarse

A T ambiente => cada donador libera un electrn para conduccin Cargado positivamente (carga fija) Se define: Nd = concentracin de donores [cm-3] Si Nd << ni , dopado es irrelevante

Semiconductor intrnseco
5

Impurezas donadoras: Semiconductor tipo -n

no = Nd po = ni2/ Nd

Bandas de energa: Semiconductor tipo -n

Banda de Conduccin Ec Ed 0,01 eV

Eg Banda prohibida Ev Banda de Valencia A temperatura ambiente, casi todos los electrones saltarn a la Banda de Conduccin.
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Nivel de Fermi: Semiconductor tipo -n

Banda de Conduccin Ec Ed Ef Ev Banda de Valencia 0,5

Eg Banda prohibida

1,0

2.- Impurezas aceptoras

Fenmeno de dopaje: Introduce huecos
Grupo III

3 electrones de valencia

Impurezas aceptadoras

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Impurezas aceptadoras: Semiconductor tipo - p

3 electrones participan en enlaces 1 espacio libre para ser ocupado.

A T ambiente => cada aceptor libera un hueco para conduccin Cargado negativamente (carga fija) po >> no : semiconductor tipop Se define: Na = Concentracin de aceptores [cm-3]; Si Na<<ni (irrelevante) S. intrnseco no=po= ni

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Impurezas aceptoras: Semiconductor tipo - p

Si Na >> ni , dopado controla la concentracin de portadores

Semiconductor extrnseco po = Na De la ley de accin de masas: no = ni2/ Na

En un material tipo p la concentracin de huecos

libres es aproximadamente igual a la densidad de tomo aceptores. Huecos: portadores mayoritarios Electrones : portadores minoritarios
Ejemplo
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Bandas de energa: Semiconductor tipo -p

Banda de Conduccin Ec

Eg Banda prohibida Banda de Valencia Ea Ev

Electrn abandona la Banda de valencia y va a Ea Mayor nmero de portadores sern los huecos generados por los electrones en la Banda de Valencia
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Nivel de Fermi: Semiconductor tipo -p

Banda de Conduccin Ec

Eg

Banda prohibida

Banda de Valencia

Ef Ea Ev

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3.- Neutralidad de carga

Situacin tpica: Donores y aceptores presentes Los semiconductores mantienen la carga neutra, incluso cuando se ha dopado se debe cumplir la neutralidad de carga. / / Ley de accin de masas implica que: no = Nd y po = Na

Nd > Na

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Neutralidad de carga
Aplicando la neutralidad de carga: =q(po no + Nd - Na)= 0 Para el caso, Nd>Na las concentraciones seran:

Si, Na>Nd las concentraciones seran:

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RESUMEN
En un semiconductor hay dos tipos de portadores (partculas cargadas mviles): Electrones y huecos Concentracin de portadores puede ser controlada en muchos rdenes de magnitud por la adicin de dopantes. tomos externos seleccionados Ecuaciones bajo condiciones de equilibrio trmico: Neutralidad de carga: Nd + p = Na + n
Ley de accin de masas:

no . po= ni2
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4.- MOVIMIENTO DE PORTADORES: Movimiento trmico

En equilibrio, portadores no estn quietos Colisiones con tomos de Si vibrando (mov. Browniano) Actan electrostticamente unos con otros y con los dopantes ionizados (cargados) Tiempo de colisin tc [s] tiempo libre medio entre

colisiones. Entre colisiones, los portadores adquieren alta velocidad vth= velocidad trmica [cm-1] pero no van a ninguna parte Trayectoria libre media: [cm] :
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MOVIMIENTO DE PORTADORES: Arrastre de portadores

Debido a campo elctrico E [V cm-1]

Fuerza neta : F = qE Entre colisiones , los portadores se aceleran en la direccin del campo electrosttico.

Pero hay (en promedio) un choque cada c y la velocidad es al azar: Velocidad de arrastre [cm/s]:
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MOVIMIENTO DE PORTADORES: Arrastre de portadores

Se define movilidad [cm2 /V.s]
Entonces, para electrones :

para huecos: Movilidad: facilidad de arrastre de portadores Figura 1

Si , (tiempo mas largo entre colisiones Si m baja, partculas ligeras

Para bajo nivel de dopaje,

Como T crece ; Para dopajes medios o altos, limitada por colisiones con impurezas ionizadas. Huecos mas pesados que electrones; mismo dopaje:
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es limitada por colisiones .

MOVIMIENTO DE PORTADORES: Corriente de arrastre

Velocidad neta de partculas cargadas corriente
Densidad de corriente de arrastre: Proporcional a:

Velocidad arrastre, concentracin y carga de portadores

J total= Jn + Jp

Ley de Ohm

Conductividad [1/ohm.cm]: (inverso de resistividad [ohm.cm]) Resistividad : especifica nivel de dopaje. Figura 2 Tipo n : n 1 /qNdn , y , tipo p: p 1/qNap
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MOVIMIENTO DE PORTADORES: Difusin

Difusin: Movimiento de partculas (flujo) en

respuesta a un gradiente de concentracin. (Ley de Fick)

Concentracin de huecos p vara con la distancia x

Gradiente de concentracin :

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MOVIMIENTO DE PORTADORES: Corriente de difusin

Si:
J = densidad de corriente de difusin [Amp/m2] D = coeficiente de difusin [cm2/s]

Densidad de corriente de difusin=carga x flujo portador

Huecos

y electrones

Ejemplo
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5.- RELACION DE EINSTEIN

Difusin D y movilidad no son independientes.
Relacin de Einstein:

La cantidad kT/q tiene unidades de voltios : voltaje

trmico , Vth A temperatura ambiente, Vth = 25 26 mV

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Densidad de corriente total

Sumando los componentes de arrastre y difusin para

huecos y electrones:

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RESUMEN
Electrones y huecos en semiconductores son mviles y

tienen carga
portadores de corriente elctrica

Corriente de arrastre : producida por campo elctrico Corriente de difusin: producida por gradiente de

concentracin Corrientes de difusin y arrastre son considerables en los dispositivos modernos. Los portadores se mueven rpidamente en respuesta a los campos y gradientes
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Movilidad vs. Concentracin de dopantes

Retorno
27

Resistividad vs. Concentracin de dopantes

Retorno
28

Velocidad de arrastre vs. Intensidad de campo

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Ejemplo
Encuentre la concentracin de huecos y electrones

para una muestra de Silicio en equilibrio trmico a temperatura ambiente que tiene concentracin de donores ND = 10 14 cm -3.

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Ejemplo
(a)Encuentre la concentracin de huecos y electrones

en equilibrio trmico para una muestra de Silicio a temperatura ambiente que tiene concentracin de donores ND = 10 14 cm -3 y aceptores NA=5.1013 cm-3 (b) Considere ahora una muestra de Silicio tipo n con ND = 10 14 cm -3 . Debemos adicionar aceptores para tener una concentracin de huecos de po = 5.1013 cm-3. Qu concentracin de NA es necesaria? Cul es la concentracin de electrones?

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Ejemplo
Se tiene una muestra de Silicio con una concentracin

de donores de 3.1016 (cm-3) a temperatura ambiente. Para un campo elctrico E = 1kV/cm y longitud de bloque de L= 0,1 m . Calcule:
Movilidad de electrones
Resistividad del material tipo n Concentracin de electrones

Densidad de corriente de arrastre

Tiempo de arrastre.

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Ejemplo
La figura muestra un bloque de

Silicio tipo P con un NA=1016 cm-3 bajo la influencia de un campo elctrico uniforme E. Grafique la densidad de corriente de arrastre como funcin de E en el rango de 5.105 V/cm y 5.105 V/cm. Nota: la velocidad de saturacin ocurre para arrastre de huecos en campos elctricos con magnitudes mayores de 105 V/cm. Encuentre el voltaje a travs del bloque para el cual la corriente alcanza el mximo valor.

5um

E
5um

1um

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Ejemplo (Difusin)
La figura muestra un bloque de

Silicio tipo P con un NA=1017 cm-3 ; inyectando electrones minoritarios por la izquierda de x=0 y extrayndolos por el lado derecho en x = 1 um, hemos puesto en marcha un gradiente linear de concentracin de electrones n(x). Cul es la densidad de corriente de difusin en la muestra?

n(x=0) = 1014 cm-3

n(x=1 um) = 103 cm-3

1um

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