Chapitre 0

Gnralits: Semiconducteurs

Structure de la matire : Atome

Atome = Noyau (+) + Electrons (-) Noyau = Protons (+) + Nuclons ( non chargs)

Atome lectriquement neutre Nombre de Protons = Nombre dlectrons

Les lectrons de coeur : Fortement li au noyau Les lectrons priphriques ou de valence: peu li au noyau

Modle de BOHR

Niveau dnergie discret: contient 2n2 lectrons n: Numro de niveau correspond une couche couche (K (n=1), L(n=2), M(n=3)) En <0 quelque soit n : il faut produire un travail pour loigner un lectron de latome. Exemple : Atome de silicium (Z= 14) K (n=1) = 2.12 = 2 L( n=2) = 2. 22 = 8 M(n=3) (peut occuper 2.32=18) : occupe le reste = 4 10 lectrons de cur 4 lectrons de valence

4 lectrons de K E3 8 lectrons de K E2 E1 2 lectrons de K

Atome de Silicium (Si)

Structure de la matire : Solide

Amorphe: l'ordre n'est que local et non rpt.

Matriaux solides
Crisallin:Atomes rangs rgulirement aux noeuds d'un rseau priodique.

Cristal

Cristaux ioniques (Na+Cl- ). Attraction colombienne. Cristaux isolants et trs dur.

Cristaux molculaires.

Cristaux covalents Mtaux (Li, Ag, Au,...) . (Colonne IV: C, Si, Conducteurs lectriques . Ge,Sn). Un lectron libre par Liaisons de valence. atome. Liaisons moins fortes que les liaisons ioniques. Proprits= f(force de ces liaisons).

Structure de la matire : Bandes dnergie

Les tats nergtiques possibles des lectrons du cristal sont reprsents par un diagramme de bandes dnergie.
Bande de conduction Niveau de fermi (Ef) Bande de valence lectrons libre dans le solide

EG Bande interdite
lectrons li aux atome

Cristal Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li un atome donn du solide. Dans la bande de valence, llectron est commun plusieurs atomes.
Llectron dont lnergie est comprise dans la bande de conduction circule librement dans le solide.

Le gap EG reprsente la quantit dnergie minimale ncessaire pour faire grimper un lectron de
de la bande de valence la bande de conduction. Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau nergtique le plus lev quun lectron puisse occuper 0K.

EG est un paramtre essentiel qui permet de distinguer les matriaux isolants, semiconducteurs et conducteurs.

Diffrence entre conducteurs, isolants et semi-conducteurs

Dans les isolants et les semiconducteurs, la bande de valence est entirement pleine T=0K. La hauteur de la bande interdite des isolants est plus grande par rapport celle des semiconducteurs. Dans les conducteur, la bande de conduction est partiellement remplie. E Bande de conduction Bande de conduction Ef Bande interdite Bande de valence Bande de valence Bande de valence Bande de conduction Bande interdite Bande interdite

Conducteur

Semiconducteur

Isolant

Les semiconducteurs ont une conductivit intermdiaire entre les conducteurs et les isolants. Ils sont isolants T=0K.

Semiconducteurs

Structure des semiconducteurs: Silicium intrinsque

Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 lectrons en formant des liaisons covalentes qui correspondent la mise en commun de ses lectrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit lectrons sur sa dernire couche.

apparition des porteurs de charge thermiques paires lectrons-trous

Liaison covalente
T = 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

lectrons

trous

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

Gnration thermique de paires lectron-trou - Recombinaison

T > 0K

recombinaison

Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsque n = lectrons/cm3 Ec EG = Ec-Ev Ev p = trous /cm3 Pour T> 0 K, des lectrons peuvent devenir libre c'est dire passer de la bande de valence la bande de conduction, o leur concentration est note n. Ces lectrons laissent des trous dans la bande de valence (avec une concentration note p) eux aussi libres de se dplacer. Un quilibre stablit entre les phnomnes dionisation thermique et de recombinaison ; les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales. La concentration en lectrons libres n et en trous libres p sont gales ni la concentration intrinsque. Loi de masse : n.p = n i2 ( Ec EFi) kT
Recombinaison

Bande de conduction
Gnration de paires lectron-trou

Bande de valence

n= Nc e

p= Nv e

(EFi Ev) kT

n= p= ni= AT e

EG ) 3/2 2KT (

Il y a environ 2 paires lectron-trou pour 10 milliards datome temprature ordinaire (20C)

Il y a environ dix mille milliards de milliards datome (1022) dans un gramme de silicium, donc deux mille milliards (2x1012) dlectrons libres par gramme de silicium

Semi conducteur dop N

Semi conducteur dop N

Introduction datomes trivalents, environ 1 pour 10 millions datome de silicium
Arsenic, antimoine, Phosphine

Silicium dop N

Silicium dop N

Silicium dop N

Silicium dop N

Silicium dop N

Silicium dop N

Silicium dop N

Concentration des porteurs de charge dans le silicium dop N Bande de conduction Ec n = Nd

EG
Ev Bande de valence

EFn En= EFn - EFi EFi

n = Nd: Concentration des donneurs

p = ni2/Nd

Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.

La population des lectrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus importante que elle des trous libres dans bande de valence.
Le niveau de Fermi EFn se dplace donc du milieu de la bande interdite (EFi) vers la bande de conduction.

Loi de masse : n.p

= ni2

Nd EFn EFi= kT.ln( ) ni

Semi conducteur dop P

Semi conducteur dop P

Introduction datomes trivalents, environ 1 pour 10 millions datome de silicium
Indium, bore

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Silicium dop P

Concentration des porteurs de charge dans le silicium dop P Bande de conduction Ec n = ni2/Na

p = Na: Concentration des accepteurs EG

Ev Bande de valence p = Na EFi Ep= EFi - EFp

Les trous sont les porteurs majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires. La population des lectrons libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans BV. Le niveau indicateur de Fermi Efp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de valence.

Loi de masse : n.p

= ni2

Na EFi EFp= kT ln ( ) ni