Sie sind auf Seite 1von 39

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

ADS 2012
bungen fr den Einstieg in ADS

bung Nr. 1: Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)


bung Nr. 2: NF-Kleinsignalverstrker (2_AF_Amp_wrk)
bung Nr. 3: S-Parameter- und EM-Simulation, Tiefpassfilter (3_MS_LP_wrk)
Weitere Dokumente

02.2013

F. Dellsperger

2
9
21
39

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bung Nr. 1:

Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)

bungen

Es sind drei Schaltungen zur Simulation und Darstellung der drei Kennlinien
A)

IC = f(UBE )

mit UCE = 12V

B)

IC = f(IB ) mit UCE = 12V

C)

und
IC = f(UCE )

mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA

des Transistors BC547B aufzubauen.


Step by Step:
IC = f(UBE )

A)

a)

mit UCE = 12V

Erstellen Sie in Ihrem Directory ADS ein neues Workspace mit mit dem Namen
1_Curvetracer_wrk und der Library mit dem Namen IcvsUbe_lib
(Student Quick Reference Guide, Part 1, S5)

b)

02.2013

Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsUbe ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsUbe
(Student Quick Reference Guide, Part 1, S9)

F. Dellsperger

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Zeichnen Sie im Schematic View die Messchaltung, fgen Sie eine DC-Simulation, die
Variablendeklaration und komentierenden Text hinzu.

Definieren Sie alle Parameter und Variablen gemss Beispiel.

1)

Verwenden Sie den Transistor BC547B. Sein nichtlineares Modell ist in der
mitgelieferten Vendor Component Library Analog_Parts. Fgen Sie diese Library dem
Workspace hinzu.
(Student Quick Reference Guide, Part 1, S12)

2)

Component > Component Library ...

oder

BC547B in Schema einfgen


Komponenten-Text verschieben:
Edit > Component > Move Component Text oder F5

02.2013

F. Dellsperger

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

3)

bungen

Component Palette List Probe Components


Benennen Sie das Amperemeter (I_Probe) mit dem Elementnamen Ic. Dies vereinfacht
in der Datendarstellung die Auswahl und Bezeichnung des Kollektorstromes. Achten
Sie auf die Stromrichtung (ev. Spiegeln um y-Achse).

4)

Component Palette List Sources-FreqDomain oder Sources-TimeDomain


Definieren Sie alle Parameter und Variablen gemss Beispiel.
Component Parameter editieren: Direkt auf Schema oder Doppleklick auf Element

5)

Component Palette List Data Items oder

6)

Component Palette List Simulation-DC

7)

Beschreibender Text:
Da Text in Schemas hufig verwendet wird, fgen Sie einen Button
ein: Tools > Hot Key/Toolbar Configuration

02.2013

in der Toolbar

Speichern Sie das Schema .


Nicht gespeicherte Views weisen in der Kopfzeile einen Stern auf.

F. Dellsperger

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

c)

Simulation starten

bungen

oder F7

Neues Daten Dispay ffnen


(je nach Defaulteinstellung wird nach der Simulation automatisch ein Daten Display geffnet)

Rectangular Plot einfgen (Student Quick Reference Guide, Part 1, S19)


Als Trace Ic auswhlen. Fr die unabhngige Variable (x-Achse) wird automatisch Ube
gewhlt, da dies der Sweep-Parameter in der Simulation ist.

Data Display formatieren, beschriften, etc.

Ic versus Ube @ Uce = 12 V


250

Strme werden im
Dataset immer mit
Variablenname.i
bezeichnet.

Ic.i, mA

200
150
100
50
0
0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Ube

02.2013

Data Display speichern

F. Dellsperger

BFH TI EKT

B)

02.2013

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

IC = f(IB ) mit UCE = 12V

Erstellen Sie eine neue Library mit dem Namen IcvsIb_lib: (Main) File > New > Library

Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsIb ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsIb
(Student Quick Reference Guide, Part 1, S9)

Erstellen Sie das Schema mit allen Angaben. Dies geschieht am einfachsten, wenn Sie
im Schema IcvsUbe alles markieren, in den Buffer kopieren (Ctrl-C), im neuen Schema
einfgen (Ctrl-V) und hier die entsprechenden nderungen vornehmen.

Simulieren, neues Daten Display erstellen, abspeichern

F. Dellsperger

BFH TI EKT

C)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

IC = f(UCE )

bungen

mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA

Erstellen Sie eine neue Library mit dem Namen IcvsUce_lib: (Main) File > New > Library

Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsUce ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsUce

Erstellen Sie das Schema mit allen Angaben.


Hier wird fr den Basisstrom ein Parameter-Sweep aufgesetzt. Fr jeden im ParameterSweep definierten Step wird die DC-Analyse durchgefhrt und die Resultate ins Dataset
geschrieben. Es entsteht somit ein mehrdimensionales Dataset.

02.2013

F. Dellsperger

BFH TI EKT

02.2013

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Simulieren, neues Daten Display erstellen, speichern

F. Dellsperger

BFH TI EKT

bung Nr. 2:

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

NF-Kleinsignalverstrker (2_AF_Amp_wrk)

Es sind verschiedene Simulation und Darstellung der Simulationsresultate am Beispiel eines NFKleinsignalverstrkers vorzunehmen:
1. DC-Arbeitspunktanalyse
2. Optimierung der Basisspannungsteilerwiderstnde fr gegebenen DC-Arbeitspunkt
3. AC-Kleinsignalanalyse mit Darstellung des Bodediagramms
4. Optimierung der Gegenkopplung auf gewnschte Verstrkung
5. Simulation der Nichtlinearitten mit Harmonic-Balance
5.1. Eintonaussteuerung
5.2. Zweitonaussteuerung
6. Transientensimulation
Workspace-Hierarchie:

02.2013

F. Dellsperger

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

1. DC-Arbeitspunktanalyse

02.2013

F. Dellsperger

10

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

2. Optimierung der Basisspannungsteilerwiderstnde fr gewnschten DC-Arbeitspunkt


Im Basisspannungsteiler soll Rb so verndert werden, dass ein Kollektorstrom vom 5 mA
resultiert.
Siehe auch Student Quick Reference Guide, Part 1, 6. ADS Optimization Cockpit.

02.2013

F. Dellsperger

11

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

3. AC-Kleinsignalanalyse mit Darstellung des Bodediagramms


Wir erstellen das Schema des Verstrkers und das zugehrige Symbol (Subcircuit) in einer Library
AF_Amp_lib und alle Simulationsschaltungen in einer Library TestBenches_lib.

schematic:

02.2013

F. Dellsperger

12

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

symbol_AF_Amp:

schematic_ACAna:

Es gibt drei Mglichkeiten um die Verstrkung (oder andere zu berechnende Grssen) im Datadisplay
darzustellen:

MeasEqn auf dem Schema


Eqn im Datadisplay
Berechnung direkt im Diagramm

02.2013

F. Dellsperger

13

BFH TI EKT

02.2013

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

F. Dellsperger

bungen

14

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

4. Optimierung der Gegenkopplung auf gewnschte Verstrkung

02.2013

F. Dellsperger

15

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

5. Simulation der Nichtlinearitten mit Harmonic-Balance


5.1. Eintonaussteuerung

02.2013

F. Dellsperger

16

BFH TI EKT

02.2013

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

F. Dellsperger

bungen

17

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Anmerkung zum Inhalt des Dataset und die Verwendung der Daten:
Das Dataset das durch die Simulation erzeugt wird, enthlt die Datenwerte der Variablen. Der Aufbau
des Datenset und die Verwendung der Daten wird an obigem Beispiel erlutert:
Inhalt und Aufbau des Dataset knnen abgefragt werden:

Sollen im Diagramm oder in Gleichungen (Eqn) nicht alle Variablenwerte verwendet werden, kann der
Bereich der Datenwerte mit folgender Syntax eingeschrnkt werden:
Variablenname[Index_Variable1,Index_Variable2]
Beispiel oben mit 2-dimensionalem Dataset. Angaben fr mehrdimensionale Dataset entsprechend
erweitern.
Index kann ein einzelner Datenpunktindex, oder ein Bereich, oder alle Datenpunktindexe sein.
Beispiele zu obiger Simulation:
Uout[1,7]

Uout fr den 1. Uin-Wert und die 7. Harmonische


(die 0. Harmonische mit Index 0 ist der DC-Wert)

Uout[5,::]

Uout fr den 5. Uin-Wert und alle Harmonischen

Uout[::,2::11]

Uout fr alle Uin-Werte und die Harmonischen 2 bis 11

Uout[1::2::31,::]

Uout fr die Uin-Werte 1,3,5,31 (Start::Schritt::Stop) und alle Harmonischen

Eqn Nenner=sum(HB_1Tone_THD..Uout[::,1::10]**2)

entspricht

Summe aller Uout2 fr alle Uin und die Harmonischen 1 bis 10.

02.2013

F. Dellsperger

18

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

5.2. Zweitonaussteuerung

02.2013

F. Dellsperger

19

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

6. Transienten-Simulation

02.2013

F. Dellsperger

20

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

bung Nr. 3:
S-Parameter- und EM-Simulation, Tiefpassfilter
(3_MS_LP_wrk)
Die S-Parameter-Simulation eignet sich nur fr die Analyse linearer Schaltungen und erfolgt im
Frequenzbereich. Sie ist die schnellste Analyse berhaupt. Es stehen smtliche physikalischen
Elemente (Leitungen, Microsripline, Stripline, gemessene Herstellerdaten von Widerstnden,
Kapazitten, Induktivitten, Transistoren, Dioden, etc.) zur Verfgung.
Die vielfltigen Mglichkeiten dieser Simulation wird anhand der Entwicklung eines Tiefpass-Filters in
planarer Technik (Microstripline) gezeigt.
Die Spezifikationen des Filters sind gegeben durch:
Filtercharakteristik:

Chebishev

Ordnungszahl n :

Welligkeit im Durchlassbereich (Ripple) ar :


entsprechend einer minimalen Rckflussdmpfung von

0.05 dB
19 dB

Grenzfrequenz

1000 MHz

fc :

Quellen- und Lastimpedanz Z o :

50

1. Filterelement

parallel

Planartechnik

Microstrip

Substrat

RO4350B, 60 mil

Der Designablauf kann in 7 Schritten gemss Flussdiagramm auf der nchsten Seite erfolgen.
Step 1:

Filterspezifikation (Pflichtenheft), siehe oben.

Step 2:

Exakte Synthese der idealen, konzentrierten Elemente (L, C)

' = 1 ) erhalten wir durch Berechnung oder aus


Fr den normierten Tiefpass ( R ' 0 = 1
einem Filterkatalog die normierten Elementwerte:
g0 = g6 = 1

g1 = g5 = 0.9984

R '0 = 1

L '2 = g2 H

C'1 = g1 F

g2 = g4 = 1.3745

g3 = 1.8283

L ' 4 = g4 H

R '6 = g6
C'3 = g3 F

C '5 = g5 F

Mit der Entnormierung auf R0 = 50 und c = 2fc = 2 1000 MHz erhlt man die Elementwerte:
Z
R0 = R 6 = g0 0 = 50
R '0

R' '
C1 = C5 = g1 0 = 3.178 pF
Z0 c

R' '
C3 = g3 0 = 5.8197 pF
Z0 c

Z '
L 2 = L 4 = g2 0 = 10.9379 nH
R '0 c

02.2013

F. Dellsperger

21

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Designablauf fr passive, planare Filter:

1.

Spezifikationen

2.

Konzentrierte,
ideale Elemente:
Exakte Synthese

Specs OK
J

3.

Konzentrierte Elemente ersetzen


durch ideale, verteilte Elemente
(ohne Diskontinuitten,
ohne Verluste)

Specs OK

Optimierung

4.

Diskontinuitten
einfgen

Specs OK

Optimierung

5.

Verluste einfgen

Specs OK

Optimierung
(meist nicht ntig)

Optimierung
(meist nicht ntig)

6.

Layout mit
Anschlussleitungen
EM-Simulation

Specs OK
J

7.

02.2013

Fabrikation

F. Dellsperger

22

BFH TI EKT

02.2013

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

F. Dellsperger

bungen

23

BFH TI EKT

Step 3:

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Konzentrierte Elemente ersetzen durch ideale, verteilte Elemente


In diesem Beispiel:
- verlustlose Microstriplines ohne Discontinuitten
- die Parallel-Cs werden ersetzt durch niederohmige MicrostripLeitungen (Leiterbreite = 12 mm).
Niederohmige Leitungen (grosse Leiterbreite) haben ein grosses
Parallel-C und ein kleines Serie-L.
Das umgekehrte gilt fr hochohmige (kleine Leiterbreite) Leitungen.
- die Serie-Ls werden durch hochohmige Microstrip-Leitungen ersetzt
(Leiterbreite = 0.3 mm)

Mit folgenden Approximationen werden die ungefhren Leitungslngen bestimmt:


Za

Zb

Zc

Zd

L
L2
L=10.9379 nH

Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm

L
L4
L=10.9379 nH

C
C1
C=3.178 pF

Zb =

Za

C
C3
C=5.8197 pF

Zc = 0

Zb

C1

C
C5
C=3.178 pF

Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm

Zd =

Zc
C3

L2

l2mech

l1mech

l3mech

Fr hohe Frequenzen gilt: Zb . Damit kann man approximieren: Zb

f = fc

(Leerlauf)

Dadurch kann C1 durch ein am Ende leerlaufendes Leitungsstck ersetzt werden und es gilt:
1
2l1el
Z a = jZ01 cot
=

jc C1

Dabei ist:
Z01 = Leitungsimpedanz der ersten Leitung
l1el = elektrische Lnge der ersten Leitung
= Wellenlnge bei fc
c = 2fc

02.2013

F. Dellsperger

24

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Die Auflsung nach lel ergibt:


l1el =

a tan ( c C1Z 01 )
2

Die mechanische Leitungslnge erhlt man mit:


l1mech =

l1el
e01

Da die beiden Grssen Z 01 und 01 von der Leiterbreite und dem Substrat abhngig sind,
mssen sie zuerst bestimmt werden. Mit Hilfe des in ADS integrierten Werkzeuges Linecalc
knnen diese Grssen bestimmt werden. Fr das gegebene Substrat und die vorgegebene
Leiterbreite erhlt man:
Z01 = 20.1

e01 = 3.047

Fr hohe Frequenzen gilt: Z c 0 . Damit kann man approximieren: Z c

f = fc

0 (Kurzschluss)

Dadurch kann L2 durch ein am Ende kurzgeschlossenes Leitungsstck ersetzt werden und es
gilt:

2l2el
Zb = jZ02 tan
= jcL 2

02.2013

F. Dellsperger

25

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

l2el =

bungen

a tan c 2
2
Z 02

l2mech =

l2el
e02

Fr das gegebene Substrat und die gegebene Leiterbreite erhlt man:


Z02 = 137

e02 = 2.367

Auf gleiche Art kann auch C3 berechnet werden. Da C1 = C5 und L2 = L4, sind auch die
entsprechenden Microstrip-Leitungen gleich.
Hier die vollstndige Berechnung:
3

fc = 1 10 MHz

02.2013

:=

3 10
fc

c := 2 fc

Ideale Elementwerte
aus Synthese

Mikrostrip-Eigenschaften aus Linecalc


(RO4350B, w1=w3=w5=12 mm, w2=w4=0.3 mm

C1 = 3.178 pF

Z01 := 20.1

e01 := 3.047

L2 = 10.938 nH

Z02 := 137

e02 := 2.367

C3 = 5.82 pF

Z03 := Z01

e03 := e01

F. Dellsperger

26

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

L4 := L2

Z04 := Z02

e04 := e02

C5 := C1

Z05 := Z01

e05 := e01

l1 :=
atan c C1 Z01 = 18.224 mm
2

l1mech := l1

c L2

l2 :=
atan
= 22.2 mm
2
Z02

l2mech := l2

l3 :=
atan c C3 Z03 = 30.263 mm
2

l3mech := l3

50 Ohm

C1

MLIN
TL1
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm

Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm

L2

MLIN
TL2
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm

C3

MLIN
TL3
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm

MLIN
TL4
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L3 mm
Var
Eqn

S-PARAMETERS
S_Param
SP1
Start=10 MHz
Stop=6 GHz
Step=2 MHz

L4

= 10.44 mm

e01
1

= 14.43 mm

e02
1

= 17.337 mm

e03

C5

MLIN
TL5
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm

VAR
VAR1
L1=10.44
L2=14.43
L3=17.34
Startwerte aus
Approximation

50 Ohm

MLIN
TL6
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm

MLIN
TL7
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm

Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm

Anschlussleitung
W aus "Linecalc"

MSub
MSUB
RO4350
H=60 mil
Er=3.66
Mur=1
Cond=1.0E+50
Hu=1.0e+033 mm
T=35 um
TanD=0
Rough=0 um

Eingefuegter Test: Layer von "ads_device:drawing" auf


"ads_device:ads_drawing3" geaendert, damit er in
roter Farbe erscheint. (Properties aendern).

bungen

verlustfrei

Lowpassfilter Chebyshev 0.05 dB / 1000 MHz


Ideal Microstrip Lines (No Discontinuities, No Loss, No Optimization)
Step 3
Uebertragungsdaempfung vs freq

Uebertragungsdaempfung vs freq im Durchlassbereich

0.00
-0.05
-0.10

dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))

dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))

-20

-40

-60

-80

-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
-0.40
-0.45

-100

-0.50
0

0.0

0.1

0.2

0.3

freq, GHz

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

freq, GHz

Returnloss vs freq
0

dB(S11_lumped)
dB(S(1,1))

-10

Eqn S21_lumped=Step2..S(2,1)

-20

Eqn S11_lumped=Step2..S(1,1)

-30

Lumped ideal
-40

Microstrip (No Loss, No Optimization)


-50
0

freq, GHz

02.2013

F. Dellsperger

27

bungen

dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

dB(S11_lumped)
dB(S(1,1))

dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))

BFH TI EKT

02.2013

F. Dellsperger

28

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Smtliche Discontinuitten wie Leiterbreitensprnge (Steps), Bgen, Winkel,


etc.werden eingefgt und wieder die Leitungslngen optimiert.

Step 4:

50 Ohm

Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm

C1

MLIN
TL1
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm

MSTEP
Step1
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=3.4 mm

L2

MLIN
TL2
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm

MSTEP
Step4
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm

MLIN
TL5
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm

C5

MSTEP
Step5
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm
Startwerte aus
Step 3a:

S-PARAMETERS
S_Param
SP1
Start=10 MHz
Stop=6 GHz
Step=2 MHz

L1 = 10.57
L2 = 14.04
L3 = 18.85

MLIN
TL6
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm
Var
Eqn

MSTEP
Step6
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=3.4 mm

VAR
VAR1
L1=10.0288 {o}
L2=13.2601 {o}
L3=17.6401 {o}
Werte nach
Optimization

OPTIM
GOAL
UseAllGoals=yes
SaveCurrentEF=no
EnableCockpit=yes
SaveAllTrials=no

MSTEP
Step3
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm

MLIN
TL4
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L3 mm

50 Ohm

ev. Step vergroessern, damit


Optimization schneller ablaeuft

Optim
Optim1
OptimType=Random
MaxIters=50
DesiredError=0.0
StatusLevel=4
FinalAnalysis="None"
NormalizeGoals=yes
SetBestValues=yes
Seed=
SaveSolns=yes
SaveGoals=yes
SaveOptimVars=no
UpdateDataset=yes
SaveNominal=no
SaveAllIterations=no
UseAllOptVars=yes

C3

MLIN
TL3
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm

MSTEP
Step2
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm

L4

02.2013

bungen

MSub

MLIN
TL7
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm
Anschlussleitung
W aus "Linecalc"

MSUB
RO4350
H=60 mil
Er=3.66
Mur=1
Cond=1.0E+50
Hu=1.0e+033 mm
T=35 um
TanD=0
Rough=0 um

GOAL

verlustfrei

GOAL

Goal
OptimGoal1
Expr="db(S11)"
SimInstanceName="SP1"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitName[1]="limit1"
LimitType[1]="LessThan"
LimitMin[1]=
LimitMax[1]=-19
LimitWeight[1]=1
Indep1Min[1]=10 MHz
Indep1Max[1]=1 GHz

Goal
OptimGoal2
Expr="db(S11)"
SimInstanceName="SP1"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitName[1]="limit1"
LimitType[1]="GreaterThan"
LimitMin[1]=-19
LimitMax[1]=
LimitWeight[1]=1
Indep1Min[1]=1 GHz
Indep1Max[1]=4 GHz

Goal
OptimGoal3
Expr="db(S21)"
SimInstanceName="SP1"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitName[1]="limit1"
LimitType[1]="LessThan"
LimitMin[1]=
LimitMax[1]=-25
LimitWeight[1]=10
Indep1Min[1]=2 GHz
Indep1Max[1]=3 GHz

Durchlassbereich
Werte der Goals wie Step 3a

Sperrbereich

Sperrbereich

F. Dellsperger

Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm

29

BFH TI EKT

Step 5:

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Die Kupferverluste (Cond), die Dielektrikumsverluste (tanD) und die KupferOberflchenrauhigkeit (Rough) werden auf reale Werte gesetzt.
Cond = 5.8e7, tanD = 0.0037, Rough = 2.4 um
Falls notwendig, sind die Leitungslngen nochmals zu optimieren, dabei ist zu
beachten, dass mit steigender Frequenz auch die Verluste (Dmpfung im
Durchlassbereich) zunimmt und die Goals fr die Optimierung entsprechend
angepasst werden mssen.

02.2013

F. Dellsperger

30

BFH TI EKT

Step 6:

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Ist die Simulation und Optimierung zur Zufriedenheit abgeschlossen, kann das Layout
erstellt werden. Bei einfachen Schaltungen und Strukturen kann dies automatisch
generiert werden (Layout > Generate/Update Layout, Starting Component: P1).

Jetzt kann eine EM-Simulation (Momentum) durchgefhrt werden. Dazu muss zuerst das Substrat
definiert werden und das EM-Simulations-Setup eingestellt werden.

Im Layout Substrateditor starten:

02.2013

F. Dellsperger

31

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

In diesem Fenster knnen bei komplizierten Substraten die Werte aus der MSub-Anweisung im Schema
geladen werden (File>Import>Substrate from Schematic). In vorliegendem Beispiel wird das Substrat
manuell definiert. Detailinformationen zu den einzelnen Parameter und Verfahren sind im Help zu finden.
Mit Maus Groundplane selektieren. Parameter unverndert bernehmen.

02.2013

F. Dellsperger

32

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Dielektrikum anwhlen. Dicke angeben. Material editieren.

Neu definiertes Material anwhlen:

02.2013

F. Dellsperger

33

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Interface anwhlen. Parameter unverndert bernehmen:

Layer cond (Leiter) anwhlen. Material definieren, Operation, Position und Dicke einstellen, Rauhigkeit
definieren:

02.2013

F. Dellsperger

34

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Damit ist die Substratdefinition abgeschlossen.

Save Substrat

EM-Simulation Setup:
Zusammenfassung und Simulatorauswahl:

02.2013

F. Dellsperger

35

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Substratauswahl:

Frequenzplan:

Zum berprfen der Simulationszeit Npts nur auf 2 einstellen.


Eventuell Dataset-Name ndern:

02.2013

F. Dellsperger

36

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Mesh-Eigenschaften einstellen:

Fr eine erste Kontrollsimulation ist ein grobes Mesh mit ca 20 Cells/Wavelength empfohlen.
Die Parameter fr die restlichen Felder (Options, Ports, Recources, Model/Symbol, Notes) knnen auf
den Defaultwerten belassen werden.

Start der Simulation:

EM-Simulationen knnen je nach Rechner, Layoutstruktur und EM-Setup lange dauern. Eine
Probesimulation mit grobem Mesh (20 Cells/Wavelaength) und wenigen Frequenzpunkten wird zur
Abschtzung der Simulationszeit empfohlen.

Simulationszeit fr obige Schaltung mit max. 25 Frequenzpunkten, 10 MHz bis 6 GHz,


35 Cell/Wavelength @ 6 GHz, Rechner Win7, 64 Bit, 8GB RAM, CPU Intel i5 750@2.67GHz:
ca 4 Minuten.

Simulationszeit fr obige Schaltung mit max. 25 Frequenzpunkten, 10 MHz bis 6 GHz,


60 Cell/Wavelength @ 6 GHz, Rechner Win7, 64 Bit, 8GB RAM, CPU Intel i5 750@2.67GHz:
ca 20 Minuten.

02.2013

F. Dellsperger

37

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Lowpassfilter Chebyshev 0.05 dB / 1000 MHz


Real Microstrip Lines
Step 6 All Discontinuities and Losses
Uebertragungsdaempfung vs freq

Uebertragungsdaempfung vs freq im Durchlassbereich


0.0

-0.1
-20

-0.2
-0.3

-40

-0.4
-0.5
-0.6

-60

-0.7
-80

-0.8
-0.9

-100

-1.0
0

0.0

0.1

freq, GHz

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

freq, GHz

Returnloss vs freq

Eqn S21_lumped=Step2..S(2,1)

Eqn S11_lumped=Step2..S(1,1)

-10

Eqn S21_Mom=Step5_MomUW_a..S(2,1)
-20

Eqn S11_Mom=Step5_MomUW_a..S(1,1)
-30

-40

-50
0

freq, GHz

Lumped ideal
Microstrip Schematic (All Discontinuities and Losses)
Momentum Simulation from Layout

Das Layout mit Beschriftung, Vermassung und PCB-Umriss ergnzen und Gerberfiles fr
Printherstellung erstellen.

Zwei neue Layer (mechanical und label) erstellen.


Siehe Student Quick Reference Guide, Part 2,
9.4 Erstellung des Gerber-Files fr die Printherstellung in unserem Labor

PCB-Umriss mit Polylinie auf Layer mechanical:drawing zeichnen

Kommentar und Vermassung ausserhalb PCB, mit Insert>Text oder


Texthhe min. 1.5 mm

PCB-Beschriftung auf Layer label.drawing: Component-Palette: Block Text Fonts > sans,
Texthhe min. 2.5 mm

Hintergrund fr PCB-Beschriftung, Rectangle auf Layer label.drawing zeichnen

Erstellung des Gerber Files fr die Printherstellung siehe


Student Quick Reference Guide, Part 2,
9.4 Erstellung des Gerber-Files fr die Printherstellung in unserem Labor.

02.2013

F. Dellsperger

auf Layer text:drawing,

38

BFH TI EKT

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bungen

Weitere Dokumente
Fr die vorliegenden bungen sind folgende Dokumente hilfreich:
1.

Student Quick Reference Guide, Part 1 und Part 2

2.

Advanced Design System Quick Start: adstour.pdf

Alle Dokumente sind auf Moodle abgelegt.

02.2013

F. Dellsperger

39