ADS2012 Uebungen PDF

BFH TI EKT
ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)
bungen
ADS 2012
bungen fr den Einstieg in ADS
bung Nr. 1: Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)

bung Nr. 2: NF-Kleinsignalverstrker (2_AF_Amp_wrk)
bung Nr. 3: S-Parameter- und EM-Simulation, Tiefpassfilter (3_MS_LP_wrk)
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02.2013
F. Dellsperger
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BFH TI EKT
bung Nr. 1:
Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)
bungen
Es sind drei Schaltungen zur Simulation und Darstellung der drei Kennlinien
A)
IC = f(UBE )
mit UCE = 12V
B)
IC = f(IB ) mit UCE = 12V
C)
und
IC = f(UCE )
mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA
des Transistors BC547B aufzubauen.

Step by Step:
IC = f(UBE )
A)
a)
mit UCE = 12V
Erstellen Sie in Ihrem Directory ADS ein neues Workspace mit mit dem Namen
1_Curvetracer_wrk und der Library mit dem Namen IcvsUbe_lib
(Student Quick Reference Guide, Part 1, S5)
b)
02.2013
Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsUbe ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsUbe
F. Dellsperger
BFH TI EKT
bungen
Zeichnen Sie im Schematic View die Messchaltung, fgen Sie eine DC-Simulation, die
Variablendeklaration und komentierenden Text hinzu.
Definieren Sie alle Parameter und Variablen gemss Beispiel.
1)
Verwenden Sie den Transistor BC547B. Sein nichtlineares Modell ist in der
mitgelieferten Vendor Component Library Analog_Parts. Fgen Sie diese Library dem
Workspace hinzu.
2)
Component > Component Library ...
oder
BC547B in Schema einfgen

Komponenten-Text verschieben:
Edit > Component > Move Component Text oder F5
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F. Dellsperger
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3)
bungen
Component Palette List Probe Components

Benennen Sie das Amperemeter (I_Probe) mit dem Elementnamen Ic. Dies vereinfacht
in der Datendarstellung die Auswahl und Bezeichnung des Kollektorstromes. Achten
Sie auf die Stromrichtung (ev. Spiegeln um y-Achse).
4)
Component Palette List Sources-FreqDomain oder Sources-TimeDomain

Definieren Sie alle Parameter und Variablen gemss Beispiel.
Component Parameter editieren: Direkt auf Schema oder Doppleklick auf Element
5)
Component Palette List Data Items oder
6)
Component Palette List Simulation-DC
7)
Beschreibender Text:
Da Text in Schemas hufig verwendet wird, fgen Sie einen Button
ein: Tools > Hot Key/Toolbar Configuration
02.2013
in der Toolbar
Speichern Sie das Schema .

Nicht gespeicherte Views weisen in der Kopfzeile einen Stern auf.
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c)
Simulation starten
bungen
oder F7
Neues Daten Dispay ffnen

(je nach Defaulteinstellung wird nach der Simulation automatisch ein Daten Display geffnet)
Rectangular Plot einfgen (Student Quick Reference Guide, Part 1, S19)

Als Trace Ic auswhlen. Fr die unabhngige Variable (x-Achse) wird automatisch Ube
gewhlt, da dies der Sweep-Parameter in der Simulation ist.
Data Display formatieren, beschriften, etc.
Ic versus Ube @ Uce = 12 V

250
Strme werden im
Dataset immer mit
Variablenname.i
bezeichnet.
Ic.i, mA
200
150
100
50
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Ube
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Data Display speichern
F. Dellsperger
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B)
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bungen
IC = f(IB ) mit UCE = 12V
Erstellen Sie eine neue Library mit dem Namen IcvsIb_lib: (Main) File > New > Library
Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsIb ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsIb
Erstellen Sie das Schema mit allen Angaben. Dies geschieht am einfachsten, wenn Sie
im Schema IcvsUbe alles markieren, in den Buffer kopieren (Ctrl-C), im neuen Schema
einfgen (Ctrl-V) und hier die entsprechenden nderungen vornehmen.
Simulieren, neues Daten Display erstellen, abspeichern
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C)
IC = f(UCE )
bungen
mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA
Erstellen Sie eine neue Library mit dem Namen IcvsUce_lib: (Main) File > New > Library
Erstellen Sie in der Library IcvsUbe in einer neuen Cell mit dem Namen IcvsUce ein
Schema mit dem Namen schematic_IcvsUce
Erstellen Sie das Schema mit allen Angaben.

Hier wird fr den Basisstrom ein Parameter-Sweep aufgesetzt. Fr jeden im ParameterSweep definierten Step wird die DC-Analyse durchgefhrt und die Resultate ins Dataset
geschrieben. Es entsteht somit ein mehrdimensionales Dataset.
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bungen
Simulieren, neues Daten Display erstellen, speichern
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bung Nr. 2:
bungen
NF-Kleinsignalverstrker (2_AF_Amp_wrk)
Es sind verschiedene Simulation und Darstellung der Simulationsresultate am Beispiel eines NFKleinsignalverstrkers vorzunehmen:
1. DC-Arbeitspunktanalyse
2. Optimierung der Basisspannungsteilerwiderstnde fr gegebenen DC-Arbeitspunkt
3. AC-Kleinsignalanalyse mit Darstellung des Bodediagramms
4. Optimierung der Gegenkopplung auf gewnschte Verstrkung
5. Simulation der Nichtlinearitten mit Harmonic-Balance
5.1. Eintonaussteuerung
5.2. Zweitonaussteuerung
6. Transientensimulation
Workspace-Hierarchie:
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1. DC-Arbeitspunktanalyse
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2. Optimierung der Basisspannungsteilerwiderstnde fr gewnschten DC-Arbeitspunkt

Im Basisspannungsteiler soll Rb so verndert werden, dass ein Kollektorstrom vom 5 mA
resultiert.
Siehe auch Student Quick Reference Guide, Part 1, 6. ADS Optimization Cockpit.
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3. AC-Kleinsignalanalyse mit Darstellung des Bodediagramms

Wir erstellen das Schema des Verstrkers und das zugehrige Symbol (Subcircuit) in einer Library
AF_Amp_lib und alle Simulationsschaltungen in einer Library TestBenches_lib.
schematic:
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symbol_AF_Amp:
schematic_ACAna:
Es gibt drei Mglichkeiten um die Verstrkung (oder andere zu berechnende Grssen) im Datadisplay
darzustellen:
MeasEqn auf dem Schema

Eqn im Datadisplay
Berechnung direkt im Diagramm
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4. Optimierung der Gegenkopplung auf gewnschte Verstrkung
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bungen
5. Simulation der Nichtlinearitten mit Harmonic-Balance

5.1. Eintonaussteuerung
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bungen
Anmerkung zum Inhalt des Dataset und die Verwendung der Daten:
Das Dataset das durch die Simulation erzeugt wird, enthlt die Datenwerte der Variablen. Der Aufbau
des Datenset und die Verwendung der Daten wird an obigem Beispiel erlutert:
Inhalt und Aufbau des Dataset knnen abgefragt werden:
Sollen im Diagramm oder in Gleichungen (Eqn) nicht alle Variablenwerte verwendet werden, kann der
Bereich der Datenwerte mit folgender Syntax eingeschrnkt werden:
Variablenname[Index_Variable1,Index_Variable2]
Beispiel oben mit 2-dimensionalem Dataset. Angaben fr mehrdimensionale Dataset entsprechend
erweitern.
Index kann ein einzelner Datenpunktindex, oder ein Bereich, oder alle Datenpunktindexe sein.
Beispiele zu obiger Simulation:
Uout[1,7]
Uout fr den 1. Uin-Wert und die 7. Harmonische

(die 0. Harmonische mit Index 0 ist der DC-Wert)
Uout[5,::]
Uout fr den 5. Uin-Wert und alle Harmonischen
Uout[::,2::11]
Uout fr alle Uin-Werte und die Harmonischen 2 bis 11
Uout[1::2::31,::]
Uout fr die Uin-Werte 1,3,5,31 (Start::Schritt::Stop) und alle Harmonischen
Eqn Nenner=sum(HB_1Tone_THD..Uout[::,1::10]**2)
entspricht
Summe aller Uout2 fr alle Uin und die Harmonischen 1 bis 10.
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5.2. Zweitonaussteuerung
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6. Transienten-Simulation
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bung Nr. 3:
S-Parameter- und EM-Simulation, Tiefpassfilter
(3_MS_LP_wrk)
Die S-Parameter-Simulation eignet sich nur fr die Analyse linearer Schaltungen und erfolgt im
Frequenzbereich. Sie ist die schnellste Analyse berhaupt. Es stehen smtliche physikalischen
Elemente (Leitungen, Microsripline, Stripline, gemessene Herstellerdaten von Widerstnden,
Kapazitten, Induktivitten, Transistoren, Dioden, etc.) zur Verfgung.
Die vielfltigen Mglichkeiten dieser Simulation wird anhand der Entwicklung eines Tiefpass-Filters in
planarer Technik (Microstripline) gezeigt.
Die Spezifikationen des Filters sind gegeben durch:
Filtercharakteristik:
Chebishev
Ordnungszahl n :
Welligkeit im Durchlassbereich (Ripple) ar :

entsprechend einer minimalen Rckflussdmpfung von
0.05 dB
19 dB
Grenzfrequenz
1000 MHz
fc :
Quellen- und Lastimpedanz Z o :
50
1. Filterelement
parallel
Planartechnik
Microstrip
Substrat
RO4350B, 60 mil
Der Designablauf kann in 7 Schritten gemss Flussdiagramm auf der nchsten Seite erfolgen.
Step 1:
Filterspezifikation (Pflichtenheft), siehe oben.
Step 2:
Exakte Synthese der idealen, konzentrierten Elemente (L, C)
' = 1 ) erhalten wir durch Berechnung oder aus

Fr den normierten Tiefpass ( R ' 0 = 1
einem Filterkatalog die normierten Elementwerte:
g0 = g6 = 1
g1 = g5 = 0.9984
R '0 = 1
L '2 = g2 H
C'1 = g1 F
g2 = g4 = 1.3745
g3 = 1.8283
L ' 4 = g4 H
R '6 = g6
C'3 = g3 F
C '5 = g5 F
Mit der Entnormierung auf R0 = 50 und c = 2fc = 2 1000 MHz erhlt man die Elementwerte:
Z
R0 = R 6 = g0 0 = 50
R '0
R' '
C1 = C5 = g1 0 = 3.178 pF
Z0 c
R' '
C3 = g3 0 = 5.8197 pF
Z0 c
Z '
L 2 = L 4 = g2 0 = 10.9379 nH
R '0 c
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bungen
Designablauf fr passive, planare Filter:
1.
Spezifikationen
2.
Konzentrierte,
ideale Elemente:
Exakte Synthese
Specs OK
J
3.
Konzentrierte Elemente ersetzen

durch ideale, verteilte Elemente
(ohne Diskontinuitten,
ohne Verluste)
Specs OK
Optimierung
4.
Diskontinuitten
einfgen
Specs OK
Optimierung
5.
Verluste einfgen
Specs OK
Optimierung
(meist nicht ntig)
Optimierung
(meist nicht ntig)
6.
Layout mit
Anschlussleitungen
EM-Simulation
Specs OK
J
7.
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Fabrikation
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02.2013
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bungen
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Step 3:
bungen
Konzentrierte Elemente ersetzen durch ideale, verteilte Elemente

In diesem Beispiel:
- verlustlose Microstriplines ohne Discontinuitten
- die Parallel-Cs werden ersetzt durch niederohmige MicrostripLeitungen (Leiterbreite = 12 mm).
Niederohmige Leitungen (grosse Leiterbreite) haben ein grosses
Parallel-C und ein kleines Serie-L.
Das umgekehrte gilt fr hochohmige (kleine Leiterbreite) Leitungen.
- die Serie-Ls werden durch hochohmige Microstrip-Leitungen ersetzt
(Leiterbreite = 0.3 mm)
Mit folgenden Approximationen werden die ungefhren Leitungslngen bestimmt:

Za
Zb
Zc
Zd
L
L2
L=10.9379 nH
Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm
L
L4
L=10.9379 nH
C
C1
C=3.178 pF
Zb =
Za
C
C3
C=5.8197 pF
Zc = 0
Zb
C1
C
C5
C=3.178 pF
Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm
Zd =
Zc
C3
L2
l2mech
l1mech
l3mech
Fr hohe Frequenzen gilt: Zb . Damit kann man approximieren: Zb
f = fc
(Leerlauf)
Dadurch kann C1 durch ein am Ende leerlaufendes Leitungsstck ersetzt werden und es gilt:
1
2l1el
Z a = jZ01 cot
=
jc C1
Dabei ist:
Z01 = Leitungsimpedanz der ersten Leitung
l1el = elektrische Lnge der ersten Leitung
= Wellenlnge bei fc
c = 2fc
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bungen
Die Auflsung nach lel ergibt:

l1el =
a tan ( c C1Z 01 )
2
Die mechanische Leitungslnge erhlt man mit:

l1mech =
l1el
e01
Da die beiden Grssen Z 01 und 01 von der Leiterbreite und dem Substrat abhngig sind,
mssen sie zuerst bestimmt werden. Mit Hilfe des in ADS integrierten Werkzeuges Linecalc
knnen diese Grssen bestimmt werden. Fr das gegebene Substrat und die vorgegebene
Leiterbreite erhlt man:
Z01 = 20.1
e01 = 3.047
Fr hohe Frequenzen gilt: Z c 0 . Damit kann man approximieren: Z c
f = fc
0 (Kurzschluss)
Dadurch kann L2 durch ein am Ende kurzgeschlossenes Leitungsstck ersetzt werden und es
gilt:
2l2el
Zb = jZ02 tan
= jcL 2

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l2el =
bungen
a tan c 2
2
Z 02
l2mech =
l2el
e02
Fr das gegebene Substrat und die gegebene Leiterbreite erhlt man:

Z02 = 137
e02 = 2.367
Auf gleiche Art kann auch C3 berechnet werden. Da C1 = C5 und L2 = L4, sind auch die
entsprechenden Microstrip-Leitungen gleich.
Hier die vollstndige Berechnung:
3
fc = 1 10 MHz
02.2013
:=
3 10
fc
c := 2 fc
Ideale Elementwerte
aus Synthese
Mikrostrip-Eigenschaften aus Linecalc

(RO4350B, w1=w3=w5=12 mm, w2=w4=0.3 mm
C1 = 3.178 pF
Z01 := 20.1
e01 := 3.047
L2 = 10.938 nH
Z02 := 137
e02 := 2.367
C3 = 5.82 pF
Z03 := Z01
e03 := e01
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L4 := L2
Z04 := Z02
e04 := e02
C5 := C1
Z05 := Z01
e05 := e01
l1 :=
atan c C1 Z01 = 18.224 mm
2
l1mech := l1
c L2
l2 :=
atan
= 22.2 mm
2
Z02
l2mech := l2
l3 :=
atan c C3 Z03 = 30.263 mm
2
l3mech := l3
50 Ohm
C1
MLIN
TL1
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm
Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm
L2
MLIN
TL2
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm
C3
MLIN
TL3
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm
MLIN
TL4
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L3 mm
Var
Eqn
S-PARAMETERS
S_Param
SP1
Start=10 MHz
Stop=6 GHz
Step=2 MHz
L4
= 10.44 mm
e01
1
= 14.43 mm
e02
1
= 17.337 mm
e03
C5
MLIN
TL5
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm
VAR
VAR1
L1=10.44
L2=14.43
L3=17.34
Startwerte aus
Approximation
50 Ohm
MLIN
TL6
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm
MLIN
TL7
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm
Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm
Anschlussleitung
W aus "Linecalc"
MSub
MSUB
RO4350
H=60 mil
Er=3.66
Mur=1
Cond=1.0E+50
Hu=1.0e+033 mm
T=35 um
TanD=0
Rough=0 um
Eingefuegter Test: Layer von "ads_device:drawing" auf

"ads_device:ads_drawing3" geaendert, damit er in
roter Farbe erscheint. (Properties aendern).
bungen
verlustfrei
Lowpassfilter Chebyshev 0.05 dB / 1000 MHz

Ideal Microstrip Lines (No Discontinuities, No Loss, No Optimization)
Step 3
Uebertragungsdaempfung vs freq
Uebertragungsdaempfung vs freq im Durchlassbereich
0.00
-0.05
-0.10
dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))
dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))
-20
-40
-60
-80
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
-0.40
-0.45
-100
-0.50
0
0.0
0.1
0.2
0.3
freq, GHz
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
freq, GHz
Returnloss vs freq
0
dB(S11_lumped)
dB(S(1,1))
-10
Eqn S21_lumped=Step2..S(2,1)
-20
-30
Lumped ideal
-40
Microstrip (No Loss, No Optimization)

-50
0
freq, GHz
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F. Dellsperger
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bungen
dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))
dB(S11_lumped)
dB(S(1,1))
dB(S21_lumped)
dB(S(2,1))
BFH TI EKT
02.2013
F. Dellsperger
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BFH TI EKT
Smtliche Discontinuitten wie Leiterbreitensprnge (Steps), Bgen, Winkel,

etc.werden eingefgt und wieder die Leitungslngen optimiert.
Step 4:
50 Ohm
Term
Term1
Num=1
Z=50 Ohm
C1
MLIN
TL1
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm
MSTEP
Step1
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=3.4 mm
L2
MLIN
TL2
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm
MSTEP
Step4
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm
MLIN
TL5
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm
C5
MSTEP
Step5
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm
Startwerte aus
Step 3a:
S-PARAMETERS
S_Param
SP1
Start=10 MHz
Stop=6 GHz
Step=2 MHz
L1 = 10.57
L2 = 14.04
L3 = 18.85
MLIN
TL6
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L1 mm
Var
Eqn
MSTEP
Step6
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=3.4 mm
VAR
VAR1
L1=10.0288 {o}
L2=13.2601 {o}
L3=17.6401 {o}
Werte nach
Optimization
OPTIM
GOAL
UseAllGoals=yes
SaveCurrentEF=no
EnableCockpit=yes
SaveAllTrials=no
MSTEP
Step3
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm
MLIN
TL4
Subst="RO4350"
W=12.0 mm
L=L3 mm
50 Ohm
ev. Step vergroessern, damit

Optimization schneller ablaeuft
Optim
Optim1
OptimType=Random
MaxIters=50
DesiredError=0.0
StatusLevel=4
FinalAnalysis="None"
NormalizeGoals=yes
SetBestValues=yes
Seed=
SaveSolns=yes
SaveGoals=yes
SaveOptimVars=no
UpdateDataset=yes
SaveNominal=no
SaveAllIterations=no
UseAllOptVars=yes
C3
MLIN
TL3
Subst="RO4350"
W=0.3 mm
L=L2 mm
MSTEP
Step2
Subst="RO4350"
W1=12 mm
W2=0.3 mm
L4
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bungen
MSub
MLIN
TL7
Subst="RO4350"
W=3.4 mm
L=10.0 mm
Anschlussleitung
W aus "Linecalc"
MSUB
RO4350
H=60 mil
Er=3.66
Mur=1
Cond=1.0E+50
Hu=1.0e+033 mm
T=35 um
TanD=0
Rough=0 um
GOAL
verlustfrei
GOAL
Goal
OptimGoal1
Expr="db(S11)"
SimInstanceName="SP1"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitName[1]="limit1"
LimitType[1]="LessThan"
LimitMin[1]=
LimitMax[1]=-19
LimitWeight[1]=1
Indep1Min[1]=10 MHz
Indep1Max[1]=1 GHz
Goal
OptimGoal2
Expr="db(S11)"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitType[1]="GreaterThan"
LimitMin[1]=-19
LimitMax[1]=
LimitWeight[1]=1
Indep1Min[1]=1 GHz
Indep1Max[1]=4 GHz
Goal
OptimGoal3
Expr="db(S21)"
Weight=1
IndepVar[1]="freq"
LimitType[1]="LessThan"
LimitMin[1]=
LimitMax[1]=-25
LimitWeight[1]=10
Indep1Min[1]=2 GHz
Indep1Max[1]=3 GHz
Durchlassbereich
Werte der Goals wie Step 3a
Sperrbereich
Sperrbereich
F. Dellsperger
Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm
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BFH TI EKT
Step 5:
bungen
Die Kupferverluste (Cond), die Dielektrikumsverluste (tanD) und die KupferOberflchenrauhigkeit (Rough) werden auf reale Werte gesetzt.
Cond = 5.8e7, tanD = 0.0037, Rough = 2.4 um
Falls notwendig, sind die Leitungslngen nochmals zu optimieren, dabei ist zu
beachten, dass mit steigender Frequenz auch die Verluste (Dmpfung im
Durchlassbereich) zunimmt und die Goals fr die Optimierung entsprechend
angepasst werden mssen.
02.2013
F. Dellsperger
30
BFH TI EKT
Step 6:
bungen
Ist die Simulation und Optimierung zur Zufriedenheit abgeschlossen, kann das Layout
erstellt werden. Bei einfachen Schaltungen und Strukturen kann dies automatisch
generiert werden (Layout > Generate/Update Layout, Starting Component: P1).
Jetzt kann eine EM-Simulation (Momentum) durchgefhrt werden. Dazu muss zuerst das Substrat
definiert werden und das EM-Simulations-Setup eingestellt werden.
Im Layout Substrateditor starten:
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F. Dellsperger
31
BFH TI EKT
bungen
In diesem Fenster knnen bei komplizierten Substraten die Werte aus der MSub-Anweisung im Schema
geladen werden (File>Import>Substrate from Schematic). In vorliegendem Beispiel wird das Substrat
manuell definiert. Detailinformationen zu den einzelnen Parameter und Verfahren sind im Help zu finden.
Mit Maus Groundplane selektieren. Parameter unverndert bernehmen.
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F. Dellsperger
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BFH TI EKT
bungen
Dielektrikum anwhlen. Dicke angeben. Material editieren.
Neu definiertes Material anwhlen:
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F. Dellsperger
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BFH TI EKT
bungen
Interface anwhlen. Parameter unverndert bernehmen:
Layer cond (Leiter) anwhlen. Material definieren, Operation, Position und Dicke einstellen, Rauhigkeit
definieren:
02.2013
F. Dellsperger
34
BFH TI EKT
bungen
Damit ist die Substratdefinition abgeschlossen.
Save Substrat
EM-Simulation Setup:
Zusammenfassung und Simulatorauswahl:
02.2013
F. Dellsperger
35
BFH TI EKT
bungen
Substratauswahl:
Frequenzplan:
Zum berprfen der Simulationszeit Npts nur auf 2 einstellen.

Eventuell Dataset-Name ndern:
02.2013
F. Dellsperger
36
BFH TI EKT
bungen
Mesh-Eigenschaften einstellen:
Fr eine erste Kontrollsimulation ist ein grobes Mesh mit ca 20 Cells/Wavelength empfohlen.
Die Parameter fr die restlichen Felder (Options, Ports, Recources, Model/Symbol, Notes) knnen auf
den Defaultwerten belassen werden.
Start der Simulation:
EM-Simulationen knnen je nach Rechner, Layoutstruktur und EM-Setup lange dauern. Eine
Probesimulation mit grobem Mesh (20 Cells/Wavelaength) und wenigen Frequenzpunkten wird zur
Abschtzung der Simulationszeit empfohlen.
Simulationszeit fr obige Schaltung mit max. 25 Frequenzpunkten, 10 MHz bis 6 GHz,

35 Cell/Wavelength @ 6 GHz, Rechner Win7, 64 Bit, 8GB RAM, CPU Intel i5 750@2.67GHz:
ca 4 Minuten.
Simulationszeit fr obige Schaltung mit max. 25 Frequenzpunkten, 10 MHz bis 6 GHz,

60 Cell/Wavelength @ 6 GHz, Rechner Win7, 64 Bit, 8GB RAM, CPU Intel i5 750@2.67GHz:
ca 20 Minuten.
02.2013
F. Dellsperger
37
BFH TI EKT
bungen
Lowpassfilter Chebyshev 0.05 dB / 1000 MHz

Real Microstrip Lines
Step 6 All Discontinuities and Losses
Uebertragungsdaempfung vs freq
Uebertragungsdaempfung vs freq im Durchlassbereich

0.0
-0.1
-20
-0.2
-0.3
-40
-0.4
-0.5
-0.6
-60
-0.7
-80
-0.8
-0.9
-100
-1.0
0
0.0
0.1
freq, GHz
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
freq, GHz
Returnloss vs freq
-10
Eqn S21_Mom=Step5_MomUW_a..S(2,1)
-20
Eqn S11_Mom=Step5_MomUW_a..S(1,1)
-30
-40
-50
0
freq, GHz
Lumped ideal
Microstrip Schematic (All Discontinuities and Losses)
Momentum Simulation from Layout
Das Layout mit Beschriftung, Vermassung und PCB-Umriss ergnzen und Gerberfiles fr
Printherstellung erstellen.
Zwei neue Layer (mechanical und label) erstellen.

Siehe Student Quick Reference Guide, Part 2,
9.4 Erstellung des Gerber-Files fr die Printherstellung in unserem Labor
PCB-Umriss mit Polylinie auf Layer mechanical:drawing zeichnen
Kommentar und Vermassung ausserhalb PCB, mit Insert>Text oder

Texthhe min. 1.5 mm
PCB-Beschriftung auf Layer label.drawing: Component-Palette: Block Text Fonts > sans,
Texthhe min. 2.5 mm
Hintergrund fr PCB-Beschriftung, Rectangle auf Layer label.drawing zeichnen
Erstellung des Gerber Files fr die Printherstellung siehe

Student Quick Reference Guide, Part 2,
9.4 Erstellung des Gerber-Files fr die Printherstellung in unserem Labor.
02.2013
F. Dellsperger
auf Layer text:drawing,
38
BFH TI EKT
bungen
Weitere Dokumente
Fr die vorliegenden bungen sind folgende Dokumente hilfreich:
1.
Student Quick Reference Guide, Part 1 und Part 2
2.
Advanced Design System Quick Start: adstour.pdf
Alle Dokumente sind auf Moodle abgelegt.
02.2013
F. Dellsperger
39

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ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

bung Nr. 1: Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Curvetracer fr BJT (1_Curvetracer_wrk)

mit UCE = 12V

IC = f(IB ) mit UCE = 12V

mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA

des Transistors BC547B aufzubauen.

mit UCE = 12V

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Definieren Sie alle Parameter und Variablen gemss Beispiel.

Component > Component Library ...

BC547B in Schema einfgen

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Component Palette List Probe Components

Component Palette List Sources-FreqDomain oder Sources-TimeDomain

Component Palette List Data Items oder

Component Palette List Simulation-DC

Speichern Sie das Schema .

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Neues Daten Dispay ffnen

Rectangular Plot einfgen (Student Quick Reference Guide, Part 1, S19)

Data Display formatieren, beschriften, etc.

Ic versus Ube @ Uce = 12 V

Data Display speichern

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

IC = f(IB ) mit UCE = 12V

Simulieren, neues Daten Display erstellen, abspeichern

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

mit IB = 0, 10, 20, ... 100uA

Erstellen Sie das Schema mit allen Angaben.

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Simulieren, neues Daten Display erstellen, speichern

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

2. Optimierung der Basisspannungsteilerwiderstnde fr gewnschten DC-Arbeitspunkt

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

3. AC-Kleinsignalanalyse mit Darstellung des Bodediagramms

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

MeasEqn auf dem Schema

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

4. Optimierung der Gegenkopplung auf gewnschte Verstrkung

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

5. Simulation der Nichtlinearitten mit Harmonic-Balance

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Uout fr den 1. Uin-Wert und die 7. Harmonische

Uout fr den 5. Uin-Wert und alle Harmonischen

Uout fr alle Uin-Werte und die Harmonischen 2 bis 11

Uout fr die Uin-Werte 1,3,5,31 (Start::Schritt::Stop) und alle Harmonischen

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Welligkeit im Durchlassbereich (Ripple) ar :

Quellen- und Lastimpedanz Z o :

Filterspezifikation (Pflichtenheft), siehe oben.

Exakte Synthese der idealen, konzentrierten Elemente (L, C)

' = 1 ) erhalten wir durch Berechnung oder aus

ADS2012 (Advanced Design System, Agilent-EESof)

Designablauf fr passive, planare Filter: