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n-Mosfet, D ID ID
selbstsperrend
ID
G
S Uth UGS UDS
p-Mosfet, D ID ID
selbstsperrend Uth UGS UDS
ID
ID ID
n-Mosfet, D
selbstleitend
ID
p-Mosfet, D ID ID
selbstleitend
ID Uth UGS UDS
n-Jfet D ID ID
ID
p-Jfet D
ID ID
ID Uth UGS UDS
S
ELEKTRONIK FELDEFFEKTTRANSISTOREN
Blatt 2 Funktionsweise, Übertragungskennlinien
ID
UDS UDS UDS
mA
10
Mosfet, selbstleitend
Sperrschicht-Fet
8
Mosfet, selbstsperrend
2
Uth Uth Uth 2Uth
-2 -1 0 1 2 3 4 U
GS
Übertragungskennlinien ID=f(UD) verschiedener n-Kanal-FET-Typen V
GLEICHUNGEN
W
G
Po ly-S i
S d o x SiO 2 D
n Si n
L
p-Substrat
W é m2 ù
¢ ×
K = m × COX m Ladungsträgerbeweglichkeit ê ú
L ë Vs û
éF ù
¢
COX Kapazitätsbelag des Gate-Oxids ê 2 ú
ëm û
ELEKTRONIK FELDEFFEKTTRANSISTOREN
Blatt 3 Kennlinienfelder, Gleichungen, Kanallängenmodulation
ID
A ohmscher Bereich Abschnürgrenze Abschnürbereich
UDSab=UGS-Uth
UGS= 0V
UDS=8V 10m
UDS=4V
8m
UGS= -0.5V
6m
UDS=2V
UGS= -1V
4m
UGS= -1.5V
2m
UGS= -2V
ì
ï 0 im Sperrbereich U GS < U th
ï
ï æ ö æ U DS ö
Gleichungen ï U
K × U DS ç U GS - U th - DS
ID = í ÷ç1 + ÷ im ohmschen Bereich U GS ³ U th , U DS < U GS - U th
ï è 2 øè UA ø
ï K 2 æ U ö
ï (U GS - U th ) × ç 1 + DS ÷ im Abschnürbereich U GS ³ U th , U DS ³ U GS - U th
ïî 2 è UA ø
æ U ö
Abhängigkeit des Drainstroms I D von U DS ® Faktor ç 1 + DS ÷
è UA ø
Kanallängenmodulation UA Earlyspannung (30...200V )
1
l= Kanallängenmodulations-Parameter (SPICE-Parameter )
UA
ID
UA= 1 / λ 0 UDS
ID
Temperaturverhalten
dU th mV
= - 3.5 ... -1.7 U th sinkt bei steigender Temperatur
dT K T1=-100°
1 dK 1
× = - 5 × 10 -3 relative Änderung , K sinkt bei steigender Temperatur
K dT K
T2=0°
TK-Punkt
dI D 2I DS 2 ü
Kleinsignalparameter S= = 2K × I DA = (U GSA - U th ) = I DA × I DS
Steilheit ï
dU GS U th2 U th ï
ý im Abschnürbereich
dU DS U A ï
rDS = = differentieller Ausgangswiderstand
dI D ID ïþ
rGS » ¥ GS-Strecke ist eine Diode in Sperrrichtung bzw. Isolierschicht (SiO2 )
iG = 0
Kleinsignalgleichungen 1
iD = S × uGS + × uDS
rDS
iG = 0 iD
Kleinsignalersatzschaltbild G D
ein FET verhält sich wie eine spannungsgesteuerte Stromquelle
uGS S·uGS rDS uDS
(iK = S × uGS ) mit parallelem Innenwiderstand (ri = rDS )
S
ID ID
IDS
A
IDA dID
dUDS
dI D
S=
dU GS
dU DS
rDS =
dI D
A dID IDA
dUGS
GRUNDSCHALTUNGEN
RD
UB UB AC
uA
D D
uE G G
S uE S
SOURCESCHALTUNG uA DRAINSCHALTUNG
(SOURCE auf Masse) (DRAIN AC-mäßig auf Masse)
RS
PRINZIP ID
+10V
Beispiel RD 1kΩ
dynamische 8mA Arbeitsgerade Sourceschaltung
Übertragungskennlinie uA
uE
6mA
A A
4mA
-1V
2mA
0
-2V -1V 0V 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V
UGS UDS
uE uA
t t
-1V R2
U G = U GSA + I DA × RS = U B
R1 + R2
K 2
2I 2I DA U GSA
I DA = (U GSA - U P ) ® U GSA = U P + DA U GSA = U P + RS = -
U GSA = U th +
2I DA
RS =
U G - U GSA
2 K K I DA
K I DA
APE mit negativer Gatevorspannung
APE mit Sourcewiderstand APE mit Sourcewiderstand
- negative Betriebsspannung
+ keine negative Betriebsspannung UGSA positiv
- keine Stromgegenkopplung → instabiler AP
+ Stromgegenkopplung → stabiler AP + Stromgegenkopplung
ELEKTRONIK FELDEFFEKTTRANSISTOREN
Blatt 6 Verstärkerschaltungen
ug Rg ue G id D ua
SOURCESCHALTUNG
Ub
rgs ugs S·ugs rds
R1 Rd RL
re ra
Rd
C2 S
ua
ug
Rg C1
ue
Spannungsverstärkung u E = uGS u A = - S × u E × (RD || rDS || RL )
ra
RL uA
A= = - S × (RD || rDS || RL )
ug R1 uE
re
Eingangswiders tan d rE = R1 || rGS » R1
Ug Ausgangswiders tan d rA = RD || rDS
Rg ig G id D
ug ue ua
SOURCESCHALTUNG mit Stromgegenkopplung ug
Ub re* rgs ugs S·ugs rds
Ub
R1||R2 Rd RL
re ra
R1 Rd
S
C2 id
ua
Rs
Rg C1
ue ra
RL
Spannungsverstärkung
ug
re R2 Rs uE
Annahme : rDS » ¥ uGS = u E - S × uGS × RS uGS =
1 + S × RS
uE uA S × (RD || RL ) (R || RL )
u A = - S × uGS × (RD || RL ) = - S × × (RD || RL ) A= =- =- D
1 + S × RS uE 1 + S × RS 1
+ RS
S
Eingangswiders tan d
u uE
rE+ = E rE+ = = (1 + S × RS )× r´ GS rE = R1 || R2 || rE+ » R1 || R2
iG u E - S × uGS × RS
rGS
Ausgangswiders tan d rA » RD
DRAINSCHALTUNG
Ub Ub Rg ig G id D
ug ue
ug
R1 re*
rgs ugs S*ugs rds
R1||R2
re
Rg C1 id
ue
S
C2 0 0 ua
ua
R2 Rs RL
ug re Rs RL ra
ra
Spannungsverstärkung
uE uE S × (RS || RL ) uA S × (RS || RL ) (RS || RL )
rDS » ¥ uGS = u E - S × uGS × RS uGS = u A = u E - uGS = u E - = × uE A= = =
1 + S × (RS || RL ) 1 + S × (RS || RL ) 1 + S × (RS || RL ) u E 1 + S × (RS || RL ) 1 + R || R
( S L)
S
Eingangswiders tan d
uE uE r
rE+ = rE+ = = GS > 10 × rGS rE = R1 || R2 || rE+ » R1 || R2
iG uE - A × uE 1 - A
rGS
u A0 Leerlaufausgangsspannung (RL = ¥ )
Ausgangswiders tan d rA = =
iAK Kurzschlussausgangsstrom (RL = 0 )
S × RS u A0 RS 1
u A0 = × uE iAK = iD = S × uGS = S × u E rA = = = || RS
1 + S × RS iAK 1 + S × RS S
rA
VERSTÄRKER SK Kurzschlusssteiheit
uE rE SK·uE rA uA uE rE A0·uE uA
als VIERPOL A0 Leerlaufspannungsverstärkung