GaAs-IR-Lumineszenzdiode LD 242

GaAs Infrared Emitter

2.7

0.9 .1
ø0.45 Chip position

1
1
2.54 mm
spacing

ø4.1
1.1 .9
ø4.3

14.5 3.6 ø5.5

12.5 3.0 ø5.2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g

fet06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
Schmelzepitaxieverfahren liquid phase epitaxy process
● Kathode galvanisch mit Gehäuseboden ● Cathode is electrically connected to the case
verbunden ● High reliability
● Hohe Zuverlässigkeit ● Wide beam
● Großer Öffnungskegel ● Same package as BP 103, BPX 63,
● Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464, SFH 483
SFH 464, SFH 483 ● DIN humidity category in acc. with
● Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG DIN 40 040 GQG

Anwendungen Applications
● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen ● IR remote control and sound transmission
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb

Typ Bestellnummer Gehäuse

Type Ordering Code Package
LD 242-2 Q62703-Q198 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
LD 242-3 Q62703-Q199 Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(1/10’’)
LD 242 E7800 Q62703-Q3509
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)

Semiconductor Group 1 1998-07-15

 LD 242

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 80 °C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung VR 5 V
Reverse voltage
Durchlaßstrom, TC = 25 °C IF 300 mA
Forward current
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 IFSM 3 A
Surge current
Verlustleistung, TC = 25 °C Ptot 470 mW
Power dissipation
Wärmewiderstand RthJA 450 K/W
Thermal resistance RthJC 160 K/W

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Wellenlänge der Strahlung λpeak 950 nm
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax ∆λ 55 nm
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
Abstrahlwinkel ϕ ± 40 Grad
Half angle deg.
Aktive Chipfläche A 0.25 mm2
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche L×B 0.5 × 0.5 mm
Dimension of the active chip area L×W
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel H 0.3 ... 0.7 mm
Distance chip surface to lens top

Semiconductor Group 2 1998-07-15

 LD 242

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von tr, tf 1 µs
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität Co 40 pF
Capacitance
VR = 0 V
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA VF 1.3 (≤ 1.5) V
IF = 1 A, tp = 100 µs VF 1.9 (≤ 2.5) V
Sperrstrom, VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß Φe 16 mW
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.55 %/K
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA TCλ 0.3 nm/K
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA

Semiconductor Group 3 1998-07-15

 LD 242

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Bezeichnung Symbol Werte Einheit

Description Values Unit
-2 -3 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie 4 ... 8 > 6.3 1 ... 3.2 mW/sr
IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 50 75 – mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.

Semiconductor Group 4 1998-07-15

 LD 242

Ie
Relative spectral emission Radiant intensity = f (IF) Max. permissible forward current
Ie 100 mA
Irel = f (λ) IF = f (TA)
Single pulse, tp = 20 µs
OHR01037 OHR00971
100 OHR01938
10 2 300
Ιe
% Ι e (100 mA) Ι F mA
Ι rel 250
80
R thJL = 160 K/W
10 1 200
60

150
R thJA = 450 K/W
40
10 0 100

20
50

0 10 -1 0
880 920 960 1000 nm 1060 10 -2 10 -1 10 0 A 10 1 0 20 40 60 80 ˚C 100
λ ΙF T A, T L

Forward current Permissible pulse handling capability

IF = f (VE) IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
OHR01040 OHR01937
10 1 10 4
A mA tP
ΙF ΙF tP ΙF
5 D=
T
T

typ. max. D=
10 0 0.005
0.01
0.2 0.02
10 3 0.05
0.1
0.5
10 -1 5
DC

10 -2 10 2
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0
VF τ
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40 30 20 10 0 OHR01877

ϕ 1.0
50
0.8

60 0.6

70 0.4

0.2
80

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 5 1998-07-15