Gruppe BE1 Hrmannskirchner Tobias, Gandorfer Johannes Durchgefhrt am 27.10.

2011

Praktikum Elektronische Bauelemente

Versuch 3
Dioden, Temperaturabhngigkeit der Kennlinie

1. Strom-/Spannungskennlinie einer Silizium- (Si) und einer Germanium- (Ge) Standarddiode Es wurden die Kennlinien einer Silizium-Diode vom Typ BA 127 D und einer GermaniumDiode des Typs AA 113 sowohl im Durchlass- als auch im Sperrbereich gemessen, wobei fr die Messung im Sperrbereich ein Picoammeter verwendet wurde. Das Ergebnis zeigt Bild 1.
Bild 1:

1.2 Die wesentlichen Unterschiede der beiden Kennlinien Im Gegensatz zur Ge-Diode hat die Si-Diode einen weitaus geringeren Sperrstrom, dafr aber eine gut doppelt so groe Schleusenspannung US (siehe Tabelle 1). Der Anstieg der Kennlinie im Durchlassbereich ist bei der Si-Diode viel abrupter als bei der Ge-Diode.
Tabelle 1:

Diodentyp Si (BA 127 D) Ge (AA 113)

US 6,2 V 2,9 V

RF 280 206

rF 22,22 111,11

IRS 1,5 nA 6,5 A

rR 10 G 2,35 M

1.3 Vergleich einer idealen mit einer realen Diode Unter 1. wurde fr die Si-Diode der Diodenstrom im Durchlassbereich von 0 0,65 V gemessen. Mit untenstehender Formel kann man den Diodenstrom einer idealen Diode errechnen. In Tabelle 2 werden die gemessenen und errechneten Werte verglichen.

=
Tabelle 2:

mit IRS = 1 x 10-12, UT = 0,026 V

U [V] IRechnung IMessung

0,1 45,8 pA 1340 pA

0,2 2,19 nA 13,7 nA

0,3 0,103 A 0,13 A

0,4 4,80 A 1,43 A

0,5 225 A 23,3 A

0,6 10,5 mA 0,31 mA

0,65 72,0 mA 0,89 mA

Fr die Spannungen < 0,3 V sind die errechneten Werte viel zu klein. Im Bereich 0,3 0,4 V stimmen Messung und Rechnung grob berein. Ab 0,5 V sind die errechneten Strme viel zu gro. Die Abweichungen erklren sich durch in der Praxis auftretende Umwelteinflsse (Photoeffekt) sowie physikalische Nebeneffekte (Erwrmung), die in der Rechnung nicht bercksichtigt wurden.

Der Bahnwiderstand lsst sich aus der Formel

= =

exp

durch Umstellen wie folgt berechnen:

Aus Bild 1 kann man fr UF = 0,7 V und 0,75 V die Werte IF = 2,4 mA und 6,6 mA ablesen, daraus errechnen sich unter Benutzung obiger Formel zwei verschiedene Bahnwiderstnde: RB (0,70 V) = 57,68 RB (0,75 V) = 24,57 Die Differenz der beiden Widerstandswerte ist mit der Nichtlinearitt der Kennlinie zu begrnden. Die zur Berechnung verwendeten Spannungswerte sind grer als die Schleusenspannung, d.h. die Kennlinie steigt in diesem Abschnitt sehr stark berproportional an, wodurch sich selbst bei einer geringen Spannungsnderung von 0,5 V eine groe Differenz zwischen den Widerstnde ergibt.

2. Durchbruchverhalten und differentieller Widerstand von Zener-Dioden

Bild 2 zeigt die mit einem 1 k groen Vorwiderstand gemessenen Sperrkennlinien von acht verschiedenen Z-Dioden. Aus den Kennlinien wurden die Zenerspannung ZU sowie der differentielle Widerstand rZ bei IZ = 1 mA bestimmt, die Werte sind in Tabelle 3 aufgefhrt. In Bild 3 wird der differentielle Widerstand als Funktion der Zenerspannung dargestellt, wobei der Widerstand logarithmisch aufgetragen ist.

Bild 2:

2.2 Zenerspannung und differentieller Widerstand der Dioden

Tabelle 3:

Diode: UZ [V] rZ []

BZX 2V4 2,1 300

ZPD 4.3 3,5 375

BZX 5.6 5,5 100

ZPD 6.8 7 6,67

BZX 10 10,35 33,3

ZPY 15 14,3 16,7

ZPD 20 20,4 100

ZPD 1 23,2 167

Bild 3:

rZ = f(UZ)

3. Temperaturabhngigkeit von Durchlass- und Sperrbereich einer Si-Diode (Typ BA 127) Hier wurden zwei in einen Kupferblock eingebaute Si-Dioden langsam erhitzt, Diode A ist in Sperrrichtung geschalten, Diode B mit Vorwiderstand (1 k) in Durchlassrichtung. Bei Diode A wurde fr eine konstante Sperrspannung UR = 10 V der Sperrstrom IR in Abstnden von 10 C gemessen. Fr Diode B wird bei konstantem Durchlassstrom IF die Durchlassspannung UF ebenfalls in Abstnden von 10 C gemessen. Die Messreihe ist in Tabelle 4 tabellarisch sowie in Bild 4 grafisch dargestellt.
Tabelle 4:

[C] Ir [nA] UF [V]

22
1,49 0,704

30
2,478 0,6925

40
4,196 0,6776

50
7,34 0,6625

60
12,53 0,648

70
22,042 0,6327

80
36,565 0,618

90
61,133 0,6031

100
102,96 0,5875

110
170,33 0,572

120
274,09 0,5563

Bild 4:

Berechnung der Temperaturkoeffizienten bei = 100 C: = = mit IR0 = 102,964 nA, IR = 212,5 nA, = 40 K liefert: +5,16 x 10-2 K-1 mit UF0 = 0,5875 V, UF = -0,1 V, = 90 K liefert: -1,89 x 10-3 K-1

Wie in Bild 4 zu sehen ist, steigt der Sperrstrom mit zunehmender Temperatur an und die Durchlassspannung sinkt, wobei sich die Temperaturerhhung auf den Sperrstrom wesentlich deutlicher auswirkt. Das Steigen des Sperrstroms resultiert aus der Energiezufuhr mittels Wrme. Mehr Elektronen wechseln vom Valenzband auf das Leitungsband und stehen somit zum Ladungstransport zur Verfgung. Im Umkehrschluss sinkt die Durchlassspannung. Somit wird mit zunehmender Temperatur der Widerstand des Halbleitermaterials kleiner.
6

4. Temperaturabhngigkeit der Zenerspannung der Z-Dioden BRX 2V4 und BRX 10 Die Dioden wurden jeweils mit einem 1 k-Vorwiderstand in Sperrrichtung in Serie geschalten und langsam erwrmt. Wie in Aufgabe 3 wird die Spannung UZ in Schritten von 10 C gemessen. In jeder Serienschaltung wird ein Strom IZ von 2 mA eingestellt. Tabelle 5 zeigt die Messreihe, Bild 5 und 6 zeigen die Zenerspannung als Funktion der Temperatur.

Tabelle 5: [C] UZ [V] (BRX 2V4) UZ [V] (BRX 10) 26

2,168 10,438

30
2,163 10,46

40
2,15 10,515

50
2,1375 10,575

60
2,1273 10,624

70
2,1158 10,679

80
2,1044 10,734

90
2,093 10,789

100
2,0815 10,855

110
2,0708 10,909

120
2,0601 10,963

Bild 5:

Bild 6:

Temperaturkoeffizienten: TK (BRX 2V4) = -5,104 x 10-4 K-1 TK (BRX 10) = +5,297 x 10-4 K-1 mit UZ0 = 2,0815 V, UZ = -0,085 V, = 80 K mit UZ0 = 10,855 V, UZ = 0,460 V, = 80 K

Erluterung: An der Diode vom Typ BRX 2V4 (Bild 5) liegt eine Spannung < 5 V an, wodurch der ZenerEffekt berwiegt. Beim Zener-Effekt nimmt die Feldstrke am pn-bergang so groe Werte an, dass Elektronen aus dem Gitterverband gelst werden (vom Valenzband auf das Leitungsband berwechseln) und somit zum Ladungstransport beitragen knnen, in Folge steigt der Sperrstrom. Da der Zener-Effekt durch eine Temperaturerhhung begnstigt wird, sinkt mit zunehmender Temperatur die Spannung. An der Diode des Typs BRX 10 (Bild 6) liegt eine Spannung > 6,5 V an, somit hat der Avalanche-Effekt den meisten Effekt. Die Feldstrke wird so gro, dass die aus dem Gitterverband gelsten Elektronen durch Ste weitere Elektronen herausschlagen, es entsteht ein lawinenartiger Effekt (daher auch der Name Lawineneffekt), wodurch der Sperrstrom exponentiell ansteigt. Der Avalanche-Effekt wird durch eine Temperaturerhhung vermindert, da fr diesen Elektronen mit hoher kinetischer Energie bentigt werden. Wie im Metallleiter werden die Ladungstrger bei Temperaturerhhung allerdings durch die vermehrten Atomschwingungen abgebremst, somit steigt die Spannung mit der Temperatur an.