GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 484
SFH 485

SFH 484

SFH 485

Wesentliche Merkmale
GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlssigkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack)
Gruppiert lieferbar
SFH 484: Gehusegleich mit LD 274
SFH 485: Gehusegleich mit SFH 300,
SFH 203

Features
Very highly efficient GaAlAs-LED
High reliability
Spectral match with silicon photodetectors
Available on tape and reel (in Ammopack)
Available in bins
SFH 484: Same package as LD 274
SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203

Anwendungen

Applications

IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
Gertefernsteuerungen fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Rauchmelder (UL-Freigabe)
Sensorik
Diskrete Lichtschranken

IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers
Remote control for steady and varying intensity
Smoke detectors (UL-approval)
Sensor technology
Discrete interrupters

Typ
Type

Bestellnummer
Ordering Code

Gehuse
Package

SFH 484

Q62703-Q1092

SFH 484-2

Q62703-Q1756

SFH 485

Q62703-Q1093

SFH 485-2

Q62703-Q1547

5-mm-LED-Gehuse (T 1 3/4), klares violettes

Epoxy-Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10),
Anodenkennzeichung: krzerer Anschlu
5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10), anode marking:
short lead

2000-01-01

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Grenzwerte (TA = 25 C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Top; Tstg

40 + 100

Sperrspannung
Reverse voltage

VR

Durchlastrom
Forward current

IF

100

mA

Stostrom, tp = 10 s, D = 0
Surge current

IFSM

2.5

Verlustleistung
Power dissipation

Ptot

200

mW

Wrmewiderstand, freie Beinchenlnge

max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

RthJA

375

K/W

2000-01-01

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Kennwerte (TA = 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Wellenlnge der Strahlung

Wavelength at peak emission
IF = 100 mA

peak

880

nm

Spektrale Bandbreite bei 50% von Irel

Spectral bandwidth at 50% of Irel
IF = 100 mA

80

nm

8
20

Grad
deg.

Aktive Chipflche
Active chip area

0.09

mm2

Abmessungen der aktiven Chipflche

Dimension of the active chip area

LB
LW

0.3 0.3

mm

Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top
SFH 484
SFH 485

H
H

5.1 5.7
4.2 4.8

mm
mm

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%

auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50
Switching times, e from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50

tr, tf

0.6/0.5

Kapazitt
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz

Co

15

pF

VF
VF

1.50 ( 1.8)
3.00 ( 3.8)

V
V

Sperrstrom,
Reverse current
VR = 5 V

IR

0.01 ( 1)

Gesamtstrahlungsflu,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms

25

mW

Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484
SFH 485

Durchlaspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 s

2000-01-01

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Kennwerte (TA = 25 C)
Characteristics (contd)
Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e,

IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or e,
IF = 100 mA

TCI

0.5

%/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

TCV

mV/K

Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA

Temperature coefficient of , IF = 100 mA

TC

0.25

nm/K

Gruppierung der Strahlstrke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. = 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of = 0.001 sr at SFH 484 or = 0.01 sr at SFH 485
Bezeichnung
Parameter

Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

SFH
484

SFH
484-1

SFH
484-2

SFH
485

SFH
485-2

Strahlstrke
Radiant intensity
Ie min
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie max

50
160

50
100

> 80

16
80

> 25

mW/sr
mW/sr

Strahlstrke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 s

800

700

900

300

340

mW/sr

2000-01-01

Ie typ.

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Radiation Characteristics, SFH 484 rel = f ()
40

30

20

10

OHR01891

1.0

50
0.8
60

0.6

70

0.4

0.2

80

90

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Radiation Characteristics SFH 485 rel = f ()

40

30

20

10

OHR01892

1.0

50
0.8
60

0.6

70

0.4

0.2

80

90

100

1.0

2000-01-01

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Relative Spectral Emission
Irel = f ()

Single pulse, tp = 20 s

OHR00877

100

Max. Permissible Forward Current

IF = f (TA)

10

60

10 0

100

75

40

10 -1

50

20

10 -2

25

10 -3

800

850

900

950 nm 1000

Forward Current

IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s

10 0

10 1

10 2

10 3 mA 10 4
F

Permissible Pulse Handling

Capability IF = f (), TA = 25 C,
duty cycle D = parameter
OHR00886

10 4

OHR00881

10 1

mA

OHR00880

125

F mA
1

80

0
750

OHR00878

10 2
e
e (100mA)

rel

Ie
= f (IF)
Ie 100 mA

Radiant Intensity

20

40

60

80 C 100
T

Forward Current vs. Lead Length

between the Package Bottom and
the PC-Board IF = f (l), TA = 25 C
OHR00949

120
mA

D = 0.005
0.01
0.02
0.05

10 0

F 100

10 3 0.1
0.2

80

10 -1

60
0.5
10 2

10

DC

40

-2

D=
10 -3

2000-01-01

V
VF

tp
T

tp
20

T
10 1 -5
-4
-3
-2
10 10 10 10 10 -1 10 0

10 1 s 10 2
tp

10

15

20

25 mm 30

OPTO SEMICONDUCTORS

SFH 484, SFH 485

Mazeichnung
Package Outlines
SFH 484

Area not flat

1.8
1.2

Cathode
5.9
5.5

5.1
4.8

2.54 mm
spacing

0.8
0.5

0.6
0.4

9.0
8.2
7.8
7.5

0.6
0.4

5.7
5.1

29
27

Chip position
GEX06271

SFH 485

Area not flat

Cathode
5.9
5.5

5.1
4.8

2.54 mm
spacing

0.8
0.5

0.6
0.4

9.0
8.2
7.8
7.5

1.5

4.8
4.2

29
27

0.6
0.4

Chip position
GEX06305

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.

2000-01-01

OPTO SEMICONDUCTORS