Gekreuzte Polarisatoren

Elektrooptische Detektion
von
ultrakurzen elektromagnetischen
Pulsen
Anwendungen:
THz-Spektroskopie in der Zeitdomane
und
Abbildungen von THz-Strahlungsprolen
INAUGURAL-DISSERTATION
zur
Erlangung des Doktorgrades
der Fakultat fur Physik
der
Albert-Ludwigs-Universitat Freiburg i. Brsg.
vorgelegt
von
Carsten Winnewisser
aus Durham, NC, USA

Marz 1999
Dekan:
Leiter der Arbeit:
Referent:
Koreferent:
Prof. Dr. H. Helm

Prof. Dr. H. Helm
Prof. Dr. H. Helm
Prof. Dr. K. Runge
Tag der Verkundung des Prufungsergebnisses: 23.04.1999
Folgenden Veroentlichungen basieren auf dieser Arbeit:
zu Kapitel 3 und 4
"Detection of THz pulses by phase retardation in lithium tantalate",

P. Uhd Jepsen, C. Winnewisser, M. Schall, V. Schyja, S. R. Keiding und H.
Helm
Phys. Rev. E, 53, R3052-R3054 (1996)
"Electro-optic detection of THz radiation in LiTaO3, LiNbO3 and ZnTe",
C. Winnewisser, P. Uhd Jepsen, M. Schall, V. Schyja, and H.Helm,
Appl. Phys. Lett. 70, 3069-3071, (1997)
zu Kapitel 5
"Transmission characteristics of dichroic lters measured by THz time-domain

Spectroscopy",
C. Winnewisser, F. Lewen und H. Helm,
Appl. Phys. A 66, 593-598 (1998)
"Transmission features of frequency-selective components in the far infrared
determined by terahertz time-domain spectroscopy",
C. Winnewisser, F. Lewen, J. Weinzierl und H. Helm,
Appl. Optics 38, erscheint am 20. Juni 1999
"Characterization and Application of Dichroic Filters in the 0.1 to 3 THz region",
C. Winnewisser, F. Lewen, M. Schall, M. Walther und H. Helm,
eingereicht bei IEEE Trans. on Microwave Theory and Tech. (Marz 1999)
Zusammenfassung
Diese Arbeit behandelt die Entwicklung eines elektrooptischen (eo) Detektors zum Nachweis sich frei ausbreitender gepulster Terahertz (THz) Strahlung
(THz-Pulse). Anhand der elektrooptischen Kristalle LiTaO3 , LiNbO3 und ZnTe
wird das neuartige eo-Detektion Verfahren vorgestellt, welches gleichzeitig von
drei Forschungsgruppen entwickelt wurde: von F. Heinz und Mitarbeiter an der
Columbia University, New York, NY, USA [77] der Gruppe von X.-C. Zhang
an dem Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY USA [122] und von unserer
Freiburger Gruppe [56].
Mit ZnTe als geeignetstem eo-Detektionskristall wurde ein in der Zeitdomane
arbeitendes Terahertz-Spektrometer1 aufgebaut. Mit diesem Spektrometer, welches den Frequenzbereich von 100 GHz bis 2 THz abdeckt, konnten erstmalig Messungen mittels elektrooptischer Detektion2 durchgefuhrt werden. Folgende Proben wurden untersucht: Chlorwasserstogas, dielektrische Materialien, wie z.B. HDPE und Te on, Photonische Kristalle und frequenz-selektiveKomponenten, insbesondere dichroitische Filter und deren Kombinationen zu
Bandpaltern. Es gelang erstmalig die Herstellung und Charakterisierung dichroitischer Filter mit Grenzfrequenzen oberhalb von 1 THz. Einige Ergebnisse
der eos-THz-TDS wurden mit einem Fourier Transform (FT) Spektrometer
bereinstimmung gefunden. Ein weiterer interessanter
uberpruft und engste U
Aspekt bei der Untersuchung dichroitischer Filter, die eine zweidimensionale Anordnung von Hohlleitern darstellen, ist die zeitaufgeloste Messung des
Transmissionsverhaltes der elektromagnetischen (em) Strahlung unterhalb der
Grenzfrequenz, also in der evaneszenten Region der Filter.
Neben dem extrem breitbandigen Mebereich von einigen THz bietet die eoDetektion die Moglichkeit einer zweidimensionalen Aufnahme der THz-Pulse in
Echtzeit, welche in dieser Arbeit durchgefuhrt wurde.
1 im Englischen allgemein als Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) bezeichnet

2 im Englischen als electro-optic sampling Terahertz Time-Domain Spectroscopy (eos-THz-
TDS) bezeichnet
Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung
2 Erzeugung von THz-Pulsen
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
Einfuhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lasersystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
THz-Puls Erzeugung und Ausbreitung . . . .
Die Dynamik der Ladungstrager in GaAs . .
Elektrisches Ober achenfeld am THz-Emitter
Raumliches Prol am THz-Emitter . . . . . .
THz-Puls Propagation im freien Raum . . . .
3 Detektion gepulster THz-Strahlung
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3.1 Einfuhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2 eo-Detektor-Entwicklung . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.1 Der Pockels-Eekt . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.2 Der elektrooptische Modulator . . . . . . . . . . .
3.2.3 Elektrooptische Detektion von THz-Pulsen . . . .
3.2.4 Phasenschieber zwischen gekreuzten Polarisatoren
4 Erste Messungen von THz-Pulsen

4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
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SOS-Detektor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
LiTaO3 als elektrooptischer Detektions-Kristall . . . . . . . . . .
eo-Detektion in LiTaO3 , LiNbO3 und ZnTe . . . . . . . . . . . .
Soleil-Babinet Kompensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Polarisations Charakteristik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Messung der THz-Feldstarke Verteilung . . . . . . . . . . . . . .
eo-sampling THz Time-Domain Spektrometer . . . . . . . . . . .
4.7.1 Optische Pumpenergie und angelegte gepulste Hochspannungscharakteristik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.2 Abhangigkeit der Intensitatsanderung des Probe-Pulses
von der optischen Vorspannung . . . . . . . . . . . . . . .
4.7.3 Bestimmung der THz-Feldstarke anhand der erzielten Phasenverzogerung in ZnTe . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
i
7
9
12
12
14
15
15
20
20
22
22
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57
61
62
63
65
ii
INHALTSVERZEICHNIS
5 THz-Spektroskopie in der Zeitdomane
67
6 2D-Aufnahme von THz-Strahlprolen
115
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
Einfuhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Konzept der THz-Spektroskopie in der Zeitdomane . . . . . . . . 68
Rotationsspektrum von HCl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
Dielektrische Materialien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
Frequenz-selektive Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.5.1 Quasi-optische Filter und ihre elektrischen Ersatzschaltbilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.5.2 Elektromagnetische Felder in Hohlleitern . . . . . . . . . 79
5.5.3 Chen'sche Transmissionstheorie fur frequenz-selektive Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
5.5.4 Dichroitische Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.5.5 Kreuzschlitz Bandpalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.5.6 Transmissions- und Phasenmessungen frequenz-selektiver
Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.5.7 Bestimmung der frequenzabhangigen Phasen- und Gruppengeschwindigkeiten in dichroitischen Filtern . . . . . . . 104
5.6 Photonische Kristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
Einleitung . . . . . . . . . . . . .
Zweidimensionale Detektion . . .
Auswertung eo-Detektionsbilder .
Messung des THz-Strahlprols .
Ausblick . . . . . . . . . . . . . .
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115
116
119
119
122
A Herleitung von ETHz
124
B Gruppenindex in ZnTe
126
C THz in b-cut LiTaO3 und b-cut LiNbO3
127
D Hochspannungsquelle
129
E Dielektrische Materialien
133
F HDPE-Optik
136
Abbildungsverzeichnis
1.1 Prinzip der zeitaufgelosten Terahertz Spektroskopie . . . . . . . .
1.2 THz-Puls in der Zeit- und Frequenzdomane . . . . . . . . . . . .
1.3 Historische Meilensteine in der Mikrowellen-, Ferninfrarot- und
Infrarot-Spektroskopie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2
3
4
Lasersystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Einzelschu-Autokorrelationssignal . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Wellenlangenspektrum des Laserpulses . . . . . . . . . . . . . . . 11
Bandstruktur von GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Geometrie eines THz-Emitters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
THz-Puls Formen in unterschiedlichen Abstanden zum THz-Emitter 17
Strahldurchmesser fokusierter und unfokusierter THz-Pulse . . . 18
3.1 eo-Kristall Orientierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.2 Elektrooptischer Modulator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.3 Ausbreitungsgeschwindigkeiten von THz-Puls und optischen ProbePuls im eo-Kristall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.4 Verzogerungszeit T zwischen THz- und Probe-Puls . . . . . . . .
3.5 Phasenschieber zwischen gekreuzten Polarisatoren . . . . . . . .
3.6 Intensitatverlauf I = I () zwischen gekreuzten Polarisatoren . .
3.7 Probe-Puls Intensitat in Abhangigkeit von verschiedenen optischen Vorspannungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
28
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
39
41
42
43
44
46
48
50
52
52
53
Messaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Sattigungsverhalten des THz-Pulses . . . . . . . . . .
Messaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Erste elektrooptische THz-Puls Messungen . . . . . .
eo-Detektionssignale in verschiedenen eo-Kristallen . .
THz-Pulsformen in verschiedenen eo-Kristallen . . . .
Soleil-Babinet Kompensator . . . . . . . . . . . . . . .
Malus'sches Gesetz im optischen Bereich . . . . . . . .
Transmission von Polarisationsgittern . . . . . . . . .
Transmissionseigenschaften von Polarisationsgittern .
Polarisationsgitter; Malus'sches Gesetz im FIR-Bereich
iii
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31
31
33
35
37
iv
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
4.12
4.13
4.14
4.15
4.16
4.17
4.18
4.19
4.20
4.21
4.22
Polarisations Messungen eines gro achigen THz-Emitters . . . .

Polarisationsprol eines gro achigen THz-Emitters . . . . . . .
Strom-Spannungs-Charakteristik eines gro achigen THz-Emitters
Meaufbau zur Bestimmung der THz-Emissionsfeldstarke Verteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Phasenverzogerungssignal (PR) in Abhangigkeit der raumlichen
Position des optischen Pump-Puls auf der Emitterober ache . . .
THz Feldstarke bei verschiedenden Hochspannungen . . . . . . .
THz-Feldstarken mit gepulstem und statischem Vorspannungsfeld
Elekrooptisches Sampling THz Time-Domain Spektrometer . . .
THz-Feldstarken Charakteristik in Abhangigkeit der opt. Pumpleistung bei verschiedenen Hochspannungen . . . . . . . . . . . .
THz -Charakteristik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Absolute Phasenverzogerung T Hz (Ub ) in ZnTe in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung am THz-Emitter . . . . . . .
54
55
55
57
58
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64
66
5.1 Starrer Rotator und dessen Rotationsubergange . . . . . . . . . . 70

5.2 Rotationsspektrum von HCl im Ferninfrarot . . . . . . . . . . . . 71
5.3 Absorption und Brechungsindex von HDPE und Te on im FIRBereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.4 Zeigerdiagramm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
5.5 Ersatzschaltbilder fur quasi-optische Hoch- und Tiefpalter . . . 76
5.6 Ersatzschaltbilder fur quasi-optische Bandpalter . . . . . . . . 77
5.7 em-Wellenausbreitung im Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . . . 81
5.8 Charakteristik von Phasen und Ausbreitungsgeschwindigkeit im
Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.9 Kreisformiger Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
5.10 Koordinaten im kreisformigen Hohlleiter . . . . . . . . . . . . . . 84
5.11 Besselfunktionen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
5.12 Skizze der Chenschen Transmissionstheorie . . . . . . . . . . . . 86
5.13 Elementarzelle eines dichroitischen Filters . . . . . . . . . . . . . 88
5.14 Mikroskopaufnahme eines dichroitischen Filters mit einer Grenzfrequenz bei 1.11 THz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
5.15 Mikroskopaufnahme eines Kreuzschlitz Bandpalter . . . . . . . 90
5.16 eos-THz-TD-Spektrometeraufbau zur Messung der frequenz-selektiven
Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.17 Dichroitische Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
5.18 Transmissions Charakteristiken von dichroitischen Filtern . . . . 94
5.19 Unterschiedliche THz-Pulsformen in der Zeitdomane aufgrund
von frequenz-selektiven Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . 99
5.20 Dichroitischer Filter mit einer Grenzfrequenz bei 1.11 THz . . . . 100
5.21 Transmissionsverhalten in dB eines hochfrequenten dichroitischen
Filters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
5.22
5.23
5.24
5.25
5.26
5.27
5.28
5.29
5.30
5.31
5.32
5.33
5.34
5.35
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
Transmissionskurven dichroitischer Filter . . . . . . . . . . . . . 101

Transmissioncharakteristiken von Bandpaltern . . . . . . . . . 102
Dicke und dunne dichroitische Filter . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Phasenverhalten der dichroitischen Filter aufgetragen gegen die
normierte Frequenz =c . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Phasenverhalten der dichroitischen Filter aufgetragen gegen die
entsprechende Phasenanderung im Vakuum . . . . . . . . . . . . 105
Frequenzabhangige Phasen- und Gruppengeschwindigkeiten der
dichroitischen Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Phasenverhalten eines unendlich dunnen dichroitischen Filters . . 107
Photonische Kristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108
Bandstruktur eines eindimensionalen Photonischen Kristalls . . . 110
Transmissionsverhalten eines eindimensionalen Photonischen Kristalls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Transmissionsverhalten eines zweidimensionalen Photonischen Kristalls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
Spektrometeraufbau eines konventionellen THz-TD-Spektrometers112
Dreidimensionaler Photonischer Kristall . . . . . . . . . . . . . . 113
Transmissionsverhalten eines dreidimensionalen Photonischen Kristalls . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
Versuchsaufbau zur 2D-Detektion von THz-Pulsen . . . . . . .
THz-Strahldurchmesser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Dreidimensionale Darstellung der 2D-detektierten THz-Pulse .
THz-Strahldurchmesser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Hochspannungsabhangigkeit der 2D-elektrooptischen Detektion
.
.
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.
117
118
120
121
122
B.1 Brechungsindex von ZnTe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126

C.1 eo-Detektionssignal in LiTaO3 , b-cut . . . . . . . . . . . . . . . . 127
C.2 eo-Detektionssignal in LiNbO3, b-cut . . . . . . . . . . . . . . . . 128
D.1
D.2
D.3
D.4
D.5
Erzeugte Hochspannungspulse UHV (t) bei 1 kHz . . . . . . . .

UHV {Upri {Spannungscharakteristik der Zundspulenschaltung .
Zundspulenschaltung fur Hochspannungspulse . . . . . . . . .
Raumliches Intensitatsprol des Pumplaser-Pulses . . . . . .
Mikroskopaufnahme eines gro achigen THz-Emitters . . . .
.
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.
.
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129
130
131
131
132
E.1 Optische Eigenschaften von Delrin Polyformaldehyd (POM) im

FIR-Bereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
E.2 Optische Eigenschaften einer Platine im FIR-Bereich . . . . . . . 134
E.3 Optische Eigenschaften der elektrooptischen Kristalle im FIRBereich . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
vi
F.1 HDPE-Optik fur den FIR-Bereich . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

F.2 Theoretische Gausche Strahlausbreitung im eos-THz-TD- Spektrometeraufbau (Abb. 4.19) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
F.3 Theoretische Gausche Strahlausbreitung fur den 2D-Detektionsaufbau (Abb. 6.1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
Tabellenverzeichnis
2.1 Parameter von GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.1 Kristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.1 Parameter der elektrooptischen Kristalle . . . . . . . . . . . . . . 45
4.2 Experimentelle und simulierte Phasenverzogerungssignale in LiTaO3 ,
LiNbO3 und ZnTe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.3 Polarisationsgitter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.1 Parameter der frequenz-seletiven Komponenten . . . . . . . . . . 96
vii
Kapitel 1
Einleitung
Diese Arbeit ist im Gebiet der Optoelektronik anzusiedeln. Die Optoelektronik
{ auch als Photonik bezeichnet { verknupft die Gebiete der Optik, der Elektronik und der Materie. In dieser Arbeit wird eine optoelektronische Dipolantenne
durch Bestrahlung mit einem optischen kurzen Laserpuls bei = 800 nm zur
Emission ferninfraroter Strahlungspulse angeregt. Detektiert werden diese sogenannten THz-Pulse elektrooptisch.
berblick der wesentlichen Komponenten
Abb. 1.1 gibt einen vereinfachten U
eines in der Zeitdomane arbeitendes THz-Spektrometers, bestehend aus dem
optischen Kurzpuls-Laser, dem THz-Emitter und der Detektionseinheit.
Als Kurzpulslaser wird ein Ti:Saphir Laser mit den in Abb.1.1 angebenen
Charakteristiken verwendet. Die Pulse werden an einem Strahlteiler in einen
Pump- und Probe-Puls aufgespalten. Der Pump-Puls erzeugt in einem Emitter
(Halbleitermaterial) den THz-Puls, welcher nach Propagation im freien Raum
vom Probe-Puls mittels einer Verzogerungsstufe in der Detektionseinheit abgetastet wird. Als Detektionsverfahren bieten sich verschiedene Moglichkeiten an,
wobei in dieser Arbeit die neuartige eo-Detektion entwickelt und benutzt wurde.
In der Detektionseinheit wird der elektrische Feldvektor des THz-Pulses ETHz (t)
in der Zeitdomane registriert, siehe Abb. 1.2. Durch eine Fourier-Transformation
wird dieses Signal von der Zeit- in die Frequenzdomane transformiert. Hierbei werden die spektralen Eigenschaften des THz-Pulses in Form des Betrages
vom elektrischen Feld jETHz ( )j und der zugehorigen Phase ( ) sichtbar, vgl.
Abb. 1.2.
Gliederung der Arbeit

In Kapitel 2 wird das kommerzielle Kurz-Lasersystem skizziert, die THz-Puls
Erzeugung im Halbleitermaterial GaAs naher erlautert und die Ausbreitung
der THz-Pulse im freien Raum besprochen. Dieses Kapitel fat die wesentlichen Ergebnisse der Diplomarbeit von A. Gurtler [44] bezuglich dieser Arbeit
zusammen. Mein Beitrag der bisher erschienenen Veroentlichung von A. Gurt1
KAPITEL 1.
EINLEITUNG
Abbildung 1.1: Prinzip der zeitaufgelosten Terahertz Spektroskopie. Der

Ti:Saphir-Laser liefert 100 fs Laserpulse im Abstand von 1 ms, die an einem
Strahlteiler (BS) in einen Probe- und Pump-Puls aufgespalten werden. Die
Verzogerungsstufe (Delay-Line) bestimmt die relative Ankunftzeit t des ProbePuls gegenuber dem THz-Puls in der Detektionseinheit.
Zur Illustration von Zeitdauer und Repetitionsrate des Laser-Pulses konnte man
den 100 fs Laserpuls mit dem Fingerschnipsen (ca. 0.1 s) vergleichen. Die entsprechende Repetitionsrate ist dann ein Schnipsen alle 32 Jahre.
Abbildung 1.2: THz-Puls in der Zeit- und Frequenzdomane
ler und P. Uhd Jepsen beschrankte sich hauptsachlich auf die Unterstutzung im
Labor [45].
Die verschiedenen THz-Puls Detektionsverfahren sind Gegenstand des Kapitels 3, in dem die eo-Detektion im Detail dargestellt wird.
Kapitel 4 zeigt die ersten eo-Detektionsmessungen an LiTaO3 , LiNbO3 und
ZnTe. Diese Experimente sind in enger Zusammenarbeit mit P. Uhd Jepsen
wahrend seines Forschungsaufenthaltes in Freiburg 1995 entstanden. Seine Expertise und Computer-Meprogramme haben uns THz-Puls Anfangern in Freiburg einen guten Start auf dem Gebiet der zeitaufgelosten THz-Spektroskopie
gesichert. Aus dieser Zusammenarbeit sind die Veroentlichungen [57, 56, 111]
entstanden. Das Kapitel 4 schliet mit der Charakterisierung des entwickelten
eos-THz-TD Spektrometers ab.
Zeitaufgeloste THz-Spektroskopie zur Untersuchung von Gasen, dielektrischen
Medien, frequenz-selektiven-Komponenten und Photonischen Kristallen wird in
Kapitel 5 vorgestellt. Die Veroentlichungen, die aus diesen Arbeiten entstanden sind, wurden gemeinsam mit F. Lewen, 1. Physikalisches Institut, Universitat zu Koln und J. Weinzierl, Lehrstuhl fur Hochfrequenztechnik Universitat
Erlangen-Nurnberg geschrieben [112, 114, 113].
In Kapitel 6 wird gezeigt, wie die eo-Detektion zu einem Abbildungsverfahren
erweitert werden kann. Dabei wurden die THz-Pulse in Echtzeit zweidimensional detektiert.
KAPITEL 1.
EINLEITUNG
Historischer Abri
Dieser kurze historische Abri soll die mageblichen Entwicklungen der Spektroskopie zwischen Mikrowellen- und Infrarot-Bereich wiedergeben. Ferner soll er
illustrieren, wie sich die Hochfrequenzelektronik, d.h. die Mikrowellen- und die
optische Spektroskopie im elektromagnetischen (em) Spektrum frequenzmaig
aufeinander zu bewegt haben und inzwischen im THz-Bereich vollkommene
berlappungsbereich wird seit Mitte der
U berlappung erzielt haben. Dieser U
achziger Jahre durch die zeitaufgeloste THz-Spektroskopie (THz-TDS) erganzt,
vgl. Abb. 1.3.
1887 durch Heinrich Hertz Beweis erbracht, da elektromagnetische Wellen
existieren [51, 52]. Hertz erzeugte damals Wellenlangen in der Groenordnung
von 50 bis 600 cm (MHz-Bereich) und bewies damit die von Maxwell 1862 vorgestellte Theorie der elektromagnetischen Wellen.
~ [cm-1]
3x10
-4
3x10
-3
3x10
-2
3x10
-1
3x10
3x10
3x10
3x10
1880
1900
Hertz
Michelson/Morely
Radar
Freq. Multipliers
Magnetron
Maser
laser
pulsed Ruby-Laser
grating spectrometer
FTMW
FT
Auston-Switch
THz-TDS
eo-sampling THz-TDS
Year
1920
1940
1960
1980
2000
98100701.opj
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
[THz]
Abbildung 1.3: Historische Meilensteine in der Mikrowellen-, Ferninfrarot- und

Infrarot-Spektroskopie
Im Jahre 1887 widerlegte Albert Michelson zusammen mit Edward Morely
mittels eines Zweistrahlinterferometers die Annahme von Huygens und Max ther zur Ausbreitung benotigen.
well, da elektromagnetische Wellen einen A
Michelson erkannte auch, da aus der Abfolge der Interferenzringe im Zweistrahlinterferometer Ruckschlusse auf Linienspektrum des verwendeten Strahlers gezogen werden konnen [73, 74]. Lord Rayleigh wies auf den Zusammenhang
5
von Linienspektrum und seiner Fourier-Transformierten (FT) hin [84]. Hiermit
war der Grundstein der Fourier-Transform-Spektroskopie (FTS) gelegt, die jedoch in der Praxis vorerst wegen des dabei anfallenden Rechenaufwands keine
unmittelbare Anwendung fand.
1935 wurde in England das Magnetron entwickelt, dessen potentielle und
strategische Anwendungsmoglichkeiten von den Englandern und Amerikanern
erkannt wurde. Wahrend des zweiten Weltkrieges wurden am Massachusetts Institute of Technology (MIT) die Entwicklungsarbeiten des Radars unter anderem von den Molekulspektroskopikern W. Gordy und C. Townes durchgefuhrt.
Nach dem Ende des zweiten Weltkrieges, dessen Ausgang entscheidend vom
Radar mitbestimmt wurde, setzte man die Technologie in der Festkorper- und
Molekulspektroskopie ein. Es entwickelte sich die Rotationsspektroskopie im
unteren GHz-Bereich (S and X-Bands). W. Gordy erreichte 1950 mit Hilfe der
Frequenzvervielfachung den mittleren GHz-Bereich [38].
Die beiden Disziplinen Mikrowellen- und Gitterspektroskopie bewegten sich
auf der Frequenzskala aufeinander zu und so wurde von W. Gordy [14] und L.

Genzel [34] in den funziger Jahren der Uberlapp
der beiden Disziplinen an der
Messung eines Rotationsubergangs von H2 S gezeigt. Zur gleichen Zeit erlebte
die Fourier-Transform-Spektroskopie eine Renaissance mit der Entwicklung von
Rechenanlagen und dem Fast-Fourier-Algorithmus. In der Folgezeit wurde die
Gitterspektroskopie aufgrund des Multiplex- und Lichtleitwert- Vorteils der FTS
verdrangt [43].
Der Entwicklung des gepulsten Lasers 1965 mit Zeitdauern im PicosekundenBereich [76] folgten immer weitere Kurzpulsrekorde bis hin zum Femtosekunden
Laser. Mit dem Ziel moglichst schnelle optoelektronische Schalter zu entwickeln,
wurden Halbleitermaterialien mit Ultrakurzpuls-Lasern kombiniert. Dies fuhrte
zu der eher zufalligen Entdeckung [78], da diese optisch angeregten Schalter
extrem kurze em-Pulse abstrahlen. Die mageblichen Arbeiten wurden von D.
Auston bei Bell Telephone Laboratories durchgefuhrt [4].
In Analogie zu den historischen Arbeiten von H. Hertz verwendete Auston
et al. einen optoelektronischen Schalter als Miniatur-Dipolantenne, die in den
freien Raum abstrahlt. Dadurch gelang es ihnen, die ersten frei propagierenden
elektromagnetischen Pulse mit Zeitdauern von ca. 1 ps zu erzeugen [5].
Die erste Anwendung dieser frei propagierenden Pulse als breitbandige Strahlungsquelle im Ferninfrarot-Bereich wird 1989 bei IBM von Grischkowsky et al.
durch die Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) an Wasserdampf
im Bereich von 0.2 bis 1.45 THz demonstriert [104]. In der Zwischenzeit wurde die THz-TDS zur Messung von Gasen [48], dielektrischen Materialien und
Halbleitern [41], supraleitenden Materialien [79], Flussigkeiten [80, 100] und
Flammen [18] ausgeweitet.
Die THz-TD-Spektroskopie war jedoch nicht die erste zeitau osende Technik, denn seit Ende der siebziger Jahre konnte sich die zeitau osende Fourier
KAPITEL 1.
EINLEITUNG
Transform Mikrowellen Spektroskopie1 im MHz-Bereich etablieren [27]. Jedoch

liegt die Zeitau osung im Bereich von Mikrosekunden im Gegensatz zu Subpicosekuden bei der THz-TDS.
1995 wurde die neuartige eo-Detektion von THz-Strahlung zeitgleich von der
Gruppe um X.-C. Zhang und unserer Arbeitsgruppe in Zusammenarbeit mit
S. Keiding auf einer Konferenz in Triest, Italien erstmalig vorgestellt [56, 122].
Inzwischen konnte von Zhang et al. gezeigt werden, da mittels 30 fs Laserpulsen
THz-Pulse mit einem Frequenzspektrum bis 37 THz erzeugt und elektrooptisch
detektiert werden konnen [116].
1 im Englischen als Fourier Transform Microwave Spectroscopy (FTMW) bezeichnet
Kapitel 2
Erzeugung von THz-Pulsen

2.1 Einfuhrung
Es gibt zwei gebrauchliche Methoden um THz-Pulse mittels ultrakurzer LaserPulse in einem Halbleitermaterial zu erzeugen:
durch Photoleitung oder

durch Optische Gleichrichtung.
Bei der Photoleitung werden durch den Laser-Puls freie Ladungstrager im
Halbleitermaterial erzeugt, die aufgrund eines elektrisches Feld beschleunigt
werden und somit einen sich zeitlich andernden Ladungsstrom darstellen, der
entsprechend der Maxwellschen Theorie em-Wellen abstrahlt. Hierbei wird unterschieden, ob das beschleunigende elektrische Feld das Ober achenfeld des
Halbleiters selbst ist [121], oder mittels einer Antennengeometrie ein externes
elekrische Feld angelegt wird [6].
Die optische Gleichrichtung entsteht aufgrund eines nichtlinearen Polari(2)
(t) in einem eleksations-Eektes zweiter Ordnung PNL
(t) = 0 (2) Eopt (t)Eopt
trooptischen Kristall [89]. Die nichtlineare Polarisation bzw. das elektrische Feld
des THz-Pulses zeigt den gleichen zeitlichen Verlauf, wie die Einhullende des
optischen Pump-Pulses. Benutzt man einen femtosekunden Laserpuls, so erzielt
man aufgrund der optischen Gleichrichtung eine spektrale Frequenzverteilung,
deren Komponenten sich in den Terahertz Bereich erstrecken [7].
In dieser Arbeit wurde nur die Photoleitung in Halbleiterantennen zur Erzeugung von THz-Pulsen angewandt und wird im folgenden genauer besprochen. In der THz-TDS werden aufgrund der Groe der Halbleiterantenne zwischen der klassischen mikrometergroen Halbleiterantenne1 und den gro achigen Halbleiterantennen2 unterschieden. Gegenuber mikrometergroen Halbleiterantennen, deren THz-Puls Energien im Bereich von 50 atto (a) J liegen,
1 diese sind in den Arbeiten [58, 91] ausfuhrlich behandelt
2 im Englischen als large aperture antennas bezeichnet [53]
KAPITEL 2.
ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN
kann durch Skalieren der aktiven Antennen ache und der optischen Pump-Puls
Leistung, die Gesamtanzahl der generierten Photoladungstrager im Halbleiter
um einen Faktor von ca. 107 gesteigert werden und damit auch die Energie der
abgestrahlten THz-Pulse auf ungefahr 0.5 nJ.
In dieser Arbeit kommen ausschlielich gro achige Halbleiterantennen zum
Einsatz, da zur erstmaligen Demonstration der elektrooptische Detektion groe
elektrische Feldstarken favorisiert wurden [57, 122]. Desweiteren sind auch hohe
elektrische Feldstarken in Hinsicht auf die zweidimensionale Detektion (Kap. 6)
von Vorteil.
Im weiteren Verlauf dieser Arbeit wird die gro achige Halbleiterantenne
bestehend aus GaAs mit aufgebrachten Elektroden als THz-Emitter bezeichnet.
Wichtig fur die Entstehung eines spektral breitbandig (hochfrequenten) elektrischen Pulses ist die moglichst schnelle Bereitstellung von Ladungstragern im
Leitungsband, d.h. man benotigt einen moglichst kurzen Pump-Laserpuls. In
der vorliegenden Arbeit wurde als Laserquelle ein kommerzielles femtosekunden Lasersystem verwendet, welches im folgenden Abschnitt 2.2 kurz vorgestellt
wird. In den darauolgenden Abschnitten werden die relevanten theoretischen
Aspekte des hier benutzten THz-Emitters besprochen.
2.2.
LASERSYSTEM
2.2 Lasersystem
Zur Erzeugung der THz-Pulse wurde ein kommerzielles Femtosekunden-Lasersystem verwendet. Es handelt sich dabei um einen Titan:Saphir-Oszillator (NJA5) und einen regenerativen Titan:Saphir-Verstarker (TRA-1000) der Firma ClarkMXR. Ausfuhrlich ist dieses System in der Disseration von V. Schyja beschrieben [93]. Aus diesem Grunde wird hier nur eine kurze Zusammenfassung des
Systems gegeben.
Das Grundprinzip dieses regenerativen Lasersystems besteht in der zeitlichen Pulsaufweitung und Verstarkung gefolgt von einer Pulskompression, vgl.
Abb. 2.1. Ein erster Titan:Saphir-Oszillator fungiert als Masterlaser, der die im
sogenannten regenerativen Verstarker (Slavelaser) bereitgestellte Besetzungsinversion abbaut und hierdurch verstarkt wird. Der Puls erzielt wird dabei ein
Verstarkungsfaktor von ca. 105 .
Problematisch sind die hierbei erzielbaren Intensitaten von ca. 10 GW, die
das Lasermedium des Slavelasers, durch nichtlineare Eekte, die zu einem Zusammenbruch der Transparenz3 des Kristalls fuhren und diesen zerstoren wurden
[95]. Aus diesem Grunde arbeitet das System nach dem Prinzip des chirped pulse amplication (CPA) 4 [97]. Dies bedeutet, da der zu verstarkende fsec-Laserpuls im sogenannten Stretcher in einen ca. 0.5 ns langen Laserpuls aufgeweitet wird. Dieser zeitlich gestreckte Puls kann im regenerativen
Verstarker aufgrund der vergleichsweise geringen Intensitat ohne Zerstorung
des Titan:Saphir Kristalls verstarkt werden. Im sogenannten Kompressor wird
der verstarkte Puls wieder zu einem 100 fs Puls zeitlich rekomprimiert, und
besitzt eine Energie von ca. 1 mJ, was einer Leistung von 10 GW entspricht.
Dieses leistungsfahige Lasersystem liefert folgende Ausgangsdaten:

ultrakurze Pulse im Bereich von 100fs

Pulsenergien bis zu 1 mJ
Repetitionsrate von 1 kHz
durchstimmbarer Wellenlangenbereich von 780 nm bis 820 nm
In Abb. 2.2 ist ein Einzelschu Autokorrelationssignal des regenerativ verstarkten fsec-Laserpulses dargestellt. Die Pulsbreite betragt p = 108 fs bei einer
Zentralwellenlange von z = 800 nm, siehe Abb. 2.3. Mit diesen Einstellungen
des Lasersystems wurden die Messungen in dieser Arbeit durchgefuhrt, es sei
denn es ist anders vermerkt.
3 im Englischen als optical breakdown bezeichnet
4 in Analogie zum Schall bedeutet chirped in diesem Zusammenhang, da die einzelnen
Frequenzen nicht in Phase sind, sondern sich zeitlich gegeneinander verzogert ausbreiten.
Dies bedeutet z.B. beim Schall, da sich die Tonhohe von hohen zu tiefen Frequenzen andert
(negative chirp).
10
KAPITEL 2.

Abbildung 2.1: Prinzip des regenerativen Titan:Saphir Lasersystems von ClarkMXR. Grak entnommen aus [115].
Intensity [a.u.]
1,0
0,5
108 fs
0,0
-400
-200
t [fs]
200
400
98122901.opj
Abbildung 2.2: Einzelschu-Autokorrelationssignal des regenerativ verstarkten

fsec-Laserpulses. Die Pulsdauer betragt 108 fsec. Der prinzipielle Meaufbau ist
in [65, 90] beschrieben.
2.2.
11
LASERSYSTEM
1,0
Intensity [a.u.]
0,8
0,6
FWHM
0,4
0,2
0,0
97120302.opj
760
780
800
820
840
[nm]
Abbildung 2.3: Wellenlangenspektrum des regenerativ verstarkter Laserpulses. Die Zentralwellenlange liegt bei 800 nm und besitzt eine Halbwertsbreite
(FWHM) von w = 14 nm.
12
KAPITEL 2.
2.3 THz-Puls Erzeugung und Ausbreitung

In diesem Abschnitt werden die wesentlichen Aspekte der Erzeugung von THzPulsen und ihrer raumlichen Ausbreitung im freien Raum am Beispiel der in
dieser Arbeit verwendeten gro achigen THz-Antenne dargestellt.
Untersucht man die zeitliche Form und das Ausbreitungsverhalten von THzPulsen, so mu man folgende Aspekte berucksichtigen:
die Ladungstragergeneration im Halbleitermaterial,

die Dynamik der Ladungstrager (Ober achenstrome),
die phasengerechte Summation der elektrischen Felder, die aus den Ober achenstromen gema der Maxwellschen Gleichungen resultieren,
und die beugungsbedingte Ausbreitung der spektralen elektrischen FeldKomponenten im freien Raum.
Diese Aspekte sind in der Diplomarbeit von A. Gurtler ausfuhrlich bearbeitet worden [44] und werden hier nur zusammenfassend wiedergegeben.
Als Halbleitermaterial mu ein Material gewahlt werden, dessen Bandabstand kleiner ist als die optische Energie des Pump-Laser-Pulses. Die Ladungstrager mit hohen Beweglichkeiten im Leitungsband sind unerlalich, um kurze
elektrische Pulse (THz-Pulse) zu erzeugen. Das Material sollte einen hohen spezischen Widerstand besitzen, damit groe elektrische Feldstarken an den Elektroden angelegt werden konnen. Und nicht zuletzt sollte das Material einfach zu
beziehen und kostengunstig sein. Diesen Anforderungen entspricht undotiertes,
hochohmiges GaAs am besten.
Der hier eingesetzte THz-Emitter besteht aus einem GaAs-Wafer, auf dem
1-2 cm lange Kupferelektroden in einem Abstand von 1 cm mit einer Mischung
aus Sekundenkleber und Leitsilber aufgebracht sind5. Ein Prototyp eines solchen THz-Emitters ist im Anhang in Abb. D.5 gezeigt. Die 'aktive' Flache der
Antenne wird durch die Apertur des Pump-Pulses bestimmt, und betragt 1 cm
falls nicht anders beschrieben. Genaueres ndet sich dazu im Anhang D.
2.4 Die Dynamik der Ladungstrager in GaAs

Die Ladungstrager werden durch einen 100 fs Laser-Puls mit einer Wellenlange
von = 800 nm (1.55 eV) erzeugt und werden durch das externe elektrische Feld
Eb beschleunigt. Die Beweglichkeit der Ladungstrager im GaAs bestimmt das
5 die Orientierung der Elektroden auf dem GaAs Wafer ist frei wahlbar, da die THz Emissi-
onstarke unabhangig von der Orientierung des Wafers im Falle einer extern angelegten Hochspannung ist [10]. Dies steht im Gegensatz zu nicht elektrisch vorgespannten Wafern [88].
2.4.
13

DIE DYNAMIK DER LADUNGSTRAGER
IN GAAS
abgestrahlte THz-Feld. Wie in Abb. 2.4 dargestellt, besitzt GaAs einen Bandabstand von Eg = 1:43 eV bei Raumtemperatur. Damit haben die erzeugten
Ladungstrager eine U berschuenerige von ca. 120 meV, die das zeitliche Verhalten der Ladungstragerbeweglichkeit bestimmt. In der Literatur sind einige
Experimente zur Bestimmung der Ladungstragerdynamik beschrieben, jedoch
sind die Ergebnisse leider nicht direkt auf unseren konkreten Fall zu u bertragen
[44].
Abbildung 2.4: Der Bandabstand bei GaAs betragt 1.43 eV. Ladungstrager werden mittels eines 100 fs Laser-Pulses h = 1:55 eV vom Valenzband ins Leitungsband angeregt.
Die Materialparameter der GaAs-Wafer sind in Tabelle 2.1 zusammen gefat.
Kristallstruktur
Zinkblende
Orientierung
< 100 >
Bandabstand Eg
1,43 eV = 867
Gleichgewichtsbeweglichkeit dc
6 103
spezischer Widerstand
> 107
Lebensdauer der Photoladungstrager car
350
Dicke der Wafer
508
Brechungsindex n bei 0.5 THz
Absorption
nm
cm2 /Vs
cm
ps
m
3.54 [91]
5 cm 1[91]
Tabelle 2.1: Eigenschaften von halbisolierenden, undotierten GaAs der Firma

Freiberger bei Zimmertemperatur [31].
14
KAPITEL 2.
2.5 Elektrisches Ober achenfeld am THz-Emitter

Das zeitliche Verhalten der elektrischen Felder an der Ober ache des THzEmitters kann aus den Maxwellschen Gleichungen unter Berucksichtigung der
vorgegebenen Randbedingungen abgeleitet werden und wird von Darrow et al.
angeben als [22]:
ET Hz;in(t) = Eb
s (t)0
p
s (t)0 + 1 +
(2.1)
Hierbei ist s die Ober achenleitfahigkeit, 0 = 377

die elektrische Feldkonstante und die Dielektrizitatskonstante des Halbleitermaterials. Diese wird
von Hu et al. mit dem sogenannten Stromsto Modell 6 beschrieben [53, 22].
Hierbei geht man davon aus, da die Ladungstragerdichte im Halbleitermaterial
mit der Zahl der absorbierten Photonen, d.h. mit dem zeitlichen Integral der
Pump-Puls Intensitat ansteigt. Bei Verwendung eines 100 fs Laserpuls werden
die Ladungstrager somit stoartig erzeugt.
e(1 R)
s (t) =
h!
Zt
dt0 (t t0 )Iopt (t0 )e
t t0
car
(2.2)
Hier stellt R die optische Re ektivitat des GaAs, (t) die Beweglichkeit der
Ladungstrager, Iopt die optische Pumpintensitat und car die Lebensdauer der
Ladungstrager dar.
In einem einfachen Modell wachst die Beweglichkeit exponentiell von einem
Anfangswert i auf ihren Gleichgewichtswert dc an, der typischerweise nach
einigen Picosekunden erreicht wird [40, 99]:
(t) = dc (dc
i )e
(2.3)
ist der Kehrwert der mittleren Stozeit s im Halbleiter: = 1s .

Setzt man die Gleichungen (2.2) und (2.3) in Gl. (2.1) ein, so zeigt sich, da
das Ober achenfelds ET Hz (t) zeitlich stark ansteigt. Dieser Anstieg ist von der
zeitlichen Ladungstragergenerierung, d.h. vom fs-Laser-Puls Iopt (t) und dem
zeitlichen Anstieg der Ladungstragerbeweglichkeit (t) abhangig. Die zeitliche
Anstiegs anke von ET Hz (t) bestimmt die spektrale Bandbreite des THz-Pulses.
Es stellte sich heraus (Gurtler), da nicht die Anstiegs anke des 100 fs LaserPulses ist der limitierende Faktor der Bandbreite des THz-Pulses ist, sondern
die Anstiegszeit der Ladungstragerbeweglichkeit. Fur den konkreten Fall unseres THz-Emitters ist diese jedoch nicht bekannt. Aus unseren Messungen der
6 im Englischen als current surge model bezeichnet
2.6.

RAUMLICHES
PROFIL AM THZ-EMITTER
15
THz-Pulsformen lat sich aber eine phanomenologische Anstiegszeit fur die Ladungstragerbeweglichkeit von 600 fs abschatzen [44]. Momentan wird die Ladungstragerdynamik von M. Schall und P. Uhd Jepsen in einem Pump-Probe
Experiment bestimmt, aus denen Aufschlusse uber die tatsachliche Ladungstragerbeweglichkeit (t) erwartet werden.
Desweiteren erkennt man anhand von Gl. (2.1), da mit steigender Pumpleistung Iopt die elektrische Feldamplitude ET Hz ihren Sattigungsbereich erreicht.
Dieser Sachverhalt konnte experimentell bestatigt werden, vgl. Abb. 4.20. Ferner ist aus Gleichung (2.1) ersichtlich, da bei der optischen Sattigung das
emittierte elektrische Feld ET Hz die Groenordnung des Vorspannungsfelds Eb
erreichen sollte. Diese Ergebnisse konnten im Experiment von Darrow et al.
veriziert werden [23].
2.6 Raumliches Prol am THz-Emitter

Das raumliche Prol des THz-Feldes am Emitter wird bestimmt durch
das Vorspannungfeld Eb (x) und

die Ober achenleitfahigkeit s(x; y).
Der Feldverlauf des Vorspannungsfeldes Eb (x) an der Ober ache ist abhangig
von der Geometrie der Elektroden und deren nicht-ohmschen Kontakt auf dem
GaAs-Wafer. Budiarto et al. hat fur einen vergleichbaren THz-Emitter den Feldverlauf von Eb (x) in einen elektrooptischen Meaufbau bestimmt [13], vgl. Abschnitt 4.6. In den Simulationen von A. Gurtler wurde der Feldverlauf Eb (x)
als eine Funktion der Form
n
x
(2.4)
Eb (x) = EMitte + (ERand EMitte )
l
approximiert. Dabei ist ERand die Feldstarke an den Elektroden, EMitte ist die
Feldstarke in der Mitte des Emitters und l ist der halbe Elektrodenabstand des
Emitters. x kann Werte von l bis +l annehmen. Der Exponent bestimmt, wie
steil die Felduberhohung an den Elektrodenrandern verlauft. In den Simulationen wurde Eb (x), dem von Budiarto et al. gemessenen Feldverlauf angepat
[44].
2.7 THz-Puls Propagation im freien Raum

In diesem Abschnitt wird die raumliche Ausbreitung des Ober achenfelds ET Hz
diskutiert. Ein wesentlicher Aspekt ist, da die Wellenlangen der erzeugten
Strahlung die gleiche Groenordung besitzen wie die umgebenden Systemkomponenten. In solch einen Fall spricht man auch von der Quasi-Optik, da Beugungserscheinungen eine wesentliche Rolle bei der Ausbreitung der em-Wellen
16
KAPITEL 2.
spielen [36]. So mu z.B. je nach gewahlter Pump-Puls Apertur die Beugung
der THz-Pulse an den Elektroden berucksichtigt werden.
Abbildung 2.5: Geometrie eines THz-Emitters. Als schwarzen Streifen am Rand

des GaAs-Wafers sind die Elektroden angedeutet. Die Huygensschen Elementarwellen besitzen ihre Ausgangspunkte x0 auf der Emitterober ache 0und werden
berlagerung verschiedenen stark gewichteter Kugelwellen eikr
als U
r0 am Punkt
x detektiert.
Ausgehend vom Huygenschen Prinzip der Elementarwellen ist es moglich,
fur eine gegebene Wellenlange das von der Ober ache des THz-Emitters abgestrahlte elektrische Feld zu berechnen, welches dann eine Summation uber die
einzelnen Huygenschen Elementarwellen auf der Emitterober ache darstellt,
siehe Abb. 2.5. Diese Integration wird auch als Rayleigh-Sommerfeldsche Beugungsformel bezeichnet [37]:
eikr0
1Z
0
E (x ) 0 cos(n; r0 ) df 0 :
E (x) =
i A
r
(2.5)

Das von der Emitterober ache abgestrahlte Feld stellt im Punkt
x eine Uber0
ikr
lagerung aus verschieden stark gewichteten Kugelwellen e r0 mit Amplitude
E (x0 ) dar. Diese sind mit einem Richtungsterm cos(n; r0 ) moduliert, der die
Abstrahlung in Vorwartsrichtung begunstigt.
Aufgrund der zeitlich sehr scharfen Anstiegs anke besitzt der abgestrahlte em-Puls ein charakteristisches Frequenzspektrum, welches sich bis in den
Terahertz Bereich erstreckt. Deshalb mu man bei der Beschreibung der PulsAusbreitung von einer polychromen Version des Huygens Prinzips ausgehen.
Diese erhalt man durch Fourier Transformation der Rayleigh-Sommerfeldsche
Beugungsformel die in der Zeitdomane als breitbandiges Huygens-Fresnel Integral bezeichnet wird [37]:
E (x; t) =
cos(n; r0 ) d
E (x0 ; t
A 2cr 0 dt
r0 ) df 0
c
(2.6)
2.7.
17
THZ-PULS PROPAGATION IM FREIEN RAUM
In Abb. 2.6 sind drei THz-Puls Formen bei verschiedenen Abstanden z vom
THz-Emitter dargestellt. Aus Darstellungsgrunden sind die THz-Pulse relativ
zueinander auf der Zeitachse verschoben wurden. Im Nahfeld (z=11 mm) des
THz-Emitters ist ein in der Zeit gedehnter Puls mit einer Schulterstruktur zu
erkennen, die bei ca. 3.7 ps nach dem Hauptpuls auftritt. Die elektrischen Felder dieser Schulter entstehen an den Randern der Elektroden, wo das Ober achenfeld Eb (x = l) maximal erhoht ist. Diese Felder besitzen gegenuber den
Feldkomponenten, die im Zentrum des THz-Emitters entstehen, eine groere
Laufzeit von ca. 3.6 ps zum Detektor. Je weiter der Detektor vom THz-Emitter
entfernt ist, desto geringer fallen die Laufzeitunterschiede zwischen zentralen
und an den Elektroden erzeugten elektrischen Feldern ins Gewicht, d.h. der
Winkelterm in Gl.(2.6) wird vernachlassigbar.
Electric field [a.u.]
2,0
Experimental results
Scalar diffraction theory
1,5
z = 11 mm
1,0
z = 20 mm
0,5
z = 81 mm
0,0
99030602.opj
10
12
14
16
18
20
Time delay [ps]
Abbildung 2.6: THz-Puls Formen bei unterschiedlichen Abstanden z zum THzEmitter, entnommen aus [44].
Man erkennt auch an Gl.( 2.6), da im Fernfeld die skalare Darstellung des
elektrischen Feldes proportional zur zeitlichen Ableitung des Ober achenfeldes
ist. Dieses Ergebnis ist konsistent mit den Arbeiten von Taylor et al. die das
elektrische THz-Feld aus den Maxwellschen Gleichungen rein fur das Fernfeld
abgeleitet haben [99].
Vergleich man den dritten THz-Puls aus Abb. 2.6 mit dem in Abb. 1.2 dargestellten THz-Puls, so erkennt man einen deutlichen Unterschied der Pulsformen,
obwohl beide Pulse im Fernfeld detektiert wurden. Der Grund fur die bipolare7
THz-Pulsform in Abb. 1.2, liegt darin begrundet, da dieser Puls fokusiert wurde. Bei der Fokusierung eines Pulses werden die hochfrequenten Komponenten
(kleine Wellenlange) gema der Gauschen Optik besser fokusiert als die nie7 die THz-Feldamplitude schwingt von positiven zu negativen Werten durch
18
KAPITEL 2.
derfrequenten Komponenten (groe Wellenlange).

Der unfokusierte 1=e-Strahlradius in der Entfernung L vom THz-Emitter
betragt [36]:
s
wunfocused = w0 1 +
v
u
u
t
cL 2
w02
cL
w02
=
1+
w0
cL
(2.7)
!2
(2.8)
Fokusiert man mit einer Optik der Brennweite f einen konvergenten Gauschen
Strahl mit Strahlradius w0 , so ist der Strahlradius wfocus im Abstand L = f
gegeben als [36]:
fc
wfocused =
(2.9)
w0
In Abb. 2.7 sind die jeweiligen Strahlradien (Gl. (2.8) und Gl. (2.9)) in Abhangig-
10
10
ratio
focused
Efocused / Eunfocused
beamradius x [mm]
unfocused
0
0,0
99031001.opj
0,5
1,0
1,5
2,0
0
2,5
[THz]
Abbildung 2.7: Brennweite der Optik f = 66 mm, Strahlradius w0 = 5 mm,

Abstand L = 2f im unfokusierten Fall.
keit der Frequenz aufgetragen. Deutlich zu erkennen ist, da die hochfrequenten
Komponenten im fokusierten Fall wie zu erwarten kleinere Strahlradien besitzen. Dies bedeutet naturlich eine raumliche Modikation der spektralen elektrischen Feldstarkeverteilung des THz-Pulses. D.h. gegenuber dem unfokusierten
Fall werden vom Detektor die hochfrequenten relativ gegenuber den niederfrequenten elektrischen Komponenten besser detektiert. Die elektrische Feldstarke
E verhalt sich umgekehrt proportional zum Strahlradius w. Bildet man das
Verhaltnis zwischen dem fokusierten und dem unfokusierten elektrischen Fel-
2.7.
19
THZ-PULS PROPAGATION IM FREIEN RAUM
dern im Abstand L = 2f vom Emitter, so erhalt man folgende Beziehung:

v
u
u
w02
Efocused
= 2t1 +
Eunfocused
2cf
!2
(2.10)
die in Abb. 2.7 als schwarze Linie dargestellt ist. Oberhalb von 500 GHz zeigt
sich eine lineare Abhangigkeit zwischen fokusierten gegenuber den unfokusierten elektrischen Feldstarken aus: Efocused ( ) / Eunfocused ( ). Diese Beziehung
entspricht in der Zeitdomane einer zeitlichen Ableitung gema den Rechenregeln der Fourier Transformation (df=dt F ( )) [25].
Dies bedeutet im Falle eines fokusierten THz-Pulses, da seine zeitliche Pulsform in dem Bereich oberhalb von 500 GHz der zeitlichen Ableitung seiner unfokusierten Pulsform entspricht. Unterhalb von 500 GHz nahert sich Gl. (2.10)
einem konstanten Betrag, d.h. es kommt zu keiner Pulsmodikation im niederfrequenten Bereich. Im Falle der in dieser Arbeit dargestellten fokusierten
THz-Pulse handelt es sich somit aus einer Mischung dieser beiden Bereiche.
Kapitel 3
Detektion gepulster
THz-Strahlung
3.1 Einfuhrung
Zu den wichtigsten Komponenten des Experiments gehort neben dem Laser und
dem THz-Emitter als dritte Komponente die Detektion der erzeugten THzPulse, vgl. Abb. 1.1. Als Detektionsmoglichkeiten fur THz-Strahlung stehen
prinzipiell Bolometer, Mikrowellen Dioden, und photoleitende Detektorantennen zur Verfugung, auf die im folgenden kurz eingegangen wird.
Eine neue Methoden wird in dieser Arbeit vorgestellt, die elektrooptische
Detektion. Diese Methode wurde von unserer Arbeitsgruppe zeitgleich mit der
Forschergruppe um X.-C. Zhang im November 1995 auf einer Konferenz in
Triest vorgestellt wurde [57, 122]. Die theoretischen Grundlagen zur elektrooptischen Detektion von THz-Pulsen sind Schwerpunkt diesen Kapitels.
Bolometer und Mikrowellen Dioden

Die klassische Detektionsmethode von Mikrowellen und submillimeter Strahlung beruht auf der Verwendung von Bolometern. Dabei wird die Absorption
und die damit verbundene aquivalente Joulsche Erwarmung einer geeigneten
Detektorober ache uber einen temperaturabhangigen Widerstand bestimmt.
Bei den Mikrowellen Dioden (Schottky Barrier Dioden [94]) wird der nichtlineare Zusammenhang von Strom und Spannung zur Gleichrichtung oder Mischung
der Mikrowellen benutzt. Die Gleichrichtung erfolgt meist an einem HalbleiterMetallkontakt durch cat whisker, und die entstehende Gleichspannung ist ein
Ma fur die Mikrowellenintensitat.
Beiden Methoden ist gemeinsam, da jeweils die Intensitat der Strahlung
registriert wird, d.h. das die Phaseninformation des Signals verloren geht. Genauere Informationen zu Bolometer und Mikrowellen Dioden nden sich in den
Referenzen [85, 82].
20
3.1.

EINFUHRUNG
21
Photoleitende Detektorantennen
Photoleitende Detektorantennen sind prinzipiell wie ein THz-Emitter aufgebaut. Auf einem Halbleitersubstrat sind Elektroden aufgebracht, die mit einem
empndlichen Strommegerat (Empndlichkeit im pA-Bereich) verbunden sind.
Wird die Detektorantenne mit einem optischen Laserpuls bzw. einem sogenannten Gatepulse photoleitend gemacht, so ist es moglich, ein zeitgleich die Detektorantenne erreichendes elektrisches Feld E zu detektieren. E kann als lineare
Funktion des Stroms I gemessen werden, der uber die Detektorelektroden iet
[57, 91]. Um eine hohe zeitliche Au osung des zu messenden elektrischen Feldes zu erhalten ist es notig, ein moglichst enges Zeitfenster zu erzeugen, in
dem der Detektor fur einfallende elektrische Felder sensitiv ist. Dies wird durch
fs-Laserpulse in Kombination mit Halbleitermaterialien erzielt, deren Photoladungstrager eine kurze Lebensdauer besitzen. Aus diesem Grunde verwendet
man radiation damaged Silicon-on-Saphir (SOS) Detektor-Chips. Die Lebensdauern der erzeugten Ladungstrager in dem mit Ionen beschossenen Silizium
liegen im Bereich von ca. 600 fs [26]. Jedoch zeichnet sich bei dieser Detektionsmethode fur extrem kurze THz-Pulse ein Problem der Zeitau osung ab:
so konnen keine THz-Pulse mit Frequenzen groer als 5 THz aufgrund der zulangen Lebensdauern nachgewiesen werden [81]. Im Gegensatz dazu ist es mit
der elektrooptischen Methode inzwischen gelungen, THz-Pulse mit Frequenz
Komponenten bis zu 37 THz elektrooptisch nachzuweisen [117].
22
KAPITEL 3.
DETEKTION GEPULSTER THZ-STRAHLUNG
3.2 eo-Detektor-Entwicklung
Die Grundidee der elektrooptischen Detektion von THz-Pulsen liegt in der Beobachtung der momentanen Brechungsindexanderung, die der THz-Puls in einem geeigneten Material hervorruft. Die durch den THz-Puls erzielte Modulation der Lichtintensitat eines optischen Probe-Pulses ergibt aufgrund des linearen
Pockels-Eekts direkten Aufschlu u ber seine elektrischen Feldstarke E .
Die Elektro-Optik ist ein Teilgebiet der Optoelektronik und behandelt die
Manipulation von em-Strahlung in transparenten elektrooptischen Medien. In
diesem Abschnitt wird die elektrooptische Detektion von THz-Pulsen in den
elektrooptischen Kristallen LiTaO3 , LiNbO3 und ZnTe diskutiert. Die Reihenfolge der genannten Kristalle entspricht der experimentellen Entwicklung innerhalb unserer Gruppe, d.h. erste Versuche, um THz-Pulse zu detektieren,
wurden mit den klassischen Kristallen der Elektro-Optik LiTaO3 und LiNbO3
durchgefuhrt. Diese Kristalle erlaubten, das Prinzip der elektrooptischen Detektion zu demonstrieren [56, 122]. Jedoch sollte sich im Laufe der Arbeiten
ZnTe [116, 111] als das bis dato am besten geeignete Detektions-Kristall fur
THz-Pulse erweisen. Der wesentliche Grund hierfur liegt in dem geringen Laufzeitunterschied zwischen THz-Puls und Probe-Puls im ZnTe Kristall.
Die optischen Eigenschaften elektrooptischer Materialien hangen vom elektrischen Feld ab, dem sie ausgesetzt sind. Es kommt zum elektrooptischen Ef nderung des Brechungsindizes in Abhangigkeit des angelegten
fekt, der eine A
aueren elektrischen Feldes bewirkt. Diese Brechungsindexanderung bewirkt
nderung des Polarisationszustands einer em-Welle, die das Meihrerseits eine A
dium transmittiert. In Verbindung mit Polarisatoren kann man einen elektrooptischen Modulator herstellen, mit dem die Intensitat eines ihn transmittierenden
Lichtstrahls durch Variation des angelegten elektrischen Felds moduliert werden kann. Man unterscheidet zwei Eekte: einen linear vom E -Feld abhangigen
Eekt, den Pockels-Eekt und den quadratischen, den Kerr-Eekt.
3.2.1 Der Pockels-Eekt

Die folgende Darstellung fat in kurzer Form die wichtigsten Hilfsmittel der Kristalloptik zusammen, die zur Beschreibung der elektrooptischen Detektion von
Bedeutung sind. Die gewahlte Darstellung und orientiert sich an dem Textbuch
von Saleh und Teich [89].
Transparente Medien konnen bzgl. ihrer optischen Eigenschaften durch die
geometrische Konstruktion des Indexellipsoids charakterisiert werden:
X
ij
ij xi xj = 1
mit i; j = 1; 2; 3
(3.1)
ij sind die Elemente des Impermeabilitatstensors = 0 1 = 1=n2 , wobei der Dielektrizitatstensor und n der Indextensor darstellen. Die Elemente
3.2.
23
EO-DETEKTOR-ENTWICKLUNG
der drei Tensoren hangen von der Wahl des Koordinatensystems relativ zur
Kristallstruktur ab. Es kann immer ein Koordinatensystem derart gefunden
werden, bezuglich dem die Tensoren Diagonalgestalt annehmen. Bei Strahlausbreitung entlang dieser Achsen sind die dielektrische Verschiebung D und die
elektrische Feldstarke E parallel und denieren die Hauptachsen des Koordinatensystems. Betrachtet man den experimentell interessanten Indextensor, so
geben seine Eigenwerte die Brechungsindizes n1 = n11 , n2 = n22 und n3 = n33
an, d.h. die Brechungsindizes in Richtung der Hauptachsen.
Bringt man das Medium in ein aueres elektrisches Feld E , so zeigt der
Brechungsindex eine elektrische Feldabhangigkeit. Es kommt zum sogenannten
elektrooptischen Eekt. Fur die Elemente des Impermeabilitatstensors bedeutet
dies: ij ! ij (E). Wird die elektrische Feldabhangigkeit in Form einer TaylorReihe dargestellt, nimmt das Indexellipsoid folgende Gestalt an:
0
XB
@ij
ij
rijk Ek +
|{z}
k P: K:
sijkl Ek El C
A xi xj = 1 ;
| {z }
kl K: K:
(3.2)
mit ij = ij (0). rijk und sijkl sind die elektrooptischen Tensoren dritten
und vierten Rangs. Sie besitzen 33 = 27 bzw. 34 = 81 Koezienten, die als
Pockels- bzw. Kerr-Koezienten bezeichnet werden. Sie beschreiben als Koezienten die lineare bzw. quadratische Abhangigkeit des Impermeabilitatstensors in Abhangigkeit vom aueren Feld. Bei den angewandten elektrischen
Feldstarken der THz-Pulse (E < 3 kV/cm) ist der Kerr-Eekt aufgrund der
sehr kleinen sijkl -Werte vernachlassigbar, so da im folgenden nur noch der
lineare Term, der Pockels-Eekt, betrachtet wird:
ij
ij +
rijk Ek xi xj = 1
(3.3)
Aus Symmetriegrunden konnen die Tensorkomponenten rijk gema der Kontraktionsregel1 in Tensorkomponenten rIk umgeschrieben werden [89].

Fur die experimentelle Anwendung ist die Anderung
des Impermeabilitatstensors bzw. des Indextensors n von Interesse.
Im Allgemeinen wird (E ) keine Diagonalform mehr aufweisen, so da die
neuen Hauptachsen des modizierten Indexellipsoids bestimmt werden mussen.
Dies lat sich auf das Eigenwertproblem
Det(
1) = 0
(3.4)
zuruckfuhren, wobei sich aus den Eigenwerten die modizierten Brechungsindizes bestimmen lassen.
1 die Indizes ijk der Pockels-Koezienten konnen auf durch zwei Indizes I und j charak-
terisiert werden. Dabei gelten die Kontraktionsregeln: 11

4; 31 5 und 12 6
! 1;
22
! 2;
33
! 3;
23
24
KAPITEL 3.
Fur die in dieser Arbeit verwandten elektrooptischen Kristalle LiTaO3 ,

LiNbO3 und ZnTe sind im folgenden die relevanten optischen Eigenschaften
aufgefuhrt. Bei LiTaO3 und LiNbO3 handelt es sich um Kristalle des trigonalen Kristallsystems (3m) 2 , damit sind ihre optischen Eigenschaften richtungsabhangig3 in Bezug auf die Kristallorientierung und werden aus diesem Grunde
auch als anisotrop bezeichnet. Das Indexellipsoid ist ein Rotationsellipsoid mit
der x3 -Achse als optische Achse.
ZnTe zahlt zu dem kubischen Kristallsystem mit Zinkblendestruktur (43m)
und ist bzgl. der optischen Eigenschaften richtungsunabhangig und wird somit
als isotrop bezeichnet. Die vom Kristallsystem abhangigen Pockels-Koezienten
rIk sind in Tabelle 3.1 aufgefuhrt.
Tabelle 3.1: Pockels-Koezienten rIk fur die verwandten elektrooptischen Kristalle [89].
0
B
B
B
B
B
B
B
B
B
@
0 0 0
0 0 0
0 0 0
r41 0 0
0 r41 0
0 0 r41
kubisch 43m
ZnTe
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A
B
B
B
B
B
B
B
B
B
@
0
0
0
0
r51
r22
r22 r13
r22 r13
0 r33
r51 0
0
0
0
0
1
C
C
C
C
C
C
C
C
C
A
trigonal 3m
LiTaO3 und LiNbO3
LiTaO3 und LiNbO3 sind anisotrope, einachsige Kristalle, bei deren
Kristallorientierung zwischen b- und c-cut unterschieden wird. b-cut bedeutet, da der Kristall entlang der x2 -Achse, d.h. entlang einer der ordentlichen Achsen (no ), geschnitten ist, so da die Stirn ache des Kristalls
Doppelbrechung aufweist, vgl. Abbildung3.1(A). Im Gegensatz dazu bedeutet c-cut, da die auerordentliche (x3 ) Achse des Kristalls senkrecht
geschnitten wurde, so da die Stirn ache keine Doppelbrechung aufweist,
vgl. Abbildung3.1(B).
{ b-cut: Das elektrische Feld des THz-Pulses wird entlang der x3 Richtung im Kristallsystem angelegt 4 , d.h. E = (0; 0; E3 ).
2 Hermann Mauguinsche Symbole fur Symmetrieoperationen: 3 = 3zahlige Drehung, m =
Spiegelung an einer Ebene und 4 = 4zahlige Drehinversion

3 in diesem Fall auch optisch einachsig bezeichnet
4 Bei der spateren Betrachtung wechselt das Bezugssystem in das Laborsystem, vgl. Abbildung 3.2!
3.2.
25
x1 (no)
x2 (no)
gs
tun
rei
sb ng
u
A htu
ric
Eopt
x3 (ne)
ETHz
x3 (ne)
x1 (no)
s
ng
tu
rei
sb ng
u
u
A ht
ric
(A) b-cut
Eopt
x2 (no)
x1 (n)
x2 (n)
ETHz
s
ng
tu
rei
sb g
Au htun
ric
(B) c-cut
Eopt
x3 (n)
ETHz
(C) isotrop
Abbildung 3.1: Drei Geometrien der elektrooptischen Kristalle, die angewandt

wurden. (A) zeigt das b-cut Kristall. Der elektrische Feldvektor des THz-Pulses
ETHz ist entlang der x3 -Achse orientiert. Der optische Probepuls breitet sich
kolinear mit dem THz-Puls in x1 -Richtung aus. (B) zeigt das c-cut Kristall:
Der THz-Puls ist entlang der x2 -Achse orientiert und breitet sich gemeinsam
mit dem Probepuls in x3 aus. (C) isotrope ZnTe Kristall der Feldvektor des
THz-Pulses zeigt in x3 -Richtung, wahrend seine Ausbreitungsrichtung kolinear
mit dem Probe-Puls in x1 -Richtung weist.
26
KAPITEL 3.
Ausgehend von Gleichung (3.3) unter Berucksichtigung der in Tabelle

3.1 angebenen elektrooptischen Pockelskoezienten ergibt sich der
Impermeabilitatstensor zu:
0
b (E 3 ) =
n2 (E3 )
1
2
B no
=B
@
+ r13 E3
0
0
0
1 +r E
13 3
n2o
0
0
0
1 +r E
33 3
n2e
1
C
C
A
(3.5)
Weiterhin zeigt dieser Tensor Diagonalform, was bedeutet, da sich
der Indexellipsoid nicht gedreht, sondern nur aufgrund des elektro
optischen Eekts seine Ausdehnung geandert hat. Diese Anderung
der Brechungsindizes ist mit den Eigenwerten der obigen Matrix
hier direkt ablesbar:
1
1
1
10 = 2 = 2 + r13 E3 , n10 = no (1 + r13 n2o E3 ) 2 (3.6)
n10 no
1
1
1
20 = 2 = 2 + r13 E3 , n20 = no (1 + r13 n2o E3 ) 2 (3.7)
n20 no
1
1
1
30 = 2 = 2 + r33 E3 , n30 = no (1 + r33 n2e E3 ) 2 (3.8)
n30 ne
Fur 4 = rIk n2k Ek 1 lat sich aus der Taylorentwicklung folgende

1
Approximation (1 + 4) 2 1 12 4 gewinnen. Damit folgt fur die
modizierten Brechungsindizes:
1
n10 = no
r n3 E
(3.9)
2 13 o 3
1
n20 = no
r n3 E
(3.10)
2 13 o 3
1
r n3 E
(3.11)
n30 = no
2 33 e 3
{ c-cut: Das elektrische Feld des THz-Pulses wird entlang der x2 Richtung im Kristallsystem legt, d.h. E = (0; E2 ; 0). Analog zur
vorherigen Bestimmung des Impermeabilitatstensors folgt fur :
0
1
2
B no
r22 E2
0
0
0
0
C
1
1
B
c (E2 ) = 2
=@
2o + r22 E2 r42 E2 C
n
A (3.12)
n (E2 )
1
r42 E2
n2e
Dieser Tensor besitzt keine Diagonalform mehr, d.h. der Indexellipsoid hat sich gedreht und verformt. Die modizierten Brechungsindizes
nehmen folgende Gestalt an:
1
n10 = no + r22 n3o E2
(3.13)
2
1
r n3 E
(3.14)
n20 = no
2 22 o 2
n30 = ne ;
(3.15)
3.2.
27
2 E 2 vernachl
wobei der quadratische Term r42
assigt wurde.
2
ZnTe ist ein isotroper Kristall (n1 = n2 = n3 = n), an dem in x3 Richtung ein elektrisches Feld E = (0; 0; E3 ) angelegt wird. Analog zu
den beiden vorherigen Fallen folgt fur den Impermeabilitatstensor :
0
ZnTe (E3 ) =
1
2
n (E3 )
1
n21
B
=B
B r41 E3
@
r41 E3 0
1
0
n22
1
0
n2
1
C
C
C
A
(3.16)
und fur die modizierten Brechungsindizes:
n10 = n
1
n20 = n + r41 n3 E3
2
1
n30 = n
r n3 E3
2 41
(3.17)
(3.18)
(3.19)
28
KAPITEL 3.
3.2.2 Der elektrooptische Modulator

Trit eine elektromagnetische Welle linearer Polarisation, vgl. Abbildung 3.2,
auf einen elektrooptischen Kristall, dessen Brechungsindizes aufgrund eines angelegten elektrischen Felds modiziert werden, so transmittieren die Komponenten des elektrischen Felds Ex und Ey verschieden schnell den Kristall. Es
kommt zu einer Phasenverzogerung bzw. -verschiebung5 zwischen den beiden Komponenten des elektrischen Felds. Hinter dem Kristall wird der Polarisationszustand der elektromagnetischen Welle im allgemeinen elliptische Polarisation aufweisen, die mit Hilfe eines zweiten Polarisators als eine Intensitatsanderung nachweisen lat. Die Phasenverzogerung x ; y der Komponenten einer
x
z
y
nx
2. Polarisator
Ex
x
Ey
E
Ex
ny
Ey
eo-Krsitall
y
1. Polarisator
Abbildung 3.2: Transversaler eo-Modulator: An einem elektrooptischen Kristall,

welcher sich zwischen gekreuzten Polarisatoren bendet, wird ein elektrisches
Feld in y-Richtung angelegt; es kommt zur Brechungsindexanderung, z.B. nx0 >
ny0 . Ein linear polarisierter optischer Probe-Puls ist mit = 45 relativ zu den
Hauptachsen des Kristalls geneigt und durchlauft den Kristall in z -Richtung.
Seine Komponenten Ex und Ey erfahren eine relative Phasenverzogerung
und die Polarisation wird hinter dem Kristall i. A. eine elliptische Polarisation
aufweisen, die sich als Intensitatsanderung hinter dem 2. Polarisator nachweisen
last.
em-Welle Ex;y = E0 exp i(kx;y z !t) nach dem ein Medium der Wegstrecke dz
durchlaufen wurde, an dem ein elektrisches Feld E = (0; Ey ; 0) anliegt, betragen:
!
x = nx0 (Ey ) dz
(3.20)
c
!
y = ny0 (Ey ) dz ;
(3.21)
c
5 im Englischen als phase retardation bezeichnet
3.2.
29
wobei ! die Frequenz des optischen Probe-Pulses und nx0 ;y0 (Ey ) die aufgrund
des Pockels-Eekts modizierten Brechungsindizes darstellen. Die relative Phasenverzogerung zwischen den elektrischen Komponenten Ex und Ey betragt
nach Durchlaufen der Strecke dz im elektrooptischen Kristall:
= jy
x j =

!

c
ny0 (Ey )
nx0 (Ey )

dz
(3.22)
Im konkreten Fall der in dieser Arbeit verwendeten Kristalle ergeben sich

folgende Phasenverzogerungen:
b-cut LiTaO3/LiNbO3 (Gleichungen (3.11) und (3.10) in (3.22)):

!
1!
= (ne no ) dz + (n3o r13 n3e r33 ) Ey dz ;
|c
{z
} |2 c
{z
}
stat
(3.23)
Cb
stat ist ein statischer Term, der Aufgrund der Doppelbrechung unabhangig vom elektrooptischen Eekt auftritt. Cb ist eine fur Kristallorientierung charakteristische Groe.
c-cut LiTaO3/LiNbO3 (Gleichungen (3.14) und (3.13) in (3.22)):

!
= n3o r22 Ey dz :
|c {z }
(3.24)
Cc
ZnTe (Gleichungen (3.19) und (3.18) in (3.22)):

!
= n3o r41 Ey dz :
|c {z }
(3.25)
CZnTe
Die angegebenen Phasenverzogerungen gelten fur den statischen Fall, d.h.

wenn ein zeitlich konstante Felder am Kristall anliegen. Im folgenden Abschnitt
wird dem Sachverhalt Rechnung getragen, da es sich bei dem THz- wie auch
dem optischen Probe-Puls um zeitlich sehr kurze Felder handelt, die fur eine
endliche Zeit im eo-Kristall uberlagert sind.
3.2.3 Elektrooptische Detektion von THz-Pulsen

Im vorangegangenen Abschnitt wurden keinerlei Aussagen uber das angelegte elektrische Feld, sowie u ber den Probe-Puls gemacht. An dieser Stelle ist
eine genauere Betrachtung des Transmissionsverhalten des ferninfraroten und
optischen Pulses in den dispersiven Detektions-Kristallen notwendig.
30
KAPITEL 3.
Der Probe-Puls: Bei dem optischen Probe-Puls handelt es sich um einen

Laserpuls mit einer typischen Dauer von 100 fs, der eine Zentralwellenlange
von z = 800 nm bei einer spektralen Breite von 14 nm besitzt, vgl.
Abb. 2.3. Ein Puls fur den z gilt, wird als Wellenpaket bezeichnet,
fur welches bei der Transmission eines dispersiven Mediums eine Gruppengeschwindigkeit vg fur das Maximum des Pulses angegeben werden kann:
vg = vopt = c=nopt . Der Gruppenindex nopt last sich aus dem dispersiven
Verlauf des cw-Brechungsindex6 n() berechnen [89]:
dn()
:
(3.26)
d
Der optische Probe-Puls kann als ein Gauscher Puls dargestellt werden:
nopt () = n()
z vg t
Iopt (z; t) = I0 exp
vg p
(3.27)
Der THz-Puls: Beim THz-Puls handelt es sich um kein Wellenpaket, da

z . Somit ist es nicht moglich, eine einhullende Funktion anzugeben und deren Puls-Maximum eine representative Gruppengeschwindigkeit zuzuordnen. Genau genommen, mute jede Wellenlange des THzPulses getrennt betrachtet werden, da gilt:
ETHz (z; t) =
E (z; ) exp(ik( )z
it) d
(3.28)
Aus Vereinfachungsgrunden wird jedoch nur die Zentralfrequenz, des THzPulses betrachtet, die bei den in dieser Arbeit erzeugten Pulsen bei Z =
500 GHz (Z = 0:6 mm) liegt. Es wird sich zeigen, da diese Vereinfachung ausreicht, um die elektrooptische Puls-Detektion ausreichend beschreiben zu konnen.
Im Allgemeinen besitzen THz- und Probe-Puls aufgrund der Dispersion des
Kristalls unterschiedliche Ausbreitungsgeschwindigkeiten. Ein Puls wird den
anderen u berholen, vgl. Abb. 3.3. Der THz-Puls durchlauft den Kristall in zRichtung. Fur sein elektrisches Feld wird folgender Ansatz gemacht:
z
ETHz (z; t) = ETHz (
+ t) e z
(3.29)
vTHz
Der 100 fs-Probepuls aus Gl. (3.27) wird als eine zeitliche Deltafunktion approximiert:
z
Iopt (z; t) (
+ t T)
(3.30)
vopt
wobei T die zeitliche Verzogerung des Probe- gegenuber dem THz-Puls darstellt, vgl. Abbildung3.4. Bei der Propagation durch den Kristall erfahrt der
6 cw steht fur continous wave und bedeutet eine kontinuierliche elektromagnetische Welle.
3.2.
31
crystal
orientation
crystal
crystal
v THz
v THz
x (n 1 )
v opt
vopt
y (n 2 )
z (n 3 )
t1
t2
>
t1
Abbildung 3.3: Unterschiedliche Ausbreitungsgeschwindigkeiten von THz-Puls

und optischen Probe-Puls im eo-Kristall. In LiTaO3 besitzt der Probepuls eine
ca. dreimal groere Ausbreitungsgeschwindigkeit als der THz-Puls, so da zur
eine Zeit t2 der optische Probe-Puls den THz-Puls uberholt hat.
eo-Kristall
L
T
Probe-Puls
THz-Puls
Abbildung 3.4: Der Probe-Puls kommt um die Zeit T verzogert am Detektionskristall an. Durch Verschieben der Verzogerungsstufe kann T variiert werden,
wodurch der THz-Puls in der Zeitdomaine mittels des Probe-Pulses abgetastet
werden kann, vgl. z.B. Abb. 4.1.
32
KAPITEL 3.
Probe-Puls nur dann ein Phasenverzogerung, wenn orts- und zeitgleich das elektrische Feld des THz-Pulses den Brechungsindex andert. Voraussetzung dafur
ist, da die Brechungsindexanderung instantan erfolgt, d.h. ein lineares Abbild
der Feldstarke des THz-Puls ist. In diesem Fall entspricht das gesamte Phasenverzogerungssignal einer Integration uber die Strecke dz und u ber die Zeitdauer
dt der Puls-U berlagerung im Kristall:
Z L
Z 1
THz (T ) = C
dz
dt ETHz (z; t) Eopt (z; t)
(3.31)
0
1
C ist eine Kristall spezische Groe, die aufgrund des Pockels-Eekts auftritt, und in Abschnitt 3.2.2 fur das jeweilige Detektionskristall deniert wurde.
Durch Einsetzen der Gleichungen (3.29), (3.30) in Gl. (3.31) erhalt man:
THz (T ) = C
= C
Z L
0
Z L

1
z
z
dz
dt ETHz
+ t e z
+ (t
vTHz
vopt
1
Z
dz ETHz (
nTHz
c

nopt
)z + T e
c
{z
T)
z
=1; fur t=T vopt
(3.32)
Mit n = nTHz nopt wird der Brechungsindexunterschied zwischen den THzund dem optischen Puls deniert. Aufgrund der Annahme, da die Dispersion
im ferninfraroten Frequenzbereich zu vernachlassigen ist, wird n als konstant
approximiert und es folgt:
THz (T ) = C
Z L
ETHz
n
z+T e
dz
(3.33)
Aus diesem Integral lat sich das elektrische Feld des THz-Pulses anhand des
gemessenen Phasenverzogerungssignals THz (T ) bestimmen. Das ist Gegenstand von Kapitel 4.
3.2.
33
3.2.4 Phasenschieber zwischen gekreuzten Polarisatoren

In diesem Abschnitt wird die Charakteristik der Intensitat I des Probe-Pulses
diskutiert, die mit einer Photodiode detektiert wird. Die Fragestellung lautet:
Ist die gemessene Intensitat des Probe-Pulses linear zum Phasenverzogerungssignal THz und damit auch linear zum elektrischen Feld des THz-Pulses?
Um diese Frage zu beantworten gehen wir von einem allgemeinen Phasenschieber aus, der in Abbildung 3.5 dargestellt ist. Es wird der sogenannte
ABCD-Formalismus von Jones verwendet, um die Intensitatsabhangigkeit des
Probe-Strahls zu diskutieren [89].
Das optische System besteht aus drei Elementen: den zwei Polarisatoren
und dem Phasenschieber, hier dem elektrooptischen-Kristall. Die elektrischen
Komponenten eines Probe-Pulses Ex and Ey treten phasenverzogert hinter dem
Kristall der Lange L aus: 2n1 L= = x und 2n2 L= = y . Die relative
Phasenverzogerung zwischen Ex und Ey betragt:
= x y = 2L(n1
n2 )= :
(3.34)
Fur gekreuzte Polarisatoren, die mit = 45o (= 45o ) orientiert sind, sehen
x
y
n1
Analyzer
f
Ex
Ey
Ex b
n2
Ey
Retarder
y
Polarizer
Abbildung 3.5: Phasenschieber zwischen gekreuzten Polarisatoren. Ein linear

polarisierter optischer Probe-Puls ist mit = 45 relativ zu den Hauptachsen
des Kristalls geneigt und durchlauft den Phasenschieber in z -Richtung. Aufgrund der Doppelbrechung n1 > n2 erfahren seine Komponenten Ex und Ey
relative Phasenverzogerung und die Polarisation wird hinter dem Phasenschieber i. A. eine elliptische Polarisation aufweisen, die sich als Intensitatsanderung hinter dem 2. Polarisator nachweisen last.
die Jones Matrizen folgendermaen aus:
A1 = 21
"
11
11
and
A3 = 21
"
1 1
1 1
(3.35)
34
KAPITEL 3.
Die Jones Matrix eines allgemeinen Phasenverzogerers besitzt die Gestalt:

"
ix
A2 = e 0 ei0 y
(3.36)
Die Gesamtmatrix AG des elektrooptischen Modulators erhalt man durch eine

Matrizen-Multiplikation:
AG = A3 A2 A1
(3.37)
AG = 14 (eix
eiy )
"
1 1
1 1
Die einund auslaufenden polarisierten ebenen Wellen seien durch die Jones
Vektoren Ei und E beschrieben:
"
1
mit Ei = p
2
E = AG Ei
1
1
wobei Ei eine mit = 45 polarisierte ebene Welle darstellt. Damit folgt:

1
E= p
4 2
(eix
eiy )
E= p
(ejx
2 2
"
1 1
1 1
ejy )
"
# "
1
1
1
1
Die Intensitat I des Probe-Puls erhalt man durch die Multiplikation des Jones
Vektors E an seinen hermitesch adjungierten Vektor Ey 7 . Damit erhalt man
fur die Intensitat hinter dem 2. Polarisator:
"
E
I = Ey E = [Ex Ey ] x
Ey
= Ex Ex + Ey Ey = jEx j2 + jEy j2
1
(1 cos(x y ))
(3.38)
2
y = die relative Phasenverschiebung zwischen Ex and Ey :
=) I =
Sei x
1
(1 cos())
2

= sin2 ( )
2
I () =
(3.39)
(3.40)
In Abbildung 3.6 ist die transmittierte Intensitat I () in Abhangigkeit dar-
7 Die hermitesch adjungierte Matrix ist deniert als die komplex konjugierte der transponierten Matrix. Dies bedeutet, da Ey ein Zeilenvektor ist: Ey = [Ex Ey ]
3.2.
35
1,0
Intensity
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
90
180
270
360
97120801.opj
retardation [degrees]
Abbildung 3.6: Die durchgezogenen Linie gibt das Intensitatsverhalten I = I ()

eines Probe-Strahls am Detektor an, der eine Phasenverzogerung zwischen den
gekreuzten Polarisatoren erfahrt. Die gestrichelte Linie gibt die Approximation
fur den Fall an, da keine optische Vorspannung, also 0 = 0, angelegt ist.
Man erhalt ausgehend von Gl. 3.42: I (0 + ) = 12 [1 ( cos())] 14 2 ,
d.h. eine quadratische Abhangigkeit von der Phasenverschiebung. Im Gegensatz
dazu ergibt sich fur 0 = 2 (gepunktete Linie) aus Gl. (3.42): I ( 2 +) = 12 [1+
sin()] 12 [1 + ] ein linearer Zusammenhang. Zu beachten ist, da dieser
lineare Zusammenhang auf einem Hintergrund der halben Maximalintensitat
gemessen werden mu.
36
KAPITEL 3.
gestellt. Um die linearen und nichtlinearen Charakteristiken der Transmissionsfunktion (Gl. (3.39)) zu diskutieren, ist es sinnvoll die Phasenverzogerung aufzuspalten in eine Beitrag = 0 , den wir als optische Vorspannung8 bezeichnen
wollen und eine zusatzliche kleine Phasenverzogerung , die beispielsweise die
THz-Puls-induzierte Phasenverzogerung THz darstellen kann. Somit erhalt
Gl. (3.39) folgende Gestalt:
1
(3.41)
I (0 + ) = [1 cos(0 + )]
2
1
I (0 + ) = [1 ( cos(0 ) cos() sin(0 ) sin())] (3.42)
2
Setzt man die Taylor-Approximationen der trigonometrischen Funktionen ein,
so erhalt man aus Gl. (3.42):
I (0 + )
3
2
3
2
12 [(0 60 ) + 12 (1 20 )2 16 (0 60 )3 + 20 ]
(3.43)
Nun sei die Phasenverzogerung aufgrund des THz-Puls und 0 sei eine optische Vorspannung, die aufgrund der statischen Anisotropie, z.B. aufgrund von
mechanischen Spannungen im elektrooptischen Kristall oder/und eines SoleilBabinet Kompensators hervorgerufen wird.
Im Experiment wird der THz-Puls Zug (Repetitionsrate 1 kHz) regelmaig
unterbrochen. Die Photodiode sieht zwar den letzten Term in Gl. (3.43), jedoch der synchrone Lock-In Verstarker liefert als Ausgangssignal nur die Intensitatsanderung aufgrund von THz . Damit folgt fur das Lock-In Signal
ILI (0 + ):
ILI (0 + ) =
1
[(
2 0
30
1
) + (1
6
2
20
)2
2
1
(
6 0
30
)3 ]
6
(3.44)
In Abbildung 3.7 ist diese Funktion fur verschiedene Werte von 0 dargestellt.
Ist keine optische Vorspannung vorhanden (0 = 0), so erhalt man eine quadratische Intensitatsanderung in Abhangigkeit von , bzw. im Falle der THz2 .
Pulse gilt I / ETHz
In Abbildung 3.7 ist die optische Vorspannung schrittweise bis 0 = 2
erhoht. Bei 0 = 2 ist die Intensitatsanderung des Probe-Puls linear zur Phasenverzogerung und damit linear zum elektrischen Feld des THz-Pulses. In
diesem Fall erhalt man neben einer linearen Kennlinie zusatzlich die beste
Dynamik, d.h. bei gleicher A nderung von erzielt man eine groere Intensitatsanderung. Zu beachten ist aber, da das Signal auf einem Untergrund der
halben Intensitat des Probe-Puls detektieren mu, vgl. Abb. 3.6. Aus diesem
Grund versucht man mit zwei abgeglichenen Photodioden im Subtraktionsmodus zu arbeiten. Dieser Sachverhalt wird in Abschnitt 4.7.3 genauer besprochen.
8 im Englischen als optical bias bezeichnet
3.2.
37
0,08
/2
0=/2
0,06
Intensity
0=/5
0,04
0=/10
0,02
0=0
0=/50
/4
2
0,00
-0,02
-0,04
-0,06
97120902.opj
-0,08
-10
-5
10
[degrees]
Abbildung 3.7: Darstellung von Gl. (3.44) fur verschieden groe optische Vorspannungen 0 .
Kapitel 4
Erste Messungen von

THz-Pulsen
In diesem Kapitel werden die experimentellen Ergebnisse besprochen, die fur
die Entwicklung der elektrooptischen Detektion von frei propagierenden THzPulsen mageblich waren. Erst wurden die THz-Pulse mit einem konventionellen Halbleiterdetektor nachgewiesen. Anschlieend wurde dieser Detektor durch
die elektrooptischen Kristalle LiTaO3 , LiNbO3 und ZnTe ersetzt und die ersten
THz-Pulse elektrooptisch detektiert. Mit ZnTe, dem bis heute am besten geeignetsten Detektionskristall, wurden einige Charakterisierungsmessungen der
gro achigen THz-Emitter Antenne durchgefuhrt. Ziel dieser Messungen war
es, die Groe und Stabilitat der THz-Feldamplituden zu optimieren, insbesondere in Hinblick auf zweidimensionale Detektion, bei der moglichst hohe THzFeldstarken erwunscht sind.
38
4.1.
39
SOS-DETEKTOR
4.1 SOS-Detektor
Ausgangspunkt fur die elektrooptische Detektion war nach dem Aunden des
THz-Pulses im vorlaugen Versuchsaufbau den konventionellen SOS-Halbleiterdetektor durch ein elektrooptisches Kristall zu ersetzen. Dieser ursprungliche
Versuchsaufbau ist in Abbildung 4.1 dargestellt. Der optische Pump-Puls er-
BS
reg. amp.
Ti:sapphire
Pump
Pulse
Probe
Pulse
CH
HV
Emitter
THz
SOS-detector
T
LIA
Delay Line
PM
TS
Abbildung 4.1: BS - 10% Strahlteiler, CH - Chopper, Emitter - GaAs-Wafer (1

cm2 ), PM - Parabolische Spiegel, Delay Line - Verzogerungsstufe, TS - hyperhemispharische Saphir Optik, SOS-Detektor-Chip, LIA - Lockin-Amplier
zeugt den THz-Puls an dem GaAs-Wafer, der mit einer Konstant-Hochspannungsquelle vorgespannt ist. Der emittierte THz-Puls wird mittels parabolischer Spiegel kollimiert und fokussiert. Zur starkeren Fokussierung wurde eine zusatzliche hyperhemispharische Saphir Optik [58, 91] verwendet, hinter der sich der
Halbleiterdetektor (SOS-Detektor) bendet. Der Probe-Puls lauft durch eine
Bohrung von 1 mm Durchmesser im zweiten Parabolspiegel und trit kolinear
mit dem THz-Puls auf den SOS-Detektor.
In Abbildung 4.2 sind die mit verschiedenen Elektrodenspannungen Ub am
THz-Emitter erzeugten THz-Pulse dargestellt. Die kleinere Grak stellt die maximale THz-Feldamplitude in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung Ub
dar. Man erkennt deutlich, da ab ca. 6 kV die emittierte THz-Feldstarke in
Sattigung geht. Dieses Sattigungsverhalten ist aus der Literatur bekannt [22]
und ist wahrscheinlich auf die Erwarmung des GaAs-Wafers zuruckzufuhren.
Immerhin iet aufgrund des optischen Pumpstrahls bei einer angelegten Hochspannung von 6 kV ein mittlerer Strom von 5 A uber den GaAs-Wafer. Es
wird eine Leistung von ca. 30 mW dem Wafer zugefuhrt. Eine mogliche Er-
40
KAPITEL 4.
ERSTE MESSUNGEN VON THZ-PULSEN
klarung fur dieses Sattigungsverhalten konnte daher in der Erwarmung des

GaAs-Wafers liegen, so da die Ladungstragerbeweglichkeit und damit das abgestrahlte elektrische Feld saturieren. Die absolute Groe der THz-Feldstarke
konnte anhand des Photostroms bestimmt werden, der bei einem aueren statischen Feld durch den SOS-Detektor iet. Durch Anlegen einer Spannung von
5 V an die 30 m voneinander entfernten Detektorelektroden erzeugt man ein
elektrisches Feld von 1.6 kV/cm. Dabei wurde ein Photostrom von 75 pA an dem
Lockin-Amplier gemessen, wenn der Probe-Strahl den Detektor beleuchtet. Ersetzt man das konstante elektrische Feld durch einen THz-Puls und mit den
Photostrom, der im SOS-Detektor iet, so lat sich dieser Photostrom direkt
in die elektrische Feldstarke des THz-Pulses umrechnen [58, 91]. Sie saturiert
bei ca. 2.5 kV/cm ab einer angelegten Hochspannung von Eb = 6 kV/cm.
Mittels des Poyntings Theorem lat sich die Leistungsdichte bestimmen:
S = c0 jETHz j2 170 MW/m2
(4.1)
In Gl. (4.1) ist die zeitliche Mittelung u ber das elektrische Feld nicht berucksichtig (Faktor: 21 ), da die Spitzen-Leistungsdichte des THz-Pulses bestimmt
werden soll.
4.2 LiTaO3 als elektrooptischer Detektions-Kristall

Im nachsten Schritt wurde der SOS-Detektor durch ein LiTaO3 Kristall ersetzt,
wobei der verwendete Versuchsaufbau in Abb. 4.3 dargestellt ist. Diese Anordnung ist mit der in Abb. 4.1 gezeigten identisch, nur wurde der SOS-Detektor
durch den elektrooptischen Kristall und die Polarisatoren ersetzt. Der kolinear mit dem THz-Puls den elektrooptischen Kristall durchlaufende Probe-Puls
erfahrt eine Phasenverzogerung THz . Diese Phasenverzogerung modiziert
die Polarisation des Probe-Pulses. Dies fuhrt zur Intensitatsanderung hinter
dem zweiten Polarisator, die von einer Photodiode1 als Stromanderung registriert wird. Die Intensitat des Probe-Pulses wird aus zwei Grunden unter einer Pulsenergie von 5 J gehalten. Einerseits soll der Probe-Puls den durch
den THz-Puls induzierten Pockels-Eekt abfragen und soll nicht selbst elektrooptische Eekte hervorrufen. Andererseits mu man gewahrleisten, da die
Photodiode im linearen Bereich der Intensitats-Spannungs-Kennlinie betrieben
wird.
In Abbildung4.4 sind die detektierten Phasenverzogerungssignale in Form
der Spannungsanderung an der Photodiode dargestellt. Hierbei wurde die an
die Elektroden des THz-Emitters angelegte Hochspannung variiert. Die untere
Grak zeigt die zeitlichen Ableitungen2 der oberen Mekurven und gibt die
zeitliche Pulsform des THz-Pulses an . Die Spitzenwerte der THz-Pulse sind in
1 Si-Photodiode (OSD 100-5T) von Laser Components GmbH
2 (der Aspekt der zeitlichen Ableitung wird im folgenden Abschnitt 4.3 naher erlauert)
4.2.
LITAO
ALS ELEKTROOPTISCHER DETEKTIONS-KRISTALL
2500
41
peak field strength [V/cm]
2500
2000
1500
2000
1500
1000
500
0
2
10
field strength [V/cm]
HV bias across GaAs emitter [kV]
1000
1. Reflection from GaAs

emitter backside
500
2. Reflection
HV = 1.25kV/cm
-500
HV = 10kV/cm
-1000
t = 12,3ps
t = 12,3ps
95080902.opj
-1500
0
10
20
30
40
50
time delay T [ps]
Abbildung 4.2: Mit einem SOS-Detektor gemessene THz-Puls-Feldstarken am

Detektorkristall in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung. Die Hochspannung wurde in Schritten von 1.25 kV erhoht. Die eingelegte Grak gibt das Sattigungsverhalten des THz-Pulses wieder. Aufgetragen ist die maximale Feldstarke
des THz-Pulses gegen das angelegte Hochspannungsfeld am Emitter. Deutlich
zu erkennen sind die beiden ersten Echos des THz-Pulses, die durch die Re exionen an den Grenz achen des 520 m dicken GaAs-Wafer auftreten.
42
KAPITEL 4.
BS
reg. amp.
Ti:sapphire
Pump
Pulse
Probe
Pulse
CH
HV
Emitter
PM
THz
PR
eo-crystal
LIA
T
Delay Line
PP
PM
TS
PP
PD
Abbildung 4.3: BS - 10% Strahlteiler, Emitter - GaAs-Wafer (1 cm2 ), PM Parabolische Spiegel, Delay Line - Verzogerungsstufe, PR - Polarisationsdreher,
PP - Dunnschichtpolarisatoren TS - hyperhemispharische Saphir Optik mit
5 mm Radius und PD - Photodiode.
der eingelegten Grak gegen die angelegte Hochspannung am THz-Emitter im
Vergleich mit der Sattigungskurve aus Abb. 4.2 dargestellt.
Eine weitere zu beantwortende Frage bei der Detektion der Phasenverzogerungssignale lautet: Ist die gemessene Intensitatsanderung des Probe-Pulses
linear zur THz-induzierten Phasenverzogerung THz bzw. gilt, da die gemessene Spannung an der Photodiode proportional dem elektrischen Feld des
THz-Pulses ist, VP D / ETHz ? Bei gekreuzten Polarisatoren sollte dies, wie in
Abbschnitt 3.2.4 gezeigt, eine quadratische A nderung sein, jedoch sobald eine
geringe optische Vorspannung, d.h. eine zusatzliche Phasenverzogerung auftritt, erhalt man in gewissen Grenzen einen linearen Zusammenhang zwischen
Intensitatsanderung und THz-induzierter Phasenverzogerung. Diese zusatzliche optische Vorspannung ist meist aufgrund Kristallgitterversetzungen oder
mechanischen Spannung gegeben. Insbesondere, wenn ein Kristall mit b-cut
Geometrie verwendet wird ist eine statische Doppelbrechung vorhanden, die
eine ausreichend groe optische Vorspannung gewahrleistet.
Der Vergleich der gemessenen Sattigungsverhalten mit beiden Detektoren
bestatigt in Abb. 4.4, da die gemessen Intensitatsanderungen sich linear zu
den THz-induzierten Phasenverzogerungssignalen verhalten. Andernfalls sollten
die Sattigungskurven der beiden Detektionsmethoden keinen ahnlichen Verlauf
aufweisen.
4.2.
LITAO
ALS ELEKTROOPTISCHER DETEKTIONS-KRISTALL
43
Phase shift difference measurements with LiTaO3

2
10kV
arbitary units
1
1.25kV
0
-1
-2
950815a.org
10
15
20
25
delay [ps]
Differentiated phase shift signal

3,0
2,5
abitary units
1,5
1,0
0,5
normalized peak signal
2,0
10kV
1,0
0,8
0,6
0,4
peak of differentiated phase

shift signal
peak field strength of THz pulse
measured with SOS detector
0,2
0,0
0
10
12
HV bias [kV]
0,0
1.25kV
-0,5
-1,0
-1,5
0
10
15
20
25
Abbildung 4.4: Im oberen Bild sind die gemessenen Phasenverzogerungssignale in Abhangigkeit der Hochspannung Ub am THz-Emitter dargestellt. In der
unteren Grak ist die Ableitung des Phasenverzogerungssignals dargestellt. Sie
gibt in erster Naherung das elektrische Feld des THz-Pulses wider. Das Sattigungsverhalten der THz-Pulse in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung
wird in der eingelegten Grak widergegeben. Die schwarzen Quadrate geben die
eo-Medaten im Vergleich zu den SOS-Medaten (schwarze Kreise) aus Abb. 4.2
an.
44
KAPITEL 4.
4.3 eo-Detektion in LiTaO3, LiNbO3 und ZnTe

Dieser Abschnitt stellt die Ergebnisse der elektrooptische Detektion mittels verschiedener elektrooptischer Kristalle dar und demonstriert die Vorzuge von ZnTe als elektrooptischen Detektor fur frei propagierende THz-Pulse [111]. Der
Versuchsaufbau ist in Abb. 4.3 dargestellt. Abbildung 4.5 vergleicht die gemessenen Phasenverzogerungssignale , die erzielt werden, wenn bei gleichen Versuchsbedingungen nur die elektrooptischen Kristalle ausgetauscht werden.
ZnTe
1,2
10
1,0
10 ZnTe
0.57 LiTaO 3;
b-cut (x4)
THz [degrees]
PD [mV]
0,8
0,6
0,4
LiTaO3 ( x 4)
0,2
6
0.23 LiNbO3;
c-cut (x4)
LiNbO3 ( x 4)
0,0
-2
-0,2
96070525.opj
96120602.opj
96070524.opj
-0,4
-6
-4
-2
-4
-6
-4
-2
T [ps]
T [ps]
Abbildung 4.5: Linke Grak: experimentelle Phasenverzogerungssignale (PR)

fur ZnTe (Rauten-Symbole), b-cut LiTaO3 (Quadrate) und c-cut LiNbO3 (Dreiecke). Die Signale von LiTaO3 und LiNbO3 sind mit 4 multipliziert. Rechte
Grak: Simulierte Phasenverzogerungssignale sym
THz , wenn ein unfokusierter
THz-Puls mit einer maximalen Feldstarke von 2.5 kV/cm die entsprechenden
elekrooptischen Kristalle transmittiert.
Aufgrund der Laufzeitunterschiede zwischen dem optischen Probe-Puls und
dem THz-Puls in den elektrooptischen Kristallen mu der raumliche und zeitliche U berlapp der beiden Pulse im Kristall berucksichtigt werden, wie in Abschnitt 3.2.3 dargestellt. Entsprechend dem gewahlten experimentellen Aufbau,
mussen in Gl. (3.33) die Re exionsverluste R = 2ncry =(nsapph + ncry ) an der
Grenz ache zwischen Saphiroptik und elektrooptischen Kristall berucksichtigt
werden:
T Hz (T ) = (1 R) C
Z L
ET Hz

z
n + T e
c
z dz
(4.2)
4.3.
EO-DETEKTION IN LITAO , LINBO
eo-crystal
LiTaO3
LiNbO3
ZnTe
45
UND ZNTE
no
ne o e r13 r33
r22
ng;o ng;e
6.4 6.3 3 7.5 8 30
1
2.233 2.239
6.7 5.14 3.5 3 8.6 30.8
3.4
2.367 2.265
3.17
3
r41 =4.04 3.24
Tabelle 4.1: Parameter der elektrooptischen Kristalle: ni Brechungsindex bei

0.5 THz und 800 nm [55], i [cm 1 ] ist der Feldabsorptionskoezient bei
0.5 THz. Die Medaten von ni and i wurden mittels THz-TDS von M. Schall
bestimmt [92]. Die Pockels-Koezienten rIk in [pm/V] und die Gruppenindizes ng bei = 800 nm sind gema Gl. (3.26) berechnet, wobei die cwBrechungsindizes aus [55] entnommen wurden. Alle dargestellten Kristalle hatten eine Lange L von 1 mm.
Die Re ektionsverluste zwischen der Grenz ache Luft/Saphiroptik sind nicht
berucksichtigt, da die Kalibrationsmessungen der THz-Feldstarke mit dem SOSDetektor dieselbe Grenz ache besitzen, vgl. Abb. 4.1. Der Spitzenwert des THzPulses ETpeak
agt am Fokus der Saphiroptik ca. 2.5 kV/cm, siehe Abb. 4.2.
Hz betr
Das b-cut LiTaO3 zeigt im Vergleich zum c-cut LiNbO3 eine groeres Phasenverzogerungssignal, was aufgrund des groeren C -Faktors (Gleichungen (3.23)
und (3.24)) zu verstehen ist. Wegen der Doppelbrechung im Falle von b-cut mu
das Phasenverzogerungssignal gegen einen groeren Untergrund gemessen werden, was zu einem schlechteren Signal zu Rausch Verhaltnis fuhrt. Die elektrooptische Detektion kann in erster Naherung zur Bestimmung des THz-Pulses
benutzt werden, wenn man voraussetzt, da im THz-Bereich der Brechungsindex dispersionsfrei und die Absorption vernachlassigbar klein ist. In diesem Fall
lat sich zeigen, vgl. Kapitel A, da fur das elektrische Feld des THz-Pulses
gilt:
d
c
ET Hz (T ) / T Hz (T )
(T ) :
(4.3)
dT
n T Hz
Fur kleine Absorptionskoezienten kann der zweite Term vernachlassigt werden.
Im Falle von ZnTe gilt fur n(= 3:17 3:24) und (= 3cm 1 ) vgl. Tabelle
4.1 und Abb. B.1. Damit lat sich die Integration von Gl. (4.2) reduzieren:
ETHz (T )
T Hz (T )
:
(1 R) CZnTe L
(4.4)
In Abbildung 4.6 zeigt Teil (A) das gemessene Phasenverzogerungssignal T Hz

fur ZnTe als Detektionskristall. Die Pulse bei T = 12:3 ps und T = 24:6 ps sind
Echo-Pulse, die im GaAs-Wafer durch Re exionen an den Stirn achen entstehen, vgl. Abb. 4.2. Teil (B) zeigt das Phasenverzogerungssignal gemessen mit
c-cut LiNbO3. Das zeitliche Verhalten des THz-Pulses erhalt man, wie oben
46
1,0
1. emitter echo at 12.3ps
2. emitter echo at 24.6ps
0,5
0,0
ZnTe
1,5
-0,5
1,0
0,5
0,0
LiNbO3, c-cut
-0,5
THz (T) [a.u.]
THz (T) [a.u.]
KAPITEL 4.
-1,0
E THz (T) [a.u.]
1,0
0,5
0,0
-0,5
-1,0
-5
10
15
time delay T [ps]
20
25
30
Abbildung 4.6: A: Normiertes Phasenverzogerungssignal gemessen mit ZnTe.

Die Multi-Etalon THz-Puls Echos bei T = 12:3 ps and T = 24:6 ps des GaAsWafers sind deutlich zu erkennen, vgl. Abb. 4.2. Die dunne schwarze Line reprasentiert die Simulation gema Gl. 4.2. B: Normiertes Phasenverzogerungssignal gemessen mit einem c-cut LiNbO3 Kristall. C: Dierenziertes und geglattetes PR Signal von LiNbO3 ergibt ET Hz (T ).
beschrieben, durch die zeitliche Ableitung des Phasenverzogerungssignal (siehe Abbildung 4.6 (C)) dargestellt. Zur Zeit T = 0 tritt der THz-Puls in den
LiNbO3 Kristall ein. Bei T = 13:6 ps tritt der THz-Puls wieder aus dem Kristall
nderung des Phasenverzogerungssignals entsteht, wenn der
aus. Die maximale A
Probe-Puls den THz-Puls beim Ein- bzw. Austritt des Kristalls u berholt, entsprechend sind die zeitlichen Ableitungen positiv bzw. negativ. Betrachtet man
z.B. das Phasenverzogerungssignal wenn der THz-Puls sich im Kristall bendet
und dabei vom Probe-Puls u berholt wird, so heben sich die Phasenverzogerungen aufgrund der positiven und negativen Feldstarkenanteile des leicht bipolaren THz-Pulses auf. Ware der THz-Puls z.B. zu gleichen Anteilen positiv wie
negativ, also vollkommen bipolar, wurde man kein Signal zwischen Ein- und
Austritt aus dem Kristall messen.
Innerhalb des LiNbO3-Kristalls erfahrt der THz-Puls eine geringfugige Absorption, die verantwortlich fur die um den Faktor exp( e L) kleinere Amplitude des THz-Pulses beim Verlassen des Kristalls ist.
4.3.
EO-DETEKTION IN LITAO , LINBO
LiNbO3 c-cut
LiTaO3 b-cut
ZnTe (110)
UND ZNTE
47
PD [V ] sym
THz [ ]
24
0.23
62.3
0.57
1160
10
Tabelle 4.2: Maximale experimentelle Phasenverzogerungensignale (PR) aus

Abb. 4.5 und maximale simulierte Phasenverzogerungen sym
a GleiTHz gem
chung 4.2.
Desweiteren erkennt man bei T =12.3 ps einen kleinen positiven Ausschlag.
Dieser stammt von dem ersten Echo des THz-Pulses, der zu dieser Zeit in den
Kristall eintritt.
Das theoretisch zu erwartende Phasenverzogerungssignal sym
ur
THz wurde f
die verschiedenen Kristalle gema Gleichung 4.2 numerisch simuliert. Die Kristallparameter sind in Tabelle 4.1 aufgefuhrt. Hierbei wurde die zeitliche THzPuls Form der ersten Amplitude von Teil (A) angepat. Die THz-Puls Echos
im GaAs wurden dabei mit den dielektrischen Konstanten von GaAs (Tab. 2.1)
berucksichtigt. In Abbildung 4.6 und den folgenden Graken sind diese Simulationen als schwarze Linien u ber die Medaten gelegt und zeigen eine gute
bereinstimmung.
U
In Tabelle 4.2 sind die maximalen Phasenverzogerungssignale der Simulation den experimentellen Ergebnissen gegenubergestellt. Bei der Simulation
wurde vereinfachend von einer unfokusierten THz-Feldamplitude von 2.5 kV/cm
ausgegangen. Dies entspricht zwar nicht der experimentellen Vorgabe, da hier
der THz-Puls fokussiert war, aber es gestattet dennoch den Vergleich der erzielbaren Phasenverzogerungen zwischen den einzelnen Kristallen.
Vergleich man die theoretischen Signalgroen aus Tabelle 4.2 zwischen ZnTe
: LiTaO3 : LiNbO3 ndet man die Relation 1 : 181 : 431 , die mit den experimentellen Signalen 1 : 211 : 461 gut ubereinstimmen.
Im Anhang C nden sich noch Medaten zusammen mit den Simulationen
fur b-cut LiTaO3 und b-cut LiNbO3.
Mochte man die THz-Puls Form genauer betrachten, d.h. ist man an dem
wahren zeitlichen Verlauf des THz-Pulses interessiert, so mu die Dispersion im
ferninfraroten Bereich des Detektionskristalls auch berucksichtigt werden. Ferner darf der Probe-Puls bei einer exakten Betrachtung nicht langer als zeitliche
Deltafunktion approximiert werden. In der Zwischenzeit ist zu diesem Thema
eine Arbeit von Bakker et al. erschienen, die sich mit der theoretischen Detektion in ZnTe genauer beschaftigt [8].
48
KAPITEL 4.
4.4 Soleil-Babinet Kompensator

In diesem Abschnitt wird die Anwendung eines Soleil-Babinet Kompensators3
innerhalb des elektrooptischen Detektionsaufbaus besprochen. Motivation dieser Arbeiten war es, die durch mechanischen Spannung und durch Kristall-Imperfektionen hervorgerufene Anisotropie des ZnTe Kristalls zu bestimmen.
Im realen Experiment weicht das Idealkristall einem Realkristall, dessen Kristallstruktur verschiedene Storungen aufweisen kann, so z.B. Stapelfehler [63],
die auch den elektrooptischen Tensor beein ussen konnen. Mit einem SoleilBabinet Kompensator lassen sich solche Anisotropie-Eekte in bedingtem Mae
kompensieren, was spater fur die 2-dim. Detektion von Interesse sein wird. Andererseits lat sich der Soleil-Babinet Kompensator auch dazu verwenden, dem
Probe-Strahl eine optische Vorspannung von /2 aufzupragen. Diese optische
Vorspannung ist fur eine maximale Modulationsstarke der Intensitat des ProbeStrahls von Bedeutung, vgl. Abschnitt 3.2.4. Bei den spateren Messungen der
THz-TDS, Kapitel 5, wurde mit dieser optischen Vorspannung gearbeitet. An
laser beam
dr
dp
Abbildung 4.7: Ein Soleil-Babinet Kompensator besteht aus zwei Quarzplatten,

die senkrecht zu ihrer optischen Achse geschnitten sind. Die erste besteht aus
einem verschiebbaren linksdrehendem Quarzkeil, der auf einem linksdrehenden
Keil und einer planparallelen Platte aus rechtsdrehendem Quarz au iegt. Durch
Verschieben der oberen Platte kann die eektive Dicke d = dp dr variiert werden, wobei eine eektive Phasenverzogerung = N = (no ne) (dp dr ) =
(no ne) d bewirkt wird. Fur den gezeichneten Fall (dp = dr ) tritt keine
eektive Phasenverzogerung auf, da sich die jeweiligen Phasenverzogerungen in
links - bzw. rechtsdrehendem Quarz kompensieren.
dem Soleil-Babinet Kompensators ist eine Skala angebracht, die der Verschiebung d linear proportional ist. Diese Skala mu auf Grund der Dispersion
fur den jeweiligen Wellenlangenbereich geeicht werden. Dazu wurde der SoleilBabinet Kompensator zwischen zwei gekreuzte Polarisatoren gebracht, vgl. Abbildung 3.5, und die Verschiebung d mit einem Schrittmotor durchgestimmt.
3 der Firma Elektro Physik Aachen (epa) GmbH, Kristallquartz
4.4.
SOLEIL-BABINET KOMPENSATOR
49
In Abb. 4.8 ist die Transmission I = I (d) als schwarze Linie gegen die Skalenteile d dargestellt. Der Verlauf entspricht Gl. (3.39), deren Fit (oene Kreise)
uber die experimentelle Transmissionkurve gelegt ist. Die Graken (A) bis (C)
geben an den mit Kreisen markierten Stellen jeweils den Polarisationszustand
des Probe-Pulses an, der durch Verdrehen des 2. Polarisators bestimmt werden
kann.
Die Eichung des Soleil-Babinet Kompensators ergibt, da fur eine Phasenverzogerung von = 2 eine Verschiebung von 19.62 Skalenteilen benotigt wird,
d.h.
2
= 0:32 rad = 18:35 :
(4.5)
1 Skt =
19:62
50
KAPITEL 4.
4
PD [mV]
4
nur SBC
3
2
1
0
45
135
4
PD[mV]
PD [mV]
90
analyzer [degrees]
3
2
1
0
C
PD [mV]
SBC und ZnTe
45
90
135
45
90
135
4
3
2
1
0
97112602.org
0
-5
0
= 0
5
=/2
10
=
15
=3/2
20
=2 (=19.62 Skt)
25
Verschiebung d [Skt]
Abbildung 4.8: Intensitatsanderung des Probe-Pulses mit einem Soleil-Babinet

Kompensator allein und zusammen mit einem ZnTe-Kristall zwischen gekreuzten Polarisatoren. Die Graken (A) bis (C) geben den Polarisationszustand des
Probe-Strahls an den jeweils mit Kreisen markierten Phasenverzogerungen an.
Bei = 2 und = 32 ist der Strahl jeweils zirkular polarisiert, was sich in
einer konstanten Intensitat des Probe-Strahls Variation des Drehwinkels des
Analysators zeigt, siehe Grak (B). Wird zusatzlich ein ZnTe zwischen die Polarisatoren eingebracht, entstehen einerseits Re exionsverluste von ca. 30% und
zusatzliche Absorptionsverluste von ca. 20 %, die zu einer Gesamtabnahme der
transmittierten Intensitat fuhren. Ebenso reduziert sich das Extinktionsverhaltnis von ca. 2000:1 auf ca. die Halfte, was auf die Anisotropie des ZnTe-Kristalls
hinweist.
4.5.
POLARISATIONS CHARAKTERISTIK
51
4.5 Polarisations Charakteristik

Falls eine elliptische Polarisation emittiert wird, kann sich die erzielbare Phasenverzogerung teilweise aufheben. Deshalb ist es wichtig, mit Hilfe von Polarisationsgittern4 eine Polarisationscharakteristik des THz-Emitters aufzunehmen.
Diese Polarisationsgitter bestehen aus einem Kamm dunner Kupferdrahte. Trit
eine linear polarisierte elektrische Welle auf einen Polarisator dieser Art, so wird
die Welle re ektiert, falls ihre Polarisation parallel zu den Drahten liegt. Hingegen wird sie den Polarisator durchlaufen, wenn ihre Polarisation im rechten
Winkel zu den Drahten liegt. Dieses Polarisationsgitter kann als eindimensionales, induktives Gitter (vgl. hierzu Abschnitt 5.5.1.1) betrachtet werden. Somit
mu mit keinen Beugungverlusten gerechnet werden, solange die Bedingung
> d sin erfullt ist. Hierbei ist der Beugungswinkel und er betragt 90
Grad. Ein Erfahrungswert, den die Herstellerrma QMC fur die beugungsfreie
Transmission angibt, betragt: 12 > d [82]. Somit sollten die verwendeten Polarisationsgitter mit einem Gitterabstand d von 55 m bis zu einer Frequenz von
2.7 THz beugungsfrei arbeiten. Die mechanischen Parameter der verwendeten
Polarisationsgitter sind in Tabelle 4.3 zusammengefat.
Tabelle 4.3: Polarisationsgitter
Durchmesser des Polarisationsgitters D = 65 mm
Material
Kupfer
Durchmesser der Gitterstabe
a = 20 m
Abstand der Gitterstabe
d = 55 m
lines per inch (lpi)
462 lpi
Die Polarisationsgitter wurden auf ihre einwandfreie Transmission der breitbandigen THz-Pulse getestet. Hierzu wurde der in Abb. 4.9 dargestellte Versuchsaufbau verwendet. Die Transmissionseigenschaften eines Polarisationsgitters wurden durch die Referenzmessungen mit einem bzw. zwei Polarisationsgittern (Probemessung) innerhalb des THz-Strahlengangs bestimmt. Die erhaltenen Datensatze wurden durch Fouriertransformation in die Frequenzdomane
uberfuhrt und ins Verhaltnis gesetzt, siehe Abb. 4.10. Innerhalb der vorhandenen Megenauigkeit lassen sich keine Transmissionsverluste erkennen.
In einem weiteren Schritt wurde die Extinktion der Polarisationsgitter uberpruft. Hierbei wurde der Azimuthwinkel des ersten Polarisators P1 variiert,
wobei der zweite Polarisator parallel zur y-Achse, d.h. entlang dem elektrischen
Vorspannungsfeld, orientiert war.
4 im Englischen als thin wire - oder wire-grid polarizers bezeichnet. Es ndet sich eine
Eigenbauanleitung solcher Polarisatoren in Referenz [20]
52
KAPITEL 4.
rs
ze
ari
+HV
n
thi
wir
l
po
lse
THz
pu
P2

mp
pu
am
be
P1
THz-emitter
y
Abbildung 4.9: Messung der Transmission von Polarisationsgittern. Im THzStrahlengang sind zwei Polarisationsgitter hintereinander angeordnet, wobei ihre Polarisationsachsen Pi parallel ( = 0 ) zum elektrischen Vorspannungsfeld
des THz-Emitters orientiert sind. In dunkelgrau sind die mit Leitsilber aufgetragenen Elektroden angedeutet. Der gesamte Versuchsaufbau ist in Abbildung 4.3
dargestellt, wobei als ZnTe das Detektionskristall verwendet wurde.
1,0
0,8
0,6
ratio of Ref. and probepulse (thin wire polarizer)

difference between Ref. and thin wire polarizer
0,4
0,2
0,0
96103030.opj, grf1
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
[THz]
Abbildung 4.10: Verhaltnis und Dierenz der Fourier transformierten Datensatze des THz-Pulses mit zwei Polarisationsgittern und nur einem Polarisationsgitter im THz-Strahlengang. Es zeigt sich, da innerhalb der Messgenauigkeit kein Ein u des Polarisationsgitters auf die Transmission des breitbandigen
THz-Pulses mebar ist.
4.5.
53
Am ersten Polarisator wird die elektrische Feldamplitude des THz-Pulses

transmittiert:
ETT1Hz = ET0 Hz cos() ;
(4.6)
am zweiten Polarisator entsprechend
ETT2Hz = ETT1Hz cos() = ET0 Hz cos2 () :
(4.7)
peak field strength ETHz [normalized]
Abb. 4.11 zeigt die theoretische Transmissionkurve der Gl. 4.7 zusammen mit
den erhaltenen Mewerten der maximale Feldamplitude des THz-Pulse. Das gemessene Extinktionsverhaltnis der Polarisationsgitter betragt 70. Dieser Wert
erscheint sehr gering, wenn man ihn mit den Extinktionswerten von optischen
Polarisatoren vergleicht. Fur den ferninfraroten Bereich ist dies ein moderater
Wert. Die Polarisations Charakteristik des gro achigen THz-Emitters wur-
1,0
peak field strength

2
E = Eo cos
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
96120330.opj
-90
-45
45
90
135
polarizer orientation [degrees]
Abbildung 4.11: Malus'sches Gesetz. Das Extinktionsverhaltnis der Polarisationsgitter betragt 70. Diese Messung belegt auch, da sich das gemessene Phasenverzogerungssignal linear mit der THz-Feldstarke verhalt.
de mittels des in Abb. 4.12 dargestellten Aufbaus bestimmt. Der THz-Emitter
wurde dazu zentrisch auf einer Rotationsstufe montiert, deren Drehachse identisch mit der optischen Achse (z -Achse) ist. Im THz-Strahlengang bendet sich
ein Polarisationsgitter, dessen Polarisationsachse P1 parallel zur y-Achse ausgerichtet ist. Der Pumplaser beleuchtet den GaAs-Wafer zentrisch mit einer
Laserpulsenergie ca. 10 J auf kreisformigen Flache mit einem Durchmesser
von ca. 2 mm. Die an den Elektroden angelegte Hochspannung (HV) betragt
6.25 kV bei einem Elektrodenabstand von 1 cm. In Abb. 4.13 ist die maximale
elektrische Feldamplitude des THz-Pulses gegen den Rotationswinkel des THzEmitters aufgetragen. Bei einem Rotationswinkel von = 0 ist die Transmission
maximal, da die elektrische Feldamplitude des THz-Pulses entlang der Polarisationsrichtung des Polarisators orientiert ist. Die gemessene negative elektrische
54
KAPITEL 4.
lse
THz
+HV
pu
THz
emitter
mp
pu
ETHz
P1
am
be
z
y
Abbildung 4.12: Polarisations Messung des THz-Pulses eines gro achigen THzEmitters.
Feldstarke bei 180 spiegelt wieder, da die Intensitat des optischen Probestrahls aufgrund des Pockels-Eektes reduziert wurde. Die elektrische THzFeldstarke hat aufgrund der Drehung um 180 ein negatives Vorzeichen erhalten. Die den Polarisator transmittierende THz-Feldamplitude ETT Hz mu
folgender Gleichung
ETT Hz = ET0 Hz cos ;
(4.8)
genugen, die in Abb. 4.13 als schwarze Kurve dargestellt ist. Diese Messung belegt, da das emittierte elektrische Feld des THz-Pulses im Fernfeld als linear
polarisiert betrachtet werden kann. Die geringfugigen Abweichungen von der
theoretischen Kurve konnten auf Inhomogenitaten des elektrischen Vorspannungsfeldes Eb in dem GaAs-Wafer hinweisen.
4.5.0.1 Ladungsdomanen im GaAs

Zur weiteren Charakterisierung des THz-Emitters wurden die Kennlinien von
Strom-Spannung bzw. von Strom-Elektrische Feldstarke bei Dunkelheit aufgenommen. Hierzu wurde die Hochspannung an den Elektroden des Emitters
variert und die Stromanzeige am Hochspannungsgerat abgelesen. Die Mewerte
sind in Abb. 4.14 aufgetragen. Ab einer Hochspannung von ca. 600 V beginnt
der anfanglich lineare (ohmsche) Verlauf in eine Sattigung uberzugehen. Erhoht
man die Spannung weiter, so beobachtet man ab ca. 1.1 kV in zeitlich regelmaigen Abstanden ein kurzfristiges Absinken des Stromes, was einen momentanen
Zusammenbruch der angelegten Hochspannung signalisiert. Je hoher die angelegte Spannung, desto starker variieren die Extremwerte des Stroms in immer
kurzer werdenden Zeitabstanden. Diese Frequenzzunahme der Stromextrema
ist im eingelegten Bild B von Abb. 4.14 dargestellt. Dieser Sachverhalt ist in
4.5.
55
40
30
peak ETHz [a.u.]
20
y
HV
10
0
Laser spot
-10
-20
-30
96121101.opj
-40
-225 -180 -135 -90
-45
45
90
135 180 225
rotation angle []
Abbildung 4.13: Polarisationsprol eines gro achigen THz-Emitters. Aufgetragen ist die maximale elektrische Feldamplitude des THz-Pulses gegen den
Rotationswinkel des THz-Emitters. Diese Messung zeigt, da das elektrische
Feld des THz-Pulses linear polarisiert ist.
Stromschwankungen
3,5
3,0
2,5
[Hz]
I [ A]
R=270M
2,0
1,5
2,0
1,5 B
1,0
0,5
0,0
1,0 1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
E [kV/cm]
1,0
0,5
97020501.opj
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
E [kV/cm]
Abbildung 4.14: Messung der Strom-Spannungs- bzw. Strom-Elektrisches Feld

Charakteristik eines gro achigen GaAs THz-Emitters bei Dunkelheit. Der
Elektrodenabstand betragt 9.6 mm. Ab einer elektrischen Feldstarke von ca.
1 kV/cm treten periodische Schwankungen des Stroms I auf, deren Hochspannungsabhangigkeit im Grak B dargestellt ist.
56
KAPITEL 4.
der Halbleiterphysik als low frequency oscillation (LFO) bekannt [69] und Gegenstand momentaner Forschung [68, 110]. Die Stromschwankungen, die sich
als niederfrequente Oszillationen darstellen, sind der Theorie nach Ladungsdomanen im Halbleiter, die sich durch eld enhanced trapping und detrapping
in tiefen Energieniveaus (EL2) erzeugen. Erklart wird dies damit, da diese
Ladungsdomanen sich in Abhangigkeit des angelegten aueren elektrischen Feldes von der Kathode zur Anode bewegen und somit zu den beoabachteten
Stromschwankungen fuhren. Es lat sich eine Domanengeschwindigkeit von ca.
1,6 cm/s bei einem elektrischen Vorspannungsfeld von knapp 2 kV/cm bei dem
verwendeten THz-Emitter in Dunkelheit bestimmen. Weitere Forschungen der
LFO in GaAs zeigen, da durch zusatzliche Beleuchtung von Photonen mit
Energien vergleichbar mit dem Bandabstand von GaAs zu choatischen Verhalten der Oszillationsfrequenz LFO fuhren [64]. Diese Arbeiten zeigen, da die
Ladungstragerdynamik in GaAs bei den von uns geschaenen Verhaltnissen
sehr komplex ist.
Ein Weg, diese LF-Oszillationen zu umgehen, besteht im Anlegen einer gepulsten Hochspannung synchron mit dem optischen Pumpstrahl.
4.6.

MESSUNG DER THZ-FELDSTARKE
VERTEILUNG
57
4.6 Messung der THz-Feldstarke Verteilung

Die Abhangigkeit der THz-Emissionstarke von der Position der Laseranregung
auf der Emitterober ache wurde mit dem in Abb. 4.15 gewahlten Aufbau vermessen. Dazu wurde der THz-Emitter auf einer x-y Verschiebeeinheit montiert.
Der Pump-Puls mit einen Durchmesser von 2 mm bei einer Energie von 5 J
traf senkrecht auf die Emitterober ache auf. Der emittierte THz-Puls wurde mit
einem Parabolspiegel in den ZnTe-Kristall fokusiert. Der THz-Emitter wurde
Pump
pulse
THz-Emitter
+
THz
Probe
HV
ZnTe
pulse
PP
PD
SB
PM
PP
Abbildung 4.15: Meaufbau zur Bestimmung der THz-Emissionsfeldstarke Verteilung. Der Abstand d zwischen THz-Emitter, Parabolspiegel und ZnTe betragt
jeweils d = f , mit f der Spiegelbrennweite des Parabolspiegels.
in Schritten von x = y = 3 mm verschoben und jeweils die detektierte
maximale THz-Feldstarke bestimmt. Die Ergebnisse sind in einem Konturplot
in Abb. 4.16 dargestellt. Zu erkennen ist ein deutliches Maximum der Emissionsstarke im Zentrum des THz-Emitters. Dieses Result verwundert in Anbetracht der Tatsache, da eine Felduberhohung an den Randern der Elektroden
zu erwarten ware [13]. Die Messungen wurden fur unterschiedliche Hochspannungen wiederholt. Hierbei wurde der THz-Emitter mittels eines Schrittmotors
in y-Richtung verschoben. Die Hohe des Emitter wurde auf x = 7 mm, d.h. mittig in Bezug auf die Elektrodenhohe eingestellt, vgl. Abb. 4.16. In Abb. 4.17 (A)
zeigen sich THz-Emissionsmaxima, die genau zwischen den Elektroden liegen.
Polt man die Elektrodenanschlusse um, so erkennt man einen symmetrischen
Verlauf zum oberen Teil von Abb. 4.17 (A), jedoch hat sich wie zu erwarten auch
die Polarisation des THz-Pulses um 180 gedreht. Legt man hingegen eine gepulste Hochspannung an den THz-Emitter, so zeigt sich eine THz-Emissionstarke
Verteilung, die jeweils Maxima an den Elektrodenrander aufweist, siehe Abb.
4.17 (B).
Qualitativ ahnliche Feldverlaufe bei gepulster Hochspannung wurden auch
von Budiarto et al. mittels eines Bolometers in einem vergleichbaren Meauf-
58
KAPITEL 4.
14
PR signal [ V]
22.75 -- 26.00
19.50 -- 22.75
16.25 -- 19.50
13.00 -- 16.25
9.750 -- 13.00
6.500 -- 9.750
3.250 -- 6.500
0 -- 3.250
12
[mm]
10
4
+ 6,8kV/cm
2
97012400.opj
0
0
10
12
[mm]
14
Current I [ A]
10.87
9.750
8.625
7.500
6.375
5.250
4.125
3.000
12
[mm]
10
---------
12.00
10.87
9.750
8.625
7.500
6.375
5.250
4.125
4
+ 6,8kV/cm
2
970124l2.eps
9701224l2.eps
97012400.opj, grf 1
0
0
10
12
[mm]
Abbildung 4.16: In (A) ist das maximale detektierte Phasenverzogerungssignal

(PR) in Abhangigkeit der raumlichen Position des optischen Pump-Puls dargestellt. Man erkennt ein deutliches Maximum im Zentrum des THz-Emitters.
Schraert angedeutet sind die Elektroden des THz-Emitter. Die angelegte konstante Hochspannung betrug 6.8 kV/cm. In (B) ist die jeweilige Stromanzeige
des Fug-Hochspannungsgerates [33] aufgetragen.
59

MESSUNG DER THZ-FELDSTARKE
VERTEILUNG
A)
static HV
B)
140
600
120
10kV
80
400
+HV
300
40
200
ETHz [a.u.]
60
20
0
10kV
500
ground
100
ETHz [a.u.]
pulsed HV
ground
4.6.
1.25kV
-20
-40
-60
+HV
100
1.25kV
0
-100
3kV
-200
6kV
5kV
-80
+HV
7.5kV
10kV
-140
-160
+HV
-400
ground
ground
-100
-120
-300
10kV
-500
9.6mm
97022750.opj
9.6mm
97022755.opj
97022751.opj
10
[mm]
15
10
15
[mm]
Abbildung 4.17: Es ist die maximale THz Feldstarke gegen die Position y in mm
aufgetragen. (A) bei statischer Hochspannung und (B) bei gepulster Hochspannung. Die an den Elektroden angelegte Hochspannung wurde in Schritten von
1.25 kV bis 10k kV erhoht. Als Rechtecke sind der Kupferelektroden skizziert.
Bei umgepolter Hochspannung wird der elektrische Feldvektor des THz-Pulses
ETHz um 180 Grad gedreht.
60
KAPITEL 4.
bau detektiert [13]. Zusatzlich haben Budiarto et al. mittels eines elektrooptischen Meaufbaus die elektrische Felduberhohung an den Elektroden des THzEmitters untersucht. Dazu wurde die beim Durchqueren eines Emitters auftretende Phasenverzogerung eines Infrarotlasers mit h = 1:18 eV, d.h. unterhalb
der Bandkante von GaAs, bei gepulster Hochspannung gemessen. Der elektro
optisch gemessene Feldverlauf am THz-Emitter zeigt eine starke Uberh
ohung
bereinstimmung mit den direkt gemessen
an den Elektroden in qualitativer U
THz-Feldamplituden. Es zeigte sich, da eine elektrooptische Messung mit statischer Hochspannungsquelle aufgrund der LF-Oszillationen nicht moglich war.
Budiarto et al. geben leider keine direkte THz-Feldamplituden Messung mit
konstanter Hochspannung an.
In Abb. 4.18 sind Vergleichsmessungen der erhaltenen THz-Feldstarken bei
statischem und gepulsten Hochspannungsfeld dargestellt. Bei diesen Messungen
war THz-Emitter zentrisch zum optische Pump-Puls orientiert, vgl. Abb. 4.15.
Im Gegensatz zum statisch Fall erkennt man keine Sattigungserscheinungen bei
gepulstem Hochspannungsfeld.
600
500
ETHz [a.u.]
pulsed HV
400
300
200
static HV
100
97022710.opj, grf5
0
2
10
12
14
HV [kV]
Abbildung 4.18: Vergleich der erzielten THz-Puls Feldstarken mit gepulstem gegenuber einem statischem Hochspannungsfeld. Hierbei liegt der optische PumpPuls zentrisch zwischen den Elektroden.
4.7.
EO-SAMPLING THZ TIME-DOMAIN SPEKTROMETER
61
4.7 eo-sampling THz Time-Domain Spektrometer

Aus den Vorarbeiten, die in den vorangegangenen Abschnitten diskutiert wurden, entwickelte sich das im folgenden beschriebene elektrooptische Sampling
THz Time-Domain Spektrometer. Die Messungen des folgenden Kapitels wurden mit dem in Abbildung 4.19 dargestellten Spektrometeraufbau durchgefuhrt.
Dieser Aufbau wurde auch in Hinsicht auf die in Kapitel 6 beschriebene 2dimensionale elektrooptische Detektion { Imaging { von THz-Pulsen gewahlt,
denn er gestattet den Aufbau einer linearen 'optischen' Bank fur die FIRStrahlung. Hierzu wurden gegenuber den vorherigen Versuchsanordnungen die
Parabolspiegel durch eine Brechungsoptik (HDPE-Optik, siehe Anhang F.) ersetzt und ein Folienstrahlteiler5 eingesetzt, der eine kolineare Strahlfuhrung
von Probe- und THz-Puls im Detektionskristall gestattet [116]. Zur Erzeugung
Abbildung 4.19: Elekrooptisches Sampling THz Time-Domain Spektrometer:

BS - 10% Strahlteiler, Emitter - GaAs-Wafer (1 cm2 ), HV - gepulste Hochspannungsquelle, HDPE-lens - High Density Polyethylene Optik, Delay Line Verzogerungsstufe, PR - Polarisationsdreher, PP - Dunnschichtpolarisatoren,
PBS - Folienstrahlteiler, SBC - Soleil-Babinet Kompensator, PD - abgeglichene
Photodioden, LIA - Lock-In Verstarker
eines gepulsten Beschleunigungsfelds Eb an den Elektroden des GaAs-Wafers
wurde eine konventionelle Auto-Zundspule verwendet [120], die mit Hilfe einer
schnellen Transistor Schaltung betrieben wurde. Getriggert wurde die Transistor Schaltung mit der Repetitionsrate des Femtosekunden-Lasers. Die zeitliche
Koinzidenz zwischen dem optischen Pump-Puls und dem Hochspannungspuls
am THz-Emitter wurde mittels eines zwischengeschalteten Delay-Generators
eingestellt. Die Hochspannungsquelle ist im Anhang D genauer beschrieben. Die
gepulste Hochspannung ermoglicht die ca. vierfache THz-Feldstarke gegenuber
5 Der Firma Newport, 5 m dicker unbeschichteter Folienstrahlteiler M-PBS-2 mit ca. 4%
Re ektivitat bei = 800 nm; im Englischen als pellicle beam splitter (PBS) bezeichnet.
62
KAPITEL 4.
einer Konstant-Spannungsquelle, vgl. Abbildung 4.18. Ausschlaggebend fur diese 16-fache Intensitatserhohung wird am ehesten die reduzierte Erwarmung des
GaAs-Wafers sein, die eine hohere Elektronenbeweglichkeit gestattet. Dazu werden voraussichtlich die LF-Oszillationen, die in Abschnitt 4.5.0.1 besprochen
wurden, unterdruckt.
Im Folgenden wird das THz-Spektrometer charakterisiert. Da man an einem
moglichst guten Signal zu Rausch Verhaltnis interessiert ist, wird wie in Abschnitt 3.2.4 dargestellt mit einem zirkular polarisierten Probe-Puls gearbeitet.
Der Soleil-Babinet Kompensator wird so eingestellt, da die Intensitat hinter
dem zweiten Polarisator zu gleichen Teilen auf die beiden Photodioden aufgespalten wird. Im Lock-In Verstarker werden die Signale der beiden Photodioden
voneinander subtrahiert. Dies bedeutet im Falle abgeglichener Photodioden,
da am Ausgang des Lock-In Verstarker kein Signal angezeigt wird. Erfahrt der
Probe-Puls aufgrund des THz-Pulses eine Phasenverzogerung, so wird die Intensitat an der einen Photodiode zunehmen und an der anderen abnehmen. Im
Subtraktionsmodus fuhrt diese Anordnung zu einem doppelten Signalgewinn
[19]. Die empirisch bestimmte optimale Unterbrechungsrate des Choppers von
ca. 135 Hz bei einer Integrationszeit von 100 ms am Lock-In Verstarker ergab
gute Signal zu Rausch Verhaltnisse. Der Probe-Puls Strahldurchmesser betragt
ca. 2 mm und eine Spitzen Pulsenergie unter 10 J. Sie wurde so eingestellt,
da beim Choppen des Probe-Pulses auf jeder Photodiode weniger als 5 mV
am Lock-In Verstarker gemessen wurden. Bei hoheren Pulsenergien arbeiten
die Photodioden nicht mehr im linearen Bereich ihrer Intensitat- Spannungscharakteristik.
4.7.1 Optische Pumpenergie und angelegte gepulste Hochspannungscharakteristik

In Abb. 4.20 ist das gemessene Signal der Photodioden in Abhangigkeit der optischen Pumpenergie bei fur unterschiedliche Hochspannungen dargestellt. Die
gestrichelte Linie in Abbildung 4.20 gibt in etwa die Grenze der Pumpenergie
an, u ber welcher bei vorgegebenener Hochspannung ein Funkenuberschlag auftritt. Die Grenze der Funkenuberschlage hangt auch von der Luftfeuchtigkeit
der Laboratmosphare ab. Die Durchschlagsspannung von Luft bei Normalbedingungen (750 mm Hg und 50 % relativer Luftfeuchte) betragt ca. 6 kV/cm
[32]. Das Sattigungsverhalten der elektrischen Feldstarke ETHz in Abhangigkeit
der Pump-Puls Intensitat wird durch Gl. (2.1) beschrieben. Bei Wahl der angelegten Hochspannung zusammen mit der verwendeten Pumpleistung mu man
einen Kompromi zwischen maximaler THz-Feldamplitude und deren Signalstabilitat eingehen. Gebrauchliche Werte sind eine Pumpenergie von ca. 50 J
bei einer angelegten Hochspannung von ca. 8 kV, d.h. einen Beschleunigungsfeld
von Eb = 8 kV/cm.
peak fieldstrength of ETHz [a.u.]
4.7.
63
sp
ark
9kV pulsed
8kV pulsed
6kV pulsed
5kV pulsed
3,5kV pulsed
97022851.opj
0
0
50
100
150
200
pump pulse power [J]
Abbildung 4.20: THz-Feldstarken Charakteristik in Abhangigkeit der opt.

Pumpleistung bei verschieden Hochspannungen. Die gestrichelte Linie gibt in
berschlagen zwischen den Elektroden kommt.
etwa die Grenze an, ab der es zu U
4.7.2 Abhangigkeit der Intensitatsanderung des Probe-Pulses

von der optischen Vorspannung
Dieser Abschnitt untersucht die Phasenverzogerungs-Charakteristik des ProbePulses (THz -Charakteristik) in Abhangigkeit der optischen Vorspannung 0
. Die theoretischen Betrachtungen dieser Thematik wurden in Kap. 3.2.4 behandelt.
Die dem Realkristall ZnTe inharente Anisotropie kann durch Vergleichsmessungen abgeschatzt werden, indem man den Probe-Strahl (ohne ZnTe-Kristall
im Strahlengang) choppt und die Photodioden abgeglichen betreibt. Wird der
ZnTe-Kristall in den Strahlengang gebracht, so gerat die Balancierung aus dem
Gleichgewicht, da die dem ZnTe inharente Anisotropie eine zusatzliche Phasenverzogerung hervorruft. Diese zusatzliche Phasenverzogerung kann durch
Nachregulieren des Soleil-Babinet Kompensator bestimmt werden. Er mute
um 0.92 Skt nachjustiert werden, damit das Photodiodensignal wieder zu kompensiert war. Dies entspricht gema Gl. (4.5) einer zusatzlichen Phasenverzogerung von ZnTe = 17 , die aufgrund des ZnTe-Kristalls selbst hervorgerufen
wird.
In Abb. 4.21 wurde die jeweilige maximale THz-Feldstarke detektiert und
gegen die angelegte Hochspannung aufgetragen. Dabei wurden auch die Kontaktierung der Elektroden vertauscht, um THz-Pulse zu erzeugen, deren Polarisationsachse um 180 gedreht ist. Die drei Mekurven stellen drei verschiedene
64
KAPITEL 4.
Falle der erzeugten optischen Vorspannung dar:
Die mit Kreisen versehenen Mepunkte zeigen die THz-Charakteristik

fur eine optische Vorspannung von 0 = 4 ZnTe + SBC an. D.h. die
Phasenverzogerung SBC am Soleil-Babinet Kompensator wurde so eingestellt, u ber einen maximalen Bereich ein linearer Zusammenhang zwischen
der THz-Puls induzierter Phasenverzogerung THz und gemessenen Intensitatsanderung des Probe-Strahls gewahrleistet ist. Mit dieser Einstellungen wurden die THz-TDS Messungen durchgefuhrt.
Bendet kein Soleil-Babinet Kompensator (graue Quadrate) im Probe-
Strahlengang, so entspricht die THz -Charakteristik qualitativ dem theoretischen Intensitatsverlauf bei einer optischen Vorspannung von 0 = 10 ,
vgl. Abb. 3.7.
0,8
0,6
SBC 0=/4
no SBC (0 ~ /10 )
ZnTe
SBC tuned to compensate 0 ~ /10

ZnTe
PD [mV]
0,4
0,2
0,0
0,10
-0,2
0,05
0,00
-0,4
-0,05
-0,10
-0,6
-0,8
-12
-10
-5
10
97121202.opj
-8
-4
12
gepulste Hochspannung [kV]
Abbildung 4.21: Intensitatsabhangigkeit des Probe-Pulses von verschiedenen

Beschleunigungsspannungen am THz-Emitter. Bei einer optischen Vorspannung
von 0 4 erhalt man ein Gerade als Kennlinie. Ist der Kompensator hingegen
so eingestellt, da er die dem Realkristall ZnTe inharente Anisotropie weitgehend kompensiert, so zeigt sich deutlich der zu erwartende quadratische Verlauf
der Kennlinie. Ohne Soleil-Babinet Kompensator zeigt das ZnTe Kristall eine
Kennlinie, die seiner inharenten Anisotropie von ZnTe 10 in etwa dem theoretischem Verlauf in Abb. 3.7 entspricht.
Stellt man hingegen die Phasenverzogerung SBC am Soleil-Babinet Kom-
pensator so ein, da die Anisotropie vom ZnTe-Kristall annaherend kompensiert wird, d.h. 0 = ZnTe + SBC 0, so erhalt man eine quadratische
4.7.
65
THz -Charakteristik, die man von einen idealen isotropen eo-Kristall erwartet, vgl. Dreiecke in Abb. 3.6.
4.7.3 Bestimmung der THz-Feldstarke anhand der erzielten Phasenverzogerung in ZnTe

Die absolute Phasenverzogerung, die der Probe-Puls aufgrund des THz-Pulses
erfahrt, kann bestimmt werden, indem anstelle des Pump-Pulses der Probe-Puls
(Abb. 4.19) gechoppt wird. Ein auf diese Weise detektierter THz-Puls ist in der
kleinen Grak von Abb. 4.22 dargestellt. Die Verzogerungszeit (T = Tmax) wird
auf ein maximales Signal, d.h. maximale THz-Feldstarke, eingestellt. Nun stellt
man den Soleil-Babinet Kompensator so ein, da das Signal wieder verschwindet, und tragt diese den THz-Puls kompensierenden Phasenverzogerung THz
gegen die verschiedenen Beschleunigungsspannungen auf, siehe Abb. 4.22.
Aus Gleichung (4.4) lat sich somit das elektrische Feld ETHz im ZnTeKristall bestimmen:
(T )
ETHz (Tmax ) T Hz max
(4.9)
CZnTe L
Die maximal erzielte Phasenverzogerung liegt bei T Hz = 4 = 0:07 rad.
Dies entspricht einer Modulation der Probe-Puls Intensitat von 7 %. Die Kristalllange es ZnTe betrug L = 0:1 cm und CZnTe = 7:39 10 4 V1 , damit ergibt
sich gema Gl. (4.9) eine elektrische Feldstarke des THz-Pulses von:
ETHz = 9:5 104 V=m 1 kV=cm
(4.10)
im Fokus der HDPE-Optik im ZnTe-Kristall. Diese Groe kann als untere Grenze der THz-Feldstarke angesehen werden, da in der Formel keine Kristallimperfektionen berucksichtigt sind, die die theoretische Phasenverzogerung verkleinern. Die Fokus ache A des THz-Pulses betragt ca. 1:52 10 5 m2 , bei einem gemessenen Fokusradius von 2.2 mm, vgl. Kapitel 6 Abb. 6.2. Mittels des Poynting
Theorems lat sich die Strahlungs udichte (Leistungsdichte) S bestimmen:
S = c0 jETHz j2 26:5 MW/m2
(4.11)
In Gleichung (4.11) ist die zeitliche Mittelung uber das elektrische Feld nicht
berucksichtig (Faktor: 12 ), da es sich bei THz-Pulsen nicht um eine sinusformige
Welle handelt.
Die Strahlungsleistung P des THz-Pulses berechnet sich aus P = S A
403 J/s. Wenn jeder Puls eine mittlere Zeitdauer von ca. einer Picosekunde
besitzt, so ergibt sich eine Spitzenenergie pro Puls von Wmax 0:4 nJ.
66
KAPITEL 4.
5,0
0,27
Probe beam chopped
4,5
4,0
3,5
0,22
0
0,19
[ps]
3,0
0,16
2,5
0,14
2,0
0,11
1,5
0,08
1,0
0,05
0,5
d [Skt]
THz [degrees]
0,25
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
-0,2
0,03
98030503.opj
0,0
0,00
HV [kV]
Abbildung 4.22: Absolute Phasenverzogerung in ZnTe in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung. Die eingelegte Grak zeigt einen Zeitscan des THzPulses, wenn der Probe-Puls gechoppt wird.
Kapitel 5
THz-Spektroskopie in der
Zeitdomane
5.1 Einfuhrung
Die THz-Spektroskopie in der Zeitdomane hat sich Ende der achtziger Jahre
mit der Bereitstellung des femtosekunden Lasers entwickelt. Durch die schnelle Anstiegs anke der fs-Laser konnen in Halbleitersubstraten elektrische Pulse
im subpicosekunden Bereich erzeugt werden. Diese oftmals auch als Halbwellenpulse bezeichneten elektrischen Felder besitzen ein Frequenzspektrum bis in
den THz-Bereich hinein. In diesem Kapitel werden sie zur Untersuchung von
Medien im FIR benutzt.
Die Vorteile der THz-Spektroskopie in der Zeitdomane liegen in den folgenden Punkten:
Das Spektrometer arbeitet bei Raumtemperatur, d.h. aufgrund der koharenten Detektionseigenschaften entfallen die Probleme der thermischen Hintergrundsstrahlung, wie sie von den Mikrowellen- und FouriertransformSpektrometen bekannt sind. So wurden z.B. spektroskopische Messungen
im FIR-Bereich an Flammen durchgefuhrt, was fur die beiden klassischen
Spektrometer Disziplinen sehr schwer, wenn nicht gar unmoglich ware
[17, 18].
Aufgrund der Koharenz und der extrem hohen Zeitau osung (fs) konnen
Pump-Probe Experimente durchgefuhrt werden [42, 58]. Bei diesem Meverfahren konnen physikalisch und chemisch interssante Vorgange im FIR
mit einer Zeitau osung von einigen Femtosekunden untersucht werden.
Ferner wird direkt die elektrische Feldamplitude E (T ) und nicht die Inten-
sitat registriert, so da aufgrund der Fouriertransformation die spektralen Parameter Brechungsindex und Absorption direkt bestimmt werden
67
68
KAPITEL 5.

THZ-SPEKTROSKOPIE IN DER ZEITDOMANE
konnen. Daher mu die Kramers-Kronig Relation [89] nicht zur Berechnung benutzt werden.
Ein typischer THz-Puls umfat ein Frequenzspektrum von ca. 100 GHz
bis 2 THz bei einem Signal zu Rausch Verhaltnis von bis zu 10.000:1
(siehe Abb. 5.21). Es wurden auch schon THz-Pulse mit 30 fs-Laserpulsen
mit einer Bandbreite von bis zu 37 THz erzeugt [117], d.h. in der Zukunft kann diese Form der Spektroskopie eventuell extrem breitbandige
Messungen vom Mikrowellenbereich bis hin in der Infrarot-Bereich in einem THz-Puls ermoglichen. Jedoch kann die bisher mit dieser Methode
erreichte Frequenzau osung von ca. 5 GHz nicht mit der hochau osenden
Mikrowellenspektroskopie (Au osung bis zu 1 kHz [62]) konkurrieren.
Die THz-Spektroskopie in der Zeitdomane bietet somit eine attraktive Erganzung

zur den klassischen Formen der Spektroskopie im FIR-Bereich.
5.2 Konzept der THz-Spektroskopie in der Zeitdomane

Die Messungen erfolgen in der Weise, da die jeweiligen Proben, z.B. dielektrische Materialien, in den THz-Strahlengang eingebracht werden und eine ProbenMessung1 Esample(T ) stattndet. Im Anschlu dran erfolgt eine Referenz-Messung2 (ohne Probe) Eref (T ). Um systematische Mefehler, wie z.B. Langzeitschwankungen der Laserstabilitat oder Positionierungsfehler der Proben (z.B.
Verkippungen) zu minimieren, wird uber ca. funf alternierende Mereihen gemittelt.
Zur Auswertung werden die Medaten durch Fouriertransformation von der
Zeit- in die Frequenzdomaine u berfuhrt [89]:
E ( ) =
Z +1
exp( i 2 T ) E (T ) dT
(5.1)
Aufgrund der Fouriertransformation des elektrischen Feldes E (T ) erhalt man

das Spektrum der komplexen Amplituden E ( ), welches in den Phasenwinkel ( ) und den dazugehorigen Betrag der elektrischen Feldamplitude jE ( )j
uberfuhrt werden kann. Durch Vergleich der jeweiligen Proben- mit den ReferenzSpektren lassen sich die Parameter wie Transmission TA bzw. Absorption und
Phasenverschiebung bzw. Brechungsindex n der jeweiligen Proben bestimmen. Genauere Erlauterungen zur Auswertung nden sich in den jeweiligen
Abschnitten der entsprechenden Kapitel .
1 Sample-scan
2 Reference-scan
5.3.
ROTATIONSSPEKTRUM VON HCL
69
5.3 Rotationsspektrum von HCl

Mit dem entwickelten THz-TD-Spektrometer ist es moglich, Rotationsspektren von Molekulen breitbandig im Ferninfrarot Bereich in niedriger Frequenzau osung zu spektroskopieren. Im Gegensatz dazu erlaubt die Mikrowellenspektroskopie schmalbandige ( 2 MHz) Messungen bei hochster Frequenzau osung
( 1 kHz). Dies wurde am niedrigsten Rotationsubergang von HCl demonstriert
[62].
nderung der gequantelten
Reine Rotationsspektren entstehen durch die A
Rotation des Molekuls3 . Bei Molekul gibt es drei ausgezeichnete Rotationsachsen um den Schwerpunkt S, und damit im allgemeinen drei unschiedlich groe
Haupttragheitsmomente a , b und c. Bei einem linearen Molekul liegt eine
Rotationsachse a entlang der Verbindungsachse der Atome. Die beiden anderen Hauptachsen b, c stehen senkrecht dazu. Beim linearen Molekul gilt fur die
Tragheitsmomente: b = c = und a 0.
Das Tragheitsmoment eines starren zwei-atomigen Rotators mit Abstand
r zwischen den beiden Atomen betragt:
= r2
(5.2)
wobei = mm11+mm22 die reduzierte Masse und r den Atomabstand mit r = r1 + r2

darstellt, siehe Abb. 5.1.
Mit den Eigenwerten des Drehimpulsoperators J2rot erhalt man fur die Rotationsenergie [46]:
Erot =
h2
=
J (J + 1)
2
2
= hcB J (J + 1)
J2rot
(5.3)
(5.4)
(5.5)
Mit B wird die Rotationskonstante
B=
h
82 c
(5.6)
bezeichnet.
Wenn das Molekul ein permanentes elektrisches Dipolmoment besitzt, gilt
die Auswahlregel J = 1, und das resultierende Spektrum besteht aus einer
aquidistanten Folge von Linien der Wellenzahl ~:
~ = 2B (J + 1) [cm 1 ]
(5.7)
Im Energieniveauschema der Abb. 5.1 sind die moglichen Absorptionsubergange

eingezeichnet.
3 Im Gegensatz zu Rotationsschwingungsspektren, die durch gleichzeitige Anderung

der
gequantelten Rotation und Schwingung des Molekuls entstehen
70
KAPITEL 5.

Erot
42B
30B
20B
12B
6B
2B
0
b
r2
r1
m2
m1
1
0
4B
2B
8B
6B
12B
10B
~
Abbildung 5.1: Starres zweiatomiges Molekul. Die Massen m1 und m2 seien

fest im Abstand r = r1 + r2 verbunden. Rechts: Energieniveauschema eines
starren zweiatomigen Rotators. Mit der Auswahlregel J = 1 erhalt man
das Rotationsspektrum, welches aus aquidistanten Linien im Abstand von 2 B
besteht.
Als Gas wurde HCl gewahlt, da es im Terahertz Bereich ein sehr markantes
Spektrum ausweist. So haben auch D. Mittelman et al. mit einem konventionellen THz-TD Spektrometer erste Absorptionsmessungen in der Zeitdomane
an HCl durchgefuhrt [75].
Fur HCl betragt die Rotationskonstante B = 10:4 cm 1 =317.587 GHz [38];
demnach liegen die Absorptionsfrequenzen fur die verschiedenen U bergange bei:
(J000 = 0 ! J10 = 1) = 625:9 GHz
(J100 = 1 ! J20 = 2) = 1:2518 THz
(J200 = 1 ! J30 = 2) = 1:8777 THz
Eine 10 cm lange mit HCl gefullte Glas-Kuvette wurde in den THz-Strahlengang gebracht und die Messung der Probe durchgefuhrt. Als Referenz wurde
eine luftgefullte Glas-Kuvette durchstrahlt. Durch Verhaltnisbildung der fouriertransformierten Datensatze erhalt man das Absorptionsspektrum von HCl,
siehe Abb. 5.2. Man erkennt deutlich die ersten beiden Rotationsubergange,
(J000 = 0 ! J10 = 1) und (J100 = 1 ! J20 = 2). Oberhalb von 1.5 THz sind
die Medaten mit einem starken Signalrauschen behaftet sind. Dennoch lat
sich die Lage des dritten Rotationsubergangs (J200 = 1 ! J30 = 2) des HCl
bei 1.87 THz identizieren, wobei Linienstarke unrealistisch hoch erscheint. Die
Linien zwischen 1.5 und 1.8 THz stammen entweder vom Signalrauschen oder
vielleicht auch von Verunreinigungen der HCl Kuvette. Verunreinigungen sind
5.3.
71
ROTATIONSSPEKTRUM VON HCL
5,5
1.87THz
J''2 --> J'3
5,0
4,5
1.25THz
J''1 --> J'2
4,0
625GHz
J''0 --> J'1
Ref./HCl
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0,0
97061613.opj
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
THz
Abbildung 5.2: Absorptions-Rotationsspektrum von HCl in der Gasphase. Die

Maxima entsprechen Maxima der Absorption. Die kleinen Oszillationen resultieren aus Echo-Pulsen an den Eintritts- und Austrittsfenstern der Kuvetten.
nicht ausgeschlossen, da diese mit HCl gefullte Kuvette aus dem Bestand der Fakultat fur Chemie in Freiburg stammt, und den Brand des Chemie-Hochhauses
in der Silvesternacht 1996 "unversehrt" uberstanden hat.
In der Zwischenzeit wurde innerhalb unserer Gruppe durch M. Walther
die THz-TDS auf die Schwingungsspektroskopie von Biomolekulen ausgedehnt
[105].
Ausfuhrliche Spektroskopiearbeiten mittels THz-TDS an Gasen wurden bis
jetzt nur von Grischkowsky et al. bei IBM Watson Research Center, NY, USA
durchgefuhrt [47, 104].
72
KAPITEL 5.

5.4 Dielektrische Materialien

Im Rahmen dieser Arbeit wurden einige dielektrische Materialen mit dem THz
Time-Domain Spektrometer auf ihre Eignung als Optiken und Fenster im FIR
untersucht. High Density Polyethylene (HDPE) und Te on weisen in dieser
Hinsicht gunstige Eigenschaften auf, wie an ihrem in Abb. 5.3 dargestellten
Verhalten von Absorptions- und Brechungsindex4 erkennbar ist. HDPE und
1,2
1,54
index of refraction
nHDPE=1.528
1,50
1,0
0,8
HDPE
Teflon
0,6
1,48
0,4
1,46
nTeflon=1.440
1,42
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
-1
0,2
1,44
power absorption P [cm ]
1,52
0,0
1,6
[THz]
Abbildung 5.3: Verhalten von Absorption und Brechungsindex von High Density
Polyethylene (HDPE)(schwarze Linien) und von Polytetra uorethylene (Te on)
(graue Linien). Es gilt zu beachten, da die Power-Absorption (P = 2 ) angegeben ist. Die Absorptionsdaten sind geglattet, der Fehler betragt 0:4 cm 1
und ist im wesentlichen durch Langzeitschwankungen der Laserintensitat bedingt. Die Phase ist in erster Naherung unabhangig von der Laser-Leistung
und besitzt einen relativen Fehler von 0.2%.
Te on zeigen im gemessenen Frequenzbereich keine Dispersion bei einer geringen Absorption (< 1 cm 1 ). HDPE besitzt einen hoheren Brechungsindex und
ist zudem das mechanisch besser zu bearbeitende Material, so da aus HDPE Optiken mit verschiedenen Brennweiten hergestellt wurden. Genaueres zu
diesen Optiken ndet sich im Anhang E.
Mit der Motivation, strukturierte Flachen fur Anwendungen im FIR-Bereich
herzustellen, wie z.B. Fresnel-Optiken oder frequenz-selektive Ober achen (siehe Abschnitt 5.5), wurden auch gebrauchliche Platinen aus der Elektronik spek4 Mittels eines Computerprogramms, welches in [91] genauer beschrieben ist, wurden die
frequenzabhangigen Absorptions- und Brechungsindexeigenschaften aus den Medaten der

Zeitdomane berechnet.
5.4.
DIELEKTRISCHE MATERIALIEN
73
troskopiert. Jedoch erwiesen sich die Platinen als ungeeignet fur diese Zwecke,
da sie eine zu starke Dispersion im FIR Bereich aufweisen, siehe Anhang E.
Eine umfangreiche Au istung von transparenten Materialen fur den FIRBereich bendet sich in dem Buch von Goldsmith [36].
74
KAPITEL 5.

5.5 Frequenz-selektive Komponenten

Unter frequenz-selektiven Komponenten - im Englischen als Frequency-Selective
Components (FSC) bezeichnet - versteht man allgemein zwei und dreidimensionale passive Strukturen, die ihren historischen Ausgangspunkt in der Mikrowellenphysik nden [36].
Handelt es sich um eine zweidimensionale Struktur so werden die Komponenten als frequenz-selektive-Ober achen { Frequency-Selective Surface (FSS){
bezeichnet. Eine dreidimensionale Struktur wird als Dichroitische oder perforierte Platte bzw. Filter { dichroic/perforated plate/lter { bezeichnet.
Frequenz-selektive Komponenten haben eine sehr weite Anwendung in quasioptischen Systemen. Je nach Art ihrer Re exions- und Transmissionseigenschaften kann z.B. ein breitbandiges Signal in zwei Frequenzbereiche aufspalten werden. Diese Technik wird als diplexing bezeichnet. Durch Staelung weiterer
frequenz-selektiver Komponenten ist es moglich, ein Signal noch weiter in einzelne Frequenzbereich aufzuspalten und erzielt damit eine multiplexing Eigenschaft, die fur Anwendungen wie z.B. der eektiven Ausnutzung von Radioteleskopen wichtig ist. Einen anderen Anwendungsbereich nden frequenz-selektive
Komponenten z.B. als Filter [67, 102, 103], FIR-Laser Auskoppeler [108], oder
Fabry-Perot Interferometer [83].
Im Verlauf dieser Arbeit wurden frequenz-selektive Komponenten mittels
der THz-TDS charakterisiert. Dabei handelt es sich um sogenannte dichroitische Filter und Kreuzschlitz Bandpalter. Die dichroitischen Filter sind in
der Mikrowellen-Physik schon seit den sechziger Jahren bekannt [87] und besitzen Grenzfrequenzen bis 520 GHz [2, 15, 86, 101]. In Zuge dieser Arbeiten
wurden diese Filter fur den Submillimeter Bereich skaliert und damit erstmalig
dichroitische Filter mit Transmissionseigenschaften uber 1 THz hergestellt und
vermessen.
5.5.1 Quasi-optische Filter und ihre elektrischen Ersatzschaltbilder

In der Hochfrequenztechnik wird gewohnlich ein elektrisches Ersatzschaltbild
zu Hilfe genommen, um die Eigenschaften von Transmissionsleitungen zu beschreiben. Diese Vorgehensweise bietet sich auch im Falle von quasi-optischen
Filtern an [36].
Hierbei benutzt man verschiedene moglichst einfache elektrische Wechselstromkreise, die aus ohmschen, kapazitiven und induktiven Widerstanden bestehen. Die physikalischen Eigenschaften dieser Wechselstromkreise lassen sich vorzugsweise mit komplexen Spannungen und Stromen charakterisieren. In Abb. 5.4
sind die komplexen Spannungen eines RCL-Schwingkreises in der Gauschen
Zahlenebene dargestellt. Als Phase ' ist der Winkel zwischen Imaginar- und
5.5.
FREQUENZ-SELEKTIVE KOMPONENTEN
75
Realteil deniert [24]:
ImfU g
(5.8)
RefU g
Dieser Phasenwinkel ' beschreibt die zeitliche Verschiebung zwischen der komtan ' =
Im
UL
UL - UC
UC
U

UR
Re
Abbildung 5.4: Komplexe Darstellung der Gesamtspannung Uin in der Gauschen Zahlenebene. ' ist der Winkel zwischen Imaginar- und Realteil. Fur quasioptische Filter ist jedoch der Phasenwinkel zwischen der komplexen Einund der imaginaren Ausgangsspannung von Interesse.
plexen Spannungsamplitude Uin und der realen Spannungsamplitude UR bzw.
dem Strom I . Betrachten wir nun die verschiedenen quasi-optischen Filter und
ihre elektrischen Ersatzschaltbilder.
5.5.1.1 Hochpa-Filter
Ein quasi-optischer Hochpa-Filter kann durch einen elektrischen RL-Hochpa
beschrieben werden, siehe Abb. 5.5. Der komplexe Widerstand Z des induktiven
Hochpaes ist durch: ZL = i!L gegeben. Aus der Spannungsteilerformel erhalt
man die Frequenzabhangigkeit des Amplitudenverhaltnisses v der Betrage von
Aus- zu Eingangsspannung:
jU j
!L
1
v = in = p 2
=q
:
(5.9)
2
2
jUout j
R +! L
1 + !R2 L2 2
Die Grenzfrequenz5 c ist deniert als die Frequenz bei der das Amplitudenverhaltnis
jUinj = p1
(5.10)
jUout j
2
betragt. Durch Gleichsetzen von Gl. (5.10) mit Gl. (5.9) ergibt sich fur die
Grenzfrequenz:
1 R
c =
:
(5.11)
2 L
5 im Englischen als cuto-frequency bezeichnet
76
KAPITEL 5.

90
1,0
Inductive Grid
Uout/Uin
U OUT
45
0,6
0
0,4
-45
0,2
0,0
0
/
0,8
90
U OUT
Uout/Uin
U IN
low pass filter

45
0,6
0
0,4
0,0
0
-45
0,2
/
phase [degrees]
-90
98111112.opj
1,0
Capacitive Grid
phase [degrees]
U IN
high pass filter
0,8
-90
98111110.opj
Abbildung 5.5: Induktiver Hochpa (inductive grid) und kapazitiver Tiefpa

(capacitive grid) mit elektrischen Ersatzschaltbildern. Die Amplituden- und
Phasen-Charakteristik v bzw. sind als Funktionen des Frequenzverhaltnis

c dargestellt.
5.5.
77
Resonant grid
Bandpass
t
G
C
1,0
C
Lowpass
Metal
R
U IN
Dielectric
Uout/Uin
Highpass
0,8
resonance filter
0,6
45
0,4
-45
0,2
U OUT
0,0
0
/
phase [degrees]
90
-90
98111113.opj
Abbildung 5.6: Ein Bandpalter (resonant grid) kann als eine Kombination von
induktivem Hochpa (inductive grid) und kapazitivem Tiefpa (capacitive grid)
beschrieben werden. Das Ersatzschaltbild ergibt einen LC-Parallelschwingkreis.
Die Amplituden- und Phasen-Charakteristik v bzw. sind als Funktionen der
normierten Frequenz r dargestellt. Ein Teil der Grak stammt aus [98].
78
KAPITEL 5.

Die vom komplexen Widerstand Z bewirkte Phasenverschiebung ' wird durch

durch den Quotienten:
tan ' =
ImfUin g ImfZ g !L
=
=
RefUin g RefZ g R
(5.12)
beschrieben. Von Interesse ist die Phasendierenz der Wechselspannungen

zwischen Ein- und Ausgang, vergleiche Abb. 5.5 und Abb. 5.4. Diese Phasendifferenz kann in den THz-TDS Messungen der quasioptischen Filtern direkt als
Funktion von der Frequenz gemessen werden.
Es gilt die Beziehung:

=
2

'=
2
!L
arctan
R
(5.13)
In Abb. 5.5 ist ( ) aufgetragen. Bei der Grenzfrequenz eilt die Amplitude der
Ausgangsspannung derjenigen der Eingangsspannung um 45 voraus. Fur hohere Frequenzen c strebt die Phasenverschiebung gegen Null.
5.5.1.2 Tiefpa-Filter
Ein quasi-optischer Tiefpa-Filter kann durch einen elektrischen RC-Tiefpa
i beschrieben werden. Analog zu
mit dem komplexen Widerstand ZC = !C
den vorherigen Betrachtungen ergibt sich bei einem kapazitiven Tiefpa das
Amplitudenverhaltnis v zu [24]:
v=
jUin j = p 1
;
jUoutj
1 + ! 2 R2 C 2
(5.14)
mit der Grenzfrequenz von:

1 1
:
(5.15)
2 RC
Die Frequenzabhangigkeit der Phasenverschiebung zwischen den Amplituden
von Ein- und Ausgangsspannung betragt:
c =
=

2
arctan
1
!RC
(5.16)
und ist Abb. 5.5 dargestellt:

Man erkennt aus der Grak, da die Ausgangs- gegenuber der Eingangsspannung bei der Grenzfrequenz um 45 phasenverzogert ist. Fur hohe Frequenzen
c nahert sich die Phasenverschiebung = 90 .
5.5.1.3 Bandpalter

Einen Bandpalter kann man aus der Kombination eines Hochpa- mit einem Tiefpa-Filter gewinnen, vergleiche Abb. 5.6. Diese Schaltung besteht aus
5.5.
79
einem Widerstand R und dem komplexen Widerstand Zp = 1 i!L

!2 LC , der aus
der Parallelschaltung von Kapazitat C und Induktivitat L entsteht. Fur das
Amplitudenverhaltnis v ergibt sich analog zu den vorherigen Betrachtungen
[12]:
v =
=
jUinj
jUout j
1

1 + ZRp
2
1 + R2 1 !!L2 CL
(5.17)
Die Resonanzfrequenz r im Schwingkreis betragt:
r =
1 1
p
:
2 LC
(5.18)
Die Phase wird durch:

!L
' = arctan
(1 !2 LC )R
(5.19)
bestimmt. Auch hier ist wieder der Phasenwinkel zwischen Eingangs- und
Ausgangsspannung von Interesse. D.h. fur Frequenzen unterhalb des Bandpasses betragt = 2 ' und fur Frequenzen > r gilt: = 2 '. In Abb. 5.6
ist der Phasenwinkel aufgetragen. Er andert sich von 2 nach 2 uber die
Resonanzfrequenz hinweg.
5.5.2 Elektromagnetische Felder in Hohlleitern

Die oben beschriebenen Ersatzschaltbilder helfen bei der Interpretation der Frequenzabhangigkeit der Transmission und Re exion von Hohlleitern. Im folgenden werden die grundsatzlichen Eigenschaften von Hohlleitern betrachtet, die
sich aus den Maxwellschen Gleichungen ableiten lassen.
Die folgende Abhandlungen sind Standarttextbuchern entnommen [24, 39,
70, 85] und sind hier fur den speziellen Fall der dichroitischen Filter mit zylindrischen Hohlleitern zusammengestellt.
Die Ausbreitungseigenschaften von em-Wellen in Hohlleitern mit gegebenem Querschnitt lassen sich unter Beachtung der vom Hohlleiter vorgegebenen
Randbedingungen durch Losen der Wellengleichung bestimmen:
2
r2U c12 @@tU2 = 0
(5.20)
Ein genereller Losungsansatz konnte ein allgemeines Vektorfeld U (r; t) benutzen, jedoch betrachten wir aus Anschauungsgrunden direkt den speziellen Fall
eines elektrischen Vektorfeldes E (x; y; z ). Mit dem Separationsansatz fur die
80
KAPITEL 5.

Zeit t und die transversale und longitudiale Komponente des elektrischen Feldes nimmt der Losungsansatz folgende Gestalt an:
E (z; t) = Ez ({zx; y}) exp( z ) exp( i!t)

|
(5.21)
trans: comp:
hierbei ist ein noch unbekannter komplexer Propagationsfaktor. Desweiteren

ist der Laplacesche Operator r2 in eine transversale und eine longitudinale
Komponente aufgespalten: r2 =r2tr + r2z . Damit ergibt sich durch Einsetzen
von Gl. (5.21) in Gl. (5.20) :
h
r2tr + r2z
1 @2 i
E (z; t) = 0
c2 @t2
2i
, r2tr + 2 + !c2 Ez (x; y) exp( z) exp( i!t) = 0

h
(5.22)
(5.23)
Diese Gleichung mu fur alle t und z erfullt sein:

=)
2i
r2tr + 2 + !c2 Ez (x; y) = 0
mit :
{z
=kc2
kc2 = 2 +
!2
:
c2
(5.24)
(5.25)
5.5.2.1 Hohlleiter Eigenschaften

Der komplexe Propagationsfaktor wird gema Gl. 5.25 bestimmt. Es gilt:
s
=
( ) =
kc2
2 q 2

c c
!2
c2
mit: kc =
2c
c
2
(5.26)
(5.27)
Die Frequenz c wird als Grenzfrequenz des Wellenleiters bezeichnet. Druckt

man den komplexen Propagationsfaktor allgemein durch ein Dampfungsfaktor
und eine Phase aus:
= + i ;
(5.28)
so ergibt die z -Komponente des elektrischen Felds:
E (z; t) = E (x; y) exp( z ) exp(iz ) exp( i!t) :
(5.29)
Hierbei ist die Rate, mit der sich die Phase der Welle wahrend ihrer Ausbreitung in z -Richtung andert.
Zu beachten sind die folgenden Spezialfalle:
5.5.
81
1. Unterhalb der Grenzfrequenz: c ;
=) <+
2 q 2

=
c c
= 0
2
(5.30)
Dies bedeutet, da die em-Welle im Hohlleiter gedampft wird:

E (z; t) = E (x; y) exp( z ) exp( i!t). Fur die Intensitat gilt somit: I =
jE j2 = jE (x; y)j2 exp( 2z), siehe linke Grak von Abb. 5.7.
Below cutoff:
< c
Above cutoff:
> c
I0
Intensity
I0
98020201.opj
Abbildung 5.7: Intensitatsverhalten in einem Hohlleiter unterhalb und oberhalb

der Grenzfrequenz c .
2. Oberhalb der Grenzfrequenz: > c ;
=) =+
= 0 q
2 2
=

c
c2
(5.31)
Damit ergibt sich die em-Welle zu: E (z; t) = E (x; y) exp( iz ) exp( i!t).
Die Welle breitet sich also mit konstanter Intensitat I = jE j2 im Hohlleiter
aus, siehe rechte Grak von Abb. 5.7. Oberhalb der Grenzfrequenz wird
die em-Welle im Hohlleiter nicht gedampft.
Phasengeschwindigkeit
Die Phasengeschwindigkeit vph ist deniert als diejenige Geschwindigkeit, bei
der fur alle Punkte der Wellenfront gilt: !t z = a mit a = konstant. Die
Phasengeschwindigkeit vph erhalt man durch zeitliche Dierenzierung von z :
vph =
dz d( !t a) !
=
=
dt
dt

(5.32)
82
KAPITEL 5.

mit Gl. 5.31 folgt:
vph =
(5.33)
1 ( c )2
Gruppengeschwindigkeit
Die Gruppengeschwindigkeit vg ist als :
s
d!
vg =
=c 1
d
c

2
(5.34)
deniert und erfullt die Bedingung: vph vg = c2 .
vph
ref
w
[1/m] ;
v/c
[radians/m]
vg
0
/c
0
0
/c
Abbildung 5.8: In der linken Grak sind die Absorption (Gl. (5.30)) und die
Phase (Gl. (5.31)) fur einen verlustfreien Hohlleiter aufgetragen. In der rechten
Grak sind die Phasen- (Gl. (5.33)) bzw. Gruppengeschwindigkeit (Gl. (5.34))
oberhalb der Grenzfrequenz im Hohlleiter dargestellt.
5.5.2.2 Randbedingen eines Wellenleiters

Der metallische Hohlleiter wird im folgenden als idealer Leiter mit konstantem
Querschnitt betrachtet. Die Betrachtungen werden fur elektrische und magnetischen Felder aufgespalten. Es wird weiteren zwischen transversal magnetischen
(TM) Moden 6 und transversal elektrischen (TE) Moden 7 unterschieden. Die
6 Das magnetische Feld liegt vollkommen in der Ebene, die transversal zur Ausbreitungs-
richtung z orientiert ist, wobei fur das elektische Feld diese Einschrankung nicht gilt.
7 Das elektrische Feld liegt vollkommen in der Ebene, die transversal zur Ausbreitungsrichtung z orientiert ist, wobei fur das magnetische Feld diese Einschrankung nicht gilt.
5.5.
83
Ez
Et
waveg_1.cdr
Abbildung 5.9: Beispiel eines idealleitenden Hohlleiters mit kreisformigem Querschnitt. Gema der Stetigkeitsbedingung gilt fur die Randbedingung: n E =
0 =) Ez = 0.
Randbedingungen des Hohlleiters ergeben fur TM-Moden, da die tangentiale Komponente des elektrischen Feldes Ez an der ideal leitenden Ober ache
des Hohlleiters gema der Stetigkeitsbedingung verschwindet [39], vergleiche
Abb. 5.9.
Somit lautet die Wellengleichung (5.24) mit den Randbedingungen fur TMModen:
h
r2tr + kc2 Ez (x; y) = 0 mit den Randbedingungen: Ez (x; y)jsurface = 0
(5.35)
Analog zu den vorangegangenen Betrachtungen ergibt die Randbedingung
fur die Wellengleichung der TE-Moden, da gema der Stetigkeitsbedingung
die Normalkomponete des B -Feldes an der Hohlleiterober ache verschwinden
mu [39].
h
i
(x; y)
r2tr + kc2 Bz (x; y) = 0 mit den Randbedingungen: @Bz@n
jsurface = 0
(5.36)
Diese beiden partiellen Dierentialgleichungen 5.35 und 5.36 stellen ein Eigenwert Problem dar. Die Losungen bestehen aus diskreten Werten kc und werden
als die Eigenwerte des Wellenleiters bezeichnet.
5.5.2.3 Kreisformiger Hohlleiter

In diesem Abschnitt werden die Eigenwerte kc fur einen speziellen Wellenleiter
mit kreisformigen Querschnitt bestimmt. An dieser Stelle sei angemerkt, da
die Betrachtung auch fur andere Geometrien, wie z.B. Rechteckhohlleiter [70]
oder Kreuzschlitz-Aperturen [28] durchgefuhrt werden kann. Da die hier vorgestellte Theorie nur auf Wellenleiter mit zylindrischer Geometrie in dieser Arbeit
angewandt wird, besteht diese Einschrankung.
84
KAPITEL 5.

Ausgangspunkt ist wieder die Wellengleichung (5.20):

2
r2U c12 @@tU2 = 0 ;
wobei U ein allgemeines Vektorfeld darstellt, das sich in z -Richtung ausbreitet:
U (x; y; z ) = U0 (x; y) exp( z ) exp(i!t) :
(5.37)
Mit Hilfe eines Separationsansatzes U0 = U0tr + U0z und der Transformation

auf Zylinderkoordinaten lat sich die Wellengleichung in folgende Form bringen
[70].
@ 2 U0z 1 @U0z 1 @ 2 U0z
+
+ 2 2 + kc2 U0z = 0 :
(5.38)
@r2
r @r
r @
z
circ_wg.cdr
Abbildung 5.10: Koordinaten des kreisformigen Hohlleiters.

Durch einen Produktansatz fur das Vektorfeld U0z (r; ) = f (r)g() lat sich
Gl. (5.38) in eine Besselsche Dierentialgleichung u berfuhren, deren Losungen
die Besselfunktionen Jn sind:
U0z = C Jn (kc r)
(5.39)
hierbei ist C eine Konstante. Nimmt man die Randbedingungen fur TM-Moden
hinzu, d.h. U0z (r) = Ez (r)jsurface = 0, so ergibt sich r = d2 als Bedingung fur
eine Nullstelle der Besselfunktion (vergleiche Abb. 5.11):
d
Jn (kc ) = 0
(5.40)
2
Die Koordinate (kc d2 ) der Nullstellen der Besselfunktion sind mit pnm bezeichnet. Damit nden wir als Bedingung fur die Eigenwerte kc :
2p
kc = nm
(5.41)
d
Mit kc = 2c folgt:
=) c =
d
pnm
c = pnm
c
d
Grenzfrequenz fur TM-Moden (5.42)
5.5.
85
1,2
J0(x)
1,0
0,8
0,6
J1(x)
J1(x)
0,4
p11=3.832
0,2
0,0
p11=1.841
-0,2
-0,4
p01=2.405
98020301.opj
-0,6
0
x
P
Abbildung 5.11: Besselfunktionen Jn (x = kc r) = 1
k=0 k!

( 1)k
kc r n+2k
(n+k+1) 2
Entsprechend einer analogen Herleitung fur TE-Moden folgt gema den

Randbedingungen @B@rz (r) jsurface = 0 fur das magnetische Feld, da die Besselfunktionen ein lokales Extrema an der Wellenleiterober ache (r = d2 ) aufweist.
Diese Punkte werden mit p0nm bezeichnet und stellen die Nullstellen der nach r
abgeleiteten Besselfunktion dar.
d Jn (kc d2 )
=0
dr
(5.43)
Damit erhalt man fur die Grenzwellenlange c:
d
=) c = 0
pnm
c = p0nm
c
d
Grenzfrequenz fur TE-Moden (5.44)
Die kleinste Wert der pnm bzw. p0nm , an dem die erste Nullstelle der Besselfunktion bzw. der Ableitung der Besselfunktion auftritt, betragt p011 = 1:841,
vergleiche Abb. 5.11. Damit ist die TE11 -Mode die Mode mit der niedrigsten
Frequenz, die sich im Hohlleiter ausbreiten kann. In einen Hohlleiter mit einem
Durchmesser d von 220 m betragt die Grenzfrequenz der TE11 -Mode somit
799 GHz, die TM01 -Mode wird bei 1.043 THz und die TE21 -Mode bei 1.325 THz
anschwingen.
Setzt man Gl. (5.44) in Gl. (5.31) ein, so erhalt man die Phasenanderung:
s
2
( ) =
1
c
p0nm c 2
:
d
(5.45)
86
KAPITEL 5.

5.5.3 Chen'sche Transmissionstheorie fur frequenz-selektive Komponenten

Eine allgemeine Theorie um die Transmissionseigenschaften von Frequenz-Selektiven Komponenten zu beschreiben wurde Anfang der 70iger Jahre von
C.-C. Chen gegeben [16]. Seine Untersuchungen beschrankten sich damals aus
technischen Grunden auf den Frequenzbereich unterhalb von 300 GHz 8 .
Chen geht in seiner Theorie von einer ebenen Welle aus, die auf den dichroitischen Filter trit und dort in einen Satz von Floquet Moden zerlegt
wird. Diese Moden werden den Moden, die von den einzelnen Hohlleitern (den
Lochern) vorgegeben werden, angeglichen. Hinter dem dichroitischen Filter, der
als zweidimensionale Anordnung einzelner abstrahlender Aperturen wirkt, wird
das elektrische Feld wieder in Floquet Moden entwickelt. Die Transmissionsund Re exionscharakteristiken der dichroitischen Filter erhalt Chen durch das
Abstimmen der Floquet Moden auf die Hohlleitermoden. Chen arbeitet in seiner
Dichroischer Filter
Skalares em-Wellenfeld
pq
s
Periodizitt gem
Floquets Theorem
Skalares em-Wellenfeld
pq
Wellenleitertheorie
=> Grenzfrequenz
Abbildung 5.12: Dichroitischer Filter und Skizze der Chenschen Transmissionstheorie. Ein skalares em Wellenfeld pq tritt auf die 3-dimensionale periodische
des dichroitischen Filters. Die Periodizitatsbedingung zwingt gema dem Floquetschem Theorem das skalare Wellenfeld in Floquetmoden.
Theorie in der Wellenlangendarstellung, anstatt einer Frequenzabhangigkeit, so
da Gl. (5.45) in Abhangigkeit der Wellenlange ausgedruckt werden mu. Fur
8 Diese Beschrankung resultiert im wesentlichen daraus, da man einerseits nicht in der
Lage war, im hochfrequenten THz-Bereich zu arbeiten und andererseits noch keine CNCMaschinen mit ausreichender Prazision besa, um solche Filterstrukturen im MikrometerBereich herzustellen.
5.5.
87
die TE11 -Mode ergibt sich damit:

s
2
() =
1

0:586
d
2
(5.46)
Die komplexe Transmissions-Amplitude (T ) gibt Chen folgendermaen an [16]:
T=
1
1 i(A + B tanh( 21 il))
1
;
1 i(A + B coth( 12 il))
(5.47)
und fur die komplexe Re exions-Amplitude (R) gilt:
R=
1
1
+
1
1 i(A + B tanh( 2 il)) 1 i(A + B coth( 12 il))
1 :
(5.48)
Die Lange des dichroitischen Filters l geht hier als Parameter ein. Gl. (5.47)
und Gl. (5.48) erfullen die Energieerhaltung: R R + T T = 1, wobei ohmsche
Verluste vernachlassigt werden. Die Transmission der Leistung ist gegeben als:
TP = T T :
(5.49)
Generell sind die Funktionen A und B abhangig von den geometrischen Verhaltnissen des Filters, insbesondere vom Lochdurchmesser d und dem Lochabstand
s. Gema der Theorie von Chen lassen sich die Funktionen A und B fur senkrechten Strahlungseinfall folgendermaen schreiben:
s
2
4
A = 12
3 s
"
J10 (x)
#2
x 2
1:841
12
r
2
4
3 s
J1 (x) 2
x
(5.50)
mit dem Argument x = s2pd3 und
B = 0:21
2
s
d
i :
(5.51)
Die Gleichungen (5.47) und (5.48) gelten jeweils nur fur die erste im Hohlleiter
anschwingende Mode TE11 . Sie erweisen sich als sehr nutzlich, um die Transmissionscharakteristiken von dichroitischen Filtern im Millimeter- und Submillimeterbereich in Abhangigkeit der gewahlten Parameter l; d und s zu bestimmen.
88
KAPITEL 5.

5.5.4 Dichroitische Filter

5.5.4.1 Beugungsgrenze dichroitischer Filter
Fur den transmittierten Teil der em-Strahlung mit Frequenzen > c (bzw.
Wellenlangen < c ) stellt die hexagonale Anordnung der Locher im dichroitischen Filter einpzweidimensionales Beugungsgitter dar, dessen Gitterkonstante
die Hohe h = 2s 3 ist, siehe Abb. 5.13. Die allgemeine Beugungsbedingung fur
senkrecht einfallende Strahlung lautet dann:
h sin() = m
(5.52)
wobei der Beugungswinkel und m die Beugungsordnung bedeutet.

Als Beugungsfrequenz9 soll hier die Frequenz bezeichnet werden, ab der der
Beugungswinkel unter 90 fallt. Dies bedeutet, da oberhalb dieser Frequenz
mit Beugungsverlusten gerechnet werden mu. Fur die Beugungsfrequenz di
folgt ausgehend von Gl. (5.52) [87]:
=) di =
2c
p
s 3
(5.53)
h
b
s
d
Abbildung 5.13: Dichroitischer Filter mit hexagonaler Anordnung der Lochblenden mit Durchmesser d. Dieqdreieckige Elementarzellepmit einer Seitenlange s
2
besitzt eine Flache a = s2 34 , bei einer Hohe h = 2s 3. Die Flache einer der
drei oenen Kreissegmente innerhalb einer Elementarzelle betragt b = 6 ( d2 )2 .

5.5.4.2 Onungsverh
altnis der dichroitischen Filter

Das Onungsverh
altnis10 ist das Verhaltnis von Loch ache zur Gesamt ache.
Betrachtet man die Elementarzelle einer dichroitischen Filterplatte, welche in
9 im Englischen als diraction limit bezeichnet
10 im Englischen als porosity bezeichnet
5.5.
89
Abb. 5.13 dargestellt ist, so ist das Verhaltnis Q zwischen Loch- und Elementarzellen ache gesucht:
d 2
3b
(5.54)
Q= = p
a
12 s
Fur hohe Frequenzen bzw. kleine Wellenlangen, die unter senkrechtem Einfall
auf den dichroitischen Filter treen und aufgrund ihrer kleinen Wellenlange
c keine nennenswerten Beugungsverluste erleiden, wird die Transmission

TP sich dem Oennungsverh
altnis Q angleichen, d.h. es gilt dann: TP = Q =
Tporosity .
5.5.4.3 Herstellung der Dichroitischen Filter

Alle hier untersuchten dichroitischen Filter wurden aus Kupferplattchen gefertigt, die mittels einer CNC-Maschine mit bis zu 1600 Bohrungen versehen
wurden. Um gute mechanische Resultate zu erzielen, ist eine hohe Bohrergeschwindigkeit (8 104 Umdrehungen pro Minute) bei einem geringen Vorschub
notwendig, da es ansonsten zu unerwunschten Eekten wie Durchstechen mit
Aufwurferscheinungen kommen kann. Insbesondere bei den Bohrdurchmessern
Abbildung 5.14: Mikroskopaufnahme eines dichroitischen Filters mit einer

Grenzfrequenz bei 1.11 THz. Der Lochdurchmesser betragt d = 168 m bei einem Lochabstand von s = 226 m. Die Kupferplatte ist 153 m dick und wurde
nachtraglich galvanisch vergoldet. Die Gesamtapertur des Filters betragt 11 mm
und besitzt etwa 1600 Locher.
zeigte sich bei kleinen Bohrgroen, da nach den Bohrungen oftmals die Bohrer
nur schwer durch die einzelnen Locher gefuhrt werden konnten. Evt. ist dafur eine geringfuhige Reexpansion des Kupfermaterials verantwortlich. Mit dem Ziel
90
KAPITEL 5.

eine moglichst hohe elektrische Leitfahigkeit zu erzielen, wurden die dichroitischen Filterplatten galvanisch vergoldet und anschlieend mit einem optischen
Mikroskop die geometrischen Parameter der Filter vermessen, siehe Tabelle 5.1.
5.5.5 Kreuzschlitz Bandpalter

Der in dieser Arbeit untersuchte Bandpalter stammt aus der Hochfrequenz
Gruppe der Universitat Erlangen. Er wurde dort von J. Weinzierl berechnet
und hergestellt.
Bei einem Kreuzschlitz Bandpalter handelt es sich um eine spezielle Art
einer frequenz-selectiven Ober ache (FSS). Wie in Abschnitt 5.5.1.3 vorgestellt
wurde, stellen die kreuzartigen Aperturen eine Mischung aus induktiven und kapazitiven Gittern dar. Das Bandpaverhalten ist durch die Wahl der Gitterparameter, d.h. der Gitterperiode G, der Schlitzbreite L, der Streifenbreite C und
der Foliendicke t bestimmt, siehe Abb. 5.15. Folgende Korrelationen zwischen
L
bandpass filter
Abbildung 5.15: Mikroskopaufnahme eines galvanisierten Kreuzschlitz Bandpalter mit einer Resonanzfrequenz bei 280 GHz. Die geometrischen Parameter betragen G = 810 m, die Schlitzbreite L = 570 m, und die strap width
C = 650 m, und die Kupferfolie ist besitzt eine Dicke von t = 10 m. Die
Abbildung ist aus [98] entnommen.
den Parametern der verschiedenen Filter treten auf: Die Resonanzfrequenz r
wird durch die Schlitzbreite L deniert. Dies entspricht beim dichroitischen
Filter dem Lochdurchmesser. Die Gute des Bandpalters wird durch die Streifenbreite C und die Foliendicke t bestimmt. Beugungsverluste werden wie beim
dichroitischen Filter durch die Gitterperiode G festgelegt. Jochen Weinzierl aus
Erlangen benutzte ein kommerzielles Programm, Maxwell's Finite Integration
Algorithm (MAFIA) [21], um die Transmissionseigenschaften in Abhangigkeit
der Filtergeometrie zu bestimmen. Gema diesen Berechnungen sollten die geometrischen Parameter in ein bestimmtes Verhaltnis gesetzt werden, um einen
5.5.
91
schmalen Bandpa bei hohem Kontrast zu erzielen: L : C : G = 1 : 1:15 : 1:43.

Genauere Betrachtungen nden sich in der Veroentlichung von Steup und
Weinzierl [98].
Hergestellt wurde der Bandpalter durch ein neuartiges galvanisches Aufwachsverfahren. Dabei wird auf ein photolithograsch vorbehandeltes Basissubstrat die gewunschte Struktur aufgewachsen. Mit dieser Methode ist es erst
moglich geworden Foliendicken einiger Mikrometer herzustellen. Diese werden
benotigt, um die aus dem Infrarotbereich wohlbekannten Bandpalter erstmals
[102, 103] in den Mikrowellen-Bereich zu ubertragen. Ein weiterer Vorteil dieser
Methode liegt darin, da sich damit auch sehr scharfe Konturen der Kreuze fur
Filter fur Anwendungen im THz-Bereich erzeugen lassen, da ein Unteratzen wie

bei konventionellen Atzverfahren
nicht auftritt [98].
92
KAPITEL 5.

5.5.6 Transmissions- und Phasenmessungen frequenz-selektiver

Komponenten
Die frequenz-selektiven Komponenten wurden mit dem in Abschnitt 4.7 besprochen THz-Spektrometer untersucht. Die geringfugigen Abanderungen des
Spektrometer-Aufbaus sind Abb. 5.16 zusammengefat. An die Ruckseite des
THz-Emitters wurden 2 weitere GaAs-Wafer angelegt, so da der erste EchoPuls erst nach 36 ps erst auftritt. Somit ist gewahrleistet, da in den Medaten
keine storenden Echo-Pulse auftreten. Desweiteren ist eine Blende im THzStrahlengang angebracht, die es gestattet, den Strahldurchmesser auf die Gesamtappertur der frequenz-selektiven Komponenten einzuschranken. In Abb. 5.17
Abbildung 5.16: Spektrometer-Aufbau zur Messung der frequenz-selektiven

Komponenten. Emitter: bestehend aus drei GaAs-Wafern HV: gepulste Hochspannungsquelle; A: Apertur; FSC: frequenz-selective Komponente; Lens:
HDPE-Optik mit f = 66 mm; PBS: Folienstrahlteiler; eo-crystal: ZnTe; SBC:
Soleil-Babinet Kompensator; PP: Polarisatoren; PD: balancierte Photodioden;
LIA: Lock-In Verstarker
A1, B1, C1 sind die Referenz-Messungen Eref (T ) als graue Linien abgebildet,
und die schwarzen Linien geben die Proben-Messungen Esample (T ) der jeweiligen Filter im THz-Strahlengang an. In Abb. 5.17 A2, B2, C2 sind jeweils die fouriertransformierten Datensatze dargestellt. Das Quadrat des FeldamplitudenVerhaltnisses gibt die Transmission

j
Esample( )j 2
(5.55)
TP ( ) =
jEref ( )j
der Filter an. Die Transmissionskurven (schwarze Quadrate) sind zusammen
mit der theoretischen Transmission (schwarze Linie) gema der Theorie von
Chen (Gl. (5.49)) in Abb. 5.18 dargestellt.
Die Phasenanderung , die eine em-Welle bei der Transmission einer FSKomponente erfahrt, lat sich aus der Dierenz zwischen der Phase der ProbeMessung und der Referenz-Messung bestimmen:
( ) = sample ( ) ref ( )
(5.56)
5.5.
93
800
1,0
A1
600
A2
0,8
400
0,6
200
0
0,4
-200
0,2
-400
800
B1
600
B2
0,8
400
ETHz(t) [a.u.]
x2
0,6
200
0
0,4
-200
0,2
-400
Magnitude of E THz() [a.u.]
0,0
1,0
0,0
1,0
400
C1
C2
300
0,8
200
0,6
x2
100
0,4
0
0,2
-100
-200
0,0
8 10 12 14 16 18 20 22 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4

98010701.opj
t [ps]
[THz]
Abbildung 5.17: Die linke Spalte zeigt die in der Zeitdomane gemessenen
Referenz-Pulse (graue Linie) und die Probe-Pulse (schwarze Linie) der dichroitischen Filter mit Grenzfrequenzen bei 155, 586, and 773 GHz. Die Amplituden
der Probe-Pulse B1 und C1 wurden zur besseren Sichtbarkeit mit dem Faktor
2 multipliziert. Die rechte Spalte zeigt die fouriertransformierten Datensatze
in der Frequenzdomane. Die kleinen Pfeile geben die starksten Wasserdampfabsorptionslinien bei 557, 752, 1097, 1160, 1229 und 1411 GHz in der Labor
Atmosphare an [104]. Aufgrund der verschieden groen Aperturen im THzStrahlengang zeigen die THz-Pulse unterschiedliche Frequenzverteilungen bzw.
Puls-Formen in der Zeitdomane.
94
KAPITEL 5.

~ [cm-1]
0,0
6,6
13,2
19,8
26,4
33,0
39,6
46,2
225
1,0
A
180
0,8
135
c=155 GHz
0,4
90
0,2
45
0,0
0
225
1,0
B
180
0,8
0,6
135
c=586GHz
0,4
90
0,2
45
0,0
1,0
225
C
0,8
180
0,6
135
c=773GHz
0,4
90
0,2
45
0,0
0,0
Phase shift difference [degrees]
Power Transmittance TP
0,6
98010799.opj
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
[THz]
Abbildung 5.18: Die Transmission TP (Quadrate) der dichroitischen Filter mit

Grenzfrequenzen bei 155 GHz (A), 586 GHz (B), und 773 GHz (C) sind zusammen mit den theoretischen Transmissionskurven (Gl. 5.49)) (dicke Kurven)
dargestellt. Die dunnen Linien geben die Phasenanderung zwischen Probe- und
Referenzphase an.
5.5.
95
und ist zusammen mit der Transmission TP in Abb. 5.18 als graue Linie dargestellt.
Die experimentelle Grenzfrequenz wird im wesentlichen vom Lochdurchmesser d bestimmt, vgl. Gl. (5.44). Diese Gleichung gilt fur unendlich lange
Hohlleiter. Die tatsachliche Grenzfrequenz verschiebt sich aufgrund evaneszenter Moden, die aus der endlichen Lange l des dichroitischen Filters resultieren.
D.h. also, da die Grenzfrequenz durch ein Zusammenspiel des Lochdurchmessers d und der Lange l bestimmt wird, vgl. hierzu auch Abb. 5.24. Die Lange
des dichroitischen Filters ist magebend dafur wie stark evaneszente Moden
unterdruckt werden. Durch die Variation von l lat sich daher die Anstiegs anke der Transmissionkurve bestimmen, vgl. hierzu Abb. 5.7 und Abb. 5.24. Fur
Frequenzen unterhalb der Grenzfrequenz < c wirkt die dichroitische Filterplatte wie ein Spiegel, wahrend Frequenzen mit > c den Filter transmittieren.
Aus diesem Grunde werden dichroitische Filterplatten auch als Hochpa-Filter
bezeichnet. Die Bandbreite der Transmission wegen der Beugungsverluste limitiert, da das hexagonale Lochmuster als zweidimensionales Beugungsgitter
wirkt, vgl. Abschnitt 5.5.4.1. Oberhalb der Beugungsfrequenz11 di sinkt die
Transmission auf TP 0:3.
In Abb. 5.18 erkennt man, da theoretische und experimentelle Daten gut
ubereinstimmen, wenn auch die Theorie nur die Mode mit der niedrigsten Frequenz (TE11 ) berucksichtigt. Als Konsequenz tritt an der Beugungsfrequenz
di ein starker Einbruch der theoretischen Transmission auf. Im Experiment
wird dieser nicht beobachtet, da die nachst hohere Mode (TM01 ) bereits den
Waveguide transmittiert.
Mochte man eine scharfe Anstiegs anke und eine 30%-Bandbreite um die
Zentralfrequenz der Transmission bei einer hohen Transmission (TP 1) erzielen, so sollten die Parameter der dichroitischen Filter in einen Verhaltnis der
Lange l zu Lochdurchmesser d und Lochabstand s von 1 : 1:2 : 1:6 benutzt
werden [2, 3].
5.5.6.1 Dichroitischer Filter bei 1.11 THz

In dieser Arbeit wurde erstmal ein dichroitischer Filter mit einer Grenzfrequenz
von 1.11 THz hergestellt. Eine Mikroskopaufnahme ist in Abb. 5.14 zu nden.
Zwischen der theoretischen und der experimentellen Transmission zeigt sich eine
geringfugige Abweichung, die evt. durch Ober achenunregelmaigkeiten innerhalb der Bohrungen zu erklaren ist. Je kleiner die Bohrdurchmesser werden,
desto vergleichsweise starker fallen solche Unregelmaigkeiten ins Gewicht. Die
Transmission liegt nur bei TP = 0:94. Hierfur konnten einerseits leicht konische
Bohrlocher verantwortlich sein, andererseits sind auch die ohmischen Verluste
bei hohen Frequenzen nicht vernachlassigbar. Dieser Filter wurde ebenfalls mit
einen Fourier Spektrometer der Firma Bruker an der Universitat Giessen im
11 im Englischen als diraction limit bezeichnet
96
KAPITEL 5.

Tabelle 5.1: Die Parameter der dichroitischen Filter (DF) und des KreuzschlitzBandpalters (BF) wurden mit einem optischen Mikroskop bestimmt. cexp ist
die experimentell bestimmte Grenzfrequenz bei -3 dB (50 %) der maximalen
Transmission.
#
type
A
DF
B
DF
C
DF
1
DF
2
DF
3
DF
4 kask. DF
5 kask. DF
6 Kreuzschl.
BF
7 thin DF
cexp [GHz]
155
586
773
1112
155
242
155 and 242
242 and 242
rexp = 280
228
l [m]
d [m]
s [m]
920
1190
1520
258
300
425
290
235
297
153
168
226
920
1190
1520
700
740
970
920; 700 1190; 740 1520; 970
700; 700 740; 740 970; 970
t = 10 L = 570 G = 810
C = 650
125
740
970
FIR Bereich untersucht. Die Mekurve ist in Abb. 5.20 als graue Linie dargestellt und ist nahezu identisch mit den Mewerten der THz-TDS.
Mit einem weiteren Spektrometer der Firma Bruker wurde in Freiburg an
der Fakultat fur Physikalische Chemie der Filter im IR-Bereich spektroskopiert.

Man erkennt in der Abb. 5.20, da das Onungsverh
altnis bzw. die Porosity ab
ca. 100 THz ( = 3 m) mit Tporosity 0:52 erreicht wird. Der gema Gl. (5.54)
berechnete Wert betragt 0.50.
In Abb. 5.21 ist das Transmissionsverhalten des 1.11THz Filter in dB (dB=
10 log(TP )) dargestellt, um sein Dampfungsverhalten bei Frequenzen unterhalb
bereinstimmung mit der theoretischen
der Grenzfrequenz zu illustrieren. In U
Kurve fallt die Transmission fur Frequenzen, die kleiner als 1 THz sind, unter
-10 dB . An dieser Grak erkennt man das hohe Signal zu Rausch Verhaltnis
des Spektrometers, welches bei ca. 104 liegt.
5.5.6.2 Kombination von dichroitischen Filtern

In Abb.5.22 sind die Transmissionskurven zweier dichroitischer Filter mit Grenzfrequenzen bei 155 GHz (Filter # 2, graue Diamanten) und 242 GHz (Filter #
3, schwarze Quadrate) zusammen mit ihren jeweiligen theoretischen Transmissionskurven dargestellt. Plaziert man beide Filter im Abstand von 2 cm im
THz-Strahlengang, so kann ihre Transmissionsfunktion als TPcas = TP1 TP2
approximiert werden, vgl. Abb. 5.22 (B). In Teil (C) sind die gemessenen Phasenanderungen der Filter # 2 und # 3 abgebildet. Kombiniert man die beiden
5.5.
97
Filter, so addieren sich die individuellen Phasenanderungen zur Gesamtphasenanderung cas = 1 + 2 , die in Teil (D) dargestellt ist.
5.5.6.3 Bandpalter

In Abb. 5.23 sind die Transmissionscharakteristiken zweier Arten von Bandpalterarten aufgefuhrt. In Teil (A) ist die Transmission eines Bandpalters
dargestellt, der in diesem Fall durch die Kombination zweier identischer dichroitischer Filter erzeugt wird. Auch hier sind die Filter jeweils 2 cm voneinander
getrennt. Teil (B) zeigt zum Vergleich einen Bandpalter mit Kreuzschlitzaperturen, der eine Resonanzfrequenz bei r = 280 GHz besitzt. Die kombinierten dichroitischen Filter zeigen eine scharfere Anstiegs anke ihrer Transmission, wahrend der Bandpalter einen schmaleren Bandpa besitzt und eine starkere Unterdruckung von Frequenzen oberhalb des Bandpa bewirkt. Je
nach Anwendung wird sich die eine oder andere Art der Bandpalter als vorteilhaft erweisen. Die jeweiligen angewandten Transmissionstheorien zeigen mit

den Mewerten gute Ubereinstimmung.
Das Phasenverhalten der beiden Filterarten unterscheidet sich jedoch deutlich. Wahrend im Falle der kombinierten
dichroitischen Filter sich die individuellen Phasen, wie zuvor besprochen, aufaddieren, zeigt das Phasenverhalten des Bandpalter mit Kreuzschlitzaperturen ein klassisches Resonanzverhalten der Phase. Dieses ist von elektronischen
Bandpaschaltungen bekannt ist, bei denen sich die Phase von 2 nach 2
uber die Resonanzfrequenz hinweg andert, vgl. hierzu Abschnitt 5.5.1.3. Der
groe Sprung der Phasenanderung bei 752 GHz ist wahrscheinlich auf eine starke Wasserdampfabsorptionslinie in der Laborluft zuruckzufuhren. Einen kleineren Phasensprung erkennt man bei 557 GHz, der auch von einer Wasserlinie
herruhren durfte.
5.5.6.4 'Dunne' und 'dicke' dichroitische Filter

In Abb. 5.24 sind die Transmissionseigenschaften eines nur 125 m dunnen gegenuber einen 700 m dicken dichorischen Filter abgebildet. Auer ihrer unterschiedlichen Lange l besitzen die beiden Filter dieselben Parameter. Der dunne
Filter zeigt eine achere Anstiegs anke aufgrund des zuvor schon besprochenen Eekts, da evaneszente Moden den dunnen Filter einfacher durchdringen konnen. Demzufolge verschiebt sich auch die Grenzfrequenz zu niedrigeren Frequenzen. Dieses evaneszente Transmissionsverhalten wird von der Chenschen Theorie (schwarze Linie) sehr gut wiedergegeben. Ausgehend von einer
ursprunglich dreidimensionalen frequenz-selektiven-Komponente (FSC) approximiert man durch die Reduktion der Lange l des Filters eine zweidimensionale
frequenz-selektive-Ober ache (FSS), welche auch als induktives Gitter bezeichnet bzw. als elektrischer Hochpa angesehen werden kann, vgl. Abschnitt 5.5.1.1.
In (B) sind die Phasenanderungen dargestellt. Im Bandpabereich ist die
98
KAPITEL 5.

Phasenanderung des dicken Filters groer als die des dunnen. Dieser Sachverhalt wird im folgenden Abschnitt genauer besprochen.
5.5.6.5 FSC als passive Elemente zur Manipulation von THz-Pulsen

in der Zeitdomane
Die verschiendenen THz-Pulsformen die in Abb. 5.19 aufgrund der frequenzselektiven Komponenten entstanden sind, deuten eine potentielle Anwendung
der frequenz-selektiven Komponenten fur THz-Pulse an. Sie gestatten es den
elektrischen Feldvektor des THz-Pulses in der Zeitdomane bei hoher Transmission zu modizieren12. Diese Eigenschaft konnte fur ultra-schnelle zeitaufgeloste Pump/Probe Experimente von Interesse sein. Bromage et al. haben ahnliche Versuche mit einer variabel einstellbaren Metallschlitzblende durchgefuhrt,
jedoch ist bei einer einzigen Blende die maximale Transmission TP 0:1
sehr gering [11]. Fur potentielle Anwendungen ist eine moglichst hohe Transmission erwunscht, die mit Hilfe einer Array-Anordnung von programmierbaren Blenden erreicht werden konnte. Eine Moglichkeit ware, ahnlich der
Entwicklung computer-gesteuerter Flussigkristall-Phasenmodulatoren fur optischen Wellenlangen [107], entsprechende Phasenmodulatoren fur den THzBereich zu entwickeln.
Eine andere sehr elegante Moglichkeit, die THz-Pulsform zu variieren bzw.
damit das Frequenzspektrum des THz-Pulses zu andern, besteht darin, zwei
gechirpte optische Pump-Pulse in einem Interferometer zu uberlagern. Durch
Verstellen einer der Interferometerarme erzeugt man in dem rekombinierten
Pump-Puls eine Schwebungsfrequenz f0 , mit der eine THz-Antenne bestrahlt
wird. Der emittierte THz-Puls besitzt dann ein schmales Frequenzband mit
Zentralfrequenz f0 [109].
12 im Englischen als pulse shaping bezeichnet [11]
5.5.
99
Reference Pulse
ETHz(t) [a.u.]
FSC-sample pulses: #1
#2
#3
#4
#5
#6
#7
-2
10 12 14 16 18
t [ps]
Abbildung 5.19: Der oberste Puls gibt einen typischen Referenz THz-Puls an.
Die Nummerierung der Probe-Messungen entspricht der Reihenfolge der in Tabelle 5.1 aufgefuhrten FSC. Alle dargestellten Messungen entsprechen einzelnen FSC bis auf die Probe-Messungen #4 und #5, die durch Kombination von
dichroitischen Filtern erzielt wurden. Die achere Anstiegs anke von ProbenMessung #7 begrundet sich in einem THz-Puls, der nur ein Frequenzspektrum
bis zu 1 THz besa.
100
KAPITEL 5.

~
27
-1
[cm ]
40
53
1,0
67
3340 6680
225
Chen's theory
180
0,6
135
c=1.11THz
FTS-data
0,4
90
0,2
45
[degrees]
Transmittance TP
THz-TDS-data
0,8
98013071.opj
0,0
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
100 200
200
100
[THz]
Abbildung 5.20: Transmission TP (Quadrate) des Filter # 1. Seine Grenzfrequenz betragt c = 1:11 THz bei -3 dB der maximalen Transmission von 0.94.
Die Transmission des Filters wurde auch mit einem Bruker Fourier Transform
Spektrometer (graue Linie) gemessen. Man erkennt, da ab ca. 30 THz die Beugungsverluste sich verringern und die Transmission die Porosity von ca. 52%
erreicht. Die Phasenanderung ist als dunne Linie dargestellt.
~ [cm-1]
0
13
20
27
33
40
47
c=1.11THz
53
60
67
diff=1.50THz
Transmittance [dB]
-10
center freq.
1.3THz
-20
-30
-40
-50
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
[THz]
Abbildung 5.21: Transmissionsverhalten des dichroitischen Filters # 1 aus

Fig. 5.20 ist hier in dB= 10 log(TP ) dargestellt um das Dampfungsverhalten
des Filters unterhalb der Grenzfrequenz zu veranschaulichen.
5.5.
101
Transmittance
Phase
1,0
225
(C)
0,8
180
0,6
135
0,4
90
0,2
45
0,0
0
360
(B)
(D)
0,3
270
phase shift [degrees]
Transmittance TP
(A)
0,2
180
0,1
90
0
0,0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
[THz]
Abbildung 5.22: (A) Transmissionskurven der Filter # 2 and # 3 mit Grenzfrequenzen bei c = 155 GHz und c = 242 GHz. (B) zeigt die Transmisionskurve
(Quadrate) wenn beide Filter in den THz-Strahlengang eingebracht werden.
Die entsprechende Probe-Messung ist in Fig. 5.19 mit Nummer 4 bezeichnet.
Die theoretische Transmissionskurve (schwarze Linie) erhalt man durch Multiplikation von TP1 mit TP2 . (C) zeigt die Phasenanderung der einzelnen Filter 1 und 2 , wahrend (D) die Phasenanderung der kaskadierten Filter
cas (gestrichelte schwarze Linie) im Vergleich mit addierten individuellen
Phasenanderungen (graue Linie) aus Teil (C) wiedergibt.
102
KAPITEL 5.
1,0

360
(A)
two cascaded dichroic filters
0,8
270
0,6
180
Transmittance TP
90
0,2
0,0
1,0
0
135
cross-shaped grid bandpass filter
(B)
90
0,8
45
0,4
0,6
0
0,4
-45
0,2
0,0
0,0
-90
0,2
0,4
0,6
0,8
-135
1,0
[THz]
Abbildung 5.23: (A) Transmissionsverhalten zweier kaskadierter dichroitischer

Filter (# 5 mit c = 242 GHz), die einen Bandpa bilden. Die gestrichelte Linie
gibt die Phasenanderung der Filter und entspricht der doppelten Phasenanderung eines Filters, vgl. Abb. 5.22 (C). In (B) ist die Transmissioncharakteristik
der Bandpalter (# 6) mit Kreuzschlitzaperturen dargestellt. Die theoretische
Transmissionskurven wurde von J.Weinzierl mit einem MAFIA-Programm berechnet.
5.5.
103
Transmittance
Phase
1,0
225
(B)
0,8
180
0,6
135
0,4
90
0,2
45
0,0
0,0
0,1
0,2
0,3
[THz]
0,4
0,5
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
Transmittance TP
(A)
0
0,5
[THz]
Abbildung 5.24: (A) Transmissionskurven des dunnen (l = 125 m) dichroitischen Filters # 7 mit c = 228 GHz (oene Kreise) und des dicken (l = 700m)
dichroitischen Filters # 3 mit c = 242 GHz (Quadrate). Die schwarzen Linien
geben die jeweiligen theoretischen Transmissionskurven an. (B) Die gestrichelte
Linie zeigt die Phasenanderung des dunnen Filters im Vergleich mit der Phasenanderung des dicken Filters.
104
KAPITEL 5.

5.5.7 Bestimmung der frequenzabhangigen Phasen- und Gruppengeschwindigkeiten in dichroitischen Filtern

Der Hohlleiter Charakter der einzelnen Aperturen der dichroitischen Filterplatte fuhrt zu einer Phasenanderung der ihn transmittierenden Frequenzen.
Die Phasenanderung wird als Dierenz zwischen der Phase des Probe-Puls
sample und der Phase des Referenz-Puls ref bestimmt.
( ) = sample ( ) ref ( )
(5.57)
In Abbildung 5.25 sind die Phasendierenzen von vier der sechs dichroitischen
Filtern dargestellt, die in Tabelle 5.1 aufgefuhrt sind. Die Phasendierenz
ist gegen die normierte Grenzfrequenz =c aufgetragen. Eine positive Phasen-
225
filter:
#1
#3
#7
#C
[degrees]
180
135
90
45
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
/ c
Abbildung 5.25: Phasenverhalten der Filter # 1, 3, 7 und # C aufgetragen gegen

die normierte Frequenz =c .
dierenz bedeutet, da die Frequenzkomponenten des Probe-Pulses den Filter
schneller durchlaufen als die entsprechenden Komponenten des Referenz-Pulses.
Dies entspricht einer Phasengeschwindigkeit vph, die groer als die der VakuumLichtgeschwindigkeit c ist. Fur hohe Frequenzen =c 1 sinkt die Phasendifferenz auf Null ab, was gleichbedeutend mit einer Phasengeschwindigkeit
vph ist, die sich der Vakuum-Lichtgeschwindigkeit c annahert. Dieses bekannte
Verhalten der Phasengeschwindigkeit innerhalb von Hohlleitern wurde schon in
Abschnitt 5.5.2.1 besprochen.
In Abb. 5.26 sind die Phasenanderungen von bestimmten Frequenzen
q c gegen die Phase im Vakuum vac aufgetragen, welche eine em-Welle mit
5.5.
105
Frequenz qc bei der Ausbreitung um die Lange l im Vakuum erfahren wurde:
2qc
l ;
(5.58)
c
wobei der Faktor q zwischen 0.4 und 2.4 in Schritten von 0.2 variiert wurde.
Die in dieser Form dargestellten Daten weisen auf einen linearen Zusammen-
vac =
225
0.4 c
0.6 c
0.8 c
c
1.2 c
1.4 c
1.6 c
1.8 c
2 c
2.2 c
[degrees]
180
135
90
45
98112706.opj
45
90 135 180 225 270 315 360 405 450 495 540
vac [degrees]
Abbildung 5.26: Phasenverhalten der dichroitischen Filter. Die Steigungen geben die Phasengeschwindigkeiten der jeweiligen Frequenzen qc an (mit q = 0:4
in Schritten von 0.2 bis q = 2:4). Eine Gerade mit der Steigung Null entspricht
einer Phasengeschwindigkeit vph = c.
hang zwischen der Phasendierenz und der Vakuumphase vac hin. Fuhrt
der Filter zu keiner zusatzlichen Phasenanderung = 0, so besitzt die entsprechende Gerade in der Grak 5.26 die Steigung m = 0 und die Phasengeschwindigkeit betragt vph = c. Bei positiver Phasendierenz ist die Steigung
m groer Null und die entsprechenden Frequenzen xc besitzen eine Phasengeschwindigkeit von vph = (m + 1) c > c. Je groer die Frequenzen im Vergleich
zur Grenzfrequenz sind, desto geringer ist die Phasenanderung, was einer geringeren Phasengeschwindigkeit im Hohlleiter entspricht. Die Geradengleichungen
der jeweiligen charakteristischen Frequenzen xc wurden durch einen linearen
Fit bestimmt.
In Abb. 5.27 sind die Phasengeschwindigkeiten vph gegen die normierte Grenzfrequenz =c aufgetragen. Fur hohe Frequenzen nahert sich die Phasengeschwindigkeit der Lichtgeschwindigkeit c an, wahrend an der Grenzfrequenz die
Phasengeschwindigkeit ca. 1.6 c erreicht. Fur Frequenzen oberhalb der Grenz bereinstimmung mit dem theoretischen
frequenz erkennt man eine qualitative U
106
KAPITEL 5.

2,2
vph / c
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
evanescent region
1,0
vg / c
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
/c
Abbildung 5.27: Frequenzabhangige Phasen- und Gruppengeschwindigkeiten

der dichroitischen Filter.
Fall eines unendlich langen verlustfreien Waveguide (Gl. (5.33)), der als gestrichelte Linie in Abb. 5.27 eingezeichnet ist. Mittels der Beziehung vg vph = c2
kann auch die jeweilige Gruppengeschwindigkeit bestimmt werden, welche als
Kreise in Abb. 5.27 dargestellt sind. Diese Gruppengeschwindigkeiten gelten nur
fur Wellenpakete ( Z ) und nicht fur den THz-Puls ( > Z ) selbst.
In Abb. 5.28 sind die Ordinatenabschnitte = 0 der linearen Fit Funktionen aus Abb. 5.26 gegen die normierte Grenzfrequenz aufgetragen. Die Ordinatenabschnitte entsprechen einem unendlich dunnen dichroitische Filter (l ! 0),
dessen elektrisches Ersatzschaltbild als induktiver Hochpalter approximiert
werden kann (vgl. Abschnitt 5.5.1.1). Das experimentelle Phasenverhalten aus
Abb. 5.28 entspricht qualitativ dem Phasenverhalten des elektrischen Ersatzschaltbildes in Abb. 5.5, welches sich von 90 nach 0 fur hohe Frequenzen
andert.
Evaneszente Region
Die Moden innerhalb der evaneszenten Region eines dichroitischen Filters stel berlagerung von exponentiell abklingenden elektrischen Feldern dar.
len eine U
Bei der Transmission eines em-Pulses in der evaneszenten Region werden die
hoherfrequenten Moden weniger stark gedampft als die niederfrequenten Moden. Dieses Phanomen wird in der Literatur als Analogie zwischen dem quantenmechanischen Tunnelproblem eines Teilchens und der Zeitverzogerung, die
ein evaneszentes Wellenpaket in einem Hohlleiter erfahrt, diskutiert [49, 71].
5.5.
107
100
(l=0) [degrees]
80
60
40
20
evanescent region
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
/c
Abbildung 5.28: Phasenverhalten eines unendlich dunnen dichroitischen Filters,

vgl. Abb. 5.5.
Die bisherigen Experimente zur Bestimmung der Transitzeit durch eine evaneszente Region eines Hohlleiters sind aufgrund von Re exionen und stehenden
Wellen schwierig zu interpretieren [71].
Aufgrund der Darstellung in Abb. 5.26 scheint es moglich zu sein das Verhalten der Randeekte (Re exionen am Filter) von der Phasengeschwindigkeit
im Hohlleiter separieren zu konnen. Basierend auf dieser Interpretation von
Abb. 5.26 lassen sich somit folgende Aussagen zu den Abbildungen 5.27 und
5.28 machen:
Innerhalb der Fehlergrenzen (11 %) zeigen die Medaten in Abb. 5.27, da
Phasengeschwindigkeit innerhalb der evaneszenten Region mit ca. 1.8 c konstant
ist.
Desweiteren scheint Abb. 5.28 darauf hinzudeuten, da die Phasenanderung
auch fur eine unendlich dunnen dichroitischen Filter bestehen bleibt.
108
KAPITEL 5.

5.6 Photonische Kristalle

Ein Photonischer Kristall ist eine periodische Struktur aus dielektrischen Materialien (vgl. Abb. 5.29), welcher verbotene Zonen fur bestimmte Frequenzbereiche der em-Strahlung aufweisen kann, sogenannte photonisch verbotene
Zonen oder photonische Bandlucke13 . Der Begri der Photonischen Kristalle
leitet sich aus der Analogie zur elektrischen Banderstruktur im Festkorper ab.
Dabei entspricht die periodische Struktur der Atome der periodischen Anordnung verschiedener dielektrischer Materialien, und die Elektronen entsprechen
den Photonen. Die periodische Anordnung der Atompotentiale fuhrt zu den
bekannten Phanomenen wie Banderstrukur und verboten Zonen. Entsprechend
gibt es im Photonischen Kristall aufgrund der periodischen Anordnung dielektrischer Materialien Bandlucken fur Photonen.
Bekannte Beispiele fur eindimensionale Photonische Kristalle sind der Wellenleiter (Glasfaser, Hohlleiter), das Etalon, oder dielektrische Spiegel. So besitzt ein Hohlleiter nach diesem Modell unterhalb der Grenzfrequenz eine photonische Bandlucke, die evaneszente Region.
Ziel der Arbeiten mit Photonischen Kristallen ist die Entwicklung dreidimensionaler Strukturen, mittels derer die Ausbreitung von Photonen gezielt
manipuliert werden kann. Der Mikrowellenbereich bietet sich besonders an, um
Abbildung 5.29: Beispiele simpler ein-, zwei, und dreidimensionaler Photonischer Kristalle. Die verschiedenen Graustufen entsprechen Materialien mit verschiedenen Dielektrizitatskonstanten. Die Kristalle werden durch ihre Periodizitat entlang einer oder mehrerer Achsen deniert, entnommen aus [61].
Ausbreitungscharakteristiken em-Strahlung (Photonen) in Photonischen Kristallen zu untersuchen und damit die Theorie zu u berprufen. Die Photonischen
13 im Englischen als photonic band gap (PBG) bezeichnet
5.6.
PHOTONISCHE KRISTALLE
109
Kristalle mussen fur diesen Wellenlangenbereich Dimensionen im mm-Bereich

aufweisen und sind mechanisch einfach herzustellen. Ebenso sind verlustarme dielektrische Substanzen wie z.B. HDPE und Te on (vgl. Abschnitt 5.4)
verfugbar, die sich auch mechanisch einfach in die gewunschten Strukturen bringen lassen.
1987 gelang Yablonovitch erstmals die Herstellung dreidimensionaler Photonischer Kristalle, die in allen drei Raumrichtungen photonische Bandlucken
im Mikrowellenbereich aufwiesen [118, 119, 72].
Im Rahmen dieser Arbeit wurden erste Experimente bezuglich eines moglichen Einsatzes der THz-Spektroskopie in der Zeitdomane zur Charakterisierung
Photonischer Kristalle durchgefuhrt. Dabei wurde das Transmissionverhalten
von drei verschiedenen Photonischen Kristallen experimentell ermittelt. Auf
theoretische Berechnungen wurde verzichtet. Die drei periodischen Anordnungen entsprechen dabei ein-, zwei-, und dreidimensionalen Photonischen Kristallen.
Die Ergebnisse im Mikrowellenbereich konnen ausgenutzt werden, um gezielt Photonische Kristalle fur den optischen Bereich anzufertigen. Die langfristigen Ziele umfassen z.B. die Herstellung von optischen Modulatoren und zero
threshold Lasern. Hierbei soll die Periodizitat des dreidimensionalen Photonischen Kristalls gezielte gestort werden, um damit Emission in einer bestimmen
Raumrichtung zu verstarken.
Die Herstellung entsprechend der Theorie mageschneiderter Photonischer
Kristalle wird insbesondere im optischen Bereich zu einer Vielzahl von Anwendungen fuhren. Insbesondere in der Informationsverarbeitung konnen die
bertragungsraten fuhren.
Photonischen Kristalle zu extrem ezienten U
Erste erfolgversprechende dreidimensionale Photonische Kristalle im optischen Bereich werden von Fleming und Lin im Wellenlangenbereich von 1.5

berichtet [30]. Ein aktueller Ubersichtsartikel
u ber Photonische Kristalle ndet
sich in Physics Today [66].
Der eindimensionale Photonische Kristall

Die einfachste Form eines Photonischen Kristalls ist die eindimensionale periodische Anordnung von dielektrischen Materialien, vgl. Abb. 5.29.
Als Beispiel wurde eine alternierende Anordnung von drei GaAs-Wafern
(Dielektrizitatskonstante = 13, Dicke d = 0:5 mm) und jeweils einem Luftspalt
( = 1, d = 0:5 mm) gewahlt.
In Abb. 5.30 ist die photonische Bandstruktur fur solch einen eindimensionalen Kristall abgebildet. Die photonische Bandlucke erstreckt sich von
= 0:15c=a = 45 GHz bis = 0:15c=a = 75 GHz, wobei mit a die Gitterkonstante des Kristalls bezeichnet wird und im konkreten Fall a = 1 mm betragt.
In Abb. 5.31 ist das experimentelle Transmissionsverhalten des Kristalls abgebildet. In dieser Darstellung entsprechen die Bereiche einer minimalen Trans-
110
KAPITEL 5.

Abbildung 5.30: Photonische Bandstruktur eines eindimensionalen Photonischen Kristalls fur eine Ausbreitungsrichtung. Die Dielektrizitatskonstante alterniert zwischen = 13 und = 1. Entnommen aus [61].
Transmittance TP
1,6
a
THz
1,4
82GHz 164GHz
480GHz
726GHz
1,2
GaAs wafers d= 508m
PBG's
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
[THz]
1,0
1,2
1,4
98021343.opj
Abbildung 5.31: Transmissionsverhalten eines eindimensionalen Photonischen

Kristalls, bestehend aus einer Abfolge von GaAs-Wafern und Luftspalten von
jeweils 0.5 mm Dicke. Die Gitterkonstante diesen Kristalls betragt a=1 mm.
5.6.
111
mission (TP 0) den photonischen Bandlucken, die als kleine graue Pfeile
eingezeichnet sind.
Das eindimensionale Photonische Kristall ist wie bereits erwahnt als FabryPerot-Interferometer bzw. als Etalon schon lange bekannt, deren Transmissionsverhalten durch die Interferenz von Mehrfachre exionen bestimmt wird. Der
freie Spektralbereich dieser Anordnung betragt [24]:
c
=
(5.59)
2nd
Mit den Werten fur GaAs aus Tabelle 2.1 ergibt sich = 84 GHz. Die freien
Spektralbereiche sind in Abb. 5.31 als schwarze Pfeile eingezeichnet.
Der zweidimensionale Photonische Kristall

Ein zweidimensionales Photonisches Kristall entspricht einer zweidimensionalen periodischen Anordnung von dielektrischen Materialien, vgl. Abb. 5.29. Als
zweidimensionale Struktur wurde in Analogie zu den dichroitischen Filtern eine
HDPE-Schreibe (vgl. Abschnitt 5.4) mit einem hexagonalen Lochmuster versehen, vgl. Abb. 5.32. Die geometrischen Abmessungen entsprechen dem dichroitischen Filter # 3 aus Tab. 5.1, d.h. der Lochabstand betragt s = 970 m, der
Lochdurchmesser d = 750 m und die Lange (Dicke) l = 700 m.
Abbildung 5.32: Transmissionsverhalten eines zweidimensionalen Photonischen

Kristalls.
In Abb. 5.32 erkennt man ein breites Minimum der Transmission im Bereich
von 700 GHz, die photonische Bandlucke. Der Beweis, da es sich wirklich um
eine photonische Bandlucke und nicht um reine Absorption handelt, mute
112
KAPITEL 5.

durch die Messung der re ektierten Strahlung erfolgen, die dann bei 700 GHz ein
Maximum besitzen sollte. Da dieses Transmissionsminimum durch Absorption
zustande kommt kann ausgeschlossen werden, da die Absorption von HPDE
vernachlassigbar gering ist, vgl. Abb. 5.3.
Mit ahnlichen Strukturen glaubt man im optischen Bereich die Lichtauskopplung aus Leuchtdioden (LED) optimieren zu konnen [29]. Hier konnte man
als Test einer solchen Struktur die Entspiegelung von z.B. GaAs im FIR-Bereich
vornehmen.
Der dreidimensionale Photonische Kristall

Das Transmissionsverhalten eines dreidimensionalen Photonischen Kristalls wurde mit dem von M. Schall aufgebauten THz-TD Spektrometer untersucht, siehe
Abb. 5.33.
Der hier untersuchte dreidimensionale Photonische Kristall stammt aus der
Forschungsgruppe von M. Stuke vom MPI fur biophysikalische Chemie in Gottingen. Der aus Aluminium-Oxid bestehende Kristall wurde durch Laser Chemical
Sample
P
Detector
Emitter
Laserpulse
THz-pulse
BS
M
P
Si-lens
Delay-line
Si-lens
M
Abbildung 5.33: THz-TD-Spektrometer mit konventionellem Halbleiterdetektor, entnommen aus [92]. Der Photonische Kristall wurde im Zwischenfokus der
Parabolspiegel vermessen.
Vapor Deposition (LCVD) hergestellt, d.h. er wurde aus der Gasphase im einem Laserfokus ausgeschieden [106]. Diese Technik erlaubt die Herstellung dreidimensionaler Strukturen im m-Bereich. Ein vergleichbarer zu dem in dieser
Arbeit charakterisierten Kristall ist in Abb. 5.34 dargestellt.
Die sehr kleinen Abmessungen des Kristalls (3 1 0:5 mm3 ) erwiesen sich als
sehr problematisch bei den Transmissionsmessungen. Der Kristall wurde hinter
einer Apertur im Zwischenfokus der Parabolspiegel angeordnet. Die Apertur
(A) mute auf 1 mm verengt werden, um zu verhindern das em-Strahlung den
Kristall seitlich passieren konnte, vgl. Abb. 5.34. Die kleine Apertur hatte zur
Folge, da die Gesamtintensitat am Detektor sehr gering war, so da die Mes-
5.6.
113
Abbildung 5.34: Dreidimensionaler Photonischer Kristall aus Aluminium-Oxid

Staben mit einem Durchmesser von 40 m und einem Abstand von 133 m
bei einer Stablange von 3000 m. Die Struktur wurde direkt aus der Gasphase
mittels mit Hilfe eines fokusierten Lasers hergestellt, entnommen aus [106].
sungen nur mit geringem Signal zu Rausch Verhaltnis durchgefuhrt werden
konnten. Der Kristall konnte aufgrund eines Sockels (P), auf dem er befestigt
war, nicht naher als 2 mm hinter die Apertur gebracht werden. Somit traten
Beugungsverluste an der Halterung selbst auf, die durch entsprechende Referenzmessungen, d.h. einem entsprechenden Sockel ohne Kristall, berucksichtigt
wurden.
In Abb. 5.35 ist die Transmission dieses Kristalls dargestellt. Die maximale
Transmission des Kristalls ist mit TP = 0:4 gering. Das Aluminium Oxid absorbiert aller Voraussicht nach einen Groteil der em-Strahlung, dennoch ist ein
relativer Einbruch der Transmission bei ca. 1.1 THz sichtbar.
Ob dies mit einer photonischen Bandlucke in Verbindung gebracht werden
kann, steht in Frage. Der Beweis ware die Transmissioneigenschaften des Kristalls unter verschiedenen Winkeln in Bezug auf die THz-Strahlung zu messen.
Jedoch war dies aufgrund der problematischen Halterung nicht moglich. Der
rechteckige Sockel, auf dem der Kristall aufgewachsen war, lie eine Drehung
direkt hinter der Apertur nicht zu.
Ausblick
THz-Spektroskopie in der Zeitdomane wird in Zukunft sicherlich bei der Charakterisierung von Photonischen Kristallen einen Beitrag liefern konnen. Insbesondere konnte die Auswertung der Phaseninformation (die in diesen Beispielen
aus Zeitgrunden nicht erfolgte) im Hinblick auf das Verhalten der Phasengeschwindigkeiten evaneszenter Moden (vgl. hierzu Abschnitt 5.5.7) innerhalb der
Photonischen Kristalle interessante Ergebnisse liefern.
114
KAPITEL 5.

Transmittance TP
1,0
0,8
0,6
photonic band gap ?
0,4
0,2
0,0
0,0
98072305.opj
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
THz
Abbildung 5.35: Transmissionsverhalten eines dreidimensionalen Photonischen

Kristalls.
Kapitel 6
2D-Aufnahme von
THz-Strahlprolen
6.1 Einleitung
Ausgangspunkt fur die vorliegende Arbeit war eine Diskussion im Dezember
1994 des Autors mit seinem jetzigen Betreuer inwieweit THz-Pulse zu Durchleuchtungsverfahren im medizinischen und technischen Bereich anwendbar sind.
Zu diesem Thema entwickelten wir konkrete Plane, die wir auf der Konferenz
fur Ultraschnelle Prozesse in der Spektroskopie (UPS) in Triest, Italien im November 1995 prasentierten [56]. Im direkten Anschlu an unsere Vorstellung
wurde bei dieser Konferenz ein analoger Ansatz von Zhang et al. vorgetragen
[122]. Fur eine Patentanmeldung unserer Idee versuchten wir 1995 vergeblich
Unterstutzung an den amtlichen Stellen der Universitat Freiburg. Ziel unseres
Ansatzes war die Idee das THz-Strahlprol in Echtzeit gro achig zu detektieren und die durch Objekte im Strahlengang hervorgerufene Phasen- und Amplitudenanderungen zur Erkennung des Objektes zu verwenden. Geleitet wurde
unser Ansatz durch die bekannten Unzulanglichkeiten und Gefahren bei der
konventionellen mammographischen Untersuchung mit Rontgenstrahlen [123].
Die ersten Durchleuchtungsexperimente mit THz-Pulsen wurden 1995 von
B. B. Hu und M. Nuss berichtet [54], die weltweit groes Echo in der Presse
fanden [35, 1, 9]. Als Probenbeispiele untersuchten sie Mikroprozessoren und
Blatter von Baumen in einem THz-TD Spektrometer, dessen Aufbau vergleichbar mit dem aus Abb. 5.33 ist. Im Unterschied zu unserem Ansatz wurden dabei
Proben durch den Fokus zwischen zwei Parabolspiegeln gerastert. Danach werden die einzelnen Datensatze zu einem zweidimensionalen Durchleuchtungsbild
wieder zusammengesetzt. Die Aufnahmedauer einer solchen Durchleuchtungstechnik liegt in der Groenordnung von Minuten bis Stunden je nach Groe der
Probe und der erwunschten Orts- und Zeitau osung.
Fur zukunfts- und anwendungsorientierte Durchleuchtungsapparate, die z.B.
in der Medizin, der Qualitatskontrolle bei Fliebandfertigungen oder Gepacksi115
116
KAPITEL 6.
2D-AUFNAHME VON THZ-STRAHLPROFILEN
cherheit am Flughafen eingesetzt werden konnen, ist eine Echtzeit-Bilderfassung

gefragt. Hier bietet die zweidimensionale elektrooptische Detektion eine potentielle Alternative. Der Unterschied zur bereits in Kapitel 4 dargestellten Detektionsmethode besteht darin, da der vom THz-Puls durchleuchtete Gegenstand
in den eo-Detektionskristall abgebildet wird. Aufgrund des elektrooptischen Effekts erfahrt der den Detektionskristall ausleuchtende Probe-Puls eine ortsspezische Phasenverzogerung, die der entsprechenden raumlichen THz-Feldstarke
Verteilung proportional ist. In Kombination mit Polarisatoren lat sich diese
Phasenverzogerung als Helligkeitsvariation des optischen Probestrahls auf einer CCD-Kamera direkt abbilden. Mit anderen Worten, der Detektionskristall
hat zusammen mit den Polarisatoren die Rolle eines Schwarz-wei-Diapositives,
welches von der ortsabhangigen THz-Feldverteilung beschrieben wird. In diesem Analogiebild dient der Probe-Puls als Projektionslampe, die das Diapositiv
ausleuchtet, welches mittels einer Optik auf die Leinwand { den CCD-Chip {
abgebildet wird.
6.2 Zweidimensionale Detektion

In Abb. 6.1 ist der Versuchsaufbau zur zwei-dimensionalen Detektion von THzPulsen dargestellt. Dieser spezielle Versuchsaufbau ermoglicht die Messung des
THz-Puls-Strahlprols entlang seiner Strahlachse z . Die plankonvexe HDPEOptik ist mit ihrer planen Seite direkt auf der Ruckseite des THz-Emitters angebracht, und somit ist diese Einheit entlang der optischen Ausbreitungsrichtung
z verschiebbar. Diese Anordnung besitzt den Vorteil, da das Strahlprol des
THz-Pulses entlang seiner Ausbreitungsrichtung vermessen werden kann, ohne
da die kritisch zu justierende eo-Detektionseinheit verschoben werden mu.
Der Probe-Strahl ist aufgeweitet und leuchtet den ZnTe-Kristall mit homogener Intensitat aus. Mittels einer Optik, die zwischen dem ZnTe Kristall und der
CCD-Kamera angebracht ist, wird der ausgeleuchtete ZnTe-Kristall direkt auf
den CCD-Chip abgebildet. Die Polarisatoren sind gegeneinander gekreuzt. Der
Soleil-Babinet Kompensator wurde so eingestellt, da die dem ZnTe-Kristall
intrinische Vorspannung ZnTe (aufgrund von Kristallimperfektionen und mechanischen Spannungen) ansatzweise kompensiert wurde, d.h. es wurde mit
einer optischen Vorspannung von 0 0 gearbeitet.
Die CCD-Kamera stammt von der Firma Cohu und ist eine 8-bit Kamera
(Model 4810), deren Videosignal von einem kommerziellen Beam DiagnosticsProgramm der Firma Spiricon (Model LBA-300PC) verarbeitet wurde. Die
CCD-Kamera wurde im Subtraktionsmodus betrieben, d.h. es wurde ein Referenzbild ohne THz-Puls aufgenommen, welches bei den weiteren Messungen
automatisch subtrahiert wurde. Die Kamera arbeitete im kontinuierlichen Modus bei einer 30 Hz Bildaufnahmerate. Es wurde jeweils uber 4 Aufnahmen
gemittelt, d.h. pro Bild fand eine Mittelung u ber 130 THz-Pulse statt. Das
6.2.
ZWEIDIMENSIONALE DETEKTION
117
Abbildung 6.1: Versuchsaufbau zur zweidimensionalen Detektion von THzPulsen. BS - 10% Strahlteiler, Emitter - GaAs-Wafer (1 cm2 ), HV - gepulste
Hochspannungsquelle, HDPE-lens - High Density Polyethylene Optik, Delay
Line - Verzogerungsstufe, PR - Polarisationsdreher, SBC - Soleil-Babinet Kompensator, PBS - Folienstrahlteiler, PP - Dunnschichtpolarisatoren, CCD - CCD
Kamera
bedeutet, da eine Bildaufnahme ca. 0.13 s braucht.
bersetzung des Strahlungsfeldes in den sichtbaren
Die in Abb. 6.2 zur U
Wellenlangenbereich erforderliche THz-Energie betrugt also 120 0:4 nJ (siehe Abschnitt 4.7.3). Das entspricht einer quasikontinuierlichen Intensitat von
von 50 nJ/0.13 s = 380 nW. In der Darstellung von Abb. 6.2 besitzt der THzPuls einen 1=e Strahlradius von ungefahr 100 Pixel. Damit liegt die mittlere
pro Pixel detektierte Leistung im Bereich von 380 nW/1002 12 pW. Diese Groenordnung verdeutlicht die extrem hohe Empndlichkeit der zeitaufgelosten eo-Detektion von THz-Pulsen, deren mittlere Photonenenergie bei ca.
2 meV liegt.
Anmerkung zur gewahlten optischen Vorspannung 0 :
Bei der Detektion mit einer CCD-Kamera ist es ungunstig bei einer
optischen Vorspannung von 0 = =2 zu arbeiten, da die Modulation der Probe-Puls Intensitat aufgrund des THz-Pulses maximal 7 %
( = 4 , vgl. Abschnitt 4.7.3) betragt. D.h. eine CCD-Kamera mit
einem dynamischen Bereich von 8 Bit erlaubt somit nur eine maximale
Intensitatsanderung in digitalen Schritten von 1 bis 20 counts zu messen. Im Vergleich dazu betragt die gemessene Intensitatsanderung bis
zu 200 counts bei einer optischen Vorspannung von 0 0.
Bzgl. dieser Thematik ist jungst eine Arbeit von Jiang et al. erschienen
[59].
118
KAPITEL 6.
SV
]

S
V

V
\ VZ

XYYTUZ
[
^_
Abbildung 6.2: Obere Abbildung: CCD-Aufnahme der im Fokus der HPDEOptik (f = 66 mm) erzeugten Intensitatsanderung des Probe-Strahls bei Anwesenheit des THz-Pulses. Die untere Grak zeigt einen Schnitt aus der oberen
Abbildung in horizontaler Richtung. Durch die Medaten (Quadrate) wurde ein
Gausche Fitfunktion gelegt
6.3.
AUSWERTUNG EO-DETEKTIONSBILDER
119
6.3 Auswertung eo-Detektionsbilder

In Abb. 6.2 ist ein zweidimensionales Bild eines THz-Pulses dargestellt, welches
im Fokus der HDPE-Optik (z = f = 66 mm) aufgenommen wurde. Im oberen
Bild erkennt man schwach die 5.1 mm Apertur, mit deren Hilfe der 1 mm dicke
ZnTe Kristall befestigt war. Zum Zentrum hin erkennt man die ansteigende Verteilung der elektrische Feldstarke des THz-Pulses. Die zwei schwarzen Flecken
in der unteren Bildmitte sind Brand ecken im ZnTe-Kristall, die aufgrund einer
versehentlichen Bestrahlung mit dem fokusierten optischen Pump-Puls entstanden sind.
In der unteren Grak von Abb. 6.2 ist ein horizontaler Schnitt aus der oberen
zweidimensionalen Aufnahme dargestellt. Die gemessene Verteilung (Quadrate) wurde mit einer Gaukurve gettet (durchgezogenen Linie). Die Annahme,
da im Fernfeld des THz-Emitters die raumliche Verteilung der elektrischen
Feldstarke einer Gauschen Verteilung entspricht, konnten P. Uhd Jepsen mit
seinen Messungen der lateralen elektrischen Feldstarke Verteilung demonstrieren [45].
Betrachtet man die obere zweidimensionale Abbildung erkennt man sehr
deutlich eine kreuzgitter-ahnliche Struktur. Aller Wahrscheinlichkeit nach kommt
diese Struktur aus einer Kombination von nichtidealer Kristallzucht und mechanischen Spannungen zustande, der beim Schneiden, Polieren und bei der
Befestigung des eo-Kristalls sehr leicht entstehen kann.
Die zweidimensionalen Medaten besitzen ein Signal zu Rausch Verhaltnis
von maximal 20:1 und sind im Vergleich zu den Messungen der vorangegangenen
Kapitel (bis zu 10 000:1) sehr verrauscht. Die Grunde hierfur liegen unter anderem darin, da die CCD Detektion mit der CCD-Kamera nicht phasensensitiv
(kein Lockin-Verstarker) sondern kontinuierlich erfolgt. Ferner werden aufgrund
der ortsau osenden Detektion der CCD-Kamera raumlichen Inhomogenitaten
der elektrooptischen Eigenschaften des Detektionskristalls, wie in Abb. 6.2 zu
erkennen ist, registriert. D.h. es ndet nicht wie bei der Photodiode eine automatische raumliche Mittelung uber die vom Probe-Puls ausgeleuchtete Flache
des eo-Detektionskristalls statt.
6.4 Messung des THz-Strahlprols

Abb. 6.3 zeigt vier Beispiele der detektierten THz-Strahlprole bei verschiedenen Abstanden z vom THz-Emitter. Im Fokus ist, wie zu erwarten, die Verteilung der elektrische Feldstarke maximal und nimmt dann aufgrund der schlechteren Fokusierung mit zunehmendem Abstand ab. Es wurden 12 solcher Messungen im Abstand von z = 5 mm durchgefuhrt. Die Messungen wurden dann
wie zuvor beschrieben ausgewertet. In Abb. 6.4 sind die maximalen Amplituden und die Strahlradien w dargestellt, die aus den Gauschen Fitfunktionen
erhalten wurden. Qualitativ zeigt sich das zu erwartende Verhalten, da die
120
KAPITEL 6.
Abbildung 6.3: Dreidimensionale Darstellungen der detektierten Strahlprole

in verschiedenen Entfernungen z vom THz-Emitter.
6.4.
MESSUNG DES THZ-STRAHLPROFILS
z [mm]
RSM
121
Amplitude mit zunehmendem Abstand vom Fokus der HDPE-Optik abnimmt

und der Strahlradius zunimmt. Fur die elektrische Feldstarke ETHz lat sich
z [mm]
beam width [mm]

s
Dcz
f
2 !
1
2

2
2
2fc
D
1+
z
:
D
4cf
(6.1)
(6.2)
1 Die Berechnungen gema der Gleichungen (6.1) und (6.2) berucksichtigen die experimentelle Denition von z als Abstand von der HDPE-Optik zum Detektionskristall.
In Abb. 6.4 sind die Gleichungen (6.1) und (6.2) als durchgezogenen Linien
dargestellt1 . Bei den Berechnungen wurde die Zentralfrequenz des THz-Pulses
= Z = 500 GHz ( = 0:6 mm) eingesetzt. Die Amplitude E0 und die Apertur des Pumplaser-Pulses D wurden den Medaten angepat. Dabei wurde die
Apertur um 8 % gegenuber dem experimentellen Wert angepat. Theorie und
w(; z ) =
Der Strahldurchmesser w lat sich mit Hilfe von Gl. (2.9) und des konfokalen
Parameters z0 = w02 =c angeben als [36]:
ETHz (; z ) = E0 1 +
in Abhangigkeit vom Abstand z vom Fokus einer dunnen Optik mit Hilfe des
konfokalen Parameters z0 = w02 =c in folgender Form ausdrucken [36]:
Abbildung 6.4: A) Elektrische Feldamplitude und B) der Strahlradius w der

elektrischen Feldstarke Verteilung aufgetragen gegen den Abstand z von der
HDPE-Optik mit f = 66 mm. Die durchgezogenen Linien entsprechen den theoretischen Groen gema der Gleichungen (6.1) und (6.2)
Amplitude [counts]
122
KAPITEL 6.
experimentelle Daten stimmen bei den elektrischen Feldstarken recht gut u be bereinstimmung
rein, jedoch kann bei den Strahlradien nur eine qualitative U
zwischen Experiment und Theorie geltend gemacht werden. Der Grund fur die
Unterschiede liegt in der nichtlinearen Detektionscharakteristik (Kapitel 4.7.2)
der Probe-Puls Intensitat.
In Abb. 6.5 ist Spitzenintensitat der angepaten Gau-Amplituden des optischen Probe-Pulses in Abhangigkeit der angelegten Hochspannung am THzEmitter dargestellt. Es zeigt sich eine nicht lineare Abhangigkeit zwischen der
200
pixel counts
150
100
50
97072152.opj
10
HV [kV]
Abbildung 6.5: Hochspannungsabhangigkeit der detektierten Probe-Puls Intensitaten im Fokus der HDPE-Optik. Aufgetragen sind die getteten Intensitatsamplituden und mit deren Fehlergrenzen, die aus den Gauschen Fitfunktionen erhalten wurden.
gemessenen Intensitatsanderung des Probe-Pulses und der elektrischen Feldstarke
des THz-Pulses, vgl. hierzu Ausfuhrungen in Abschnitt 4.7.2. Somit werden hohe elektrische Feldstarken gegenuber niedrigen Feldstarken uberrepresentiert.
Aus diesem Grunde konnen die experimentellen Daten in Abb. 6.4 nur als eine
qualitative Bestatigung des erwarteten THz-Strahlprols entlang seiner Strahlachse verstanden werden.
6.5 Ausblick
Die hier vorliegenden Messungen demonstrieren, da es moglich ist THz-Pulse
zweidimensional zu detektieren. Ein entscheidender Punkt bei der Detektion ist
die Qualitat des eo-Kristalls. Ist das Kristall in seinen eo-Eigenschaften nicht
homogen, so wird die Abbildung verfalscht. Selbst ein ideal gezuchtetes Kristall
wird durch mechanische Belastungen in seinen elektrooptischen Eigenschaften
6.5.
AUSBLICK
123
nachhaltig gestort.
Zhang und Mitarbeiter haben ihr eo-Detektionskristall ortsaufgelost auf seine eo-Eigenschaften vermessen und korrigieren die unterschiedlich empndlichen eo-Regionen des Kristalls im ihrem Auswerteprogramm [60].
Eine weitere Notwendigkeit, um Proben zu durchleuchten, besteht darin,
da man eine CCD-Kamera mit hohem dynamischen Bereich, d.h. mehr als
16 Bit verwendet. So konnten Zhang und Mitarbeiter letzten Herbst auf der
IEEE-Konferenz Terahertz Electronics in Leeds, GB, von X.-C. der ersten mammograschen Untersuchungen vorgestellen [60].
Anhang A
Herleitung von ETHz

THz (T ) = C
= C
Z L
0
Z L
dz ETHz
vTHz
) THz (T ) = C
=
Dierenzierung nach T :
dTHz (T )
=
dT
z
vopt
{z
(A.1)
+ T = zc (nTHz
nopt ) + T =
c
c
d ETHz ( ) e n (
n
T)
(A.2)
Z T
c
c
c
Ce n T n
ETHz ( ) e n d
n
c L+T
(A.3)
Z T
c
c
c d
ETHz ( ) e n d
C
e n T n
n dT
c L+T
dF (u)
du
T)
z
=1; fur t=T vopt
d Ru
du a f (x)dx = f (u)
!
c
c c cn T Z T
n d
C
e
n L+T ETHz ( ) e
n n
c
c
c
c
Ce n T ETHz (T ) e n T
n
Z T

c
c
c c
Ce n T n
ETHz ( ) e n d
n n
c L+T
Mit der Integrationsregel:
+T e
{z
n L+T
vopt
z
Mit wird folgende Substitution = vTHz
n z + T . , z = c ( T ); ) dz = c d
c
n
n
THz (T )
=
) ddT

1
z
z
+ t e z
+ (t
dz
dt ETHz
vTHz
vopt
1
Z
(A.4)
{z
=THz (T );see Eq:A:3
c
c
THz (T )
CE (T )
n
n THz

n 1 dTHz (T ) c
ETHz (T ) =
(T )
c C
dT
n THz
=
124
c
CE (T )
n THz
125
Es folgt:
) ETHz (T ) / dTd THz(T ) cn THz (T )
(A.5)
Anhang B
Gruppenindex in ZnTe
Frequenz [THz]
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
4,2
4,0
3,8
cw-Brechungsindex
Gruppenindex
Brechungsindex im FIR
3,6
3,4
3,2
3,0
2,8
2,6
2,4
2,2
500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500
Wellenlnge [nm]
Abbildung B.1: Brechungsindex von ZnTe im optischen Bereich (untere Skala,

aus [96]), im FIR (obere Skala, aus [92]), sowie Gruppenindex im Optischen
Bereich. Grak entnommen aus [44].
126
Anhang C
THz in b-cut LiTaO3 und

b-cut LiNbO3
THz (T) [a.u.]
1,0
0,5
0,0
-0,5
-1,0
LiTaO3, b-cut
1,0
0,0
t = 13.75 ps
-0,5
95121410.opj
-10
-5
5
10
time delay T [ps]
15
20
Abbildung C.1: eo-Detektionssignal in LiTaO3 , b-cut
127
THz (T)/dT ~ ETHz (T) [a.u.]
0,5
25
128
THz (T) [a.u.]
ANHANG C.
THZ IN B -CUT LITAO3
UND
B -CUT LINBO3
1,0
0,5
0,0
-0,5
LiNbO3, b-cut
1,0
0,0
THz (T)/dT ~ ETHz (T) [a.u.]
0,5
-0,5
t = 9.5 ps
96010525.opj
-1,0
-10
-5
5
10
time delay T [ps]
15
20
25
Abbildung C.2: eo-Detektionssignal in LiNbO3, b-cut. Elektrische Feldvektor

des THz-Feldes ist entlang der ne -Achse orientiert. Hierdurch entsteht ein geringerer Laufzeitunterschied zwischen Probe- und THz-Puls im Kristall.
Anhang D
Hochspannungsquelle
Als Hochspannungsquelle kann entweder eine konstante oder eine gepulste Hochspannungsquelle benutzt werden. Als gepulste Hochspannungsquelle wurde eine
Autozundspule benutzt. In Abb. D.2 ist die Hochspannungscharakteristik der
-12
Hochspannungspulse [kV]
-10
-8
-6
-4
-2
2
-200
200
400
600
800
t [s]
1000
1200
1400
1600
1800
98120801.opj
Abbildung D.1: Hochspannungspulse. Unterhalb von ca. 2 kV werden die abgegebenen Hochspannungspulse instabil.
Zundspule dargestellt. Die erzeugten Hochspannungspulse UHV verhalten sich
linear zur Primarspannung Upri [V]. Am Ausgang der Zundspule gilt der lineare
Zusammenhang UHV [kV] = 0:51 Upri 0:35. Am Ausgang eines 30 cm langen konventionellen Zundkabels, der als Zufuhrung an die Elektrode des THzEmitters benutzt wird, andert sich die Ausgangscharakteristik geringfuhig, es
gilt: UHV [kV] = 0:54 Upri 0:32. D.h. es besteht ein Oset der Primarspannung
von ca. 0.6 V, der bei der erzeugten Hochspannung berucksichigt werden mu.
129
130
ANHANG D.
HOCHSPANNUNGSQUELLE
-12
am Zndspulenausgang
nach 30cm Zndkabel
Hochspannungspuls [kV]
-10
-8
-6
-4
-2
97052201.opj
10
12
14
16
18
20
22
Primrspannung an Zndspule [V]
Abbildung D.2: UHV {Upri {Zundspulencharakteristik.
HV-Zundspulenschaltung
Die Zundspulenschaltung entspricht einer Transitor-Zundungsschaltung, wie sie
in der Automobiltechnik eingesetzt wird, vgl. Abb. D.3.
Pump-Puls und THz-Emitter

Der optische Pump-Puls zur Erzeugung der Ladungstrager im THz-Emitter
wurde in einer Teleskop Anordnung aufgeweitet und mittels einer Blende vor
dem THz-Emitter auf einen Strahldurchmesser reduziert, der dem Elektrodenabstand des THz-Emitters entsprach. In Abb.D.4 ist das Intensitatsprol eines
Pump-Pulses dargestellt.
In Abb. D.5 ist ein Prototyp eines THz-Emitters abgebildet. Man erkennt
berschlagsspanschon deutliche Funkeneinschlage (D), die entstehen, wenn die U
1
nung der Umgebungsatmosphare u berschritten wird. Bringt man die Elektroden, wie in dieser Abbildung zu sehen ist, auf gegenuberliegenden Seiten an,
so lat sich eine geringfugig hohere Spannung anlegen. Bei den meisten THzEmittern wurden die Elektroden auf der selben Seite angebracht.
1 Uberlagsspannung

zwischen zwei spannungsfuhrenden Elektroden unter Normalbedingun-
gen 760 mm Hg bei 50 % relativer Luftfeuchtigkeit liegt bei 6 kV/cm [32].
131
Upri
Zndspule
L1
L2
UHV
Abbildung D.3: Zundspulenschaltung fur Hochspannungspulse.
Abbildung D.4: Intensitatsprol des Pumplasers, entnommen aus [44].
132
ANHANG D.
HOCHSPANNUNGSQUELLE
Abbildung D.5: THz-Emitter. Die Kupferelektroden (A) und (B) sind mit einer
Mischung aus Leitsilber und Sekundenkleber in einem Abstand von ca. 1 cm
auf dem GaAs-Wafer (C) angebracht. Elektrode (A) ist an der Vorderseite und
Elektrode (B) auf der Ruckseite des GaAs-Wafers befestigt. (D) markiert Spuren von Funkenuberschlagen auf dem GaAs-Wafer.
Anhang E
Dielektrische Materialien
In den Abbildungen E.3, E.1, E.2 sind die optischen Eigenschaften eigenen Materialien im FIR-Bereich dargestellt. In diesen Darstellungen ist die Absorption
der Intensitat (P = 2) und nicht die Feldstarken Absorption () angegeben.
1,95
index of refraction
Delrin (POM)
1,90
1,85
1,80
1,75
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
0,8
1,0
1,2
[THz]
absorption [cm-1]
0
97052310.org
0,0
0,2
0,4
0,6
[THz]
Abbildung E.1: Delrin Polyformaldehyd (POM) ist ein fester gut zu bearbeitender Werksto, jedoch im FIR-Bereich als Optik und Fenstermaterial ungeeignet.
133
134
ANHANG E.
DIELEKTRISCHE MATERIALIEN
2,4
index of refraction
electronic braod
2,2
2,0
1,8
1,6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
0,8
1,0
1,2
[THz]
50
absorption [cm-1]
40
30
20
10
0
97060627.org
-10
0,0
0,2
0,4
0,6
[THz]
Abbildung E.2: Optische Eigenschaften im FIR-Bereich Platine fur elektronische Schaltungen.
135
7,2
7,0
120
LiNbO3
LiNbO3
100
6,8
80
6,6
5,4
60
5,3
40
5,2
20
5,1
7,2
7,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
120
LiTaO3
LiTaO3
100
80
6,8
60
6,6
40
6,4
20
6,2
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
40
3,50
3,45
-1
0,0
Power absorption [cm ]
Index of refraction
0,0
ZnTe
ZnTe
30
3,40
3,35
20
3,30
3,25
10
3,20
3,15
3,10
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
Frequency [THz]
99011001.opj
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
Frequency [THz]
Abbildung E.3: THz-TDS Daten der elektrooptischen Kristalle, entnommen aus

[92].
Anhang F
HDPE-Optik
Die Optikformel nach Gau wurde zur Berechnung der HDPE-Optik benutzt
[50]:

1 n2 n1 1
1
=
(F.1)
f
n1
R1 R2
hierbei ist Ri der Krummungsradius. Fur eine plan konvexe Optik gilt R2 = 1
und n1 = 1 fur Luft.
1
=) f =
R ;
(F.2)
n2 1 1
mit n2 = 1:53 fur HDPE. In Abb. F.1 ist die Optik illustriert. Fur einen gau-
n2
n1
R
f
Abbildung F.1: Eine ebene Welle verlat das dichtere Medium (n2 > n1 ) mit
Krummungsradius R.) Es bildet sich eine spharische Welle in n1 aus.
schen Strahl ist die Strahltaille W0; am Fokus der Optik mit Brennweite f
gegeben als [89]:
2 f
W0;
;
(F.3)
D
wobei die Wellenlange und D die Apertur vor der Optik ist. Im Falle eines
THz-Pulses betragt die Zentralwellenlange des THz-Pulses Z 0:6 mm und
136
137
die Apertur D am THz-Emitter 1 cm. Damit folgt fur eine Brennweite von
f = 66 cm ein Fokusdurchmesser W0; 2:5 cm.
Nachteilig bei einer Brechungsoptik sind naturlich die Fresnel-Verluste. Die
transmittierte elektrische Feldamplitude Et betragt hinter der HDPE-Optik
nurnoch:

2n1
Et =
n1 + n2
2
exp( zl )E0 = 0:62 0:79E0 0:5E0 ;
(F.4)
mit n1 = 1 for air, n2 = 1:53 fur HDPE und zl die Propagationslange innerhalb
des Optikmaterials HDPE betragt 5.9 mm bei einer Absorption von
0:4 cm 1 .
Dies bedeutet naturlich einen hohen Verlust an Intensitat, jedoch fur einen
Aufbau einer linearen optischen Bank benotigt man eine Brechungsoptik, vgl.
Kapitel 6.
HDPE-Optik
beam waist [mm]
20
10
ZnTe
GaAs
-10
Probe-Puls
-20
99020901.opj
50
100
150
200
250
300
z [mm]
Abbildung F.2: Gauche Strahlausbreitung fur Frequenzen von 200GHz in

100 GHz Schritten bis 1.8 THz fur den in Abb. 4.19 gewahlten Aufbau. Die Berechnungen wurden mit einem von P. Uhd Jepsen geschriebenen Programm
durchgefuhrt.
138
ANHANG F.
HDPE-OPTIK
Abbildung F.3: Gauche Strahlausbreitung fur Frequenzen von 200GHz in

100 GHz Schritten bis 1.8 THz fur den in Abb. 6.1 gewahlten Aufbau. Die Berechnungen wurden mit einem von P. Uhd Jepsen geschriebenen Programm
durchgefuhrt.
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and future prospects". Critical Reviews in Biomedical Engineering, 17,
203{254, 1989.
Danksagung
Auf der Suche nach einem physikalischen Promotionsthema mit medizinischen Anwendungspotential stie ich bei Prof. Hanspeter Helm an der Fakultat fur Physik der
Universitat Freiburg auf oenes Interesse. Besonders mochte ich ihm dafur danken,
da er es mir ermoglicht hat, unsere Idee eines bildgebenden Detektors fur THz-Pulse
zu verwirklichen. Ohne seine Unterstutzung und die Schaung einer hervorragenden
Laborausstattung ware diese Arbeit nicht moglich gewesen.
Weiterere Personen die groen Anteil am Erfolg dieser Arbeit haben, sind die Jungens der THz-Mannschaft bestehend aus Michael Schall, Andreas Gurtler, Markus
Walther und last not least Peter Uhd Jespen. Ihnen danke ich fur viele gewinnbringende Diskussionen und gute Stunden im Labor. Insbesondere mochte ich meinen Dank
Peter fur seine versierte THz-Starthilfe, seine vielen Erklarungen und die freundliche

Uberlassung
sehr guter von ihm geschriebener Computerprogramme aussprechen.
Unserem Lasertechniker Achim Holzer danke ich herzlich fur seine stete und fachmannische Hilfe bei all den groen und kleinen Problemen der Pumplaser.
Desweiteren gilt mein Dank fur eine gute und angenehme Arbeitsatmosphare der
ganzen Abteilung Helm bestehend aus: Marco Beckert, Andreas Blum, Marcus Braun,
Thomas Eckert, Alexander Hielscher, Rudiger Jansch, Wolfgang Kamke, Stefan Krieg,
Tobias Lang, Uwe Majer, Eric Meisl, Ivan Mistrick, Ulrich Muller, Stefan Nubach,
Uli Person, Regina Reinhard, Rainer Reichle, Christoph Schellhammer, Mark Schittenhelm, Ewald Schlotterer, Ralf Schmittgens, Volker Schyja, Christine Seiler, Isabella
Siegel, Stefan Sprengel, Daniela Wiedemann, Steen Wolf und Alf Zugenmaier.
Ohne die stete und schnelle Hilfe der Werkstatten der Fakultat fur Physik ware
diese Arbeit nicht moglich gewesen. Hierfur gilt den Mitgliedern der Werkstatten mein
besonderer Dank. Hervorheben mochte Karl Rich, der mit viel Engagement die dichroitische Filter und Parabolspiegel auf der CNC-Maschine hergestellt hat.
Frank Lewen (Universitat Koln) und Jochen Weinzierl (Universitat Erlangen) mochte
ich fur die erfolgreiche Zusammenarbeit auf dem Gebiet der frequenz-selektiven Komponenten herzlich danken.
Dr. M. Stuke (MPI fur biophy. Chemie in Gottingen) danke ich fur die gemeinsamen
THz-TDS Messungen an seinen dreidimensionalen Photonischen Kristallen.
Dr. G. Alber gilt mein Dank fur die Unterstutzung bei den theoretischen Betrachtungen der elektrooptischen Detektion.

Markus Rogalla (Universitat Freiburg) danke ich fur die freundliche Uberlassung
unserer ersten GaAs-Wafer und Harald Schneider (Fraunhofer-Institut fur angewandte
Festkorperforschung in Freiburg) fur LT-GaAs Proben.
M. Lock (Universitat Giessen) und B. Schubach (Universitat Freiburg) sei ebenfalls
gedankt fur die FT-Messungen der dichroitischen Filter.
Den Firmen Freiberger Compound Materials (Freiberg), der hollandischen Firma
Stork Screens B.V.(Boxmeer, NL) und QMC-Instruments Ltd.(London, GB) bin ich

dankbar fur die freundliche Uberlassung
diverser Probenmaterialien.
Diese Arbeit wurde teilweise aus den Mitteln des SFB 276 der DFG nanziert.
Abschlieend mochte ich all denen meinen herzlichen Dank aussprechen, die sich
die Muhe gemacht haben, diese Arbeit Korrektur zu lesen.
Last not least gilt mein Dank meinen Eltern fur die grozuge Unterstutzung meines
Studiums. Ohne diese Unterstutzung ware diese Arbeit auch nicht moglich gewesen.
Der Autor lat gruen!

(23. April 1999)

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Elektrooptische Detektion

Abbildungen von THz-Strahlungspro len

aus Durham, NC, USA

Prof. Dr. H. Helm

Tag der Verkundung des Prufungsergebnisses: 23.04.1999

Folgenden Vero entlichungen basieren auf dieser Arbeit:

"Detection of THz pulses by phase retardation in lithium tantalate",

"Transmission characteristics of dichroic lters measured by THz time-domain

1 im Englischen allgemein als Terahertz Time-Domain Spectroscopy (THz-TDS) bezeichnet

2 Erzeugung von THz-Pulsen

3 Detektion gepulster THz-Strahlung

4 Erste Messungen von THz-Pulsen

5 THz-Spektroskopie in der Zeitdomane

6 2D-Aufnahme von THz-Strahlpro len

A Herleitung von ETHz

C THz in b-cut LiTaO3 und b-cut LiNbO3

3.1 eo-Kristall Orientierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Polarisations Messungen eines gro achigen THz-Emitters . . . .

5.1 Starrer Rotator und dessen Rotationsubergange . . . . . . . . . . 70

Transmissionskurven dichroitischer Filter . . . . . . . . . . . . . 101

B.1 Brechungsindex von ZnTe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126

Erzeugte Hochspannungspulse UHV (t) bei 1 kHz . . . . . . . .

E.1 Optische Eigenschaften von Delrin Polyformaldehyd (POM) im

F.1 HDPE-Optik fur den FIR-Bereich . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

Gliederung der Arbeit

Abbildung 1.1: Prinzip der zeitaufgelosten Terahertz Spektroskopie. Der

Abbildung 1.2: THz-Puls in der Zeit- und Frequenzdomane

Abbildung 1.3: Historische Meilensteine in der Mikrowellen-, Ferninfrarot- und

Transform Mikrowellen Spektroskopie1 im MHz-Bereich etablieren [27]. Jedoch

1 im Englischen als Fourier Transform Microwave Spectroscopy (FTMW) bezeichnet

Erzeugung von THz-Pulsen

 durch Photoleitung oder

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

ultrakurze Pulse im Bereich von 100fs

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

Abbildung 2.2: Einzelschu-Autokorrelationssignal des regenerativ verstarkten

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

2.3 THz-Puls Erzeugung und Ausbreitung

 die Ladungstragergeneration im Halbleitermaterial,

2.4 Die Dynamik der Ladungstrager in GaAs

Tabelle 2.1: Eigenschaften von halbisolierenden, undotierten GaAs der Firma

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

2.5 Elektrisches Ober achenfeld am THz-Emitter

Hierbei ist s die Ober achenleitfahigkeit, 0 = 377

dt0 (t t0 )Iopt (t0 )e

(t) = dc (dc

ist der Kehrwert der mittleren Stozeit s im Halbleiter: = 1s .

2.6 Raumliches Pro l am THz-Emitter

 das Vorspannungfeld Eb (x) und

2.7 THz-Puls Propagation im freien Raum

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

Abbildung 2.5: Geometrie eines THz-Emitters. Als schwarzen Streifen am Rand

THZ-PULS PROPAGATION IM FREIEN RAUM

Electric field [a.u.]

Time delay [ps]

ERZEUGUNG VON THZ-PULSEN

derfrequenten Komponenten (groe Wellenlange).

Abbildung 2.7: Brennweite der Optik f = 66 mm, Strahlradius w0 = 5 mm,

THZ-PULS PROPAGATION IM FREIEN RAUM

dern im Abstand L = 2f vom Emitter, so erhalt man folgende Beziehung:

Bolometer und Mikrowellen Dioden

DETEKTION GEPULSTER THZ-STRAHLUNG

3.2.1 Der Pockels-E ekt

Abbildungen von THz-Strahlungsprolen

Tag der Verkundung des Prufungsergebnisses: 23.04.1999

Folgenden Veroentlichungen basieren auf dieser Arbeit:

5 THz-Spektroskopie in der Zeitdomane

6 2D-Aufnahme von THz-Strahlprolen

C THz in b-cut LiTaO3 und b-cut LiNbO3

Polarisations Messungen eines gro achigen THz-Emitters . . . .

5.1 Starrer Rotator und dessen Rotationsubergange . . . . . . . . . . 70

F.1 HDPE-Optik fur den FIR-Bereich . . . . . . . . . . . . . . . . . 136

Abbildung 1.1: Prinzip der zeitaufgelosten Terahertz Spektroskopie. Der

Abbildung 1.2: THz-Puls in der Zeit- und Frequenzdomane

durch Photoleitung oder

Abbildung 2.2: Einzelschu-Autokorrelationssignal des regenerativ verstarkten

die Ladungstragergeneration im Halbleitermaterial,

2.4 Die Dynamik der Ladungstrager in GaAs

2.5 Elektrisches Ober achenfeld am THz-Emitter

Hierbei ist s die Ober achenleitfahigkeit, 0 = 377

dt0 (t t0 )Iopt (t0 )e

(t) = dc (dc

ist der Kehrwert der mittleren Stozeit s im Halbleiter: = 1s .

2.6 Raumliches Prol am THz-Emitter

das Vorspannungfeld Eb (x) und

derfrequenten Komponenten (groe Wellenlange).

dern im Abstand L = 2f vom Emitter, so erhalt man folgende Beziehung:

3.2.1 Der Pockels-Eekt

Fur die in dieser Arbeit verwandten elektrooptischen Kristalle LiTaO3 ,

LiTaO3 und LiNbO3 sind anisotrope, einachsige Kristalle, bei deren

Spiegelung an einer Ebene und 4 = 4zahlige Drehinversion

Ausgehend von Gleichung (3.3) unter Berucksichtigung der in Tabelle

Fur 4 = rIk n2k Ek 1 lat sich aus der Taylorentwicklung folgende

und fur die modizierten Brechungsindizes:

b-cut LiTaO3/LiNbO3 (Gleichungen (3.11) und (3.10) in (3.22)):

c-cut LiTaO3/LiNbO3 (Gleichungen (3.14) und (3.13) in (3.22)):

ZnTe (Gleichungen (3.19) und (3.18) in (3.22)):

Die angegebenen Phasenverzogerungen gelten fur den statischen Fall, d.h.

Die Jones Matrix eines allgemeinen Phasenverzogerers besitzt die Gestalt:

Die Gesamtmatrix AG des elektrooptischen Modulators erhalt man durch eine

In Abbildung 3.6 ist die transmittierte Intensitat I () in Abhangigkeit dar-

Abbildung 3.6: Die durchgezogenen Linie gibt das Intensitatsverhalten I = I ()

ILI (0 + ) =

klarung fur dieses Sattigungsverhalten konnte daher in der Erwarmung des

S = c0 jETHz j2 170 MW/m2

Abbildung 4.2: Mit einem SOS-Detektor gemessene THz-Puls-Feldstarken am

Abbildung 4.5: Linke Grak: experimentelle Phasenverzogerungssignale (PR)

In Abbildung 4.6 zeigt Teil (A) das gemessene Phasenverzogerungssignal T Hz

Abbildung 4.6: A: Normiertes Phasenverzogerungssignal gemessen mit ZnTe.

Tabelle 4.2: Maximale experimentelle Phasenverzogerungensignale (PR) aus