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Tatjana Lange
Fachbereich Elektrotechnik
Automatisierungstechnik
2001
Inhalt:
Inhalt:
1.1.Einführung
Einführung
(wichtige
(wichtigeelektrische
elektrischeGrößen,
Größen,Klassifizierung
Klassifizierungvon
vonSignalen
Signalenund
undSystemen)
Systemen)
2.2.Bauelemente
Bauelementeder
derElektronik
Elektronik
3.3.Digitale
Digitaleelektronische
elektronischeSchaltungen
Schaltungen
1. Einführung
1. Einführung
Inhalt:
Spannung U Stromstärke I
Maßeinheit: V - Volt Maßeinheit: A - Ampère
0,2 A
1,5 V +
elektr. Leistung P
0,3 W Maßeinheit: W - Watt
u(t) u(t)
determinierte 121
t t
u(t) u(t)
12101210
t t
stochastische
u(t)
u(t)
1 -1 0 2 3 ...
t
t
Beispiele:
u(t))
Wechselstrom t
Der zeitliche Verlauf eines reinen Tones Je höher der Ton, um so hoher ist die Frequenz
entspricht dem Verlauf einer SINUS-Kurve: der SINUS-Schwingung:
Amplitude Amplitude
[V] Zeit t [V] Zeit t
Je lauter der Ton, um so größer ist die Was ist Frequenz? Was ist 1 Hz (Hertz) ?
Amplitude der SINUS-Schwingung:
Frequenz = Anzahl der Polaritätswechsel pro
Amplitude
[V]
Zeiteinheit:
Zeit t
+ 1 sec + + 1 sec
- -
1 Hz 2 Hz
System
lineares System
nichtlineares
System
zeitinvariantes
System
nichtzeitinvariantes
System
Elektronische Systeme
typische Einordnung
analoge digitale
hybride
(ADU, DAU) binäre mehrwertige
analoge • Industrie
Steuerung und Regelung • Transport
• Haushalt
digitale
• Medizin
analoge • Radio , TV
• Telefonie
Informationsübertragung
• Daten-
digitale übertragung
• Computer
Informationsverarbeitung • Mainframes
digitale • Spezialrechner
Bauelemente
Bauelemente der
der Elektronik
Elektronik
Inhalt:
• Passive Bauelemente
• Aktive Bauelemente
ð Halbleiterdiode
ð Bipolartransistor
ð Bipolartransistor als elektronischer Verstärker
ð Feldeffekttransistor
ð Feldeffektransistor als elektronischer Schalter
• Leiterplatten
Passive Bauelemente
C L
R [F] [H]
[Ω]
Ohm (nach Ohm) Farad (nach Faraday) Henry (nach Henry)
u 2 (t ) = u1 (t ) ⋅
R2
R1
u1(t) u2(t) R1 + R2
R2
u1 (t ) = U 0 = const. u 2 (t ) = U 0 ⋅
R2
R1 + R2
u1 (t ) = U 0 cos(2πf 0t )
Oszillograph zur Darstellung
u 2 (t ) = U 0 cos(2πf 0t ) ⋅
R2
der elektrischen Signale
R1 + R2
u1(t)
u2(t)
Hauptanwendungen:
Spulen: Kondensatoren:
Elektromechanik Elektronik Elektronik
• Elektromagnet • Filter • Filter (z.B. Drehkondensator)
• Relais • Schwingkreise • Schwingkreise
• HF-Drosseln • Speicher (z.B. im DRAM)
Spule / Induktivität:
elektrisches Schaltsymbol:
i(t)
• Fließt durch eine Spule, so wird ein elektro-
magnetisches Feld aufgebaut (Energiespeicher). L R
u (t)
• Dieses elektromagnetische Feld kann sich nicht
schlagartig ändern. Als Folge davon gilt:
u (t)
• Der durch eine Spule fließende Strom kann t
sich nicht sprungartig ändern !!! i(t)
t
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Fachhochschule Merseburg, FB Elektrotechnik
Kondensator
elektrisches Schaltsymbol:
typischer Aufbau: C
C
• Wird eine Spannung an die Platten des
Kondensators angelegt, so wird ein elektro- u (t) uc(t) R
statisches Feld aufgebaut (Energiespeicher).
• Dieses elektrostatische Feld kann sich nicht
schlagartig ändern. Als Folge davon gilt: u (t)
• Die an einem Kondensator anliegende Spannung t
kann sich nicht sprungartig ändern !!! uc(t)
t
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Ø Passive elektronische Schaltungen (Beispiele für das
Verhalten einfacher passiver Netzwerke bzw. Filter)
f>fg fg f
f>fg fg f
u1(t)
t R ZC u (t)
u1(t) 2
u1(t)
t
Bildschirm des
Oszillographen zur
u1(t) Darstellung der Signale
am Eingang und am
t Ausgang des Tiefpasses
f>fg fg f
f>fg fg f
R ZC R
u1(t) ZL u2(t) oder u1(t) u2(t)
1 1
Z L = ω ⋅ L = 2π ⋅ f ⋅ L ZC = =
ω ⋅ C 2π ⋅ f ⋅ C
Je größer die Frequenz, um so größer Je größer die Frequenz, um so kleiner der
der (Blind-) Widerstand der Spule. (Blind-) Widerstand des Kondensators.
u1(t)
t ZC
u1(t) R u2(t)
u1(t)
t
Bildschirm des
Oszillographen zur
u1(t) Darstellung der Signale
am Eingang und am
t Ausgang des Tiefpasses
Z L = ω ⋅ L = 2π ⋅ f ⋅ L
Elementarer realer Bandpaß:
Je kleiner die Frequenz, um so kleiner
„Kurzschluss“ für der (Blind-) Widerstand der Spule.
tiefe Frequenzen
R 1 1
u1(t) ZL ZC u2(t) ZC = =
ω ⋅ C 2π ⋅ f ⋅ C
Je größer die Frequenz, um so kleiner der
„Kurzschluss“ für hohe Frequenzen (Blind-) Widerstand des Kondensators.
Übertragungsfunktion
Aktive Bauelemente
I I I
_
Durchbruch- +
spannung U U
_
+
U
Durchlaß- Sperr-
richtung richtung
• Die Halbleiterdiode nutzt den sog. Halbleitereffekt, der auf der Wechselwirkung
der Ladungsträger in den Halbleitermaterialien beruht.
• Für die Diode ist insbesondere der Halbleitereffekt an den Grenzflächen zwischen
den unterschiedlich dotierten Halbleitermaterialien wichtig ð pn-Übergang.
ØDer
ØDerTransistor
Transistor(grundsätzliche
(grundsätzlicheFunktionsweise)
Funktionsweise)
Transistor = Transfer Resistor = Übertragungswiderstand
• steuerbares Halbleiterbauelement
I2
• Die Ströme I2 und I3 steuernde I1 gesteuerte
werden durch den Strom Elektrode Elektroden
I1 oder die Spannung U1 U1
I3
gesteuert.
C C
- +
Stromrichtung Stromrichtung
B B
Stromrichtung Stromrichtung
+ -
E E
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Grundschaltungen:
+U +U +U
IC IC
IE
IB IB
IE
I C ≈ BN ⋅ I B I E ≈ (1 + BN ) ⋅ I B IC ≈
BN
⋅ IE
(1 + BN )
Emitterschaltung Kollektorschaltung Basisschaltung
(Emitterfolger)
•hohe Spannungsverstärkung • Spannungsverstärkung ≈ 1 • hohe Spannungsverstärkung
•hohe Stromverstärkung • hohe Stromverstärkung • Stromverstärkung ≈ 1
•mittlerer Eingangswiderstand • großer Eingangswiderstand • kleiner Eingangswiderstand
•hoher Ausgangswiderstand • sehr kleiner Ausg.-widerstand • hoher Ausgangswiderstand
u1(t) iB u2(t)=U-RCiC(t)
Feldeffekttransistor S = Source
Feldeffekttransistor(FET)
(FET)
D = Drain
Grundprinzip (hier n-Kanal FET): G = Gate
Steuerelektrode (Gate)
Halbleiterkanal
- + Kontakt
G
S D n-Kanal: negative
Stromrichtung Ladungsträger (Elektronen)
(n-Kanal) p-Kanal: positive
- + Ladungsträger (Löcher im
Kristallgitter)
Funktionsprinzip:
• Leitfähigkeit des Kanal hängt vom der Stärke des elektrischen Felds
bzw. der angelegten Spannung zwischen der Steuerelektrode (Gate)
und dem Halbleiterkanal ab.
Schaltsymbole MOSFET
Schaltsymbole
und
undKennlinien
Kennlinien selbstsperrend selbstleitend
Anreicherungstyp Verarmungstyp
SFET Enhancement Type Depletion Type
n p n p n p
D D D D D D
G S G S G S G S G S G S
D n
G
S
U1=10 V U2≈ 0 V D
G S
+12 V +12 V ID
D
G UGS
S
U1=0 V U2= 12 V UP
Besonders gut eignet sich jedoch der FET als Schalttransistor mit
grundsätzlich kleineren Schaltzeiten und höheren Belastbarkeit
gegenüber dem Bipolartransistor.
ØLeiterplatten
3. Digitale
3. Digitale elektronische
elektronische Schaltungen
Schaltungen
Inhalt:
• Schaltalgebra
Schaltalgebra
Ein Schalter kennt nur 2 Zustände: EIN und AUS
Alle Situationen müssen auf Kombinationen von Schaltern abgebildet werden.
Logische
LogischeSchaltung
Schaltung y = x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 )
x1 & y
x2 &
x3
1 Frage:
&
Muß es so aufwendig sein
oder geht es auch einfacher ?
&
Schaltungsminimierung
Rechenregeln
Rechenregelnder
derSchaltalgebra
Schaltalgebra(Boole‘sche
(Boole‘scheAlgebra):
Algebra):
Theoreme:
0⋅ x = 0 x⋅ x = x !!! 0+ x = x x+ x = x !!!
x=x
1⋅ x = x x⋅x = 0 1+ x = 1 x + x = 1
Gesetze:
x1 ⋅ x2 = x2 ⋅ x1 x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = x1 ⋅ ( x2 ⋅ x3 ) = ( x1 ⋅ x2 ) ⋅ x3
x1 + x2 = x2 + x1 x1 + x2 + x3 = x1 + ( x2 + x3 ) = ( x1 + x2 ) + x3
x1 ⋅ ( x2 + x3 ) = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 x1 + x1 ⋅ x2 = x1 x1 ⋅ ( x1 + x2 ) = x1 x2
x1 + ( x2 ⋅ x3 ) = ( x1 + x2 ) ⋅ ( x1 + x3 ) x1 ⋅ (x1 + x2 ) = x1 x1 + x1 ⋅ x2 = x1 + x2
= x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 ) =
x1 ⋅ ( x2 + x3 ) = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3
= x1 ⋅ (x3 ⋅ ( x2 + x2 ) + x2 ⋅ (x3 + x3 )) =
x + x = 1 und 1 ⋅ x = x
= x1 ⋅ (x3 + x2 )
Realisierung: x1 & y
x2 1
x3
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Minimierung
Minimierungunter
unterAnwendung
Anwendungdes
desKarnaugh-Diagramms
Karnaugh-Diagramms
Wahrheitstabelle
Schritt 1: x1 x2 x3 y
Ausfüllen des Karnaugh-
Diagramms auf Basis der x2 x2 x2 x2 0 0 0 0
Wahrheitstabelle 0 0 1 0
x1 1 1 1 0
0 1 0 0
x1 0 0 0 0
Schritte 2: 0 1 1 0
Kürzung durch paarweise x3 x3 x3 x3 1 0 0 0
Zusammenfassung benachbarter 1 0 1 1
Felder mit logischer EINS. Dabei
entfällt diejenige Variable, die in 1 1 0 1
den benachbarten Feldern sowohl y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 = 1 1 1 1
direkt als auch negiert auftaucht. = x1 ⋅ ( x2 + x3 )
Realisierung
Realisierungnur
nurmit NAND::
mitNAND
y = y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 = Anwendung der x1 ⋅ x2 = x1 + x2
Morgan‘schen Regel
= x1 ⋅ x 2 ⋅ x1 ⋅ x3 x1 + x2 = x1 ⋅ x2
x1 &
x2 & y
&
x3
MOSFET-Realisierungen +UCC
NEGATION G
S
T1
x y D
0 1 y=x x y D
1 0 ux uy T2
S
G
ux T1 T2 uy
L leitend gesperrt H 0 - tiefes Potential - L
H gesperrt leitend L 1 - hohes Potential - H
NAND
x1 x2 y
x1 ⋅ x2 = y +UCC
0 0 1 T12 T11
0 1 1 x1 & y S
1 0 1 x2
1 1 0 D
uy
D
ux1 T21
S
ux2 T22
?
Bitte Tabelle ausfüllen !
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NOR
x1 x2 y
x1 + x2 = y +UCC
0 0 1
0 1 0 x1 1 ux1 S
1 0 0 x2 y T11
D
1 1 0
ux2
T12
uy
D
S
T21 T22
?
Bitte Tabelle ausfüllen !
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Logische
LogischeGrundfunktionen
Grundfunktionen(Gesamtübersicht
(Gesamtübersichtfür
für22Variable)
Variable)
16 mögliche Kombinationen zwischen Eingangswerten und Ausgangswerten
x1 1 0 1 0 x1 1 0 1 0
x2 1 1 0 0 x2 1 1 0 0 16 logische Funktionen
0 0 0 0 1 0 0 0
0 0 0 1 1 0 0 1
0 0 1 0 1 0 1 0
y 0 0 1 1 y 1 0 1 1 Nicht jede Funktion ist
0 1 0 0 1 1 0 0 technisch sinnvoll.
0 1 0 1 1 1 0 1
0 1 1 0 1 1 1 0
0 1 1 1 1 1 1 1
Beispiel: Multiplexer
D1
D2 y y
D3
D4 D1 D2 D3 D4 D1 D2 D3 D4
t
T2 &
1
D2 = y T1T2
T1
D3 = yT1T2 tt
D4 = yT1T2 T2
78
t
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Schaltungstechnische
SchaltungstechnischeRealisierung
Realisierung Steuerleitungen
y Datenleitung
&
D1
D1
y D2
D3 &
D2
D4
&
T1 D3
1
T2 &
1 D4
1001 R
& Q
R 1110 Q
S S R Q Q
t
R 0 1 1 0
t 1 0 0 1
Q
t 1 1 keine Änderung
Q 0 0 verbotene Eingangsbelegung
t
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JK-Flipflop
JK-Flipflop Clear
C
t (1) J=K=1: FF arbeitet als Teiler
J (2) J=K=0: FF bleibt im alten Zustand,
t d.h. Takt ist wirkungslos
K (3) J=0 und K=1: nächster Takt stellt
t Q=0; danach ist Takt wirkungslos
Q (4) J=1 und K=0: nächster stellt Q=1;
t danach ist Takt wirkungslos
D-Flipflop
D-Flipflop
Clear
Na,
Einstein