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Fachhochschule Merseburg, FB Elektrotechnik

Ausgewählte Grundlagen der


Elektrotechnik
für nicht-elektrotechnische Fachrichtungen

Tatjana Lange
Fachbereich Elektrotechnik
Automatisierungstechnik

2001

Ausgewählte Grundlagen der Elektrotechnik Prof. Dr. Tatjana Lange 1


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Inhalt:
Inhalt:

1.1.Einführung
Einführung
(wichtige
(wichtigeelektrische
elektrischeGrößen,
Größen,Klassifizierung
Klassifizierungvon
vonSignalen
Signalenund
undSystemen)
Systemen)

2.2.Bauelemente
Bauelementeder
derElektronik
Elektronik

3.3.Digitale
Digitaleelektronische
elektronischeSchaltungen
Schaltungen

Some electric stuff


for
non-electrical staff

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1. Einführung
1. Einführung

Inhalt:

• Kleiner geschichtlicher Rückblick

• Wichtige elektrische Größen

• Klassifikation Signale und Systeme

• Typische Anwendungsfälle elektronischer


Schaltungen

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Kleiner
Kleinergeschichtlicher
geschichtlicherRückblick
Rückblick
Die Anfänge der Anfänge und die ersten großen Entdeckungen
Jahr Entdeckung / Entwicklung Entdecker Grundlage für
1600 Untersuchungen zu W. Gilbert
„corpora electrica“
1600 Elektrisiermaschine v. Guericke
1783 Plattenkondensator A. Volta Energiespeicherung
1800 Volta-Element / Volta-Säule A. Volta Gleichspannung bis 100 V
1820 Elektromagnetismus H.C. Ørsteds Generatoren, Motoren,
Nachrichtenübertragung

1825 Ohmsche Gesetz U=R· I G.S. Ohm Berechnung elektr. Schaltungen

1831 elektromagn. Induktion M. Faraday Dynamo, Generator

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Bahnbrechende Entdeckungen und Erfindungen
1831/34 Idee des elektr. Feldes M. Faraday Maxwell‘sche Theorie
1847 brauchbarer Zeigertelegraph W. v. Siemens Durchbruch der Telegraphie
1861/64 Postulat d. elektromagn. J.C. Maxwell Elektronik !!!
Schwingung bzw. Wellen
1861 elektr. Übertr. von Tönen J.P. Reis Telephonie
1876 Telephon Bell Beginn der Telephonie
1883 Glühemission T.A. Edison Diode und Elektronenröhre
1887/88 Nachweis Wellenausbreitung H. Hertz drahtlose Signalübertragung
1895 Antenne A.S. Popow drahtlose Signalübertragung
1896/97 drahtlose Signalübertragung Markoni/Popow Funk / Rundfunk / Fernsehen
1900/04 Glühkathoden-Diode J.A. Fleming Modulation / Demodulation
1906/07 Elektronenröhre v. Lieben Verstärkertechnik
19913 Schwingungserzeugung A. Meissner Rundfunk, Fernsehen
1919 Röhrenverstärker v. Mihály Informationsübertragung

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Die großen Erfindungen des 20. Jahrhunderts


1920 Rundfunk
um1920 Trägerfrequenztechnik in Fernsprechnetzen
1930 elektronisches Fernsehen durch M.v.Ardenne
Ende 30er Radar
1947 ENIAC - röhrenbestückte Rechenmaschine
1947/48 Erfindung des Transistors durch Bardeen, Brattain, Shockley
1958 erster integrierter Schaltkreis von Jack S. Kilby
1962 IBM 7070 - volltransistorierte elektronische Rechenmaschine
1964 IBM 360 - elektronische Rechenmaschine auf Basis von
integrierten Schaltkreisen und Transistoren
1965 erste digitale Übertragungssysteme (PCM)
1971 INTEL 4004 - erster Mikroprozessor
1971 Taschenrechner
1991 erste brauchbare mobile Telefone

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vgl. mit Wichtige


Wichtigeelektrische
elektrischeGrößen
Größen vgl. mit
Wasserdruck
Wasserdurchfluß

Spannung U Stromstärke I
Maßeinheit: V - Volt Maßeinheit: A - Ampère
0,2 A
1,5 V +
elektr. Leistung P
0,3 W Maßeinheit: W - Watt

• Je größer die Spannung, um so größer die Stromstärke.


0,4 A
I~U +
3V
• Je größer die Spannung, um so größer die Leistung.
• Je größer die Stromstärke, um so größer die Leistung.
P = U ·I 1,2 W

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Klassifikation
KlassifikationSignale
Signaleund
undSysteme
Systeme
Signale: zeitliche Änderungen einer physikalischen Größe, z.B.
Spannung, Lichtstärke, ...

analoge diskrete digitale

u(t) u(t)
determinierte 121
t t
u(t) u(t)
12101210
t t
stochastische
u(t)
u(t)
1 -1 0 2 3 ...
t
t

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Beispiele:

u(t))

Wechselstrom t

Sprachsignal Diese Signale sind


Träger von
Information !
Daten 01000110

Information = Abbau von Unsicherheit !


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Frequenzbegriff: Töne und Frequenzen:

Der zeitliche Verlauf eines reinen Tones Je höher der Ton, um so hoher ist die Frequenz
entspricht dem Verlauf einer SINUS-Kurve: der SINUS-Schwingung:

Amplitude Amplitude
[V] Zeit t [V] Zeit t

Je lauter der Ton, um so größer ist die Was ist Frequenz? Was ist 1 Hz (Hertz) ?
Amplitude der SINUS-Schwingung:
Frequenz = Anzahl der Polaritätswechsel pro
Amplitude
[V]
Zeiteinheit:
Zeit t
+ 1 sec + + 1 sec
- -
1 Hz 2 Hz

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System: griech. sýstema -> „aus mehreren Teilen zusammengesetztes,


gegliedertes Ganzes“

Technische Systeme sind 1 Eingang 1 Ausgang


gekennzeichnet System
• durch einen oder mehrere
Eingänge, an denen Einflußgrößen n Eingänge m Ausgänge
(Eingangssignale) wirken, System
• und durch einen oder mehrere
Ausgänge, an denen die Auf (techn.) Systeme wirken immer
beeinflußten Größen Störungen, die jedoch unter bestimmten
(Ausgangssignale) beobachtet Bedingungen vernachlässigt werden
bzw. gemessen werden können. können.

System

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u1(t) System u2(t)

lineares System

nichtlineares
System

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u1(t) System u2(t)

zeitinvariantes
System

nichtzeitinvariantes
System

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Elektronische Systeme
typische Einordnung

analoge diskrete / digitale

• zeitinvariante Systeme • zeitinvariante Systeme

• typisch: lineare Systeme • lineare Systeme • nichtlin. Systeme


(im normalen Arbeitsbereich)

Beispiel: Verstärker Beispiel: Beispiel:


digitale Filter logische Gatter

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Typische
TypischeAnwendungsfälle
Anwendungsfälleelektronischer
elektronischerSchaltungen
Schaltungen
Elektronische Schaltungen
Signalart

analoge digitale
hybride
(ADU, DAU) binäre mehrwertige

• Festverdrahtung von • Festverdrahtung der Bauelemente durch


Realisierung

Bauelementen und Hersteller ð Integrierte Schaltkreise (IC)


Grundfunktionen • programmierbare Verdrahtung durch Anwender
• Speicherprogrammierung durch Anwender

geringe Komplexität hohe Komplexität


elemente

Bipolartechnik (Transistoren, Dioden, R, C, (L)) Hybridtechnik (Transistoren, MOSFET)


Bau-

Unipolartechnik (Feldeffekttransitoren ð MOSFET) Ladungstransfertechnik (CCD, BBD)

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analoge • Industrie
Steuerung und Regelung • Transport
• Haushalt
digitale
• Medizin

analoge • Radio , TV
• Telefonie
Informationsübertragung
• Daten-
digitale übertragung

• Computer
Informationsverarbeitung • Mainframes
digitale • Spezialrechner

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Bauelemente
Bauelemente der
der Elektronik
Elektronik
Inhalt:

• Passive Bauelemente
• Aktive Bauelemente
ð Halbleiterdiode
ð Bipolartransistor
ð Bipolartransistor als elektronischer Verstärker
ð Feldeffekttransistor
ð Feldeffektransistor als elektronischer Schalter
• Leiterplatten

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Passive Bauelemente

Ø Leiter und Ø Kondensatoren Ø Spulen


Widerstände

C L
R [F] [H]
[Ω]
Ohm (nach Ohm) Farad (nach Faraday) Henry (nach Henry)

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Elektrische Leiter und Widerstände:


Stoffe reagieren unterschiedlich auf das Anlegen einer elektrischen Spannung:
• Bei bestimmten Stoffen erfolgt ein nahezu „ungebremster“ Transport von
elektrischen Ladungsträgern (z.B. Elektronen), d.h. diese Stoffe haben ein
ausgeprägtes Vermögen, unter Einfluß eines elektrischen Feldes einen
elektrischen Strom zu führen. Sie besitzen eine sehr hohe elektrische
Leitfähigkeit.
Diese Stoffe nennt man elektrische Leiter.
Beispiele: Metalle wie Silber, Kupfer, Gold, Aluminium.
• Stoffe mit äußerst geringer elektrischer Leitfähigkeit nennt man
Isolatoren oder Dielektrika.
Beispiele: Keramik, Kunststoffe, Papier
• Stoffe mit einer mittleren Leitfähigkeit nennt man Halbleiter.
Beispiele: Silicium, Germanium, unterschiedliche Legierungen

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Jeder Stoff besitzt also eine spezifische elektrische Leitfähigkeit σ


bzw. einen spezifischen elektrischen Widerstand ρ, wobei
ρ=1/σ
Spannungsquelle
Der Widerstand eines I
leitfähigen Quaders mit der
Länge L und einer U
Seitenfläche a·b ergibt sich b
zu
a
L
L
R=ρ· Maßeinheit Ω (Ohm)
a·b Ohm‘sche Gesetz:
U=R · I

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Das Bauelement „Widerstand“ ....


besteht aus Material mit geringer Leitfähigkeit
• gewickelter Widerstandsdraht auf nichtleitendem
Körper
oder
• dünne Metall-/Metalloxid-/Metallglasschichten auf
nichtleitender Trägermasse

Der Widerstand ist das meistverwendete Bauelement der Elektronik.

Hauptanwendungen: elektrisches Schaltsymbol:


• Spannungsteiler
• Referenzglieder
• Ableichwiderstände

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u 2 (t ) = u1 (t ) ⋅
R2
R1
u1(t) u2(t) R1 + R2
R2
u1 (t ) = U 0 = const. u 2 (t ) = U 0 ⋅
R2
R1 + R2

u1 (t ) = U 0 cos(2πf 0t )
Oszillograph zur Darstellung
u 2 (t ) = U 0 cos(2πf 0t ) ⋅
R2
der elektrischen Signale
R1 + R2

u1(t)

u2(t)

Das Verhalten der Schaltung ist frequenzunabhängig.


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Kondensatoren und Spulen - elektrische Energiespeicher

Spulen elektromagnetisches Feld


Energiespeicher
Kondensatoren elektrostatisches Feld

Hauptanwendungen:

Spulen: Kondensatoren:
Elektromechanik Elektronik Elektronik
• Elektromagnet • Filter • Filter (z.B. Drehkondensator)
• Relais • Schwingkreise • Schwingkreise
• HF-Drosseln • Speicher (z.B. im DRAM)

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Spule / Induktivität:
elektrisches Schaltsymbol:

typischer Aufbau: oder


L

Kern aus magnetischem Material


gewickelter (z.B. Ferritkern)
Kupferdraht

i(t)
• Fließt durch eine Spule, so wird ein elektro-
magnetisches Feld aufgebaut (Energiespeicher). L R
u (t)
• Dieses elektromagnetische Feld kann sich nicht
schlagartig ändern. Als Folge davon gilt:
u (t)
• Der durch eine Spule fließende Strom kann t
sich nicht sprungartig ändern !!! i(t)
t
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Kondensator
elektrisches Schaltsymbol:

typischer Aufbau: C

Metallplatte Dielektrikum (Papier,


Keramik,...)

C
• Wird eine Spannung an die Platten des
Kondensators angelegt, so wird ein elektro- u (t) uc(t) R
statisches Feld aufgebaut (Energiespeicher).
• Dieses elektrostatische Feld kann sich nicht
schlagartig ändern. Als Folge davon gilt: u (t)
• Die an einem Kondensator anliegende Spannung t
kann sich nicht sprungartig ändern !!! uc(t)
t
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Ø Passive elektronische Schaltungen (Beispiele für das
Verhalten einfacher passiver Netzwerke bzw. Filter)

Der Tiefpass (TP):


Eigenschaften des idealen Tiefpass:
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz kleiner einer bestimmten
Grenzfrequenz fg durchlaufen den Tiefpass (nahezu) ungedämpft.
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz größer einer bestimmten System-
Grenzfrequenz fg werden vom Tiefpass unterdrückt. beschreibung:

u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) Übertragungsfkt.


TP U2
G=
1 U1
f<fg

f>fg fg f

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Verhalten eines realen Tiefpass:


System-
u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) beschreibung:
TP U2
G=
U1
f<fg

f>fg fg f

Elementare reale Tiefpässe:


ZL
oder R ZC u2(t)
u1(t) R u2(t) u1(t)
1 1
Z L = ω ⋅ L = 2π ⋅ f ⋅ L ZC = =
ω ⋅ C 2π ⋅ f ⋅ C
Je größer die Frequenz, um so größer Je größer die Frequenz, um so kleiner der
der (Blind-) Widerstand der Spule. (Blind-) Widerstand des Kondensators.

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Experiment: Oszillograph - Meßgerät zur
Experiment:
Darstellung des zeitlichen
Verlaufs elektrischer Signale

u1(t)

t R ZC u (t)
u1(t) 2
u1(t)

t
Bildschirm des
Oszillographen zur
u1(t) Darstellung der Signale
am Eingang und am
t Ausgang des Tiefpasses

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Der Hochpass (HP):

Eigenschaften des idealen Hochpaßpass:


• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz kleiner einer bestimmten
Grenzfrequenz fg werden vom Tiefpass unterdrückt.
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz größer einer bestimmten System-
Grenzfrequenz fg durchlaufen den Tiefpass (nahezu) ungedämpft. beschreibung:

u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) Übertragungsfkt.


HP U2
G=
1 U1
f<fg

f>fg fg f

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Verhalten eines realen Hochpass:


System-
u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) beschreibung:
HP U2
G=
U1
f<fg

f>fg fg f

Elementare reale Hochpässe:

R ZC R
u1(t) ZL u2(t) oder u1(t) u2(t)
1 1
Z L = ω ⋅ L = 2π ⋅ f ⋅ L ZC = =
ω ⋅ C 2π ⋅ f ⋅ C
Je größer die Frequenz, um so größer Je größer die Frequenz, um so kleiner der
der (Blind-) Widerstand der Spule. (Blind-) Widerstand des Kondensators.

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Experiment: Oszillograph - Meßgerät zur
Experiment:
Darstellung des zeitlichen
Verlaufs elektrischer Signale

u1(t)

t ZC
u1(t) R u2(t)
u1(t)

t
Bildschirm des
Oszillographen zur
u1(t) Darstellung der Signale
am Eingang und am
t Ausgang des Tiefpasses

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Der Bandpass (BP):
Eigenschaften des idealen Bandpaßpass:
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz kleiner einer bestimmten
Grenzfrequenz fg1 werden vom Bandpass unterdrückt.
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz größer einer bestimmten
Grenzfrequenz fg2 werden vom Bandpass ebenfalls unterdrückt.
• Sinusförmige Signale mit einer Frequenz größer fg1 und kleiner fg2
durchlaufen den Bandpass (nahezu) ungedämpft.
System-
u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) beschreibung:
BP Übertragungsfkt.
U2
f<fg1 G=
U1
1
fg1<f< fg2

f>fg2 fg1 fg2 f

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Verhalten eines realen Bandpass:
System-
u1 (t ) = U1 sin( 2πft ) u 2 (t ) = U 2 sin( 2πft ) beschreibung:
BP
f<fg1 G=
U2
U1
1
fg1<f< fg2

f>fg2 fg1 fg2 f

Z L = ω ⋅ L = 2π ⋅ f ⋅ L
Elementarer realer Bandpaß:
Je kleiner die Frequenz, um so kleiner
„Kurzschluss“ für der (Blind-) Widerstand der Spule.
tiefe Frequenzen
R 1 1
u1(t) ZL ZC u2(t) ZC = =
ω ⋅ C 2π ⋅ f ⋅ C
Je größer die Frequenz, um so kleiner der
„Kurzschluss“ für hohe Frequenzen (Blind-) Widerstand des Kondensators.

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Übertragungsfunktion

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Aktive Bauelemente

ØDie Diode / Halbleiterdiode (grundsätzliche Funktionsweise)

• Zweipol-Bauelement mit einer asymmetrischen elektrisches


Strom-Spannungskennlinie Schaltsymbol:

I I I
_
Durchbruch- +
spannung U U
_
+
U
Durchlaß- Sperr-
richtung richtung

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• Die Halbleiterdiode nutzt den sog. Halbleitereffekt, der auf der Wechselwirkung
der Ladungsträger in den Halbleitermaterialien beruht.
• Für die Diode ist insbesondere der Halbleitereffekt an den Grenzflächen zwischen
den unterschiedlich dotierten Halbleitermaterialien wichtig ð pn-Übergang.

p-Halbleiter: Halbleiter, in denen die


elektrischen Ladungen hauptsächlich durch
positive Ladungsträger (Löcher im
p Kristallgitter) transportiert werden.

n n-Halbleiter: Halbleiter, in denen die


elektrischen Ladungen vorwiegend durch
negative Ladungsträger (Elektronen)
transportiert werden.

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ØDer
ØDerTransistor
Transistor(grundsätzliche
(grundsätzlicheFunktionsweise)
Funktionsweise)
Transistor = Transfer Resistor = Übertragungswiderstand

• steuerbares Halbleiterbauelement
I2
• Die Ströme I2 und I3 steuernde I1 gesteuerte
werden durch den Strom Elektrode Elektroden
I1 oder die Spannung U1 U1
I3
gesteuert.

Man unterscheidet Transistoren nach der Art des Stromtransports:


• Bipolartransistoren
• Unipolartransitoren (z.B. Feldeffekttransistoren)

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Bipolartransistor:
Bipolartransistor:
pnp-Transistor npn-Transistor

Kollektor Emitter Kollektor Emitter


p n p n p n
C E C E
B Basis B Basis

C C
- +
Stromrichtung Stromrichtung

B B
Stromrichtung Stromrichtung
+ -
E E
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Grundschaltungen:
+U +U +U
IC IC
IE

IB IB
IE

I C ≈ BN ⋅ I B I E ≈ (1 + BN ) ⋅ I B IC ≈
BN
⋅ IE
(1 + BN )
Emitterschaltung Kollektorschaltung Basisschaltung
(Emitterfolger)
•hohe Spannungsverstärkung • Spannungsverstärkung ≈ 1 • hohe Spannungsverstärkung
•hohe Stromverstärkung • hohe Stromverstärkung • Stromverstärkung ≈ 1
•mittlerer Eingangswiderstand • großer Eingangswiderstand • kleiner Eingangswiderstand
•hoher Ausgangswiderstand • sehr kleiner Ausg.-widerstand • hoher Ausgangswiderstand

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ØBipolartransistor als elektronischer Verstärker


+U
Einfache Verstärkerstufe RC iC
in Emitterschaltung
U = R ⋅I I C ≈ BN ⋅ I B

u1(t) iB u2(t)=U-RCiC(t)

• maximale Spannung am Eingang • minimale Spannung am Eingang


ðmaximaler Basisstrom ðminimaler Basisstrom
ðmaximaler Kollektorstrom ðminimaler Kollektorstrom
ðmaximaler Spannungsabfall an RC ðminimaler Spannungsabfall an RC
ðminimale Ausgangssapnnung ðmaximale Ausgangssapnnung

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Feldeffekttransistor S = Source
Feldeffekttransistor(FET)
(FET)
D = Drain
Grundprinzip (hier n-Kanal FET): G = Gate
Steuerelektrode (Gate)
Halbleiterkanal
- + Kontakt
G
S D n-Kanal: negative
Stromrichtung Ladungsträger (Elektronen)
(n-Kanal) p-Kanal: positive
- + Ladungsträger (Löcher im
Kristallgitter)

Funktionsprinzip:
• Leitfähigkeit des Kanal hängt vom der Stärke des elektrischen Felds
bzw. der angelegten Spannung zwischen der Steuerelektrode (Gate)
und dem Halbleiterkanal ab.

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Man unterscheidet FET nach
•der Art des Kanal-Halbleiters
• n-Kanal-FET (bzw. n-leitend), p-Kanal-FET (bzw. p-leitend)
•Steuerprinzip bzw. Art der Steuerung
• Sperrschicht-FET (Steuerung durch Änderung des Querschnitts bzw. Sperrung
des Halbleiterkanals)
• IGFET (FET mit isoliertem Gate - Steuerung durch Ladungsinfluenz, d.h.
durch Änderung der Leitfähigkeit des Halbleiterkanals) -> MOSFET !!!
ð Verarmungstyp oder selbstleitend -> Kanal ist bei einer Gatespannung = 0
bereits leitend. Durch Anlegen einer Gatespannung wird die Anzahl der
Ladungsträger kleiner ( „Verarmung“); die Leitfähigkeit sinkt. Beim n-Kanal-FET
erfolgt die Verarmung bei Anlegen einer negativer Gatespannung ; beim p-Kanal-
FET erfolgt die Verarmung durch Anlegen einer positiven Gatespannung.
ð Anreicherungstyp oder selbstsperrend-> Kanal ist bei einer Gatespannung = 0
gesperrt. Durch Anlegen einer Gatespannung wird die Anzahl der Ladungsträger
größer ( „Anreicherung“); die Leitfähigkeit steigt. Beim n-Kanal-FET erfolgt die
Anreicherung bei Anlegen einer positiven Gatespannung ; beim p-Kanal-FET
erfolgt die Anreicherung durch Anlegen einer negativen Gatespannung.
Ausgewählte Grundlagen der Elektrotechnik Prof. Dr. Tatjana Lange 51
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Vorteile des Feldeffekttransistors:


• sehr hoher Eingangswiderstand (1012 - 1016 Ω)
• leistungslose Steuerung (defacto kein Steuerstrom)
• Unipolarbauelement -> kein Mitwirken relativ langsamer
Minoritätsladungsträger bei Umschaltvorgängen - hohe
Schaltgeschwindigkeit
• Unempfindlichkeit gegen thermische Schwankungen ->
höhere Stabilität (beim FET sinkt die Leitfähigkeit mit
wachsender Temperatur, beim Bipolartransistor wächst die
Leitfähigkeit bei steigender Temperatur)

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Schaltsymbole MOSFET
Schaltsymbole
und
undKennlinien
Kennlinien selbstsperrend selbstleitend
Anreicherungstyp Verarmungstyp
SFET Enhancement Type Depletion Type
n p n p n p

D D D D D D
G S G S G S G S G S G S

ID -ID ID -ID ID -ID

UGS UGS UGS UGS UGS UGS


-UP UP UP -UP -UP UP

Für n-Kanal-FET gilt: FET leitend, wenn UGS> UP.


UP - Schwellspanung
Für p-Kanal-FET gilt: FET leitend, wenn UGS< UP.
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ØFeldeffekttransistor als elektronischer Schalter


Ersatzschaltbild
n-Kanal-FET
+12 V +12 V
selbstsperrend

D n
G
S
U1=10 V U2≈ 0 V D
G S
+12 V +12 V ID

D
G UGS
S
U1=0 V U2= 12 V UP

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Schalttransistor - spezielle Transistoren mit guten Schalteigenschaften

In Verstärkerschaltungen kommt es insbesondere auf eine hohe


Linearität der Ausgangskennlinie an, die das Verhältnis zwischen
Eingangssignal und Ausgangssignal beschreibt.

Bei elektronischen Schaltern kommt es insbesondere auf kleine


Schaltzeiten und auf die Belastbarkeit des Ausgangs an.

Grundsätzlich können sowohl Bipolartransistoren als auch FET als


Schalttransistoren ausgelegt sein.

Besonders gut eignet sich jedoch der FET als Schalttransistor mit
grundsätzlich kleineren Schaltzeiten und höheren Belastbarkeit
gegenüber dem Bipolartransistor.

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ØLeiterplatten

• unterste Ebene bzw. Träger für elektronische Aufbauten


• besteht aus glasfaserverstärkten Polymeren (z.B. Epoxidharz)
• Verbindungen zwischen den Bauelementen sind durch
Leiterbahnen realisiert, die per Kupferbeschichtung auf den
polymeren Träger aufgebracht werden
• unterschiedlichste Bauformen in Einlagen-/ Zweilagen und
Mehrlagenverdrahtung
• Strukturierung der Metallisierung auf der Leiterplatte erfolgt auf
Basis des rechnergestützten Schaltungsentwurfs (CAD)

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3. Digitale
3. Digitale elektronische
elektronische Schaltungen
Schaltungen

Inhalt:

• Schaltalgebra

• Logische Gatter - die Grundelemente


digitaler Schaltungen

• Kombinatorische logische Schaltungen

• Sequentielle logische Schaltungen

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Schaltalgebra
Ein Schalter kennt nur 2 Zustände: EIN und AUS
Alle Situationen müssen auf Kombinationen von Schaltern abgebildet werden.

Alarm- Alarm- Wahrheitstabelle


Beispiel: Tür Fenster
anlage glocke
Alarmanlage x1 x2 x3 y x1 x2 x3 y
AUS ZU ZU AUS 0 0 0 0
Fenster AUS ZU AUF AUS 0 0 1 0
AUS AUF ZU AUS 0 1 0 0
Tür AUF
AUS AUF AUS 0 1 1 0
x1 EIN ZU ZU AUS 1 0 0 0
x2 y EIN ZU AUF EIN 1 0 1 1
x3 EIN AUF ZU EIN 1 1 0 1
EIN AUF AUF EIN 1 1 1 1

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Logische
LogischeVerknüpfung:
Verknüpfung:
Alarmglocke EIN = Alarmanlage EIN UND
•Tür ZU UND Fenster OFFEN
ODER
•Tür OFFEN UND Fenster ZU
ODER
•Fenster OFFEN UND Tür OFFEN
22logische
logischeFunktionen:
Funktionen:
x1
UND x1 x2 ODER x2
y y
x1 x2 y x1 x2 y
0 0 0 0 0 0
0 1 0 x1 ∧ x2 = y 0 1 1 x1 ∨ x2 = y x 1
1 0 0 bzw. x1 & 1 0 1 bzw. 1
y
x2 y x2
1 1 1 x ⋅x = y 1 1 1 x +x = y
1 2 1 2

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Alarmglocke EIN = Alarmanlage EIN UND
•Tür ZU UND Fenster OFFEN
ODER
•Tür OFFEN UND Fenster ZU
ODER
•Fenster OFFEN UND Tür OFFEN
Alarmglocke: y Ein y =1 AUS y =0
Alarmanlage: x1 Ein x1 =1 AUS x1 =0 bzw. x1 =1
Vereinbarung:
Tür: x2 AUF x2 =1 ZU x2 =0 bzw. x2 =1
Fenster: x3 AUF x3 =1 ZU x3 =0 bzw. x3 =1

Logische Verknüpfung in formaler 3. logische Funktion:


Schreibweise: NEGATION
x y
y = x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 ) 0 1 y=x x y
1 0
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Logische
LogischeSchaltung
Schaltung y = x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 )

x1 & y

x2 &
x3
1 Frage:
&
Muß es so aufwendig sein
oder geht es auch einfacher ?

&
Schaltungsminimierung

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Rechenregeln
Rechenregelnder
derSchaltalgebra
Schaltalgebra(Boole‘sche
(Boole‘scheAlgebra):
Algebra):

Theoreme:
0⋅ x = 0 x⋅ x = x !!! 0+ x = x x+ x = x !!!
x=x
1⋅ x = x x⋅x = 0 1+ x = 1 x + x = 1

Gesetze:
x1 ⋅ x2 = x2 ⋅ x1 x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = x1 ⋅ ( x2 ⋅ x3 ) = ( x1 ⋅ x2 ) ⋅ x3
x1 + x2 = x2 + x1 x1 + x2 + x3 = x1 + ( x2 + x3 ) = ( x1 + x2 ) + x3

x1 ⋅ ( x2 + x3 ) = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 x1 + x1 ⋅ x2 = x1 x1 ⋅ ( x1 + x2 ) = x1 x2
x1 + ( x2 ⋅ x3 ) = ( x1 + x2 ) ⋅ ( x1 + x3 ) x1 ⋅ (x1 + x2 ) = x1 x1 + x1 ⋅ x2 = x1 + x2

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Theorem von x1 ⋅ x2 = x1 + x2 Weitere logische Funktionen


de Morgan x1 + x2 = x1 ⋅ x2 NAND
Vorrangregel, falls keine x1 x2 y
x1 ⋅ x2 = y
Klammern gesetzt sind: 0 0 1
1. Negation 0 1 1 x1 &
2. Konjunktion (UND) 1 0 1 x2 y
3. Disjunktion (ODER) 1 1 0
entweder
oder
NOR
Beliebige
Beliebigelogische
logischeZusammenhänge
Zusammenhänge x1 x2 y
können
könnenmit
mit x1 + x2 = y
UND 0 0 1
UND(AND)
(AND)sowie
sowieNEGATION
NEGATION 0 1 0
oder
oder x1 1
1 0 0 x2 y
ODER
ODER(OR)(OR)sowie
sowieNEGATION
NEGATION 1 1 0
ausgedrückt
ausgedrücktwerden
werden!!!
!!!
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Minimierung
Minimierungunter
unterAnwendung
Anwendungder
derRechenregeln
Rechenregeln
y = x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 ) = Rechenregeln
x+x = x

= x1 ⋅ (x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 ) =
x1 ⋅ ( x2 + x3 ) = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3

= x1 ⋅ (x3 ⋅ ( x2 + x2 ) + x2 ⋅ (x3 + x3 )) =
x + x = 1 und 1 ⋅ x = x
= x1 ⋅ (x3 + x2 )

Realisierung: x1 & y
x2 1
x3
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Minimierung
Minimierungunter
unterAnwendung
Anwendungdes
desKarnaugh-Diagramms
Karnaugh-Diagramms
Wahrheitstabelle
Schritt 1: x1 x2 x3 y
Ausfüllen des Karnaugh-
Diagramms auf Basis der x2 x2 x2 x2 0 0 0 0
Wahrheitstabelle 0 0 1 0
x1 1 1 1 0
0 1 0 0
x1 0 0 0 0
Schritte 2: 0 1 1 0
Kürzung durch paarweise x3 x3 x3 x3 1 0 0 0
Zusammenfassung benachbarter 1 0 1 1
Felder mit logischer EINS. Dabei
entfällt diejenige Variable, die in 1 1 0 1
den benachbarten Feldern sowohl y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 = 1 1 1 1
direkt als auch negiert auftaucht. = x1 ⋅ ( x2 + x3 )

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Realisierung
Realisierungnur
nurmit NAND::
mitNAND

y = y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x3 = Anwendung der x1 ⋅ x2 = x1 + x2
Morgan‘schen Regel
= x1 ⋅ x 2 ⋅ x1 ⋅ x3 x1 + x2 = x1 ⋅ x2

x1 &
x2 & y
&
x3

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Logische Gatter - die Grundelemente digitaler Schaltungen

MOSFET-Realisierungen +UCC
NEGATION G
S
T1
x y D
0 1 y=x x y D
1 0 ux uy T2
S
G

ux T1 T2 uy
L leitend gesperrt H 0 - tiefes Potential - L
H gesperrt leitend L 1 - hohes Potential - H

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Schaltungsanalyse: zur Erinnerung


+UCC
n p
G S
D T1 p-Kanal D D
US (T1) G S G S
D
ux=UG G S uy T2 n-Kanal ID -ID
US (T2)

Es gilt: UGS = UG - US UGS UGS


UP -UP
Für den p-Kanal-FET (T1) in der Schaltung gilt: US=UCC=12V
Wenn UG = 0 V, dann UGS = -12V ð T1 leitend
ux T1 T2 uy
Wenn UG = 12 V, dann UGS = 0 V ð T1 gesperrt
Für den n-Kanal-FET (T2) in der Schaltung gilt: US=0 V L leitend gesperrt H
Wenn UG = 0 V, dann UGS = UG = 0 V ð T2 gesperrt
H gesperrt leitend L
Wenn UG = 12 V, dann UGS = UG = 12 V ð T2 leitend

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NAND
x1 x2 y
x1 ⋅ x2 = y +UCC
0 0 1 T12 T11
0 1 1 x1 & y S
1 0 1 x2
1 1 0 D
uy
D
ux1 T21
S

ux2 T22

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Schaltungsanalyse: n p
+UCC
D D
T12 T11 G S G S
S
D ID -ID
uy
D
ux1 T21
S
UGS UGS
T22 UP -UP
ux2

ux1 ux2 T11 T12 T21 T22 uy

?
Bitte Tabelle ausfüllen !
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NOR
x1 x2 y
x1 + x2 = y +UCC
0 0 1
0 1 0 x1 1 ux1 S
1 0 0 x2 y T11
D
1 1 0
ux2
T12
uy
D
S
T21 T22

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Schaltungsanalyse: n p
+UCC
D D
ux1 S
T11 G S G S
D
ux2 ID -ID
T12
uy
D
UGS UGS
S UP -UP
T21 T22
ux1 ux2 T11 T12 T21 T12 uy

?
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Logische
LogischeGrundfunktionen
Grundfunktionen(Gesamtübersicht
(Gesamtübersichtfür
für22Variable)
Variable)
16 mögliche Kombinationen zwischen Eingangswerten und Ausgangswerten

x1 1 0 1 0 x1 1 0 1 0
x2 1 1 0 0 x2 1 1 0 0 16 logische Funktionen
0 0 0 0 1 0 0 0
0 0 0 1 1 0 0 1
0 0 1 0 1 0 1 0
y 0 0 1 1 y 1 0 1 1 Nicht jede Funktion ist
0 1 0 0 1 1 0 0 technisch sinnvoll.
0 1 0 1 1 1 0 1
0 1 1 0 1 1 1 0
0 1 1 1 1 1 1 1

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x1 1 0 1 0 Schalt- TTL- Gatter


x2 1 1 0 0 zeichen Reihe pro
Chip
0 0 0 0 y≡0 Nullfunktion
x1
0 0 0 1 y = x1 + x2 NOR x2
1 y 7402 4
0 0 1 0 y = x1 ⋅ x2 Inhibition
0 0 1 1 y = x2 Negation
y
0 1 0 0 y = x1 ⋅ x2 Inhibition
0 1 0 1 y = x1 Negation x1 1 y 7404 6
0 1 1 0 y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x2 XOR x1
x2
=1 y 7486 4
0 1 1 1 y = x1 ⋅ x2 NAND
x1
x2
& y 7400 4

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Schalt- TTL- Gatter
x1 1 0 1 0 zeichen Reihe pro
x2 1 1 0 0 Chip
x1
1 0 0 0 y = x1 ⋅ x2 AND x2
& y 7408 4
1 0 0 1 y = x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x2 XNOR
1 0 1 0 y = x1 Identität
1 0 1 1 y = x1 + x2 Implikation
y
1 1 0 0 y = x2 Identität
1 1 0 1 y = x1 + x2 Implikation
1 1 1 0 y = x1 + x2 OR x1
x2
1 y 7486 4
1 1 1 1 y ≡1 Einsfunktion
Hinweis: Die IC sind auch mit 3, 4 und 8 Eingängen verfügbar.

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Kombinatorische logische Schaltungen

Speicherfreie digitale Schaltungen, die auf der Basis der logischen


Gatter realisiert sind, bezeichnet man als kombinatorische
Schaltungen.

Beispiel: Multiplexer

D1
D2 y y
D3
D4 D1 D2 D3 D4 D1 D2 D3 D4
t

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y Steuerleitungen
D1 D2 D3 D4
D1 D2 D3 D4 D1 D2 D3 D4 Datenleitungen
t &
T1
t
T2
t &
1
y = D1 T1T2 + D2 T1T2 + D3 T1T2 + D4 T1T2
& y
T1
1

T2 &
1

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y
Beispiel: Demultiplexer D1 D2 D3 D4 D1 D2 D3 D4
t
D1
D1
y D2 D1 D1
D3 D2 t
D4 D2 D2
D3 t
System mit 1 Eingang D3 D3
und 4 Ausgängen t
D4
D1 = yT1T2 D4 D4

D2 = y T1T2
T1
D3 = yT1T2 tt
D4 = yT1T2 T2
78
t
Ausgewählte Grundlagen der Elektrotechnik Prof. Dr. Tatjana Lange
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Schaltungstechnische
SchaltungstechnischeRealisierung
Realisierung Steuerleitungen
y Datenleitung
&
D1
D1
y D2
D3 &
D2
D4

&
T1 D3
1

T2 &
1 D4

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Sequentielle logische Schaltungen (Flip-Flop, Zähler, Register)

Digitale Schaltungen, die neben logischen Gatter auch elementare


Speicherbausteine enthalten, bezeichnet man als sequentielle
Schaltungen.

• Als elementarer Speicherbaustein wird vorwiegend das Flipflop


(oder Trigger) eingesetzt.
• Sequentielle Schaltungen wie Teiler, Zähler und Register sind
wichtige Grundbausteine der Rechentechnik.

Flipflop (FF): Die wichtigsten Flip-Flop sind:


RS-FF ð Basis-FF, Automatenbaustein
• speichert 1 Bit in Form von
JK-FF ð Grundbaustein für Zähler
2 Schaltzuständen (0 oder 1) D-FF ð Grundbaustein für Register
bzw. schnelle Speicher

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S - Set (Setzen)
RS-Flipflop
RS-Flipflop R - Reset (Zurücksetzen)
Schaltungssymbol
S 10 11 &
011 0
Q S Q

1001 R
& Q
R 1110 Q

S S R Q Q
t
R 0 1 1 0
t 1 0 0 1
Q
t 1 1 keine Änderung
Q 0 0 verbotene Eingangsbelegung
t
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JK-Flipflop
JK-Flipflop Clear

JK-FF sind getaktete Flipflop. Sie besitzen neben den J Q


• Ausgängen Q und Q C
• einen Takteingang C (Clock) K Q
• zwei Informationseingänge J und K
Preset
• zwei Stelleingänge Clear und Preset
Clear = 0 setzt Q = 0
(1) (2) (3) (4) Preset = 0 setzt Q = 1

C
t (1) J=K=1: FF arbeitet als Teiler
J (2) J=K=0: FF bleibt im alten Zustand,
t d.h. Takt ist wirkungslos
K (3) J=0 und K=1: nächster Takt stellt
t Q=0; danach ist Takt wirkungslos
Q (4) J=1 und K=0: nächster stellt Q=1;
t danach ist Takt wirkungslos

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D-Flipflop
D-Flipflop
Clear

D-FF sind getaktete Flipflop. Sie besitzen neben den D Q


• Ausgängen Q und Q C
• einen Takteingang C (Clock) Q
• einen Informationseingang D
Preset
• zwei Stelleingänge Clear und Preset
Clear = 0 setzt Q = 0
Preset = 0 setzt Q = 1

C Mit jeder positiven Taktflanke


t übernimmt Q die am D-Eingang
D anliegende Information.
t
Q D-FF sind Bausteine von Registern
bzw. schnellen Speichern.
t
Ausgewählte Grundlagen der Elektrotechnik Prof. Dr. Tatjana Lange 83
Fachhochschule Merseburg, FB Elektrotechnik

Na,
Einstein

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