LABORATORIO 1 MALDONADO OJOPI MARCO ARIEL

CIRCUITOS LOGICOS CON DIODOS Y TRANSISTORES

1. Investigue las características de la tecnología TTL para la fabricación de compuertas

lógicas.

Los transistores bipolares pueden trabajar como interruptores o conmutadores dependiendo

de cómo se polarice sus junturas, recordemos que estos transistores tienen dos junturas, la
juntura emisor base (J EB) y la juntura colector base (J cb) esta juntura siempre se polariza en
inversa.

Normalmente la tensión de polarización es de 5V. Supongamos por ejemplo un transistor

NPN en emisor común, si la base (B) está a un potencial positivo mayor de 0.6 a 0.7V(nivel
alto) respecto del emisor (E) (juntura de entrada J EB polarizada en directa), el transistor
conduce y puede llegar a saturación, por esto se dice que el transistor actúa como interruptor
cerrado (0 lógico aproximadamente0.3V). Cuando la base está a un potencial positivo
menor de 0.6 a 0.7V (nivel bajo) respecto de E (juntura de entrada JEB polarizada en inversa),
el transistor no conduce y está en corte, por esto se dice que el transistor actúa como
interruptor abierto (1 lógico aproximadamente 5V). Este comportamiento del transistor se
muestra en la siguiente figura y la analogía correspondiente a un interruptor.

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2. Investigue las características de la tecnología CMOS para la fabricación de

compuertas lógicas.

Los transistores MOSFET de canal N o P, idealmente funcionan como interruptores abiertos

y cerrados dependiendo de la entrada de control, de los transistores MOSFET se tiene dos
tipos: los de inducción y deplexión, de estos el mas utilizado en la tecnología digital es el
MOSFET de inducción de canal N y P, cuyos símbolos y la representación como
conmutadores en función del valor lógico de la entrada de control se representa en la
siguiente figura, los MOSFET de inducción no tienen canal físico.

MOSFET canal N
Al aplicar una tensión de control en la compuerta del dispositivo, cuyo sentido y
polaridad es: positivo (1 lógico) induce canal en los MOSFET N (continuidad entre
D y S).
Al aplicar una tensión de control en la compuerta del dispositivo, cuyo sentido o
polaridad es: negativo (0 lógico) no induce canal en los MOSFET N (discontinuidad
entre D y S)

MOSFET canal P
Al aplicar una tensión de control en la compuerta del dispositivo, cuyo sentido y
polaridad es: positivo (1 lógico) no induce canal en los MOSFET P (discontinuidad
entre D y S).
Al aplicar una tensión de control en la compuerta del dispositivo, cuyo sentido o
polaridad es: negativo (0 lógico) induce canal en los MOSFET P (continuidad entre
D y S)

En las familias lógicas CMOS se utiliza pares complementarios, es decir que los operadores
se implementan utilizando simultáneamente MOSFET de canal N y canal P con sus entradas
de control (terminal de compuerta G) interconectados como un único elemento de control.

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3. Defina el concepto de fan-in y fan-out para compuertas lógicas.

Fan-in.- Capacidad de una compuerta de permitir o absorber corriente de otras

compuertas
Fan-out.- Capacidad de entregar corriente de la compuerta

4. Diseñar una compuerta NOT polarizando adecuadamente un transistor.

Para el siguiente diseño se utilizara:

Transistor NPN BC548 con un beta entre 110 y 800
resistencia Rc =1 kΩ
tensión de alimentación Vcc = 5V.

Primeramente hallamos la corriente de saturación del transistor:

En saturación se tiene que VCE = 0V, entonces:

𝑉𝐶𝐶 5𝑉
𝐼𝐶 𝑆𝐴𝑇 = = = 5𝑚𝐴
𝑅𝐶 1𝐾𝛺

IC SAT = 5Ma

Sabiendo que Ic = βIB

𝐼𝐵 = 𝐼𝐶
𝛽

El peor caso sería tener el beta igual a 110, obteniendo así una de colector pequeña.
Entonces:

𝐼𝐶 5𝑚𝐴
𝐼𝐵 = =
𝛽 110

𝐼𝐵 = 0.045 𝑚𝐴

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Realizando un analisis en la entrada tenemos:

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + .07𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵

𝑅𝐵 = 95.56 𝑘Ω

Normalizando la Resistencia de bae tenemos:

𝑅𝐵 = 82 𝑘Ω
Con este valor se tiene:

𝐼𝐵 = 0.052 𝑚𝐴

𝐼𝐶 𝑚𝑖𝑛 = 5.72 𝑚𝐴

Con lo que aseguramos que el transistor esta en la zona de saturacion.

Por lo tanto a la salida tenemos Vo = 0.3V o lo que es igual 0 LOGICO.
Para poner en corte al transistor solo basta poner la entrada a tierra con lo que se cumple:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶

Por lo tanto a la salida tenemos Vo = 5V o lo que es igual a 0 LOGICO.

SIMULACION EN PROTEUS

5. Diseñar una compuerta OR polarizando adecuadamente dos diodos.

Para el siguiente diseño se utilizara:

2 diodos de silicio 1N4007
resistencia R =1 kΩ
tensión de alimentación Vcc = 5V.

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Haciendo un análisis al circuito propuesto tenemos:

Si VA = 0V y VB = 0 entonces Vo = 0V (0 lógico)
Si VA = 0V y VB = 5 entonces Vo = 4.3V (1 lógico)
Si VA = 5V y VB = 0 entonces Vo = 4.3V (1 lógico)
Si VA = 5V y VB = 5 entonces Vo = 4.3V (1 lógico)

Como se puede observar los resultados son equivalentes al de la compuerta OR

A B A+B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

SIMULACIÓN EN PROTEUS

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6. Diseñar una compuerta AND polarizando adecuadamente dos diodos.

Para el siguiente diseño se utilizara:

2 diodos de silicio 1N4007
resistencia R =1 kΩ
tensión de alimentación Vcc = 5V.

Haciendo un análisis al circuito propuesto tenemos:

Si VA = 0V y VB = 0 entonces Vo = 0,7V (0 lógico)
Si VA = 0V y VB = 5 entonces Vo = 0,7V (0 lógico)
Si VA = 5V y VB = 0 entonces Vo = 0,7V (0 lógico)
Si VA = 5V y VB = 5 entonces Vo = 5V (1 lógico)
Como se puede observar los resultados son equivalentes al de la compuerta AND

A B AB
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

SIMULACIÓN EN PROTEUS

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7. Realice la tabla de verdad del siguiente circuito

Aplicando los conceptos de los operadores OR, AND y NOT tenemos:

A B C A (B+C) A*(B+C)
0 0 0 1 0 0
0 0 1 1 1 1
0 1 0 1 1 1
0 1 1 1 1 1
1 0 0 0 0 0
1 0 1 0 1 0
1 1 0 0 1 0
1 1 1 0 1 0

SIMULACIÓN EN PROTEUS

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8. Diseñar un circuito para controlar el sentido de giro de un motor de corriente continua.

El motor debe girar en sentido derecho cuando se presiona el switch A y en sentido
izquierdo cuando se presiona el switch B

SIMULACIÓN EN PROTEUS

9. Diseñar una compuerta OR – EX, utilizando solo diodos y transistors

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Tabla de verdad de la compuerta EX – OR

A B A x B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

10. Diseñar una compuerta AND con tecnología CMOS

Interconectamos los transistores de canal P en paralelo(fuente con fuente y drenador con

drenador) y los transistores de canal N en una estructura toten pole (uno sobre otro)
interconectados ambas estructuras por las compuertas tal como se indica en la figura, se
obtiene un operador NAND de dos entrada, para incrementar el número de entradas, se
debe agregar de manera similar un par de transistores en la misma topología del circuito.

Para cambiar de NAND a AND se necesita un negador

Normalmente se conectan por el drenador y la compuerta dos transistores MOSFET uno
de canal N y el otro de canal P, la fuente de tensión VDD se aplica al terminal de fuente del
transistor e canal P y la fuente del transistor de canal N a la referencia tal como se muestra
en la figura

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SIMULACIÓN EN PROTEUS

11. Diseñar una compuerta OR con tecnología CMOS

Interconectamos los transistores de canal P en una estructura tótem pole (uno sobre el otro)
y los transistores de canal N en paralelo (fuente con fuente y drenador con drenador)
interconectadas ambas estructuras por las compuertas tal como se indica en la figura, se
obtiene un operador NOR de dos entradas, para incrementar el número de entradas se debe
agregar de manera similar un par de transistores en la misma topología del circuito.

Para cambiar de NOR a OR se necesita negar.

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