Silizium-PIN-Fotodiode SFH 206 K

Silicon PIN Photodiode

Area not flat 0.6x0.5

6.9 0.4x0.3
Radiant sensitive area
6.3
0.8 1.8 Cathode
0.8
0.4

1.2
2.54 mm
spacing

5.1
4.7

4.0 4.1
3.7
34
32 GEO06647

feo06647
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm 400 nm to 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● 5 mm LED plastic package
● Auch gegurtet lieferbar ● Also available on tape

Anwendungen Applications
● Computer-Blitzlichtgeräte ● Computer-controlled flashes
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb ● Industrial electronics
● Industrieelektronik ● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
SFH 206 K Q62702-P129

Semiconductor Group 1 1999-02-04

 SFH 206 K

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom TS 230 °C
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung VR 32 V
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 150 mW
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V S 80 (≥ 50) nA/Ix
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 400 ... 1100 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 7.00 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen L×B 2.65 × 2.65 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 1.2 ... 1.4 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ± 60 Grad
Half angle deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V IR 2 (≤ 30) nA
Dark current

Semiconductor Group 2 1999-02-04

 SFH 206 K

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Sλ 0.62 A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm η 0.90 Electrons
Quantum yield Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix VO 365 (≥ 310) mV
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix ISC 80 µA
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf 20 ns
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 VF 1.3 V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C0 72 pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO TCV – 2.6 mV/K
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC TCI 0.18 %/K
Temperature coefficient of ISC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP 4.2 × 10– 14 W
Noise equivalent power √Hz
VR = 10 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm D* 6.3 × 1012 cm · √Hz
Detection limit W

Semiconductor Group 3 1999-02-04

 SFH 206 K

Relative spectral sensitivity Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Total power dissipation

Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev) Ptot = f (TA)
OHF00078 OHF00394
100 160
mW
S rel % Ptot
140
80
120

100
60

80

40
60

40
20
20

0 0
400 500 600 700 800 900 nm 1100 0 20 40 60 80 ˚C 100
λ TA

Dark current Capacitance Dark current

IR = f (VR), E = 0 C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
OHF00082
10 3
Ι R nA

10 2

10 1

10 0

10 -1
0 20 40 60 80 ˚C 100
TA

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

40 30 20 10 0 OHF01402
ϕ
1.0

50
0.8

60
0.6

70 0.4

80 0.2

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 4 1999-02-04