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Mikroelektronik

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und
der Mikrotechnik. Die Mikroelektronik beschäftigt sich mit dem Entwurf, der Entwicklung und der
Herstellung von miniaturisierten, elektronischen Schaltungen, heute vor allem integrierten
Schaltungen. Diese auf Halbleitern basierenden Schaltungen nutzen viele elektronische
Bauelemente, wie sie auch in normalen elektronischen Schaltungen verwendet werden,
beispielsweise Transistoren, Kondensatoren, Dioden und Widerstände.
In der Geschichte der integrierten Mikroelektronik haben sich
verschiedene Schaltkreisfamilien (TTL, CMOS etc.) herausgebildet, die sich hinsichtlich der
eingesetzten Funktionsprinzipien (zum
Beispiel bipolare und unipolare Bauelemente/Transistoren) und den damit verbundenen
schaltungstechnischen Eigenschaften (Leistungsbedarf, Schaltgeschwindigkeit etc.)
unterscheiden. Durch neue Entwurfs- und Fertigungsverfahren haben Anwender heute die
Möglichkeit, neben Standardschaltkreisen (Mikrocontroller, Speicherbausteine etc.) auch
spezielle anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASIC) rentabel fertigen zu lassen und
einzusetzen

Merkmale der Mikroelektronik[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]


Mikroelektronische Schaltungen zeichnen sich gegenüber konventionellen
elektronischen Schaltungen durch zwei Hauptmerkmale aus: die Integration
und die Miniaturisierung.
Unter Integration versteht man das Zusammenfassen aller Bauelemente
(Transistoren, aber auch Widerstände, Kondensatoren und
andere Halbleiterbauelemente) und Verdrahtungen zu einer elektronischen
Schaltung auf einem gemeinsamen Substrat. Bei mikroelektronischen
Schaltungen werden diese zusätzlich in einem gemeinsamen
Arbeitsprozess gefertigt.
Unter Miniaturisierung versteht man in diesem Zusammenhang, dass die
einzelnen Bauelemente (und damit die Schaltung als Ganzes) kontinuierlich
verkleinert werden. So lagen die Abmessungen für das wichtigste
Bauelement, den Transistor, in der Anfangszeit noch bei über
zehn Mikrometer. Dem entgegen stehen die Abmessungen von
Transistoren (physikalische Gate-Länge) heutzutage von unter 30 nm (2017
ca. 30–24 nm für Intels bzw. Samsungs 14-nm-FinFET-Technik[1]). Durch
diese Miniaturisierung lassen sich integrierte Schaltungen mit mehr als
einer Milliarde Transistoren[2] auf einem Siliziumstück mit einer Kantenlänge
von wenigen (typisch < 10) Millimetern realisieren. Darüber hinaus erlaubt
der geringere Abstand zwischen den Bauelementen, die Schaltungen bei
höheren Taktfrequenzen zu betreiben und trotz höherer Rechenleistung die
benötigte elektrische Leistung nur geringfügig zu steigern.
Vor der Erfindung der integrierten Schaltungen gab es ebenfalls schon
intensive Miniaturisierungsbestrebungen. Schaltungen mit
voluminösen Elektronenröhren wurden durch die Entwicklung
von Batterieröhren so weit verkleinert, dass beispielsweise tragbare
Funkgeräte möglich wurden. Die Einführung der Transistoren brachte einen
weiteren Miniaturisierungsschritt, mit Dickschichtschaltungen als kleinster
Ausführung vor den integrierten Schaltungen.

Folgen der Miniaturisierung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]


Die Miniaturisierung von integrierten Schaltkreisen hat neben der
Kostensenkung für gleichwertige Produkte noch weitere Auswirkungen.
Kleinere Transistoren ermöglichen höhere Schaltfrequenzen. Zusammen
mit kürzeren Leiterbahnen führt dies zu verkürzten Signallaufzeiten. Durch
diesen Effekt werden mit der Verkleinerung der Strukturen immer
schnellere und damit meist auch leistungsfähigere Schaltungen möglich.
Allerdings gibt es auch gegenläufige Effekte. Wie im vorherigen Abschnitt
beschrieben, verringern sich mit der Miniaturisierung auch die
Schichtdicken in der Metallisierung (Leitbahnen und Zwischenisolationen).
Die verkürzten Abstände zwischen den Leiterbahnen führen zu höheren
Koppelkapazitäten, die als Laufzeitbremse wirken (vgl. RC-Glied).
Einen positiven Effekt hat die Schichtverkleinerung der Gate-
Isolationsschicht. Die Transistoren können bei verringerter Spannung
betrieben werden und weisen somit eine verringerte Verlustleistung auf (die
Verlustleistung pro Fläche steigt jedoch → schlechtere Wärmeabfuhr). Des
Weiteren bedeutet eine höhere Systemintegration (mehr Funktionen auf
einem Chip) weniger Bauelemente auf einer Leiterplatte und damit erhöhte
Zuverlässigkeit durch weniger Lötverbindungen. Ohne Verkleinerung und
Integration wäre batteriebetriebene, mobile Elektronik nicht denkbar, wie sie
heute allgegenwärtig ist: Mobiltelefon, Notebook, PDA etc.
Geschichte, Entwicklung und Personen der
Mikroelektronik[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Vorgeschichte[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]
Die Mikroelektronik wird häufig mit der Computer- bzw. Rechnertechnik in
Verbindung gebracht oder sogar gleichgesetzt, vor allem die hohe
Verbreitung von integrierten Schaltungen in Form von Prozessoren und
Mikrocontrollern in nahezu allen Bereichen des heutigen Lebens hat hierzu
beigetragen. Elektronische Rechenmaschinen gab es jedoch schon einige
Jahrzehnte vor den ersten Transistoren oder Integrierten Schaltungen.
Die ersten elektromechanisch arbeitenden Computer –
beispielsweise Colossus oder Mark I – entstandenen im Zweiten
Weltkrieg Anfang der 1940er Jahre (vgl. Geschichte der Computer). Der
1946 in Betrieb genommene Großrechner ENIAC (Electronic Numerical
Integrator and Calculator) war der erste universell einsetzbare rein
elektronische Rechner. Diese ersten Rechenmaschinen sind jedoch weder
hinsichtlich der Rechenleistung noch der Größe mit heutigen
Personalcomputern vergleichbar.
Was für heutige mikroelektronische Schaltungen der Transistor ist, war für
den rund 27 Tonnen schweren ENIAC die Elektronenröhre welcher aus
17.468 Elektronenröhren bestand und zu den Röhrencomputern zählt. Die
Grundlagen zur Elektronenröhre geht auf die Entdeckung
der Glühemission (1883) von Thomas A. Edison zurück (vgl. Geschichte
der Elektronenröhre). Die erste Elektronenröhre, eine Röhrendiode, wurde
1904 von John Ambrose Fleming entwickelt und 1906 von Lee De
Forest modifiziert. Forest ergänzte die Röhrendiode um eine dritte
Elektrode und schuf damit die Triodenröhre, das Pendant der
Röhrenelektronik zum Transistor.
Als Alternative zu den Digitalrechnern gab es bis in die 1970er
Jahre Analog- und Hybridrechner, die bevorzugt zur Berechnung
von Differentialgleichungen eingesetzt wurden. Beispielsweise arbeitete
der Rockefeller Differential Analyzer mit Tausenden von Elektronenröhren
und elektrischen Relais und war bis zum Ende des Zweiten Weltkriegs die
leistungsfähigste Rechenmaschine.
Der Verwendung einer großen Zahl von Elektronenröhren in komplexen
Geräten standen einige Nachteile dieser Bauteile entgegen.
Elektronenröhren waren relativ fehleranfällig, benötigten eine Aufwärmzeit
und wiesen recht hohe Verlustleistungen auf. Zu den wichtigsten
Verbesserungszielen der Entwickler nach der Inbetriebnahme der ersten
elektronischen Rechenmaschinen zählten daher eine erhöhte
Zuverlässigkeit und die Verringerung der Herstellungskosten.
Auch die Miniaturisierung war bereits ein wichtiges Thema, die ersten
Rechenmaschinen füllten immerhin ganze Räume aus. Elektronenröhren
gelten jedoch als kaum miniaturisierbar. Dennoch gab es bereits intensive
Miniaturisierungsbestrebungen sowohl beim Aufbau der Gesamtschaltung
als auch bei den Röhren selbst. Schaltungen mit voluminösen
Elektronenröhren wurden durch die Entwicklung von Batterieröhren so weit
verkleinert, dass beispielsweise tragbare Funkgeräte möglich wurden. Die
Einführung der Transistoren brachte einen weiteren Miniaturisierungsschritt,
mit Dickschichtschaltungen als kleinster Ausführung vor den integrierten
Schaltungen.
Eine frühe Form des Arbeitsspeichers von Computern war
der Kernspeicher, bei dem viele auf Drähte aufgefädelte hartmagnetische
Ringe verwendet wurden, die per Stromstoß ummagnetisiert und
ausgelesen werden konnten.

Integrierte Schaltkreise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]


Siehe auch: Geschichte der integrierten Schaltkreise
Siehe auch: Geschichte der Mikroprozessoren
Den letzten Schritt zur Mikroelektronik stellte der Übergang von
Schaltungen aus diskreten Halbleiterbauelementen auf einer Leiterplatte
hin zu integrierten Schaltkreisen (ICs) dar. Unter integrierten Schaltkreisen
versteht man allgemein Schaltungen aus Halbleiterbauelementen
(hauptsächlich Transistoren) inklusive der Verdrahtung auf einem Substrat,
auch als monolithischer Schaltkreis bezeichnet. Dieses Konzept wurde
Ende der 1950er Jahre unabhängig voneinander von Jack Kilby[19][20],
Angestellter von Texas Instruments, und Robert Noyce[21],
Gründungsmitglied von Fairchild Semiconductor, erfunden und zum Patent
angemeldet. Kilbys Patent aus dem Jahre 1959 zeigte erstmals eine
Schaltung aus verschiedenen Komponenten (Transistoren und
Widerständen) auf einem einzigen Substrat (aus Germanium). Aus dieser
Arbeit heraus entstand das berühmte Kilby-Patent[19][20] (vom japanischen
Patentamt und durch das Obergericht (OG) Tokio wegen fehlender
erfinderischer Tätigkeit zurückgewiesen.[22]). Um dieses Patent wurde rund
zehn Jahre vor Gericht gestritten, da Robert N. Noyce einen sehr ähnlichen
Schritt erdacht hatte, diesen allerdings später zum Patent anmeldete.[21]
Anders als bei Kilby, der eine Verdrahtung auf dem Substrat nur erdachte,
basierte Noyce’ Patent auf den Ideen und Erkenntnissen
des Planarverfahrens, das zur gleichen Zeit durch Jean Hoerni (ebenfalls
Fairchild Semiconductor) entwickelt wurde. Für die Herstellung wurden
bereits fotolithografische Verfahren und Diffusionsprozesse genutzt,
die Fairchild Semiconductor kurz zuvor für die Herstellung des ersten
modernen Diffusions-Bipolartransistors entwickelt hatte.[23][24][25] Unter
anderem die technische Machbarkeit einer solchen Verdrahtung
revolutionierte die Herstellung von elektronischen Schaltungen. In Folge
verstärkten viele Firmen ihre Forschung und Entwicklung in diesem Bereich
und es setzte eine enorme Miniaturisierung ein.
1961 wurde der erste kommerziell erhältliche integrierte Schaltkreis
vorgestellt. Er war ein Flipflop der Firma Fairchild Semiconductors, wurde in
Planartechnologie hergestellt und bestand aus vier Bipolartransistoren und
fünf Widerständen.[26][27] Die bipolaren Transistoren wurden rasch
durch Feldeffekttransistoren (FETs) ersetzt, meist in der Form von leichter
herstellbaren MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Das
Funktionsprinzip der MOSFETs war zwar schon einige Jahrzehnte bekannt,
die Herstellung erster funktionstüchtiger Exemplare gelang jedoch erst
1960 durch Martin M. Atalla und Dawon
Kahng (vgl. Oberflächenpassivierung im Artikel Thermische Oxidation von
Silizium). Weitere wichtige Entwicklungen in den 1960er Jahren waren
die CMOS-Technik (Frank Wanlass, 1963[28][29]) und erste DRAM-
Speicherzelle durch Robert H. Dennard (Thomas J. Watson Research
Center/IBM, 1967[30], siehe DRAM).
Die Komplexität der Schaltungen nahm rasch zu und 1970/71 wurden
nahezu gleichzeitig die ersten Mikroprozessoren von drei Firmen
vorgestellt: der Intel 4004, der Texas Instruments (TI) TMS 1000 und
der Garrett AiResearch „Central Air Data Computer“ (CADC). Zu dieser Zeit
wurden Schaltungen mit Transistordichten mit einigen tausend
Bauelementen auf einem Chip realisiert. Diese Entwicklungsstufe wird
als Großintegration (englisch: Large Scale Integration, LSI) bezeichnet.
Aufgrund der rasanten Entwicklung der Mikroelektronik waren 1979
Transistordichten erreicht, die ein Vielfaches größer (rund zwei
Größenordnungen) waren als bei LSI-Schaltungen. Diese Stufe der ICs
wird als Größtintegration (englisch: Very Large Scale Integration, VLSI)
bezeichnet. Dieser Trend hat sich bis heute (2009) im Wesentlichen
erhalten (vgl. Mooresches Gesetz), so dass heute über eine Milliarde
Transistoren mit Taktfrequenzen von mehreren Gigahertz möglich sind. Die
Größe des Einzelbauteils liegt dabei weit unter einem Quadratmikrometer.
Zunehmend werden auch ganze Systeme (Kombination mehrerer
Baugruppen, wie Prozessoren, Schnittstellenschaltungen und Speichern)
auf einem einzelnen Chip realisiert (englisch: System-on-a-Chip, SoC).

In diesem Artikel oder Abschnitt fehlen noch folgende wichtige


Informationen:
* Entwicklung der Mikroelektronik zwischen 1980 und 2010


1. Fotolithographie
2. Planarisierung
3. Materialien
4. Entwicklungssoftware (Routing, Simulation usw.)
5. Transistordesign
6. Größere Substrate, Verbesserung der bestehenden
Beschichtungsanlagen
 Informationen zu anderen Bauelementen als nur ICs
(Speicherbausteine allgemein (inkl. SRAM, DRAM, Flash), Sensoren
usw.)
 Informationen zu Anwendungsbereichen und wie sie sich dieser über
die Jahre verändert haben.
Hilf der Wikipedia, indem du sie recherchierst und einfügst.

Zukünftige Entwicklungen[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]


Unterschreiten die Strukturgrößen die 100-Nanometer-Grenze (2008 sind
sie bereits bei 45 nm bzw. 2009 bei 40 nm), so spricht man formal bereits
von Nanoelektronik bzw. Nanotechnologie (Definition der US-Regierung).
Im engeren Sinne ist jedoch eher gemeint, dass besondere
Materialeigenschaften genutzt werden, die erst auftreten, wenn sich die
Strukturabmessungen in der Nähe der Molekül- bzw.
der Atomgröße bewegen. Zu solchen Strukturen zählen zum Beispiel
Leitungsbahnen oder Transistoren aus Kohlenstoffnanoröhren oder
Isolationen aus Self Assembling Monolayern.
Neue Bauelemente werden mit Resonanztunneldioden aufgebaut.
Integrierte Optoelektronik: Angesichts zunehmender Signallaufzeiten
insbesondere in langen Verbindungsleitungen (globale Interconnects)
großer „System-on-a-Chips“ wird darüber nachgedacht, diese elektrischen
Leitungen durch optische Verbindungen zu ersetzen.
Organische Elektronik: Um kostengünstige „Wegwerfelektronik“ (zum
Beispiel elektronische Preisetiketten) zu realisieren, werden Schaltungen
auf der Basis organischer und metallischer Materialien auf organischen
Substraten in Dünnschichttechnik aufgebracht (siehe Organischer
Feldeffekttransistor).
Interessante Perspektiven ergeben sich auch daraus, dass aufgrund der
fortschreitenden Skalierung die kleinsten in der Mikroelektronik
realisierbaren Strukturen in die Größenordnung von biologischen
Molekülen vordringen. Zurzeit ist eine Konvergenz von Biotechnologie und
Mikroelektronik und die Ausbildung einer neuen Fachwissenschaft zu
beobachten, die vielfach als Bioelektronik bezeichnet und an erster Stelle
die Entwicklung neuartiger Biosensoren betreffen wird.[3

Bauelemente der Mikroelektronik wurden ursprünglich für die


Anforderungen der Raumfahrt nach kleinen und leichten Bauteilen
entwickelt. Sie sind heute in einer Vielzahl technischer Geräte und
Einrichtungen zu finden:
 In Computern sind essenzielle Bestandteile als mikroelektronische
integrierte Schaltkreise ausgeführt: die zentrale Recheneinheit genauso
wie der Arbeitsspeicher und eine Vielzahl
unterstützender Controller und Schnittstellen-Bausteine.
 In der industriellen Fertigung finden sich mikroelektronische Bauteile
auch zum Beispiel in den Maschinensteuerungen.
 In Geräten der Unterhaltungselektronik übernehmen integrierte
Schaltungen neben der gesamten Steuerung der Geräte auch die
Dekodierung komprimierter Filme beim DVD-Abspielgerät oder die
Ansteuerung der einzelnen Bildpunkte eines Flachbildschirms.
 In allen Arten von Fahrzeugen wird die Mikroelektronik eingesetzt, unter
anderem zur Motorsteuerung oder dazu, im richtigen Moment
Sicherheitsfunktionen, wie Airbags, auszulösen. Für diesen Bereich
müssen die mikroelektronischen Bausteine erhöhte Qualitätskriterien
erfüllen, zum Beispiel den automotiven Temperaturbereich
(englisch automotive temperature range).
 Moderne Kommunikationstechnik ist ebenfalls ohne Mikroelektronik
nicht mehr denkbar, das gilt sowohl für die klassische Telefonie, als
auch für die Datenkommunikation und den Mobilfunk.
An dieser Stelle kann nur eine exemplarische Auswahl genannt werden –
es gibt sowohl in den genannten Gebieten eine Vielzahl weiterer
Anwendungen als auch eine Reihe hier nicht genannter
Anwendungsgebiete, wie Medizintechnik, Gebäudetechnik und vieles mehr.