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SFH 309

SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor SFH 309


Silicon NPN Phototransistor SFH 309 FA

feo06653
Area not flat
5.2
0.8
0.4

4.5
4.1 0.6
0.7
0.4

3.9 0.4
2.54 mm
spacing

ø3.1
ø2.9

4.0
1.8 (3.5) 3.6
1.2
Collector (Transistor) 29 6.3 Chip position
Cathode (Diode) 27 5.9
GEO06653

feof6653
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale Features


● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 380 nm bis 1180 nm 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) 880 nm (SFH 309 FA)
● Hohe Linearität ● High linearity
● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● 3 mm LED plastic package
● Gruppiert lieferbar ● Available in groups

Anwendungen Applications
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb ● Industrial electronics
● Industrieelektronik ● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”

Semiconductor Group 1 1999-02-04


SFH 309
SFH 309 FA

Typ Bestellnummer Typ (*vorher) Bestellnummer


Type Ordering Code Type (*formerly) Ordering Codes
SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA Q62702-P941
(*SFH 309 F)
SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2 Q62702-P174
(*SFH 309 F-2)
SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3 Q62702-P176
(*SFH 309 F-3)
SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4 Q62702-P178
(*SFH 309 F-4)
SFH 309-61) Q62702-P1000 SFH 309 FA-5 Q62702-P180
(*SFH 309 F-51))
1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung TS 260 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung TS 300 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung VCE 35 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom IC 15 mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs ICS 75 mA
Collector surge current

Semiconductor Group 2 1999-02-04


SFH 309
SFH 309 FA

Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 165 mW
Total power dissipation
Wärmewiderstand RthJA 450 K/W
Thermal resistance

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)


Characteristics
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
SFH 309 SFH 309 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 860 900 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A 0.2 0.2 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche L×B 0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm
Dimensions of chip area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ± 12 ± 12 Grad
Half angle deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 5.0 5.0 pF
Capacitance
Dunkelstrom ICEO 1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA
Dark current
VCE = 25 V, E = 0

Semiconductor Group 3 1999-02-04


SFH 309
SFH 309 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung Symbol Wert Einheit


Description Symbol Value Unit
-2 -3 -4 -5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE 0.4 ... 0.8 0.63 ... 1. 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 mA
SFH 309: 25
Ev = 1000 Ix, Normlicht/ IPCE 1.5 4.5 7.2 mA
standard light A, VCE = 5 V 2.8
Anstiegszeit/Abfallzeit tr, tf 5 6 7 8 µs
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter- VCEsat 200 200 200 200 mV
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe


1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

Semiconductor Group 4 1999-02-04


SFH 309
SFH 309 FA

Relative spectral sensitivity, Relative spectral sensitivity, Photocurrent


SFH 309 Srel = f (λ) SFH 309 FA Srel = f (λ) IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
OHF01121
100
S rel %

80

60

40

20

0
400 600 800 1000 nm 1200
λ

Total power dissipation Photocurrent Dark current


Ptot = f (TA) IPCE = f (VCE), Ee = Parameter ICEO = f (VCE), E = 0
OHF01527
10 1
nA
Ι CEO

10 0

10 -1

10 -2

10 -3
0 5 10 15 20 25 30 V 35
V CE

Dark current Capacitance Photocurrent


ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 CCE= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
OHF01530 OHF01528
10 3 5.0 1.6
OHF01524
Ι PCE
nA
Ι CEO C CE pF Ι PCE 25
1.4
4.0
10 2 1.2
3.5
1.0
3.0

10 1 2.5 0.8

2.0
0.6
1.5
10 0 0.4
1.0
0.2
0.5
0 0
10 -1 -25 0 25 50 75 C 100
-25 0 25 50 75 ˚C 100 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2
TA V CE TA

Semiconductor Group 5 1999-02-04

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