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SFH 309 FA
feo06653
Area not flat
5.2
0.8
0.4
4.5
4.1 0.6
0.7
0.4
3.9 0.4
2.54 mm
spacing
ø3.1
ø2.9
4.0
1.8 (3.5) 3.6
1.2
Collector (Transistor) 29 6.3 Chip position
Cathode (Diode) 27 5.9
GEO06653
feof6653
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Anwendungen Applications
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb ● Industrial electronics
● Industrieelektronik ● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung TS 260 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung TS 300 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung VCE 35 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom IC 15 mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs ICS 75 mA
Collector surge current
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung Symbol Wert Einheit
Description Symbol Value Unit
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 165 mW
Total power dissipation
Wärmewiderstand RthJA 450 K/W
Thermal resistance
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
80
60
40
20
0
400 600 800 1000 nm 1200
λ
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
0 5 10 15 20 25 30 V 35
V CE
10 1 2.5 0.8
2.0
0.6
1.5
10 0 0.4
1.0
0.2
0.5
0 0
10 -1 -25 0 25 50 75 C 100
-25 0 25 50 75 ˚C 100 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2
TA V CE TA