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Infineon TT60N DS v03 04 EN-1289303
Infineon TT60N DS v03 04 EN-1289303
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT60N16SOF
Key Parameters
VDRM / VRRM 1600 V
ITAVM 55 A (TC=85 °C)
ITSM 1500 A
3570A (TC=55°C)
VT0 1,0 V
rT 4,8 mΩ
RthJC 0,47 K/W
Base plate 20 mm
Weight 75 g
Merkmale Features
Löt-Löt Technologie Solder-Solder Technology
Industrie-Standard-Gehäuse Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate
Mechanische Eigenschaften
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 °C
1 2 3 1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4 6 7 5 4
TT TT...B01 TD
Date of Publication 2017-08-23 Revision: 3.4 Seite/page: 4/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT60N16SOF
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
n max
–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC R thn 1 - e n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
ΔZth Θ rec
0,07162 0,11062 0,13897 0,18235 0,26258
[K/W]
ΔZth Θ sin
0,05176 0,06900 0,09086 0,12877 0,21324
[K/W]
0,50
0,40
Z(th)JC [K/W]
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001 0,01 t [s]0,1 1 10
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
100
10 c
b
vG [V]
a
Tvj = -40 C
Tvj = +25C
1
+125C
Tvj max =
0,1
10 100 iG [mA] 1000 10000
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
DC
PTAV [W]
180 rec
100 180 sin
120 rec
90 rec
60 rec
Q = 30 rec
50
0
0 25 50 75 100
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140
120
100
T C [°C]
80
60
180 sin
40
QQ= =30
30rec
rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec DC
20
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
ITAVM [A]
RthCA [K/W] B2 ID
+
R-Last
R-load
750 0,05 ~
0,10 L-Last
0,15 L-load
0,20
-
0,25
0,30
500
0,40
0,60
0,80
1,00 1,00
250
1,00
2,00
2,00
0
10 30 50 70 90 110 0 50 100 150
T A [°C] I D [A]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
1000
R thCA [K/W] B6 ID
P tot [W]
+
0,15
0,20 0,12 3~
0,12
750 0,25 0,10
0,30 -
0,40
0,50
0,60
500
0,80
1,00
,
1,50
250 2,00
0
10 30 50 70 90 110 0 50 100 150 200
T A [°C] ID [A]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
~
IRMS
0,15
0,12
300 0,20 0,10
0,25 0,08 ~
0,30
0,40
0,50
200
0,60
0,80
1,00
100
2,00
0
10 30 50 70 90 110 0 50 100 150
TA [°C] I RMS [A]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
1500
W 3C
R thCA [K/W] ~ ~ ~
P tot [W]
IRMS
~ ~ ~
0,12
0,10
1000 0,15
0,20 0,08
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
500 0,80
1,00
2,00
0
10 30 50 70 90 110 0 50 100 150
T A [°C] I RMS [A]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
500A
200A
100A
50A
20A
100
10
1 10 -di/dt [A/µs] 100
750
a
IT(OV)M [A]
TA = 35 C
500
250
b TA = 45C
0
0,01 0,1 1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
Nutzungsbedingungen
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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please contact the sales office, which is responsible for you.
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Authorized Distributor
Infineon:
TD60N16SOFHPSA1 TT60N16SOFHPSA1 TT60N16SOFB01HPSA1