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1

Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14


Kapitel 6
Bipolartransistor
LS Intelligente Mikrosysteme:
2
23. Dez. 1947 Bell Labs
William Shockley, Walter Brattain und J ohn Bardeen
erfinden den Bipolartransistor (BJ T)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
3
RLZ 1
E
B
U
BE
I
B
I
E
n p
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
4
RLZ 1
RLZ 2
E
B
C
U
BE
U
CE
I
B
I
C
I
E
w
n n p
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
5
Bipolartransistor
NPN bzw. PNP Struktur: Zwei Raumladungszonen eng
benachbart in einem HL Kristall
Im folgenden nur NPN:
Emitter Basis Kollektor
RLZ 1 RLZ 2
N P N
E
I C
I
B
I
T
I
a
b
d
e
f
c
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
6
Strme durch RLZ 1:
Injektion von Lchern aus der Basis in den Emitter. Mglichst
klein, da kein Beitrag zu I
T
a
Injektionsstrom von Elektronen aus Emitter in die Basis.
Nutzstrom sollte mglichst vollstndig (ohne Rekombination in
der Basis) in den Kollektor gelangen
b
Rekombinationsstrom in der Basis; verringert Nutzstrom I
T
c
Generations Rekombinationsstrom in RLZ 1 (vernachlssigbar) d
Strme durch RLZ 1:
Generations Rekombinationsstrom in RLZ 2 f
Transfer Strom, vom Kollektor abgesaugter Teil von e b
c
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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Offensichtlich gilt:
Strme sind proportional zueinander, insbesondere:
und
Zur Steuerung von I
C
kann also I
E
oder I
B
verwendet werden
(Basisschaltung / Emitterschaltung)
Bei Steuerung durch I
E
(Basisschaltung)
Bei Steuerung durch I
B
(Emitterschaltung)
Umrechnung:
B C E
I I I + =
E C
I I ~
E B
I I ~
E N C
I A I = mit A
N
<1 (z.B. 0,99)
Stromverstrkung in Basisschaltung
B N C
I B I =
mit B
N
>>1 (z.B. 100)
Stromverstrkung in Emitterschaltung
N
N
E N E
E N
C E
C
B
C
N
A
A
I A I
I A
I I
I
I
I
B

=


=

= =
1
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
8
Emitterwirkungsgrad
eff D,
N
eff A,
N
E
S
P
S
N
S
n p n
P N
N
E
N
N
S S
S
S
S
+
= =
eff A
N
U
U
A
i
N
N
N
N
D
e
N
n
L
D
q S
T
,
2
~ 1
|
|
.
|

\
|
=
eff D
P
U
U
D
i
P
P
P
N
D
e
N
n
L
D
q S
T
,
2
~ 1
|
|
.
|

\
|
=
Transferstrom
(erwnscht)
Basissstrom
(unerwnscht)
Emitterwirkungsgrad
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
9
N
eff A
eff D
P
N
D
N
N
D
,
,
1
1
+
=
Emitter (N
D
) muss hher dotiert werden als Basis (N
A
)
Basistransportfaktor:
Basis niedrig dotieren und dnn machen
( )
( )
nB
B
N
T
N
RLZ EB I
RLZ CB I

+
=

=
1
1
mit : Basislaufzeit =
: Lebensdauer in Basis
B

B n,

CT
B
I
Q
N N N
A =
n
n
p
E
C
B
w
B
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
10
Schaltzeichen (Symbol):
E E
C C
B B
PNP NPN
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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p-Substrat
n
+
p
+
p
+
n-Epi
n
+
p
E B C
1. p-Substrat
2. Belegung fr die vergrabene Schicht
3. Aufwachsen der n-dotierten Epitaxie-Schicht
4. gleichzeitig Ausdiffusion der vergrabenen Schicht (buried layer)
5. Diffusion der p-Basiszone
6. Diffusion der n+-Emitterzone
7. Trenndiffusion: p+-Taschen zur lateralen Isolation
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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p-Substrat
n
+
SiO
2
n-Epi
n
+
p
E B
C
Bipolartransistor in OXIS-Technologie
SiO
2
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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p-Substrat
n
+
p
+
p
+
n-Epi
p
B
p
E
p
C
n
+
Lateraler Bipolartransistor (Kollektor umschliet Emitter ringfrmig)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
14
EBERS MOLL - Ersatzschaltbild
E
I
E
I
CT
I
C
I
B
I
EN
C
B
U
BE
Normalbetrieb Inversbetrieb
|
|
.
|

\
|
= 1
T
BE
U
U
ES EN
e I I
EN N
U
U
CES CT
I A e I I
T
BE
=
|
|
.
|

\
|
= 1
|
|
.
|

\
|
= 1
T
BC
U
U
CS CI
e I I
CI I
U
U
ECS ET
I A e I I
T
BC
=
|
|
.
|

\
|
= 1
I
ET
I
CI
U
BC
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
15
Durch berlagerung folgt:
|
|
.
|

\
|
= 1
T
BE
U
U
ES E
e I I
|
|
.
|

\
|
1
T
BC
U
U
ECS
e I
|
|
.
|

\
|
= 1
T
BE
U
U
CES C
e I I
|
|
.
|

\
|
1
T
BC
U
U
CS
e I
C E B
I I I =
ES
CES
N
I
I
A =
CS
ECS
I
I
I
A =
mit Stromverstrkung der Basisschaltung im Normalbetrieb
Stromverstrkung der Basisschaltung im Inversbetrieb
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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Aktiv, normal U
BC
<0 U
BE
>0 leitet sperrt
Aktiv, invers U
BC
>0 U
BE
<0 sperrt leitet
Sttigung U
BC
>0 U
BE
>0 leitet leitet
Sperrbetrieb U
BC
<0 U
BE
<0 sperrt sperrt
Betriebszustnde des NPN - Transistors
BE - Diode CB - Diode
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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Transistor - Grundschaltungen
Basisschaltung Emitterschaltung Kollektor
R
E
klein mittel gro
R
A
gro mittel klein
f
g
hoch mittel mittel
v
u
hoch hoch <1
v
i
<1 hoch hoch
v
p
mittel sehr hoch mittel
BE
U
BC
U
BE
U
CE
U
CE
U
BC
U
E
I
C
I
B
I
E
I
B
I
C
I
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
18
I
C

/

m
A
U
B
E

/

m
V
I
B

/

A
I
B

/

A
U
C
E

/

V
I
B

/

A
U
C
E

/

V
U
C
E

/

V
1
0
0
5
0
5
0
0
2
0
0
2
0
0
4
0
0
6
0
0
8
0
0
1
0
2
0
3
0
5
0
1
0
0
1
5
0
2
0
0
2
5
0
3
0
0
3
5
0
4
0
0
4
5
0
5
0
0
5
0
0
1
0
0
2
5
0
5
1
5
5
1
5
P
V

=

3
0
0
m
W
A
A

Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:


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Kennlinienfelder der Emitterschaltung
1. Ausgangskennlinienfeld:
( ) . , const I U f I
B CE C
= =
I
C
U
CB
=0
U
CE
I
CE0
I
CB0
Sttigung
Durchbruch
I
B
=0
I
E
=0
aktiver Bereich
P
V,max
I
C
U
CE
I
B
I
B
U
BE
=0
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
20
1.1 Aktiver Bereich:
Early Effekt: mit zunehmendem verringert sich die Basisweite
und steigt an
1.2 Sttigungsbereich:
1.3 Durchbruchbereich:
Kollektor verliert bei seine Absaugwirkung. Kennlinien knicken
unterhalb der sog. Kollektor Emitter Restspannung ab.
Multiplikation der Ladungstrger des Transferstroms und des
Reststroms der CB Diode Lawinendurchbruch. Bei hheren
Strmen setzt Durchbruch frher ein.
0 , 0 >> >>
CB CE
U U
const U I I B I
CE CE B N C
= +
0
bei
0
CB
U
|
|
.
|

\
|
+ = =
= =
CES
C
T
U
BE
U
CE Sat CE
I
I
U U U U
CB CB
1 ln
0 0
,
C
I
CE
U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
21
2. Steuerkennlinie: ( ) . , const U I f I
CE B C
= =
U
CE
I
B
I
C
I
B
U
CE
Aktiver Bereich:
Im wesentlichen:
Wegen Stromabhngigkeit von ergibt sich leicht S frmiger Verlauf.
Wegen Basisweiten Modulation leichter Anstieg von
bei zunehmendem
Sat CE CE
U U
,
>
0 CE B N C
I I B I + =
I
CE0
C
I
N
B
CE
U
I
C
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
22
3. Eingangskennlinie: ( ) . , const U I f U
CE B BE
= =
U
CE
U
BE
I
B
U
BE
I
B
U
CE
-I
CBS
CBS
U
U
EBS B
I e I I
T
BE

|
|
.
|

\
|
= 1
Diodenkennlinie der BE Diode
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
23
4. Rckwirkungskennlinie: ( ) . ; const I U f U
B CE BE
= =
U
BE
U
CE
I
B
U
CE
I
B
U
BE
Rckwirkung:
Fr einen konstanten Basisstrom muss bei hherer CE Spannung
auch hhere BE Spannung angelegt werden (Early Effekt)
E
const I
CE
BE
B
dU
dU

1
=
=

E
: innere Verstrkung
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
24
Kleinsignal - Ersatzschaltungen
Konzept: Trennung von Arbeitspunkt und Kleinsignalaussteuerung
ermglicht lineares Ersatzschaltbild
hier: Beschrnkung auf Emitterschaltung
I
C
U
BE
U
CE
I
B
I
B
=const
I
B
=const
U
CE
=const
U
CE
=const

C
I

B
I

BE
U

CE
U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
25
Arbeitspunkt ist gegeben durch:
berlagert wird Kleinsignalaussteuerung
Linearisierung im Arbeitspunkt:
- ersetze tatschliche Kennlinie durch Tangente im Arbeitspunkt

CE BE C B
U U I I , , ,

<<
BE BE
U u

<<
CE CE
U u

<<
B B
I i

<<
C C
I i
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
26
. 0
1
tan
const I
CE
C
i
CE
C
B B
dU
dI
u
i
= =
= =
. 0
4
tan
const I
CE
BE
i
CE
BE
B B
dU
dU
u
u
= =
= =
heit Ausgangsleitwert bei offenem Eingang
. 0
3
tan
const U
B
BE
u
B
BE
CE CE
dI
dU
i
u
= =
= =
heit Eingangswiderstand bei kurzgeschlossenem Ausgang
. 0
2
tan
const U
B
C
u
B
C
CE CE
dI
dI
i
i
= =
= =
heit Stromverstrkung bei kurzgeschlossenem Ausgang
heit Spannungsrckwirkung bei offenem Eingang
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
27
Vierpoldarstellung mit Hybridparametern
Emitterschaltung
i
1
=i
B
u
1
=u
BE
i
2
=i
C
u
2
=u
CE
2 , 12 1 , 11 1
u h i h u
e e
+ =
2 , 22 1 , 21 2
u h i h i
e e
+ = und
in Matrixschreibweise:
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
CE
B
C
BE
u
i
h h
h h
i
u
u
i
h h
h h
i
u
22 21
12 11
2
1
22 21
12 11
2
1
Daneben noch gebruchlich: Leitwertparam. (Y-Pos.)
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
2
1
22 21
12 11
2
1
u
u
y y
y y
i
i
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
28
Hybridparameter ESB der Emitterschaltung
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
CE
B
C
BE
u
i
h h
h h
i
u
22 21
12 11 I
II
E E
B C
CE 12
u h
BE
u
B 21
i h
11
h
C
i
22
h CE
u
i
B
CE e B e BE
u h i h u + =
, 12 , 11 CE e B e C
u h i h i + =
, 22 , 21
I II
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
29
T N
C
T
B
U
U
EBS
T BE
B
U B
I
U
I
e I
U dU
dI
T
BE

= =

1

= =
C
T
N
B
T
e
I
U
B
I
U
h
, 11
Eingangswiderstand

= =
= = =
CE CE CE
U U
B
BE
u
B
BE
e
dI
dU
i
u
h
3
0
, 11
tan
T
BE
T
BE
U
U
EBS CBS
U
U
EBS B
e I I e I I
|
|
.
|

\
|
= 1
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
30

= =
= = =
B B B
I I
CE
BE
i
CE
BE
e
dU
dU
u
u
h
4
0
, 12
tan
E CE
BE
dU
dU

1
=
(
E
: innere Verstrkung)
E
e
h

1
, 12
=
Spannungsrckwirkung
(meist vernachlssigbar)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
31

= =
= = =
CE CE CE
U U
B
C
u
B
C
e
dI
dI
i
i
h
2
0
, 21
tan
0 CE N B C
I B I I + =
= =
N
B
C
B
dI
dI
=
e
h
, 21
Stromverstrkung
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
32

= =
= = =
B B B
I I
CE
C
i
CE
C
e
dU
dI
u
i
h
1
0
, 22
tan
E T
C
CE
BE
BE
C
CE
C
U
I
dU
dU
dU
dI
dU
dI

1
= =

E T
C
e
U
I
h

1
, 22
=

Ausgangsleitwert
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
33
Zahlenbeispiel: typischer Kleinsignaltransistor
mV U
T
26 =
mA I
C
1 =

2000 =
E

100 =
N
B
= = = =

k
mA
mV
B
I
U
I
U
h
N
C
T
B
T
e
6 , 2 100
1
26
, 11
0 0005 , 0
2000
1 1
, 12
= = =
E
e
h

100
, 21
= =
N e
B h

= = =

k mV
mA
U
I
h
E T
C
e
52
1
2000
1
26
1 1
, 22

Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:


34
i
1
=i
B
u
1
=u
BE
i
2
=i
C
u
2
=u
CE
Vierpoldarstellung in Leitwertform (Y Parameter)
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
CE
BE
C
B
u
u
y y
y y
i
i
22 21
12 11
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+
+
=
|
|
.
|

\
|
CE
BE
CB CE CB
CB CB BE
C
B
u
u
G G G S
G G G
i
i
BE
u
C
i
B
i
CE
G
BE
G
CE
u
CB
G
BE
u S
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
35
BE
u
C
i
B
i
CE
G
BE
G
CE
u
CB
G
BE
u S
mit:
T
B
N T
C
BE
U
I
B U
I
G

=

=
m
T
C
g
U
I
S = =

E T
B
BE
E
CB
U
I
G G

1 1
= =

E T
C
CE
U
I
G

=

Eingangsleitwert
bertragungsleitwert,
Steilheit
Ausgangsleitwert
Rckwirkungsleitwert
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
36
Basisweitenmodulation (Early Effekt)
Mit steigender Sperrspannung der CB Diode nimmt die Basisweite ab.
Strom im Kollektorkreis steigt
C
I
A
U -
CE
U
CE e
A CE
C
U U
CE
C
g h
U U
I
dU
dI
CE CE
= =
+
=

=

, 22

C
I
1

CE
U
1

Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:


37
Modifikation der Stromgleichung:
( )
|
|
.
|

\
|
+
+ + =
A CE
CE
CE B N C
U U
U
I I B I 1
0
|
|
.
|

\
|
+
A
CE
B N C
U
U
I B I 1
wegen U
A
>>U
CE
Definiere innere Verstrkung
E
E CE
BE
dU
dU

1
=
U
A
und
E
hngen zusammen:
T
C
E BE
C
CE
BE
CE
C
U
I
dU
dI
dU
dU
dU
dI
*
1
= =

A
C
CE
C
U
I
dU
dI

bzw.
T E A
U U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
38
Kapazitten des Bipolartransistors
a) Sperrschichtkapazitten: C
Sp,E
der BE Diode und C
Sp,C
der CB - Diode
b) Diffusionskapazitten: C
D,E
der BE Diode und C
D,C
der CB Diode
Aktivbetrieb, normal
BE Diode in Flussrichtung: C
D,E
>>C
Sp,E
CB Diode in Sperrrichtung: C
Sp,C
>>C
D,C
Betrachtung der Diffusionskapazitt C
D,E
:
Basis
w
B
Emitter Kollektor
n n p
Q
n
n
p,E
: Basisquerschnitt
: El.-Geschwindigkeit in Basis
: El.-Ladung in Basis
: El.-Laufzeit in Basis
A
n
v
n
Q
0
T

Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:


39
B
E p
n p n
n E p
w
n
D q n grad D q
v n q S
,
,
2
1
= = =
=
Diffusionsstrom
B
n
n
w
D
v
2
=
n
B
n
B
T
D
w
v
w
2
2
0
= =
mittlere Geschwindigkeit der Elektronen in Basis
Laufzeit in der Basis, Transitzeit
In Basis wird Ladung Q
n
gespeichert:
0 0
!
,
2
1
T
U
U
CES T C B E p n
T
BE
e I I A w n q Q = = =
Diffusionskapazitt:
0 0
, T T
T
C
BE
n
E D
S
U
I
dU
dQ
C = = =

Steilheit * Transitzeit
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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BE
u
CE
G
BE
G
CE
u
CB
G
BE
u S
HF Ersatzschaltbild (Giacoletto)
E D,
C
C Sp,
C
C
Gehuse
B
BE
u'
B
R
B C
E
R
B
: Basis Bahnwiderstand ( u
BE
u
BE
)
C
Geh.
: Zuleitungskapazitt, Gehusekapazitt
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Grenzfrequenzen
Reaktanzen, Basislaufzeit Stromverstrkung fllt mit steigender Frequenz
E D BE BE B
BE
BE
C
B
C
C j G
S
Y
S
dI
dU
dU
dI
dI
dI
,

+
= = = =

j
G
C
j
BE
E D
+
=
+
=
1
1
0
,
0
: - Grenzfrequenz (-3dB fr )

0
, T
BE
E D
BE
S
G
C
G

= =
T
T
j j

+
=
+
=
0 0
1
1
1
1
0
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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: Transitfrequenz, Transitgrenzfrequenz
T

( )
T
@ 0dB =
2
,
2 1
0
B
N
E D T
T
w
D
C
S
= = =

: Stromverstrkung in Basisschaltung

j j +
=
+ +
=
+
=
1 1
1
0
0
0
( )
0
1

+ =
log
0

( )
( )
-20dB/ Dek.


1
0
0

=
T
(log)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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Thermische Belastung und Stabilitt
Hauptquelle der Verlustleistung: CB Diode
bertemperatur
C CE zu v
I U P
,
zu v j
P T
,
~
TH zu v j
R P T T =
, 0
: Umgebungstemperatur
: Sperrschichttemperatur
: Elektrische Verlustleistung
: Thermischer Widerstand
0
T
j
T
zu v
P
,
TH
R
El. Ersatzschaltbild:
v,zu
P
j
T
0
T
0 j
T T
TH
R
Mit steigender Temperatur T
j
verndern
sich die Transistorparameter
P
v
steigt an
T
i
e T n
const.
3 2
~ ~ Strme

K 6 alle ng Verdoppelu : Si
K 10 alle ng Verdoppelu : Ge
Zunahme
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Trans.
in
Schaltung
Temperatur -
verhalten
d. Trans.
elektrisch -
thermische
Kopplung
Trans.
als
Wrmequelle
Khlung
P
v,ab
P
v,zu
T
j
Leistung
Betr. -
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Anordnung ist stabil, wenn gilt:
j
ab v
j
zu v
dT
dP
dT
dP
, ,
<
TH j
ab v
R dT
dP
1
,
=
( )
j
CE
C
j
C
CE C CE
j j
zu v
dT
dU
I
dT
dI
U I U
dT
d
dT
dP
+ = =
,
ist abhngig von der einbettenden Schaltung
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typisches Beispiel: Verstrkerstufe
Verlustleistung im Transistor:
thermisch stabil, falls:
C
I
B
U
CE
U
C
R
( )
2
, C C C B C C B C C CE zu v
I R I U I R U I I U P = = =
( ) 0
1
, ,
< < =
TH j
C
C
zu v zu v
R dT
dI
dI
dP
dT
dP
0 >
j
C
dT
dI
0
,
<
C
zu v
dI
dP
wegen muss werden!
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
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0
!
2
,
< =
C C B
C
zu v
I R U
dI
dP
>
B C C
U I R
2
1
B CE
U U <
2
1
Prinzip der halben Versorgungsspannung
Auch: thermische Stabilisierung durch Gegenkopplung
C
I
B
U
BE
u
E
R
E
u
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