Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
=
=
= =
1
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
8
Emitterwirkungsgrad
eff D,
N
eff A,
N
E
S
P
S
N
S
n p n
P N
N
E
N
N
S S
S
S
S
+
= =
eff A
N
U
U
A
i
N
N
N
N
D
e
N
n
L
D
q S
T
,
2
~ 1
|
|
.
|
\
|
=
eff D
P
U
U
D
i
P
P
P
N
D
e
N
n
L
D
q S
T
,
2
~ 1
|
|
.
|
\
|
=
Transferstrom
(erwnscht)
Basissstrom
(unerwnscht)
Emitterwirkungsgrad
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
9
N
eff A
eff D
P
N
D
N
N
D
,
,
1
1
+
=
Emitter (N
D
) muss hher dotiert werden als Basis (N
A
)
Basistransportfaktor:
Basis niedrig dotieren und dnn machen
( )
( )
nB
B
N
T
N
RLZ EB I
RLZ CB I
+
=
=
1
1
mit : Basislaufzeit =
: Lebensdauer in Basis
B
B n,
CT
B
I
Q
N N N
A =
n
n
p
E
C
B
w
B
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
10
Schaltzeichen (Symbol):
E E
C C
B B
PNP NPN
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
11
p-Substrat
n
+
p
+
p
+
n-Epi
n
+
p
E B C
1. p-Substrat
2. Belegung fr die vergrabene Schicht
3. Aufwachsen der n-dotierten Epitaxie-Schicht
4. gleichzeitig Ausdiffusion der vergrabenen Schicht (buried layer)
5. Diffusion der p-Basiszone
6. Diffusion der n+-Emitterzone
7. Trenndiffusion: p+-Taschen zur lateralen Isolation
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
12
p-Substrat
n
+
SiO
2
n-Epi
n
+
p
E B
C
Bipolartransistor in OXIS-Technologie
SiO
2
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
13
p-Substrat
n
+
p
+
p
+
n-Epi
p
B
p
E
p
C
n
+
Lateraler Bipolartransistor (Kollektor umschliet Emitter ringfrmig)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
14
EBERS MOLL - Ersatzschaltbild
E
I
E
I
CT
I
C
I
B
I
EN
C
B
U
BE
Normalbetrieb Inversbetrieb
|
|
.
|
\
|
= 1
T
BE
U
U
ES EN
e I I
EN N
U
U
CES CT
I A e I I
T
BE
=
|
|
.
|
\
|
= 1
|
|
.
|
\
|
= 1
T
BC
U
U
CS CI
e I I
CI I
U
U
ECS ET
I A e I I
T
BC
=
|
|
.
|
\
|
= 1
I
ET
I
CI
U
BC
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
15
Durch berlagerung folgt:
|
|
.
|
\
|
= 1
T
BE
U
U
ES E
e I I
|
|
.
|
\
|
1
T
BC
U
U
ECS
e I
|
|
.
|
\
|
= 1
T
BE
U
U
CES C
e I I
|
|
.
|
\
|
1
T
BC
U
U
CS
e I
C E B
I I I =
ES
CES
N
I
I
A =
CS
ECS
I
I
I
A =
mit Stromverstrkung der Basisschaltung im Normalbetrieb
Stromverstrkung der Basisschaltung im Inversbetrieb
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
16
Aktiv, normal U
BC
<0 U
BE
>0 leitet sperrt
Aktiv, invers U
BC
>0 U
BE
<0 sperrt leitet
Sttigung U
BC
>0 U
BE
>0 leitet leitet
Sperrbetrieb U
BC
<0 U
BE
<0 sperrt sperrt
Betriebszustnde des NPN - Transistors
BE - Diode CB - Diode
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
17
Transistor - Grundschaltungen
Basisschaltung Emitterschaltung Kollektor
R
E
klein mittel gro
R
A
gro mittel klein
f
g
hoch mittel mittel
v
u
hoch hoch <1
v
i
<1 hoch hoch
v
p
mittel sehr hoch mittel
BE
U
BC
U
BE
U
CE
U
CE
U
BC
U
E
I
C
I
B
I
E
I
B
I
C
I
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
18
I
C
/
m
A
U
B
E
/
m
V
I
B
/
A
I
B
/
A
U
C
E
/
V
I
B
/
A
U
C
E
/
V
U
C
E
/
V
1
0
0
5
0
5
0
0
2
0
0
2
0
0
4
0
0
6
0
0
8
0
0
1
0
2
0
3
0
5
0
1
0
0
1
5
0
2
0
0
2
5
0
3
0
0
3
5
0
4
0
0
4
5
0
5
0
0
5
0
0
1
0
0
2
5
0
5
1
5
5
1
5
P
V
=
3
0
0
m
W
A
A
\
|
+ = =
= =
CES
C
T
U
BE
U
CE Sat CE
I
I
U U U U
CB CB
1 ln
0 0
,
C
I
CE
U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
21
2. Steuerkennlinie: ( ) . , const U I f I
CE B C
= =
U
CE
I
B
I
C
I
B
U
CE
Aktiver Bereich:
Im wesentlichen:
Wegen Stromabhngigkeit von ergibt sich leicht S frmiger Verlauf.
Wegen Basisweiten Modulation leichter Anstieg von
bei zunehmendem
Sat CE CE
U U
,
>
0 CE B N C
I I B I + =
I
CE0
C
I
N
B
CE
U
I
C
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
22
3. Eingangskennlinie: ( ) . , const U I f U
CE B BE
= =
U
CE
U
BE
I
B
U
BE
I
B
U
CE
-I
CBS
CBS
U
U
EBS B
I e I I
T
BE
|
|
.
|
\
|
= 1
Diodenkennlinie der BE Diode
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
23
4. Rckwirkungskennlinie: ( ) . ; const I U f U
B CE BE
= =
U
BE
U
CE
I
B
U
CE
I
B
U
BE
Rckwirkung:
Fr einen konstanten Basisstrom muss bei hherer CE Spannung
auch hhere BE Spannung angelegt werden (Early Effekt)
E
const I
CE
BE
B
dU
dU
1
=
=
E
: innere Verstrkung
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
24
Kleinsignal - Ersatzschaltungen
Konzept: Trennung von Arbeitspunkt und Kleinsignalaussteuerung
ermglicht lineares Ersatzschaltbild
hier: Beschrnkung auf Emitterschaltung
I
C
U
BE
U
CE
I
B
I
B
=const
I
B
=const
U
CE
=const
U
CE
=const
C
I
B
I
BE
U
CE
U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
25
Arbeitspunkt ist gegeben durch:
berlagert wird Kleinsignalaussteuerung
Linearisierung im Arbeitspunkt:
- ersetze tatschliche Kennlinie durch Tangente im Arbeitspunkt
CE BE C B
U U I I , , ,
<<
BE BE
U u
<<
CE CE
U u
<<
B B
I i
<<
C C
I i
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
26
. 0
1
tan
const I
CE
C
i
CE
C
B B
dU
dI
u
i
= =
= =
. 0
4
tan
const I
CE
BE
i
CE
BE
B B
dU
dU
u
u
= =
= =
heit Ausgangsleitwert bei offenem Eingang
. 0
3
tan
const U
B
BE
u
B
BE
CE CE
dI
dU
i
u
= =
= =
heit Eingangswiderstand bei kurzgeschlossenem Ausgang
. 0
2
tan
const U
B
C
u
B
C
CE CE
dI
dI
i
i
= =
= =
heit Stromverstrkung bei kurzgeschlossenem Ausgang
heit Spannungsrckwirkung bei offenem Eingang
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
27
Vierpoldarstellung mit Hybridparametern
Emitterschaltung
i
1
=i
B
u
1
=u
BE
i
2
=i
C
u
2
=u
CE
2 , 12 1 , 11 1
u h i h u
e e
+ =
2 , 22 1 , 21 2
u h i h i
e e
+ = und
in Matrixschreibweise:
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
CE
B
C
BE
u
i
h h
h h
i
u
u
i
h h
h h
i
u
22 21
12 11
2
1
22 21
12 11
2
1
Daneben noch gebruchlich: Leitwertparam. (Y-Pos.)
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
2
1
22 21
12 11
2
1
u
u
y y
y y
i
i
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
28
Hybridparameter ESB der Emitterschaltung
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
CE
B
C
BE
u
i
h h
h h
i
u
22 21
12 11 I
II
E E
B C
CE 12
u h
BE
u
B 21
i h
11
h
C
i
22
h CE
u
i
B
CE e B e BE
u h i h u + =
, 12 , 11 CE e B e C
u h i h i + =
, 22 , 21
I II
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
29
T N
C
T
B
U
U
EBS
T BE
B
U B
I
U
I
e I
U dU
dI
T
BE
= =
1
= =
C
T
N
B
T
e
I
U
B
I
U
h
, 11
Eingangswiderstand
= =
= = =
CE CE CE
U U
B
BE
u
B
BE
e
dI
dU
i
u
h
3
0
, 11
tan
T
BE
T
BE
U
U
EBS CBS
U
U
EBS B
e I I e I I
|
|
.
|
\
|
= 1
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
30
= =
= = =
B B B
I I
CE
BE
i
CE
BE
e
dU
dU
u
u
h
4
0
, 12
tan
E CE
BE
dU
dU
1
=
(
E
: innere Verstrkung)
E
e
h
1
, 12
=
Spannungsrckwirkung
(meist vernachlssigbar)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
31
= =
= = =
CE CE CE
U U
B
C
u
B
C
e
dI
dI
i
i
h
2
0
, 21
tan
0 CE N B C
I B I I + =
= =
N
B
C
B
dI
dI
=
e
h
, 21
Stromverstrkung
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
32
= =
= = =
B B B
I I
CE
C
i
CE
C
e
dU
dI
u
i
h
1
0
, 22
tan
E T
C
CE
BE
BE
C
CE
C
U
I
dU
dU
dU
dI
dU
dI
1
= =
E T
C
e
U
I
h
1
, 22
=
Ausgangsleitwert
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
33
Zahlenbeispiel: typischer Kleinsignaltransistor
mV U
T
26 =
mA I
C
1 =
2000 =
E
100 =
N
B
= = = =
k
mA
mV
B
I
U
I
U
h
N
C
T
B
T
e
6 , 2 100
1
26
, 11
0 0005 , 0
2000
1 1
, 12
= = =
E
e
h
100
, 21
= =
N e
B h
= = =
k mV
mA
U
I
h
E T
C
e
52
1
2000
1
26
1 1
, 22
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
CE
BE
C
B
u
u
y y
y y
i
i
22 21
12 11
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+
+
=
|
|
.
|
\
|
CE
BE
CB CE CB
CB CB BE
C
B
u
u
G G G S
G G G
i
i
BE
u
C
i
B
i
CE
G
BE
G
CE
u
CB
G
BE
u S
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
35
BE
u
C
i
B
i
CE
G
BE
G
CE
u
CB
G
BE
u S
mit:
T
B
N T
C
BE
U
I
B U
I
G
=
=
m
T
C
g
U
I
S = =
E T
B
BE
E
CB
U
I
G G
1 1
= =
E T
C
CE
U
I
G
=
Eingangsleitwert
bertragungsleitwert,
Steilheit
Ausgangsleitwert
Rckwirkungsleitwert
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
36
Basisweitenmodulation (Early Effekt)
Mit steigender Sperrspannung der CB Diode nimmt die Basisweite ab.
Strom im Kollektorkreis steigt
C
I
A
U -
CE
U
CE e
A CE
C
U U
CE
C
g h
U U
I
dU
dI
CE CE
= =
+
=
=
, 22
C
I
1
CE
U
1
\
|
+
+ + =
A CE
CE
CE B N C
U U
U
I I B I 1
0
|
|
.
|
\
|
+
A
CE
B N C
U
U
I B I 1
wegen U
A
>>U
CE
Definiere innere Verstrkung
E
E CE
BE
dU
dU
1
=
U
A
und
E
hngen zusammen:
T
C
E BE
C
CE
BE
CE
C
U
I
dU
dI
dU
dU
dU
dI
*
1
= =
A
C
CE
C
U
I
dU
dI
bzw.
T E A
U U
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
38
Kapazitten des Bipolartransistors
a) Sperrschichtkapazitten: C
Sp,E
der BE Diode und C
Sp,C
der CB - Diode
b) Diffusionskapazitten: C
D,E
der BE Diode und C
D,C
der CB Diode
Aktivbetrieb, normal
BE Diode in Flussrichtung: C
D,E
>>C
Sp,E
CB Diode in Sperrrichtung: C
Sp,C
>>C
D,C
Betrachtung der Diffusionskapazitt C
D,E
:
Basis
w
B
Emitter Kollektor
n n p
Q
n
n
p,E
: Basisquerschnitt
: El.-Geschwindigkeit in Basis
: El.-Ladung in Basis
: El.-Laufzeit in Basis
A
n
v
n
Q
0
T
+
= = = =
j
G
C
j
BE
E D
+
=
+
=
1
1
0
,
0
: - Grenzfrequenz (-3dB fr )
0
, T
BE
E D
BE
S
G
C
G
= =
T
T
j j
+
=
+
=
0 0
1
1
1
1
0
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
42
: Transitfrequenz, Transitgrenzfrequenz
T
( )
T
@ 0dB =
2
,
2 1
0
B
N
E D T
T
w
D
C
S
= = =
: Stromverstrkung in Basisschaltung
j j +
=
+ +
=
+
=
1 1
1
0
0
0
( )
0
1
+ =
log
0
( )
( )
-20dB/ Dek.
1
0
0
=
T
(log)
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
43
Thermische Belastung und Stabilitt
Hauptquelle der Verlustleistung: CB Diode
bertemperatur
C CE zu v
I U P
,
zu v j
P T
,
~
TH zu v j
R P T T =
, 0
: Umgebungstemperatur
: Sperrschichttemperatur
: Elektrische Verlustleistung
: Thermischer Widerstand
0
T
j
T
zu v
P
,
TH
R
El. Ersatzschaltbild:
v,zu
P
j
T
0
T
0 j
T T
TH
R
Mit steigender Temperatur T
j
verndern
sich die Transistorparameter
P
v
steigt an
T
i
e T n
const.
3 2
~ ~ Strme
K 6 alle ng Verdoppelu : Si
K 10 alle ng Verdoppelu : Ge
Zunahme
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
44
Trans.
in
Schaltung
Temperatur -
verhalten
d. Trans.
elektrisch -
thermische
Kopplung
Trans.
als
Wrmequelle
Khlung
P
v,ab
P
v,zu
T
j
Leistung
Betr. -
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
45
Anordnung ist stabil, wenn gilt:
j
ab v
j
zu v
dT
dP
dT
dP
, ,
<
TH j
ab v
R dT
dP
1
,
=
( )
j
CE
C
j
C
CE C CE
j j
zu v
dT
dU
I
dT
dI
U I U
dT
d
dT
dP
+ = =
,
ist abhngig von der einbettenden Schaltung
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
46
typisches Beispiel: Verstrkerstufe
Verlustleistung im Transistor:
thermisch stabil, falls:
C
I
B
U
CE
U
C
R
( )
2
, C C C B C C B C C CE zu v
I R I U I R U I I U P = = =
( ) 0
1
, ,
< < =
TH j
C
C
zu v zu v
R dT
dI
dI
dP
dT
dP
0 >
j
C
dT
dI
0
,
<
C
zu v
dI
dP
wegen muss werden!
Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme:
47
0
!
2
,
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Prinzip der halben Versorgungsspannung
Auch: thermische Stabilisierung durch Gegenkopplung
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Halbleiterbauelemente I/II H. Fiedler, WS 2013/14 LS Intelligente Mikrosysteme: