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N Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1200 1600 V
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1400 1800 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj vj max VDSM 1200
1400
1600 V
1800 V
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1700 V
non-repetitive peak reverse voltage 1500 1900 V
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 1500 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85 °C ITAVM 720 A
average on-state current
Dauergrenzstrom TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms ITAVM 1050 A
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert ITRMS 1650 A
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms ITSM 14500 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 12500 A
Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 1051 10³ A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 781 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 60747-6 (diT/dt)cr 120 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
th
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5 letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values


Durchlassspannung Tvj = Tvj max, iT = 3000 A vT max. 1,94 V
on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 750 A max. 1,20 V
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,85 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,35 mΩ
slope resistance
Durchlasskennlinie 300 A ≤ iT ≤ 3500 A Tvj = Tvj max A= 1,173E+00
on-state characteristic B= 1,489E-04
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅ iT C= -9,456E-02
D= 1,966E-02
Zündstrom Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 250 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 1,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 300 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 1500 mA
latching current iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max i D, i R max. 80 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 60747-6 tgd max. 4 µs
gate controlled delay time Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-10-13


approved by: M.Leifeld revision: 1.0

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 250 µs
circuit commutated turn-off time ThermischevdvEigenschaften
= 100 V, v = 0,67 V
RM DM
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
D T
DRM

Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften / 4 letter O
th

Thermische Eigenschaften / Thermal properties


Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, θ = 180°sin max. 0,038 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max. 0,036 °C/W
Anode / anode, θ = 180°sin max. 0,068 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,065 °C/W
Kathode / cathode, θ = 180°sin max. 0,082 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,080 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCH


thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sides max. 0,005 °C/W
einseitig / single-sides max. 0,010 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties


Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see annex page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft F 9...18 kN
clamping force
Steueranschlüsse Gate (flat) A 2,8x0,5 mm
control terminals Gate (round, based on AMP 60598) Ø 1,5 mm
Kathode / cathode A 4,8x0,5 mm
Gewicht G typ. 270 g
weight
Kriechstrecke 20 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N

Massbild

4 5
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
1 2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
R,t – Werte Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Diagramme
Kühlung /
Diagramme Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Cooling
Trans. Wärmewid. beidseitig
Rthn [°C/W] 0,00017 0,00338 0,00429 0,01355 0,01461 - -
beidseitig
two-sided
τn [s] 0,00027 0,00261 0,04170 0,17300 0,99900 - -

Rthn [°C/W] 0,00022 0,00368 0,00407 0,01813 0,0389 - -


anodenseitig
anode-sided
τn [s] 0,00033 0,00260 0,02970 0,18200 5,8300 - -

Rthn [°C/W] 0,00022 0,00305 0,00216 0,01625 0,00482 0,0535 -


kathodenseitig
cathode-sided
τn [s] 0,00033 0,00254 0,01790 0,14600 0,01355 6,8200 -

nmax

ΣR
-t
Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = thn 1− e τn

n=1

0,09
c
0,08

0,07 a

0,06
[°C/W]

0,05

0,04
thJC

b
Z

0,03

0,02

0,01

0,00
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC


Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling


b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N

Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Durchlasskennlinie
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec
0,00438 0,00764 0,01017 0,01379 0,01951
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00279 0,00431 0,00644 0,00986 0,01591
[°C/W]

∆Zth Θ rec
0,00496 0,00860 0,01144 0,01551 0,02200
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
0,00316 0,00486 0,00723 0,01105 0,01794
[°C/W]

∆Zth Θ rec
0,00434 0,00746 0,00998 0,01355 0,01935
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
0,00274 0,00420 0,00625 0,00955 0,01562
[°C/W]

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec


Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

4.000

3.500 Tv j = Tvj max

3.000

2.500
iT [A]

2.000

1.500

1.000

500

0
0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2
V T [V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)

Tvj = Tvj max

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
2000

Durchlassverluste 180°
120°
1500 0°
0 180° 90°
60°
θ = 30°
PTAV [W]

1000

500

0
0 200 400 600 800 1000 1200
ITAV [A]

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120
0° 180°
0
100
T C [°C]

80

60

40
θ = 30° 60° 90° 120° 180°
20
0 200 400 600 800 1000 1200
I TAV [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
2500

2000 Tc DC
0° 180°
0
180°
120°
1500 90°
P TAV [W]

60°
θ = 30°

1000

500

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IT AV [A]

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120
0° 180°
0
100
T C [°C]

80

60

40
θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC
20
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
100

Steuerkennlinie

10
c d
v G [V]

b
a

-40 °C
Tvj =
+25°C

1
Tvj =
+125°C
Tvj =

0,1
10 100 1000 i G [mA] 10000 100000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V


Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 40W / 10ms Zündverzug


b - 80W / 1ms
c - 100W / 0,5ms d - 150W / 0,1 ms

10000

iTM =
Qr [µAs]

2000A
1000A
500A
200A
100A
50A

1000 20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)

Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N
14

12

10
I T(OV)M [kA]

6 0-50V
0,33 VRRM

4 0,67 VRRM

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T720N

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T720N12TOF