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► Bruno Putz
Faszination Physik 1+2
4. Auflage (2007) Veritas-Verlag
Physikalische Grundlagen ISBN 978-3-7058-6549-5
der Elektrotechnik
Christian G. Diskus ► Bruno Putz
Faszination Physik 3+4
Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik
3. Auflage (2009) Veritas-Verlag
ISBN 978-3-7058-6547-1
Buchempfehlung Inhalt
► Manfred Albach: ► Elektrischer Stromkreis
Elektrotechnik ► Elektrostatik
Teil I: Erfahrungssätze, ► Elektromagnetismus
Bauelemente,
Gleichstromschaltungen ► Technisches Stromnetz
Teil II: Periodische und ► Halbleiter
nichtperiodische Signalformen ► Elektromagnetische Wellen
2011 Pearson.
ISBN 978-3-86894-081-7
Einführung in die Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 3 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 4
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 5 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 6
1
Elektrischer Stromkreis Elektrischer Stromkreis
► Ladung Q ► Ohmsches Gesetz
dQ
– aus I = Spannung U
dt U =RI
Einheit: Volt, [U ] = 1 V
Integral des Stromes
folgt Q = ∫ I dt I über die Zeit t ► Ohmscher Widerstand
ρl [R ] = 1 Ω = 1 V
R =
A A
– Einheit: Ampere ⋅ Sekunde, Coulomb
► Ohmscher Leitwert Ohm
[Q ] = 1 A s = 1 C 1 [G ] = 1 S = 1 A
G =
R V
Siemens
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 7 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 8
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 9 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 10
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 11 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 12
2
Elektrischer Stromkreis Elektrischer Stromkreis
► Energie W und Leistung P ► Zeitlich veränderliche Größen Limes
– Geleistete Arbeit = Energieänderung – Augenblicksleistung bedeutet Grenzwert
∆W = U I ∆t ∆W dW
P (t ) = lim =
Delta ∆t →0 ∆t dt
bedeutet Differenz Differentialquotient
∆W
– Leistung P = =U I Differenzenquotient
∆t
– mittlere Leistung
Mittelwert über betrachtetes Zeitintervall ∆t
– Einheiten [P ] = 1 V A = 1 W Watt
– Arbeit W = ∫ P (t ) dt
[W ] = 1 W s = 1 J Joule
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 13 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 14
UL = U0 U L = I 0 Ri
– Kurzschlussstrom – Kurzschlussstrom
U0
IK = IK = I0
Ri
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 15 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 16
Elektrostatik Elektrostatik
► Ladung und ► Coulombsches Gesetz
Kraftwirkung – Kraft zwischen zwei Ladungen
Einheitsvektor in
► Elektrisches Feld radialer Richtung
1 Q1Q 2
► Kondensator F2 = er
4πε 0 r 2
3
Elektrostatik Elektrostatik
► Eine Anwendung: ► Laserdrucker
der Laserdrucker – Die Tonerpartikel
– Auf der werden durch
Kopiertrommel elektrostatische
entsteht das zu Anziehung
kopierende Bild als (Coulombsches
Ladungsabbild: Gesetz) auf das
• Schwarz negative Papier gebracht
Ladung
• Weiß keine Ladung
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 19 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 20
Elektrostatik Elektrostatik
► Elektrische Feldstärke E ► Elektrische Feldstärke einer Punktladung Q1
– Eine Ladung bewirkt ein elektrisches Feld. – Die Kraft auf die Probeladung Q2 ist
– Auf eine Ladung im elektrischen Feld wird eine Kraft 1 Q1
F2 = er Q 2
ausgeübt. 4πε 0 r 2
– Das elektrische Feld kann über die Kraftwirkung auf E1
eine „Probeladung“ Q definiert werden: – Das elektrische Feld einer Punktladung ist also das
Vektorfeld
F = EQ
Q1
E1 = er
4πε 0r 2
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 21 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 22
Elektrostatik Elektrostatik
► Einheiten im SI-System ► Einheiten im SI-System
– Système International d´Unités – Dielektrizitätskonstante im Vakuum
• Meter m
As
• Kilogramm kg ε 0 = 8,854 ⋅ 10 −12
• Sekunde s Vm
• Ampere A
– Ladung: Coulomb [Q ] = 1 C = 1 As – Elektrische Feldstärke:
[E] = [Q ] ⋅ [er ] = 1
As
=1
V
– Kraft: Newton [F ] = 1 N = 1 kg2m 4π [ε 0 ][r ]
2 As m2
Vm
m
s
– Elektrische Feldstärke: [E ] = 1 V abgeleitete
m Einheit Volt
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4
Elektrostatik Elektrostatik
► Elektrostatisches Potential V ► Elektrostatisches Potential V
– Ein geladener Körper im elektrostatischen Feld hat – Nur Potentialdifferenz relevant
potentielle Energie. P1
– Bewegung gegen Kraft erfordert Arbeit: We = Q ∫ (− E) ⋅ d s = Q [V (P1 ) −V (P0 )]
P1 P1 P0
We = − ∫ F ⋅ d s = −Q ∫ E ⋅ d s
P0 P0
► Folgerungen
Skalarprodukt
– Geleistete Arbeit ist wegunabhängig
E d s cos (E; d s )
– Ringintegral verschwindet
– Elektrostatisches Feld ist ein Potentialfeld Gilt nur in der
⇒ ∫E ⋅ ds = 0 Elektrostatik
nur Potentialdifferenz zwischen Endpunkt und
Startpunkt ist relevant! – Absoluter Wert des Potentials ist nicht wichtig.
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 25 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 26
Elektrostatik Elektrostatik
► Spannung ► Plattenkondensator
– Die Potentialdifferenz zwischen zwei Punkten 1 und – 2 Metallplatten
2 nennt man Spannung U12 – Spannung Ua angelegt
• Die Spannung ist unabhängig vom Bezugspotential.
– E -Feld entsteht
• Die Einheit ist Volt.
P1 P2 P0 P2
U 12 = V (P1 ) −V (P2 ) = − ∫ E ⋅ d s + ∫ E ⋅ d s = ∫ E ⋅ d s + ∫ E ⋅ d s Ua = ∫E ⋅ ds = E d
P0 P0 P1 P0
P2
U 12 = ∫ E ⋅ d s
P1
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 27 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 28
Elektrostatik Elektrostatik
► Kapazität C ► Kondensator
– Erhöht man die Spannung, so – Struktur mit zwei Elektroden zur
erhöhen sich auch die Ladungsspeicherung heißt Kondensator
Ladungen auf den Platten. – Plattenkondensator
– Der Proportionalitätsfaktor εA
heißt Kapazität C =
d
Q =C U
– Einheit Farad [C ] = 1 F = 1 As
– Q ist hier die Ladung auf der V
positiv geladenen Platte
– Energieinhalt
sowie der Betrag der Ladung CU2
auf der negativ geladenen We =
2
Platte.
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5
Elektrostatik Elektromagnetismus
► Strom-Spannungsbeziehung am Kondensator ► Magnetfeld
– Ladung: Q = C U ► Lorentzkraft
dQ ► Induktion
– Strom: I (t ) =
dt
dU
I =C
dt
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Elektromagnetismus Elektromagnetismus
► Magnetfeld eines geraden stromdurchflossenen ► Kraft auf stromdurchflossenen Leiter
Leiters – hängt auch vom Winkel α zwischen Flussdichte B
– ist proportional zum Strom I und stromführendem Draht ab
– sinkt umgekehrt proportional zum Abstand r F = B I s sin α
– magnetische Flussdichte nach dem
d.h. die Kraft ist am größten,
oerstedschen Gesetz
I wenn B und I
B = µ0 eϕ senkrecht aufeinander stehen.
2π r
Elektromagnetismus Elektromagnetismus
► Kraft auf Ladung ► Magnetischer Fluss Φ
– Strom wird durch Bewegung von Ladungsträgern – Das Integral über die Flussdichte B ist der Fluss
erzeugt. I s =Q v
– Die Kraft auf die Ladungsträger ist daher Φ= ∫∫ B ⋅ d A
A
F = I s ×B = Q v ×B
F = Q (E + v × B )
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6
Elektromagnetismus Elektromagnetismus
► Induktivität L ► Faradaysches Induktionsgesetz
– Erhöht man den Strom, so erhöht sich auch der – Änderung des Flusses Φ induziert in einer Schleife
magnetische Fluss. eine Spannung
– Der Proportionalitätsfaktor heißt Induktivität L dΦ d
Φ =LI U =−
dt
=−
dt ∫∫ B ⋅ d A
A
– L beschreibt die Fähigkeit, Energie in Form eines
Magnetfeldes zu speichern. – Flussänderung kann durch Änderung der Fläche
– Einheit Henry und/oder durch Änderung der Flussdichte erzeugt
[L ] = 1 H = 1 Vs werden.
A
– Φ ist hier der „verkettete Fluss“ (auch mit Ψ
bezeichnet), bei einer Spule mit der Windungszahl N
muss der N-fache Fluss eingesetzt werden.
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 37 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 38
Elektromagnetismus Elektromagnetismus
► Selbstinduktion ► Gegeninduktion
– Leiterschleife (Drahtwiderstand R) ohne externes – Stromänderung bewirkt Flussänderung
Magnetfeld, aber mit Spannungsquelle u0 – Induzierte Spannung in allen Schleifen, die von
– Spannungsquelle treibt Strom u0/R diesem Fluss durchsetzt werden
– Strom erzeugt magnetischen Fluss • „eigene“ Schleife: Selbstinduktion
• andere Schleifen: Gegeninduktion
– Bei nicht konstanter Spannung u0(t ) Induktion
di
uL = L
dt
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► Sicherheitseinrichtungen
Kreisfrequenz
Frequenz 1 2π
f = ω=
T T
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7
Technisches Stromnetz Technisches Stromnetz
► Gleichwert ► Effektivwert
Mittelwert t 0 +T
1 Der Effektivwert eines beliebigen zeitabhängigen
u =
T ∫ u (t ) dt Stromes gibt denjenigen Wert des Stromes an, den
t0
ein Gleichstrom haben muss, damit er im zeitlichen
► Effektivwert Mittel an einem ohmschen Widerstand die gleiche
Leistung umsetzt.
wichtig für Leistungsberechnungen
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 43 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 44
– ϕi > 0: voreilend
– ϕi < 0: nacheilend
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8
Technisches Stromnetz Technisches Stromnetz
d i L (t ) du C (t )
► Induktivität L u L (t ) = L ► Kapazität C i C (t ) = C
dt dt
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u 1 (t ) = uˆ sin(ωt )
2π
u 2 (t ) = uˆ sin ωt −
3
4π
u 3 (t ) = uˆ sin ωt −
3
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Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 53 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 54
9
Sicherheit Sicherheit
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Sicherheit Sicherheit
Sicherheit Sicherheit
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Sicherheit Sicherheit
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Sicherheit Sicherheit
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Halbleiter Halbleiter
► Halbleitermaterial ► Energiezustände eines Atoms
► Diode – Anzahl der Elektronen pro Energiezustand ist
begrenzt, Elektronen nehmen niedrigstmögliche
► Transistor Energiezustände ein.
► Weitere Bauteile – Energiezufuhr hebt Elektron auf höhere Bahn, fällt
das Elektron wieder zurück, wird die Energie wieder
abgegeben.
Halbleiter Halbleiter
► Bandaufspreizung ► Bänderdiagramm
mehrere Atome in einem Kristall – Leitungsband: niedrigstes unbesetztes Band
aus diskreten Niveaus werden Bänder • Elektronen sind nicht gebunden und können sich frei
bewegen
W • Elektronengas
Energiebänder Energielücken
– Valenzband: höchstes besetztes Band
Leitungsband
• Elektronen werden für die Bindung im Kristall benötigt
Valenzband • Elektronen sind an Atom gebunden
– Interessant sind nur:
Abstand
zwischen
untere Leitungsbandkante und
1 nm 1 µm obere Valenzbandkante
zwei Atomen
Elektronen
Atomabstand in einem Halbleiterkristall
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Halbleiter Halbleiter
► Halbleiter bei T = 0 K ► Bandabstand Wg
– Valenzband voll mit Elektronen besetzt Breite der Energielücke Wg bestimmt elektrisches
– im Leitungsband keine Elektronen Verhalten
C .. conduction band
g .. gap
V .. valence band
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Halbleiter Halbleiter
► Fermi-Dirac-Statistik ► Intrinsischer Halbleiter
– ursprünglich für ideale Gase entwickelt Fermiverteilung und Bänderdiagramm kombiniert
• Elektronen verhalten sich im Halbleiter wie Gasmoleküle,
daher spricht man von Elektronengas.
W freie W
– beschreibt die W Elektronen Leitungsband
Wahrscheinlichkeit P WL
mit der ein Elektron T>0K
die Energie W hat WF WF
WF
– Wahrscheinlichkeit
hängt von der WV
T=0K freie
Temperatur T ab. Valenzband
Löcher
P(W) x
Fermi Energie P(W) 0 1
0 1
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 73 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 74
Halbleiter Halbleiter
► n-Halbleiter ► p-Halbleiter
Elektronengas Löchergas
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Halbleiter Halbleiter
► pn-Diode ► pn-Diode
– Strom-Spannungs-Kennlinie
U
U
I = I 0 e UT − 1 I = I 0 e UT − 1
– „Temperaturspannung“
kT
UT =
e
k = 1,38·10–23 J/K ... Boltzmannkonstante
T ... absolute Temperatur in K
e = 1,602·10–19 C ... Elementarladung
UT = 25 mV bei Raumtemperatur
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Halbleiter Halbleiter
► Bipolartransistor ► Kennlinienfeld eines Bipolartransistors
– Widerstand zwischen zwei Elektroden wird durch
Anlegen einer Spannung an einer dritten Elektrode IC /mA IC /mA IB =
beeinflusst
0,05 mA
Englisch: transfer resistor transistor 5 5
0,04 mA
– besteht aus drei abwechselnd dotierten Zonen 4 4
0,02 mA
– zwei Typen: 2 2
npn 1 1 0,01 mA
pnp 0 IB /mA 0 UCE /V
0 0, 02 0,04 0,06 0 2 4 6 8 10
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 79 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 80
Halbleiter Halbleiter
► Feldeffekttransistor (FET) ► Weitere Bauteile
– Widerstand zwischen Source (S) und Drain (D) wird – Heißleiter
durch Anlegen einer Spannung an das Gate (G) – Fotowiderstand
beeinflusst – Fotodiode, Solarzelle
– Gate ist isoliert, Kanal zwischen S und D wird durch – Leuchtdiode
elektrisches Feld zwischen Gate und Kanal
gesteuert (Feldeffekt)
– Steuerung leistungslos
– zwei verschiedene
Dotierungen möglich:
• n-Kanal
• p-Kanal
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Elektromagnetische Wellen Elektromagnetische Wellen
► Beispiel: Parallelschwingkreis ► Schwingung ► Welle
– z.B. Spannung ändert – z.B.
stark gedämpft schwach gedämpft sich periodisch mit Spannungsänderung an
1
der Zeit einer Stelle einer
Leitung pflanzt sich mit
0.8
u = uˆ sin(ωt )
0.6
0.9
0.4
0.2
endlicher
Geschwindigkeit v fort
Spulenstrom
0.8 0
– zu einem bestimmten
1 1
0.7 -0.2
0.9
u = uˆ sin(ωt − β x )
Spulenstrom
0.8
0.5 -0.6
0.7 0.6
Spulenstrom
v =
0.3 -1
β
0.2 0.2
0.4
0.3
0.1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0
10
gleich (Näherung für
0.2
kurze Leiter)
Zeit
-0.2
0.1
0 -0.4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Zeit Zeit
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 85 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 86
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 87 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 88
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Elektromagnetische Wellen Elektromagnetische Wellen
f in Hz 10 24
► Antenne: λ (in Luft)
Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 91 Physikalische Grundlagen der Elektrotechnik © 2019 Christian G. Diskus 92
The End
16