Kapitel 9: Halbleiter

Nobel prizes in semiconductor physics

1956 William B. Shockley, John Bardeen, Walter H. Brattain
"for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor
effect”

1973 Leo Esaki, Ivar Giaever, Brian D. Josephson

"for their experimental discoveries regarding tunneling phenomena in
semiconductors and superconductors, respectively”

1985 Klaus von Klitzing

"for the discovery of the quantized Hall effect”

1998 Robert B. Laughlin, Horst L. Störmer, Daniel C. Tsui

"for their discovery of a new form of quantum fluid with fractionally charged
excitations”

2000 Zhores I. Alferov, Herbert Kroemer, Jack S. Kilby

"for basic work on information and communication technology”

2010 A. Geim. K. Novoselov

"for groundbreaking experiments regarding the 2D material graphene”
Mikroelektronik
 Silizium Computerchip
Intel® Core™ i7-860 Processor (8M Cache, 2.80 GHz)

• 774 Mio. Transistoren

• 45 nm Technologie

• 296 mm2 Chipfläche

• Leistungsaufnahme 95 W

• Preis 339 CHF (2010)

Advanced Semiconductor Quantum Materials
Quelle: Intel
 Siliziumwafer

12”

Reinheit: 99.9999999%
 Waferherstellung

Schmelzen Keimkristall Beginn des Ziehen des Einkristalls

von poly-Si (Seed) Kristallwachstums

Czochalski-Verfahren
Siliziumwafer
Siliziumwafer
Chips werden auf 300 mm Silizium Wafern in CMOS Technologie gefertigt

ca. 200 Chips/Si Wafer => Wert: 67.800,- CHF

bei einem Gewicht von 128 g

529.688 CHF/kg

vgl. Goldpreis:
37.523 CHF/kg
(2010)

Advanced Semiconductor Quantum Materials

Quelle: Intel
sp3 Hybridisierung für C, Si und Ge
 Halbleiter

Zinkblende-/
Diamant-
Kristallstruktur
 Metalle, Halbleiter, Isolatoren

Metall Halbleiter Isolator

Band
leer
E Leitungsband

EL Bandlücke EGap
EF
EV

Valenzband
Band
gefüllt
Direkte und indirekte Halbleiter
Effektive Masse in Halbleitern
 Elektron-Loch-Bild

Vorher Nachher

E E E

LB e– LB e– LB

e– h+
VB VB VB
alternativ
Fermi-Dirac-Verteilung bei Halbleitern

Leitungsband

Valenzband
Fermi-Dirac-Verteilung bei Halbleitern
Fermi-Dirac-Verteilung bei Halbleitern

𝐸𝐸𝐶𝐶 −𝐸𝐸𝐹𝐹
−
𝐶𝐶
𝑛𝑛eff 𝑛𝑛𝐶𝐶 𝑒𝑒 𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇
eff

𝑉𝑉
𝑛𝑛eff 𝐸𝐸𝑉𝑉 −𝐸𝐸𝐹𝐹
𝑛𝑛𝐶𝐶 𝑒𝑒 𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇
eff
 Dotierung von Halbleitern

n-Dotierung p-Dotierung
Periodensystem
Donator- und Akzeptorniveaus
 Ionisierungsenergie eines Donators

Wasserstoffatom: Bohr-Radius

𝑚𝑚𝑒𝑒 𝑒𝑒 4 1 𝜖𝜖0 ℎ2
𝐸𝐸n = ⋅
2 𝑛𝑛2
≈ 13.6eV 𝑎𝑎0 = 2
≈ 0.05nm
2 4𝜋𝜋𝜖𝜖0 ℏ 𝜋𝜋𝑚𝑚𝑒𝑒 𝑒𝑒

P Donator in Si:

𝑚𝑚𝑒𝑒 → 𝑚𝑚𝑒𝑒∗ ≈ 0.3𝑚𝑚𝑒𝑒

𝜖𝜖0 → 𝜖𝜖 = 𝜖𝜖𝑟𝑟 Si 𝜖𝜖0 ≈ 11.7𝜖𝜖0

𝐸𝐸n = ⋯ ≈ 0.030eV 𝑎𝑎0 = ⋯ ≈ 2nm

 Ladungsträgerdichte für Donatoren: Spezialfälle

Tiefe Temperaturen 𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇 ≪ 𝐸𝐸𝑑𝑑

𝐿𝐿 1/2 𝐸𝐸𝑑𝑑
𝑛𝑛 ≈ 𝑛𝑛𝐷𝐷 𝑛𝑛eff ⋅ 𝑒𝑒 𝐸𝐸𝑑𝑑 /𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇 𝐸𝐸𝐹𝐹 ≈ 𝐸𝐸𝐿𝐿 +
2
Hohe Temperaturen 𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇 ≫ 𝐸𝐸𝑑𝑑

𝑛𝑛 ≈ 𝑛𝑛𝐷𝐷 = const. 𝐸𝐸𝐹𝐹 < 𝐸𝐸𝐿𝐿

Sehr hohe Temperaturen:

𝑛𝑛, 𝐸𝐸𝐹𝐹 bestimmt durch intrinsische Ladungsträger (aus Valenzband)
Ladungsträgerdichten in undotierten (intrinsischen) und
dotierten Halbleitern
g (E)

g (E)

g (E)
 Mobilität der Ladungsträger bei Halbleitern
Mobilität

Phononen-Streuung (hohe Temperaturen) 𝜎𝜎 = 𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛

1 𝜇𝜇 ∝ 𝑇𝑇 −3/2 Leitfähigkeit
∝ 𝑇𝑇 3/2
𝜏𝜏

Störstellen-Streuung (tiefe Temperaturen)

1
∝ 𝑇𝑇 −3/2 𝜇𝜇 ∝ 𝑇𝑇 3/2
𝜏𝜏
Mobilität bei Halbleitern
Farbzentren

Leitungsband

Donorniveau
(angeregter Zustand)
Donorniveau –

Valenzband
Künstliche Kristalle
 Defect spins in diamond

Nitrogen-doped NV color center

(~100 ppm)

V
N

Few defects

Nitrogen-Vacancy center • Electronic spin S=1

(~10 ppm) • Single emitter (630-800 nm)
 NV Center Platforms

High purity plates Nanostructures Biomarkers

3 mm
2 µm

5 µm
Ben Ofori-Okai – Degen Lab Jens Boss – Degen Lab From: Adamas / Mohan, Nano. Lett. 2010
 Diamond platforms

1 5N+

3 mm 5-10 nm

Source: ElementSix
 Diamond platforms

Tip arrays Scanning tips

Scanning tips

Jan Rhensius (www.qzabre.com)

 Integrated Probe Chip

Jan Rhensius (www.qzabre.com)

Kapitel 9.5: pn-Übergang
Energieniveaudiagramm mit einer Bandlücke: Begriffe

Evac
E
EA
IE Waus
Waus: Austrittsarbeit
EL
IE: Ionisierungsenergie
EF Egap EA: Elektronenaffinität
EV

E1
 Kontaktpotential

Vorher Nachher
Ionisierungsenergie
Evac

Waus,1 Waus,2

– +
EF,2 – +
EKontakt EF
– +
EF,1 – +

Leiter 1 Leiter 2 Leiter 1 Leiter 2

 pn-Halbleiterübergang

p-Dotierung n-Dotierung

Elektronen

Löcher

EKontakt
 Raumladungszone

p dotiert n dotiert
Löcher Elektronen

Ladungsträger-
dichte

Ladung

Elektrisches Feld

VKontakt
Spannung V

Quelle: Wikipedia
 Drift und Diffusionsstrom

𝜕𝜕𝜕𝜕(𝑥𝑥) 𝜕𝜕𝜕𝜕(𝑥𝑥)
𝑗𝑗Diff = 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑗𝑗Drift = 𝜎𝜎𝐸𝐸 𝑥𝑥 = −𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒
Ladungsträger-
𝜕𝜕𝜕𝜕 𝜕𝜕𝜕𝜕
dichte

Löcher Elektronen Spannung

VKontakt
V

p dotiert n dotiert
Typische Grössenordnungen
 pn-Halbleiterübergang: Vorwärtsspannug

p dotiert n dotiert

Ekontakt - eV
EKontakt

EF = EF,p + + + + – – – – EF = EF,n

Ladungsträgerdichte
(Elektronen+Löcher)
 pn-Halbleiterübergang: Rückwärtsspannung

p dotiert n dotiert

Ekontakt + eV
EKontakt

EF = EF,p + + + + – – – – EF = EF,n

Ladungsträgerdichte
(Elektronen+Löcher)
 Erzeugungs- und Rekombinationsstrom

Erzeugungsstrom Rekombinationsstrom
(Driftstrom) (Diffusionsstrom)

𝐼𝐼Er ≈ const. 𝐼𝐼Rek ≈ 𝐼𝐼Er 𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒/𝑘𝑘𝐵𝐵 𝑇𝑇

 Diodenkennlinie

IRek

IDrift
Diodenkennlinie
 Photodiode und LED

Photodiode Light Emitting Diode (LED)

Einfallendes Licht Austretendes Licht

+ I
–
Photodiode
Absorptionsspektren von Halbleitern
 Bandlücken wichtiger Halbleiter

Material Symbol Bandlücke Grenzwellenlänge Wellenlängenbereich

Silizium Si 1.11 eV 1120 nm

Germanium Ge 0.67 eV 1850 nm

Siliziumkarbid SiC 3.3 eV 380 nm

Diamant C 5.5 eV 230 nm

Galliumarsenid GaAs 1.43 eV 870 nm

Indiumgallium-
InGaAs 800-2600 nm
arsenid

Blei(II)sulfid PbS 0.37 eV 3350 nm

Solarzelle
 Transistor (Bipolar)
Emitter Emitter

Basis Basis

Kollektor Kollektor

Emitter Emitter

Basis Basis
Kollektor Kollektor
 Erster Transistor
John Bardeen, Walter Brattain, William Shockley (Bell Labs, 1947)

1948-Shockley
invents the Ge Junction transistor
plastic

emitter collector
(Au foil) (Au foil)

base (Ge)
emitter collector separation:
50  m
Feldeffekt-Transistoren (FETs)
 Feldeffekttransistor (FET)

p-dotiert Metall p-leitend n-leitend

n-dotiert Isolation (Oxid) Raumladungszone
Lilienfeld Patent → 45-nm Transistor (Intel, 2008)

50 nm
 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

Beispiel: Inverter
Moderne Transistoren: HEMTs (High Electron Mobility)

Struktur-
verbesserungen

Verbesserungen
an der MBE
Apparatur

Struktur-
verbesserungen

zweidimensionales
Elektronengas

L. Pfeiffer and K. West, Physica E 20, 57 (2003).

KONZEPTFRAGEN
 Der elektrische Widerstand eines Halbleiters

1) steigt linear mit der Temperatur

2) ist temperaturunabhängig
3) fällt linear mit der Temperatur
4) fällt exponentiell mit der Temperatur

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0
Für einen n-dotierten Halbleiter liegt das Ferminiveau bei T=0

1) im Leitungsband
2) im Valenzband
3) zwischen Leitungsband-Kante und Donatorniveau
4) in der Mitte der Bandlücke

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0
 Für einen p-dotierten Halbleiter liegt das Ferminiveau bei
Raumtemperatur

1) im Leitungsband
2) im Valenzband
3) in der Nähe des Akzeptorniveaus
4) in der Mitte der Bandlücke

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0
 Für einen Halbleiter aus der 4. Hauptgruppe, wie Si
1) führt der Einbau eines fünfwertiges Element wie P zu n-Dotierung
2) führt der Einbau eines dreiwertiges Element wie B zu n-Dotierungin
der Nähe des Akzeptorniveaus
3) führt der Einbau eines weiteren vierwertigen Element wie Ge zu n-
Dotierung
4) kann mit demselben Element p- und n-Dotierung erreicht werden

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1
0
Für einen Halbleiter wie GaAs, der aus einem dreiwertigen (Ga)
und aus einem fünfwertigen (As) Element besteht und in der
Zinkblende-Struktur kristallisiert, kann der Einbau eines
vierwertigen Elements (z.B. Si) in die Kristallstruktur
1) sowohl zu n- als auch zu p-Dotierung führen
2) nicht zu Dotierzwecken benutzt werden
3) zu Supraleitung führen
4) zu Ferromagnetismus führen

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0
 Wie sieht die Reihenfolge der Energieniveaus in dotierten
Halbleitern aus?

Valenzband Akzeptorband
Donatorband Donatorband

1 3 60
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56
55
54
53
52
51
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43
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8
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3
2
1
0
Akzeptorband Leitungsband
Leitungsband Valenzband

Leitungsband Leitungsband
Akzeptorband Donatorband

2 4
Donatorband Akzeptorband
Valenzband Valenzband
 Welche Darstellung beschreibt am ehesten die Besetzung der
Energieniveaus?

Leitungsband Leitungsband

1 3 60
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57
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54
53
52
51
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47
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43
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35
34
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11
10
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8
7
6
5
4
3
2
1
0
Akzeptorband Akzeptorband
Valenzband Valenzband

Leitungsband Leitungsband

Löcher
2 4 Elektronen

Akzeptorband Akzeptorband
Valenzband Valenzband
 Wo befindet sich das Fermi-Niveau in einem p-dotierten
Halbleiter?

1) In der Mitte zwischen Valenz- und Leitungs

band 60
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34
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32
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8
7
6
5
4
3
2
1
0
2) In der Nähe des Leitungsbandes
3) In der Nähe des Valenzbandes
 Wo befindet sich das Ferminiveaus in einem Halbleiter?

1) Das Ferminiveau liegt immer genau in der Mitte

zwischen Valenz- und Leitungsband 60
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53
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45
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43
42
41
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38
37
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35
34
33
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31
30
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11
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7
6
5
4
3
2
1
0
2) Die Fermienergie muss genau so liegen, dass die
Anzahl der freien Elektronen und Löcher gleich ist
3) Antwort 1; falls der Halbleiter dotiert ist, liegt das
Ferminiveau beim Akzeptorniveau (p-Dotierung)
oder beim Donatorniveau (n-Dotierung)
4) Das Ferminiveau ist unbestimmt, da es in der
Bandlücke liegt (keine Ladungsträger)
 Was ist ein intrinsischer Halbleiter?

1) Ein Material, welches bei T=0 halbleitend ist

2) Ein Halbleiter mit einer direkten Bandlücke 60
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7
6
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4
3
2
1
0
3) Ein Material, welches ohne Dotierung
halbleitend ist
4) Ein Halbleiter, der aus einem reinen Element
besteht (keine Verbindung)
 Welche Ladungsträger überwiegen in einem intrinsischen
Halbleiter?

1) Elektronen
2) Löcher 60
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4
3
2
1
0
3) Elektronen und Löcher (zu Gleichen Teilen)
4) Keine allgemeine Antwort möglich, von
Halbleiter zu Halbleiter unterschiedlich
Ordne die folgenden Halbleiter nach aufsteigender Bandlücke

1) Si < Ge < GaAs

2) Ge < Si < GaAs 60
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43
42
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39
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37
36
35
34
33
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10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3) GaAs < Ge < Si
4) GaAs < Si < Ge
In welchen Fällen kann ein zweidimensionales Elektronengas
entstehen?

1) An einem p-n Halbleiterübergang

2) In einem zweidimensionalen Leiter 60
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45
44
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42
41
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38
37
36
35
34
33
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31
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12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3) An der Oberfläche eines
dreidimensionalen Leiters
4) 1 und 2
5) 1 und 3
6) Alle von 1-3
 Welche Aussage zum Driftstrom trifft NICHT zu?
Der Driftstrom…

1) …entsteht durch thermische Anregung

der Minoriäts-Ladungsträger 60
59
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41
40
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38
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35
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33
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13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2) …geht vom p- ins n-Gebiet
3) …ist weitgehend unabhängig von der
externen Spannung
4) …entsteht nur, falls die
Raumladungszone genügend dünn ist

Löcher-Driftstrom geht von n => p?

Welche Halbleiter haben in der Regel eine direkte Bandlücke?

1) Gruppe-IV-Halbleiter (Si, Ge)

2) Gruppe-III-V-Halbleiter (GaAs, …) 60
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1
0
3) Alle Halbleiter haben eine direkte Bandlücke
Die Geschwindigkeit der Elektronen im Leitungsband eines
Halbleiters ist

1) Grösser für leichte Elektronen (kleine

effektive Masse m*) 60
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2) Grösser für schwere Elektronen (grosse m*)
3) Hängt nicht von der effektiven Masse ab
Bei einem p-n-Übergang, an den eine Spannung angelegt wird

1) kann der Strom nur in eine Richtung fliessen

2) gibt es eine nicht-lineare I-V Linie
3) kann der Strom überhaupt nicht fliessen
4) kann Ohm'sches Verhalten beobachtet werden

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Das eingebaute Potential bei einem p-n Übergang ist ungefähr
so gross wie

1) die Donatorbindungsenergie
2) die Akzeptorbindungsenergie
3) die Bandlücke
4) die thermische Energie

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 Ein Halbleiter mit einer direkten Bandlücke

1) eignet sich für die Herstellung von optischen Bauelementen

2) kommt aus der IV. Hauptgruppe, wie Si und Ge
3) hat keine optischen Phononen
4) hat eine mehrfache Valley-Entartung

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 Ein indirekter Halbleiter

1) eignet sich für die Herstellung von optischen Bauelementen

2) kommt typisch aus der IV. Hauptgruppe, wie Si und Ge
3) hat keine optischen Phononen
4) hat eine Valley-Entartung

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 Welche Aussage ist falsch: Eine Halbleiterdiode ?

1) Kann verwendet werden um Photonen zu

detektieren
2) Stellt die Grundlage für LED Beleuchtung dar 60
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3) Besitzt immer eine Raumladungszone
4) Zeigt gleichrichtendes Verhalten (d.h. Strom fliesst
nur in eine Richtung)
5) Kommt in Si Solarzellen zum Einsatz
 Wodurch ist die Emissionswellenlänge einer Halbleiter LED
bestimmt?

1) Durch die Dotierniveaus des pn-Übergangs

2) Durch die am pn-Übergang angelegte Spannung
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1
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3) Durch die Bandlücke des verwendeten Halbleiters
4) Durch die Stromstärke durch den pn-Übergang in
Vorwärtsrichtung
5) Durch die Farbe des Kunststoffumhausung der LED