BPY 62

NPN-Silizium-Fototransistor BPY 62
Silicon NPN Phototransistor

fmof6019
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm 420 nm to 1130 nm
● Hohe Linearität ● High linearity
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) ● Hermetically sealed metal package (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C with base connection suitable up to 125 °C
● Gruppiert lieferbar ● Available in groups

Anwendungen Applications
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb ● Industrial electronics
● Industrieelektronik ● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
BPY 62 Q60215-Y62
BPY 62-2 Q60215-Y1111
BPY 62-3 Q60215-Y1112
BPY 62-4 Q60215-Y1113
1)
BPY 62-5 Q62702-P1113
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.

Semiconductor Group 238 10.95

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Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 55 ... + 125 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung TS 260 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung TS 300 °C
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung VCE 50 V
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom IC 100 mA
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs ICS 200 mA
Collector surge current
Emitter-Basisspannung VEB 7 V
Emitter-base voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 200 mW
Total power dissipation
Wärmewiderstand RthJA 500 K/W
Thermal resistance

Semiconductor Group 239

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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 420 ... 1130 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 0.12 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche L×B 0.5 × 0.5 mm × mm
Dimensions of chip area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 2.4 ... 3.0 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ±8 Grad
Half angle deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V IPCB 4.5 µA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCB 17 µA
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 8 pF
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCB 11 pF
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CEB 19 pF
Dunkelstrom ICEO 5 (≤ 100) nA
Dark current
VCE = 35 V, E = 0

Semiconductor Group 240

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Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
-2 -3 -4 -5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE 0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 ≥ 2.0 mA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light IPCE 3.0 4.6 7.2 11.4 mA
A,
VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit tr, tf 5 7 9 12 µs
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat 150 150 160 180 mV
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
Stromverstärkung IPCE 170 270 420 670
Current gain IPCB
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group 241

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Relative spectral sensitivity Photocurrent Total power dissipation

Srel = f (λ) IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Ptot = f (TA)

Output characteristics Output characteristics Dark current

IC = f (VCE), IB = Parameter IC = f (VCE), IB = Parameter ICEO = f (VCE), E = 0

Photocurrent Dark current Collector-emitter capacitance

IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

Semiconductor Group 242

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Collector-base capacitance Emitter-base capacitance

CCB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0 CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

Semiconductor Group 243