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Erzeugung und Rekombination von Ladungstrgern Erzeugung von Ladungstrgern

im Gas - Ionisation neutraler Molekle durch


- natrliche terrestrische (= Erd-) Strahlung - kosmische Hhenstrahlung (meist Protonen)

HT1 4.1

Ladungstrgerbewegung thermische Bewegung

HT1 4.2

IP dn 10 cm3 s dt 0

Universelles Gasgesetz pV = const = N k T


n=N V

p V = N k T n= p k T
Gasart H2 N2 O2 H 2O CO2 SF 6 Elektronen

an Oberflchen - Elektronenemission aus Kathode durch


- Feldstrke - Temperatur - Strahlung

p V T N n k

... ... ... ... ... ...

Druck Volumen absolute Temperatur Anzahl der Teilchen in Volumen V Teilchendichte Boltzmann-Konstante [k=1,38.10-23 Ws/K]
m E in m 0,63 0,33 0,36 0,23 0,22 0,13

mittlere kinetische Energie effektive Geschwindigkeit 3 1 Wkin = m v 2 = k T eff 2 2 mittlere freie Weglnge 1 T m ~ ~ n p
n = 1 dn k r dt 0

rel. Moleklmasse v e ff in mm/s m I in m 2 28 32 1,91 0,51 0,48 0,11 0,058 0,064 0,041 0,039 146 1/1840 0,22 116 0,025

Rekombination von Ladungstrgern

dn dn = = k r n+ n dt dt
+

kr ...Rekombinationskoeffizient

Gleichgewicht: Rekombinationsrate = Erzeugungsrate


- typischer Wert in Luft (0,1 MPa, 20C): - typischer Wert in SF6 (0,1 MPa, 20C):

gerichtete Bewegung im elektrischen Feld


Kraft auf geladenes Teilchen r r F = qE Driftgeschwindigkeit r r vE = b E
Ladungstrger Elektronen Ionen Gro-Ionen (geladene Partikel) Beweglichkeit b E 500 cm/Vs b I+ b I- (1 ... 2) cm/Vs b Gro-Ionen (10 ...10 ) cm/Vs
-4 -1

IP (200 ... 800) n = 500 cm IP n = 2500 cm

Driftgeschwindigkeit bei 30 kV/cm vE,Elektron 150 mm/s vE,Ion 0,3...0,6 mm/s fr Durchschlagprozesse vernachlssigbar

4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.1 Erzeugung und Rekombination von Ladungstrgern
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.2 Ladungstrgerbewegung im Gas
IEEH

Ladungstrgervermehrung - Ionisation mgliche Wechselwirkungen: Ionisationsprozesse:


Anlagerung / Anregung / Ionisation

HT1 4.3

Ladungstrgervermehrung - Elektronenanlagerung - Lawinenbildung Elektronenanlagerung


Anlagerungskoeffizient:
= Anzahl der Anlagerungsvorgnge Elektron Weglnge
E =f p p
p C3

HT1 4.4

Gasart N2 O O2 SF 6

Elektronenaffinitt W B in eV 1,4 0,4 0,05...0,1(anfngl.) 1,0(stabil)

Stoionisation / Fotoionisation / Thermoionisation / Oberflchenionisation


Gasart H2 N2 O2 SF 6
1 m

Stoionisationskoeffizient:
(1. Townsendscher Stoionisationskoeffizient)

1. Ionisationsenergie W I in eV 15,8 15,7 12,1 15,7

Anzahl der Ionisationsvorgnge = Elektron Weglnge


mittlere Anzahl der Ste je Lngeneinheit: freie Weglnge, um aus dem Feld WI aufzunehmen:

C 4 = C3 1 e E p p

WI = eE I I =

WI eE

Lawinenbildung
p C1

Wahrscheinlichkeit, dass die mittlere freie Weglnge I P( m > I ) = e m grer als die zur Ionisation erforderliche ist:

d Ne = Ne dx Ne dx

Ne (x = 0 ) = Ne 0

Anzahl der Ste mal Wahrscheinlichkeit:


WI

=
eE 1 C1 p

1 m e m

Ne (x ) = Ne 0 e 0

( ) dx

, p p C3

E p
p p
C1

1 1 1 m ~ ~ m = = C1 p e n p C1 p

(bezogener) Stoionisationskoeffizient:

= C1e p

C2 Ep

E =f p p

E p

Effektiver Ionisationskoeffizient: E = = =f p p p p

kein DS mglich

E p 0

DS mglich

E p

4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH

Effektiver Stoionisationskoeffizienten fr Luft und SF6


Anlagerungs und Stoionisationskoeffizient , , p p p 2000 1 mm MPa 1000 500 0 - 500 - 1000 0 20 E p 40
0; Luft

HT1 4.5

Strom-Spannungs-Kennlinie Bereich I: Leitfhigkeit


E I S S U

HT1 4.6

NI qI E dx = U iI (t ) dt
mm MPa E - E = 0,22 p p 0; Luft p Luft (kV ) kV E p 0; Luft= 24,4 mm MPa

= 24 E - 56 kV mm MPa p SF kV p
6

iI (t ) =

NI qI E dx v = NI qI I U dt s

S=

S = e nI+ bI+ + nI bI + ne b e E = E
28 E - E = p SF kV p p 0; SF 6
6

( = e (n

iI (t ) 1 = NI qI v I = nI qI v I A sA

II

III

+ I

bI+ + nI bI

)
bI+ bI 1,6 cm2 Vs

kV E = 89 mm MPa p 0; SF
6

1 nI+ nI 500 cm3

D =
60 80 E p 100
0; SF 6

kV mm MPa

1 = 4 1015 cm

Luft; 0,1 MPa:

140

Bereich II:

Sttigungsstromdichte

V kV E ~ 30 m ~ 25 cm ~ ~ selbstndige unselbstndige Gasentladung Gasentladung

bezogene Feldstrke E p
(nach Beyer, Boeck, Mller, Zaengl: Hochspannungstechnik, Springer Verlag, 1986)

nzugefhrt nabgefhrt

Bereich III:

Ionisation 4. Durchschlagprozess in Luft

4. Durchschlagprozess in Luft
4.1 Elementarprozesse 4.1.3 Ladungstrgervermehrung im elektrischen Feld
IEEH

4.2 Strom-Spannungs-Kennlinie

IEEH

Lawinenentladung im Homogenfeld Generationsmechanismus nach Townsend


x

HT1 4.7

Paschen-Kurve in Luft

HT1 4.8

+-

++-

++++- ---- ------- -s

Anzahl der Elektronen

() dx Ne (x) = Ne 0 e 0 = Ne 0 ex
NI+ = Ne (s) Ne0 = Ne0 e s 1

+
Anzahl der positiven Ionen
NI+ treffen auf Kathode

Durchschlagspannung U D

10 4 V

Kathode

++ + + + ++ + + + ++ + ++ + ++ + ++

& Fotonen treffen auf Kathode

Rckwirkun gselektronen (Ne0 )r

10

N e0 h

Ne0 e

Rckwirkungskoeffizient Anode (2. Townsendscher Ionisationskoeffizient) Zndbedingung

(N ) = N (e
e0 r e0

(N ) N
e0 r

{
-

s + N+ = N e0(e - 1) I

Annahmen:

= const.

(Ne0 )r = Ne0 (e s - 1) s x
Durchschlagspannung:

1 s = ln + 1 C 2 Ud Ep = C1e Ed = p s
e0

Ud =

C2 p s = f (p s) C1 p s ln ln(1 + 1)

10 1 10 -1 10

10 0 10

10 10 Pacm 10 1 2 3 10 10 MPam10 Druck Elektrodenabstand p s

(Dakin, T.W. et al.: Breakdown of gases in uniform fields - Paschen curves for N2, air and SF6, electra No. 32, 1974)

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH

Raumladungen und Stromverlauf bei Ausbruchsentladung (positive Spitze) und Trichel-Entladungen (negative Spitze)

HT1 4.9

Raumladungen und Feldverlauf in der Ausbruchs- bzw. Glimmentladung (schematisch)

HT1 4.10

E Eh 0 Emin Eh RL

ohne Raumladung mit verbleibenden positiven Raumladungen

E Eh RL Eh 0 Emin

ohne Raumladung mit Raumladung

Feldvergleichmigung

Feldvergleichmigung

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.1 Lawinenentladung
IEEH

Raumladung einer Lawine und Streamerentwicklung im Homogenfeld


--- -------------------------

HT1 4.11

Streamerentladung vor positiver bzw. negativer Spitzenelektrode


+
++ + + ++

HT1 4.12

kritische Verstrkung:

t1
+++ + ++

Fotonen

Fotonen
+
++++ + + + ++ + ++

t2

/E/ E max

/E/

+
+ + + ++ ++ + ++ ++ ++ + ++ + +

Sekundrlawine:

E max

t1

t2 t3

E x

E0

E0 Es

Es x x

x U0

ES x

weitere Folgelawinen:

U0 Ue U v x 5 kV/cm

E EG

+ EG

as

katodengerichteter Streamer

anodengerichteter Streamer

ohne Raumladung mit

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.2 Streamerentladung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.2 Streamerentladung
IEEH

++ +++ +

+ ++ + ++

++++ + +

t1 t2

Ue U v x 10-15 kV/cm

as ohne Raumladung mit

++ + + ++

Ursprungslawine:

++ +++ +

+ + + ++ +++ + + + + ++ + + ++

+ ++ + ++

++ ++ + +

Ne Nkrit 108

t1

+ ++ + ++

t2

Stielbschel- und Leaderentladung

HT1 4.13

Vorwachsen einer Leaderentladung


U Tcr

HT1 4.14

Streamer - Bschelentladung

Spannungsimpuls (Tcr=500s):

HS-Elektrode

Ui Ti t

+
EL Leader ( 1,5 kV/cm) Leaderkopf
Stielbschelentladung Einzelaufnahmen der Entladung:
2 4 m Ti T1 Tf j 5 3 4 iL 6 Td t
1 Koronaentladungsphase 2-3 Leaderentwicklungsphase 4 Durchschlagphase Final Jump 5 Aufleuchten des Leaderkanals 6 Stromimpulse (5 + 6 meist bei Richtungswechsel)

Entladungsstrom:
t

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.3 Leaderentladung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.3 Leaderentladung
IEEH

bersicht ber grundstzliche Entladungsmechanismen


Mechanismus weitere gebruchliche Bezeichnungen Lawinenentladung Glimmentladung Dauerkorona Ultrakorona Ausbruchsentladung TRICHEL-Entladung Stoionisation (+,) (+,) () (+) () Streamerentladung Kanalentladung Bschelentladung Impulskorona (+,) (+,) (+,) Leaderentladung Gleitfunke Leaderkorona

HT1 4.15

mgliche Entladungsentwicklungen und Bedingungen fr den Durchschlag


Voraussetzung fr den Durchschlag: 1) U Ui

10 m

Leaderkorona [Streamer ( 5kV/cm)]

schematische Darstellung der rumlich-zeitlichen Entladungsentwicklung:

12

HT1 4.16

(+,) (+,)

Zndung

Einsetzspannung Ui = f (Krmmungsradius, Elektrodenabstand,...) Kriterium: Anzahl der Elektronen in der Lawine

physikalische Prozesse Lawinengre Spannungsbedarf

Stoionisation Fotoionisation kritisch (+) ES = 5 kV/cm () ES = 10...15 kV/cm

Stoionisation Fotoionisation Thermoionisation kritisch EL = (0,1)..1..1,5 kV/cm mit zunehmendem Entladungsstrom nimmt Spannungsbedarf ab

unterkritisch EG 25 kV/cm

Lawinenentladung

nur positve Spitze

Streamerentladung

Ne (x ) = Ne0 e 0

( )dx

108

Einsetzhchstfeldstrke: Edh = 25 ... 50 kV/cm > Edi magebend im homogenen und schwach inhomogenen Feld

Optische Erscheinung von Entladungen (schematisch)

+
+
+

Stilbschelentladung

2) U U*
U* ... Spannungsbedarf zum berbrcken des Elektrodenabstandes nur Streamer Streamer und Leader

Ausbreitungsgeschwindigkeit mglich bei Spannungsart t = n s/v(Ionen) n... Anzahl Generationen v(Ionen) = 0,5 mm/s, (bei 30 kV/cm) (( v(El.) = 15 cm/s, (bei 30 kV/cm) )) Gleichspannung 50 Hz Wechselspannung 10 ... 100 cm/s (stark schwach inhomogen) Gleichspannung 50 Hz Wechselspannung Schaltstospannung Blitzstospannung < 10 cm/s

Leaderentladung

+
s

+
aL s aS

50 Hz Wechselspannung Schaltstospannung

magebend im stark inhomogenen Feld


s > a0 1 m a0 ... Grenzelektrodenabstand

mglich bei Elektrodenabstand

Durchschlag im Homogenfeld: s < 1,3 cm; bei Gleichspannung und Blitzstospannung fr alle s im stark inhomogenen Feld bei 50 Hz Wechselspannung unvollstndige Entladung Schaltstospannung fr s < a0

Durchschlag

1) + 2)

U = max U ; U i d

4. Durchschlagprozess in Luft
4.3 Selbstndige Gasentladungen 4.3.4 Vergleich der Entladungsformen
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft
IEEH

Einsetzhchstfeldstrke im Homogenfeld
empirische Beziehung nach Lau 1954

HT1 4.17

Schumann-Kurve - Einsetzhchstfeldstrke Edh fr die Anordnungen Kugel-Platte und Zylinder-Platte


55
Einsetzhchstfeldstrke Edh kV cm
r

HT1 4.18

Einsetzhchstfeldstrke Edh

100 kV cm 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0,01 0,1 1 10


cm

Einsetzhchstfeldstrke (Durchschlaghchstfeldstrke):

cm kV Ed = 24,4 + 6,53 s cm
E

45
s > r/2

40 35 30 25 0 2 4 6 Radius r 8 cm 10
Kugeln Zylinder

50 cm kV Ed 25 + s cm
Edi = 24,4 kV/cm

Edh Edi

Durchschlagspannung:
0 xkrit
100

Ud = Ui = Edh s
Einsetzspannung:

Elektrodenabstand s
homog. Feld: Einsetzhchstfeldstrke Edh = Durchschlagfeldstrke Ed

Ui = Edh s
4. Durchschlagprozess in Luft

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.1 Durchschlag im Homogenfeld
IEEH

4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.2 Durchschlag im inhomogen Feld

IEEH

Grenzspannungen fr Teilentladungen und Durchschlag einer Kugel-Platte-Anordnung


s
s s

HT1 4.19

Durchschlagwechselspannung von Spitze-Spitze- und Spitze-Platte-Anordnung bei groen Elektrodenanordnungen


3000 kV 2500 2000 1500 1000 500 0
1 kV/cm

HT1 4.20

5 kV/cm

25 kV/cm
stark inhomogenes Feld

stabile Vorentladung Einsetzspannung Ui

Durchschlagspannung d~

Durchschlagspannung Ud

~
+

schwach inhomogenes Feld

Ud = Ui Grenz < 1

Ui = E dh s

Ud > Ui < Grenz

5 kV/cm

aL

aS s

Bestimmung von Grenz mit den Annahmen: - Einsetzhchstfeldstrke Edh= 25 ... 50 kV/cm (abhngig vom Elektrodenradius) - Streamer von positiver Kugelelektrode (kritischer Fall) berbrckt gerade die gesamte Schlagweite

10

12 14 m 18 Elektrodenabstand s

Streamerreichweite:
>
Grenz

Durchschlagspannung:

Durchschlagspannung bei s>6m:

Ud Grenz =

< Grenz

s 5 kV cm E dh E dh

s a s = a0 (1+ ln ) a0

Ud = U* = ES a S + EL (s a S )

E dh = 25K50 kV / cm Grenz 0,1K 0,2

a 0 = 1,5 m (bei ~)
Grenzelektrodenabstand

ES = 4,5

kV cm

EL = 1

kV cm

s s Ud = E S a S + E L 0 a 0 ln a ln a 0 0 kV kV E L 0 = 1,5 E S = 4,5 cm cm

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.2 Durchschlag im inhomogen Feld
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.2 Durchschlag im inhomogen Feld
IEEH

Polarittseffekt der Durchschlaggleichspannung

HT1 4.21

Durchschlag bei Blitzstospannung Zndverzugszeit und Stokennlinie

HT1 4.22

u
1400 kV 1200

Durchschlagspannung Ud

1000 800 600 400 200 0 0

Durchschlag bei Gleichspannung:


~10 kV/cm 5 kV/cm

ScheitelStirnRcken- Durchschlge

d d
Stokennlinie

-nur Streamer - zum Aufheizen des Kanals fr Leader reicht Energie nicht - Polarittseffekt Ud+ < Ud(Spg.-Bedarf positiver und negativer Streamer)

tV = tS + tA td
tS ... tA ... tV ... d ...

50

100

150

200

250 cm 300

Elektrodenabstand s

statistische Streuzeit (Anfangselektron) Aufbauzeit (Lawine leitfhiger Kanal) Zndverzugszeit statische Durchschlagspannung

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.3 Durchschlag bei Gleichspannung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.4 Durchschlag bei Blitzstospannung
IEEH

Einflu der Polaritt und des Feldtyps auf die Stokennlinie

HT1 4.23

Durchschlag aus der Streamer-Leader-Entladung bei Schaltstospannung


u

HT1 4.24

bezogene Durchschlagspannung d/d

i
u(t)

2,5

- Leaderentladung in Ruckstufen s=1m


t

+
(tA ) hom < (tA )inhom

-Aufleuchten des Leaderkanals bei Stromimpuls - typische Werte: EL = 1,5 kV/cm dL < 3 mm TG = 5000C

1,5

1 0 2 4 6 8 10 s 14

Durchschlagzeit td Spannungsbedarf positiv: ca. 6 kV/cm negativ: ca. 10 kV/cm

Lichtbogen Leader Stiel Streamer stabile Entladung instabile

Schutz gegen berspannungen mit steilem Anstieg kann nicht durch inhom. Funkenstrecken erreicht werden Ableiter erforderlich

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.4 Durchschlag bei Blitzstospannung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH

Durchschlagschaltstospannung bei verschiedenen Scheitelzeiten


2000

HT1 4.25

Durchschlagschaltstospannung in Abhngigkeit von der Scheitelzeit der Stospannung

HT1 4.26

Durchschlagspannung d

2000 kV 1500 s

d t

5kV/cm Durchschlagspannung d
kV

1500

TP=1s

TP=2000s 500s 100s

Tp d=5m

se tzs pa nn un g

1000

1kV/cm

1000 3m 500 1,5 m

500

0 0 1 2 3 4 5 m 6

Le ad er ein

Elektrodenabstand s

5 10 20 50 100 200 500 1000 s 5000 Scheitelzeit Tp


4. Durchschlagprozess in Luft

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH

4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung

IEEH

Durchschlagspannung bei genormter Schaltstospannung und bei Schaltstospannungen mit ungnstigster Scheitelzeit
Durchschlagspannung d 4 MV 3 Blitzspannung Stospannung 250/2500

HT1 4.27

Durchschlagwechselspannung von Spitze-Spitze- und Spitze-PlatteAnordnung bei hochfrequenter Wechselspannung (360 kHz)

HT1 4.28

100

850 s
Durchschlagspannung d

kV 80 5 kV/cm 60 0,4 kV/cm 0,3 kV/cm 40 1 kV/cm 20

750 s 2 450 s 1 T = 250 s p 10 s 650 s

0
Streamerreichweite:

s a s = a0 (1+ ln ) a0

a 0 = 1m (bei

20 m 30 Elektrodenabstand s Durchschlagspannung: Durchschlagspannung bei s>6m: s s Ud = E S a S + E L 0 a 0 ln Ud = U* = ES a S + EL (s a S ) a ln a 0 0 kV kV kV kV ES = 4,5 EL = 1 E S = 4,5 E L 0 = 1,5 cm cm cm cm

0,2

0,4

0,6

0,8

1,2 m 1,4

Elektrodenabstand s

Streamer-Leader-bergang bei HF bereit bei s = einige cm

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.5 Durchschlag bei Schaltstospannung
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.6 Entladungen bei hochfrequenter Wechselspannung
IEEH

bersicht der Entladungsmechanismen bei einer Spitze-PlatteAnordnung in Luft, Durchschlagspannung bei positiver Polaritt
Spannungsarten Gleichspannung Wechselspannung Schaltstospannung Blitzstospannung HF-Wechselspannung mgliche Entladungsmechanismen Streamer alle Schlagweiten s1m s1m alle Schlagweiten s 0,1 m Streamer/Leader s>1m s>1m s > 0,1 m Polarittseffekt TE-Einsatz Ui(+) > Ui() i = i() i(+) > i() i(+) > i() i = i() Durchschlag Ud(+) < Ud() d = d(+) d(+) < d() d(+) < d() d = d(+)

HT1 4.29

Korrektur der atmosphrischen Bedingungen


Norm-Bezugsatmosphre (nach DIN IEC 60-1 bzw. VDE 0432 Teil 1):
Temperatur Druck absolute Luftfeuchte

HT1 4.30

0 = 20C
p0 = 101,3 kPa (1013 mbar) h0 = 11 g/m

Aufgaben:
(1) Vergleich von Mewerten Umrechnung von Mewerten auf Norm-Bezugsatmosphre
U0 der Norm-Bezugsatmosphre entsprechende gemessene Spannung gemessene Prfspannung atmosphrischer Korrekturfaktor

atmosphrischer Korrekturfaktor:
K t = k1 k2
Luftdichte-Korrekturfaktor:

1500

Durchschlagspannung d

5 kV/cm kV

1000

U0 = U K t
Blitzstospannung Gleichspannung Wechselspannung Schaltstospannung HF-Wechselspannung

k1 = m
... relative Luftdichte

U Kt

(2)

500

Prfung unter realen Laborbedingungen Ermittlung der Prfspannung fr gegebene atmosphrische Bedingungen
U U0 Kt bei Prfung anzulegende Spannung Prfspannung bei NormBezugsatmosphre atmosphrischer Korrekturfaktor

p (273 + 0 ) p 0 (273 + )

Luftfeuchte-Korrekturfaktor:

k2 = k w
Exponenten m und w siehe Grafik

0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 m 4

U = U0 K t
Elektrodenabstand s

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.7 bersicht
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.8 Einfluss der atmosphrischen Bedingungen
IEEH

Faktor g zur Bestimmung der Exponenten m und w fr atmosphrische Korrekturfaktoren (IEC 60 - 1)


Korrekturfaktor k

HT1 4.31

Barriereanordnung
Feldstrkeverlauf ohne und mit Flchenladungen auf der Barriere E

HT1 4.32

Korrekturfaktor

1,2 Wechselspannung

1,0 m m w m=w 0,5 w

Durchschlagspannung

1,1 Gleichspannung

ohne Barriere mit Barriere


100 kV 80

d a E S + b E dh

1,0

Impulsspannung

s
0
Spannungsform k Luftfeuchtigkeit

0,9
g/m
1 + 0,010 (h/ 11) ImpulsWechsel- Spannung 1 + 0,012 (h/ 11) 1 + 0,014 (h/ 11) Gleich1 h/ < 15) 1 h/ < 15) 1 h/ < 15)

0 a U UdB 5 kV/cm
25 kV/cm

s x

Durchschlagwechselspannung d

60

Fr Werte von h/ ber 15 g/m sind Fehler bis zu - 15 % mglich

0,8 0 5

10

15 20 25 35 g/m absolute Luftfeuchtigkeit h/relative Luftdichte

abhngig vom m Exponent zur Luftdichtekorrektur Parameter g w Exponent zur Luftfeuchtekorrektur g Parameter zur Beschreibung der Abhngigkeit der Exponenten m und w von der Art der Vorentladung

ud ud
s x

40

Udo a b 0

5 kV/cm

20

UB g= 500 L k

UB L k

... ... ... ...

50%-Durchschlagspannung in kV krzester Entladungsweg in m aktueller Wert der rel. Luftdichte Funktion des Verhltnisses der abs. Feuchte h zur rel. Luftdichte

3 cm 4

Barriere Erhhung von Ud mglich

Barrierenabstand a

4. Durchschlagprozess in Luft
4.4 Durchschlag technischer Elektrodenanordnungen in Luft 4.4.8 Einfluss der atmosphrischen Bedingungen
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.1 Durchschlag mit Barrieren
IEEH

Gleitentladungen an Durchfhrungen und Isolierstoffplatten


vor Entladungszndung ( U < Ui ) : dCE>>dCL dCL a Isolierstoff (r) bezogene Feldstrke:
Ex = cosh (1 x / ) x 0 E x =0 = = sinh CE K

HT1 4.33

Durchschlagspannung von Gleitanordnungen


-1,2/50 +1,2/50 50Hz

HT1 4.34

nach Entladungszndung ( U > Ui ) :


220 kV

dK

dCE

berschlagspannung U

fortschreitende Entladung a Isolierstoff (r) Strom in der Entladung:


i = C u C + u t t

180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 10 20 30 40 50 cm 60 berschlagweg -1,2/50 +1,2/50 50Hz

empirische Formeln fr 50-Hz-Wechselspannung:

C RF U C

1 a UG = 105 kV cm r

0 , 44

UG Gleitfunkeneinsetzspannung

c' UG = 1,92 10 4 kV F cm 2

0 , 44

TE-Einsetzspannung:
E U U E h = E x =0 = = E dh Ui = dh

Energie in der Entladung:


WRF = C U 2 2

c' =

C C pF = 0,25 A A cm 2

dCE >> dK >> 1

Kriterium fr berschlag: WRF Wth


UG = 2 Wth a 2 Wth a ~ =K C A 0 r r

lG gleitfunkenfreie Weglnge

sehr niedrige TE-Einsetzspannung

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH

Regenberschlag
1400

HT1 4.35

Fremdschichten an ueren Grenzflchen - Entstehen von Teillichtbgen und Ausweitung zum vollstndigen berschlag
r
dl
dR =
lK

HT1 4.36

a l r

1 dl 1 dl = 2 r S 2 r

berschlagweg

berschlagspannung

kV

a Schirmausladung l Schirmabstand

trocken Regen mit Schirm Regen ohne Schirm

n r

1000

R = dR =
0

1 1 K dl 1 = F S 2 r (l) S 0

r beregnete Luftstrecke n Nassstrecke Regen-Einfallswinkel z Schirmzahl

800

F=

1 K dl 2 r (l) 0
R Fremdschichtwiderstand [] Ableitwiderstand spez. Leitfhigkeit [S/cm] S Schichtleitfhigkeit [S] lK Kriechweg Fremdschichtdicke F Formfaktor

600

bezogene berschlagspannung = Spannungsbedarf - der nassen Isolierstoffoberflche:

400

Fremdschicht

Erwrmung

Trockenzone

Vorlichtbogen

En 2

kV cm kV cm

200

- der beregneten Luftstrecke:

0 0 100 200 cm 300

Trockenberschlagweg

I ~ 10...100 mA

E r 3...4

Potential

Abschtzung der Regenberschlagspannung:

r = (n E n + r E r ) z

U r = 0,8 ... 0,85 U t


4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.3 Regenberschlag

U r

kV cm

bei

a 0,5 l

Lichtbogenverlngerung durch Fupunktwanderung tritt auf, wenn Spannungsbedarf des Lichtbogens EB geringer als der Spannungsbedarf der Fremdschicht ES und fhrt unmittelbar zum Fremdschichtberschlag.

4. Durchschlagprozess in Luft
IEEH

4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen

IEEH

Kriechberschlagspannungen von 380 kV Isolatoren Manahmen zur Verbesserung des Fremdschichtberschlagverhaltens


800 Langstabisolator Durchfhrung 600

HT1 4.37

Umgebungskennzeichnung der Fremdschichtklassen nach IEC 60815 und IEC 60071-2


Verschmutzungsgrad I leichte Verschmutzung Umgebungskennzeichnung erforderlicher spezifischer Kriechweg
16 mm/kV

HT1 4.38
Schichtleitfhigkeit bei Prfung S
15 20 S

Manahme gegen Fremdschichtberschlag: R F oder S F r - Durchmesser so klein wie mglich lK - Isolatorlnge vergrern - Anzahl der Schirme erhhen - Schirmausladung vergrern (a / l = 1 ... 1,5) - Unterschirme / Rippen aber: Kriechweg mu ausgenutzt werden U ~ lK S - hydrophobe Oberflchen (Verbund-Isolatoren mit Silikonschirmen) - Silikonisieren - Reinigen (abspritzen)

kV

Fremdschichtstehwechselspannung Ust~

- Gebiete ohne Industrie und mit einer geringen Bebauungsdichte von Husern mit Heizungsanlagen - Gebiete mit wenig Industrie oder Husern, die aber hufigen Winden und/oder Regenfllen ausgesetzt sind - landwirtschaftliche Gebiete 1) - bergige Gebiete Alle Gebiete mssen mindestens 10 bis 20 km von der Meereskste entfernt liegen und drfen nicht direkten Seewinden ausgesetzt sein 2)

500

400

II mittlere Verschmutzung

300

- Gebiete mit Industrie, die nicht besonders verschmutzenden Rauch erzeugt und/oder mit einer mittleren Bebauungsdichte von Husern mit Heizungsanlagen - Gebiete mit hoher Bebauungsdichte von Husern und/oder Industrie, die aber hufigen Winden und/oder Regenfllen ausgesetzt sind - Gebiete, die Seewinden ausgesetzt sind, aber nicht zu nahe an der Ksten liegen (mindestens mehrere Kilometer)2) - Gebiete mit hoher Industriedichte und Vororte groer Stdte mit hoher Dichte von Heizungsanlagen, die Verschmutzung verursachen - Gebiete, nahe der Meereskste, oder die jedenfalls relativ starken Seewinden ausgesetzt sind 2) - Gebiete mit begrenzter Ausdehnung, die leitfhigem Staub und Industrierauch ausgesetzt sind, wodurch im einzelnen dicke leitfhige Ablagerungen entstehen - Gebiete mit begrenzter Ausdehnung, sehr nahe der Kste, die Meerwassersprhen oder sehr starken und verschmutzenden Seewinden ausgesetzt sind - Wstengebiete, die gekennzeichnet sind durch lange Perioden ohne Regen, starken Winden mit Sand und Salz, und die regelmiger Kondensation unterworfen sind

20 mm/kV

24 35 S

200

III schwere Verschmutzung IV sehr schwere Verschmutzung

25 mm/kV

36 S

100

31 mm/kV

0 0 10 20 30 40 S 60

Schichtleitfhigkeit s

1) Der 2) Die

Gebrauch von Sprh-Dngemittel oder das Auftreten von Erntebrnden kann durch Windeinfluss zu einem hheren Verschmutzungsgrad fhren. Entfernungen zur Meeresksten hngen von der Topografie des Kstengebietes und den extremen Windbedingungen ab.

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH

Grundstzliche Bauformen von Isolatoren fr Freileitungen aus Porzellan und Glas

HT1 4.39

Unterschiedliche Schirmprofile von Hochspannungsisolatoren

HT1 4.40

Normalschirm DIN 48115 mit Tropfkante (18/10)

Wechselschirme mit aerodynamischem Profil (20/13)

Normalschirm mit aerodynamischem Profil (12/5)

Schirme mit Unterrippen (12/3)

a)

b)

c)

d)

e)

f)

Normalschirm stark geneigt (28/21)

anti icing Profil

a) Sttzenisolator nach DIN 48004, Bauform B b) Sttzenisolator nach DIN 48004, Bauform A c) Freileitungssttzer

d) Kappenisolator e) Vollkernisolator f) Langstabisolator

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.4 Fremdschichtberschlag lngs Isolierstoffoberflchen
IEEH

Gleitentladungen an Durchfhrungen und Isolierstoffplatten


220 kV -1,2/50 +1,2/50 50Hz

HT1 4.41

fortschreitende Entladung U
berschlagspannung U

180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 10 20 30 40 50 cm 60 berschlagweg -1,2/50 +1,2/50 50Hz

a Isolierstoff (r)
u C + u i = C t t

WRF =

C U 2 Wth 2
2 Wth 2 Wth a a ~ =K C A 0 r r

UG Gleitfunkeneinsetzspannung

UG =

empirische Formeln fr 50-Hz-Wechselspannung:

lG gleitfunkenfreie Weglnge
0 , 44

1 a UG = 105 kV r cm

0 , 44

c' UG = 1,92 10 4 kV F cm 2

c' =

C C pF = 0,25 A A cm 2

4. Durchschlagprozess in Luft
4.5 Entladung an Grenzflchen 4.5.2 Gleitentladungen
IEEH